專利名稱：有源矩陣型顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到利用為每個子象素提供的有源設(shè)備，通過子象素單元控制顯示的有源矩陣型顯示設(shè)備，特別是涉及到使用有機(jī)材料電致發(fā)光設(shè)備(此后稱為有機(jī)EL設(shè)備)作為每個子象素發(fā)光設(shè)備(電光設(shè)備)的有源矩陣型有機(jī)電致顯示設(shè)備。
背景技術(shù)：
近來，使用有機(jī)EL設(shè)備作為為每個子象素提供的發(fā)光設(shè)備的有機(jī)EL顯示設(shè)備作為平面顯示器已經(jīng)受到關(guān)注。有機(jī)EL設(shè)備具有一種結(jié)構(gòu)，有機(jī)材料被兩個電極即陽極和陰極夾在當(dāng)中。在兩個電極之間加上電壓，電子從陰極向有機(jī)層發(fā)射，空穴從陽極向有機(jī)層發(fā)射，在那里，電子和空穴彼此復(fù)合因而發(fā)光。在驅(qū)動電壓為10V或者更低的時候，有機(jī)EL設(shè)備可以產(chǎn)生幾百到幾萬cd/m2的亮度。對每個子象素使用有機(jī)EL設(shè)備作為發(fā)光設(shè)備的有機(jī)EL顯示設(shè)備被認(rèn)為是極有潛力的下一代平面顯示器。
有機(jī)EL顯示設(shè)備的驅(qū)動方法包括簡易(無源)矩陣方法和有源矩陣方法。因為掃描線數(shù)目(即垂直方向上子象素的數(shù)目)的增加意味著每個子象素發(fā)光周期的縮短，因而為了實現(xiàn)顯示器的大尺寸和高精度，簡易矩陣方法要求每個子象素的有機(jī)EL設(shè)備立即發(fā)出高亮度的光。
另一方面，使用有源矩陣方法，因為每個子象素在每一幀周期中連續(xù)發(fā)光，所以很容易實現(xiàn)顯示器的大尺寸和高精度。在這類有源矩陣型有機(jī)EL顯示設(shè)備中，通常使用薄膜晶體管(TFT)作為驅(qū)動有機(jī)EL設(shè)備的有源設(shè)備。
包括TFT和有機(jī)EL設(shè)備的子象素驅(qū)動電路(以后簡單稱為子象素電路)在每個子象素中形成許多彼此獨立的一一對應(yīng)的層。特別地，包含TFT的子象素電路在基片上制作以形成電路層。平面化的膜在電路層上形成，然后制作用來電連接子象素電路和有機(jī)EL設(shè)備的觸點部分。此外，通過將包含發(fā)光層的有機(jī)層夾在兩個電極之間來形成的有機(jī)EL設(shè)備在平面化膜和觸點部分上制成，從而形成了設(shè)備層。
在有機(jī)EL顯示設(shè)備中經(jīng)常使用的低分子量有機(jī)EL設(shè)備的有機(jī)層通常由真空淀積形成。當(dāng)使用低分子量的有機(jī)EL設(shè)備作為子象素的有機(jī)EL顯示設(shè)備用于多色或者全色顯示器時，每個子象素的有機(jī)EL設(shè)備通過使用金屬掩?；蛘哳愃频臇|西選擇性地淀積。因此，需要高準(zhǔn)確度的淀積技術(shù)。由于淀積的準(zhǔn)確性影響到子象素的間距，分辨率，發(fā)光設(shè)備孔徑比，以及淀積時的不對準(zhǔn)引起的缺陷，在高亮度、高分辨率和高可靠性的有機(jī)EL顯示設(shè)備制作中淀積的準(zhǔn)確性是十分重要的。
例如在每個象素由三種不同發(fā)光色子象素構(gòu)成的全色顯示器中，發(fā)R(紅色)、G(綠色)和B(藍(lán)色)光的子象素最簡單的子象素結(jié)構(gòu)是一種條形結(jié)構(gòu)，其中發(fā)光部分以條形形式布置作為子象素單元，如圖1所示。由于在條形結(jié)構(gòu)中，每根掃描線和每根信號線彼此垂直，條形結(jié)構(gòu)具有布線布局簡單等優(yōu)點。然而對于有機(jī)EL設(shè)備淀積而言，需要很高的淀積準(zhǔn)確性，由于條形結(jié)構(gòu)中每一個子象素的縱橫比為1∶1/3，這樣形成了一種長而窄的形狀。
在本說明書中，一個發(fā)光子象素被定義為一個子象素，三個相鄰的子象素R、G、B的單元被定義為一個象素。同樣，將子象素以矩陣方式布置而成的子象素段中，每一行中子象素布置的方向，也就是沿著用來選擇行的掃描線方向，被定義為行方向，而在每一列中子象素布置的方向，也就是垂直于掃描線的方向，被定義為列方向。
作為另外一種子象素結(jié)構(gòu)，有一種Δ結(jié)構(gòu)，其中發(fā)光部分作為子象素單元以三角形(Δ)布置，如圖2所示。Δ結(jié)構(gòu)具有能夠產(chǎn)生高表觀顯示分辨率的優(yōu)點，這樣經(jīng)常被用在圖像顯示用的顯示器中。此外，Δ結(jié)構(gòu)的一個子象素具有1/2∶2/3的縱橫比，這樣具有近似于方形的形狀。因此，在Δ結(jié)構(gòu)中淀積準(zhǔn)確性的裕度比條形結(jié)構(gòu)的要大。
當(dāng)在Δ結(jié)構(gòu)中發(fā)光部分以這種方式布置作為子象素單元時，包含TFT的子象素電路中通常也采用同樣的Δ結(jié)構(gòu)。然而，當(dāng)在子象素電路中采用Δ結(jié)構(gòu)時，布置在垂直方向上彼此相鄰的子象素的位置被移動了半個子象素的間隔。相應(yīng)地，掃描線和信號線的設(shè)計應(yīng)該沿著子象素布置方向彎曲，導(dǎo)致了復(fù)雜的配線方式。配線的很多彎曲增加了對故障的敏感性，導(dǎo)致了合格率的下降。此外，在一些布線布局中，布線與子象素交叉，這就會導(dǎo)致孔徑比的下降。

發(fā)明內(nèi)容
考慮上述問題，提出本發(fā)明，相應(yīng)地本發(fā)明的目標(biāo)就是通過改善子象素電路的可靠性同時利用作為子象素單元的發(fā)光部分Δ布局的優(yōu)點，提供一種高亮度、高分辨率、高可靠性的有源矩陣型顯示設(shè)備。
為了獲得上述目標(biāo)，根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種有源矩陣型顯示設(shè)備，它在基片上層疊有設(shè)備層和電路層，其中設(shè)備層是將發(fā)光設(shè)備布置在子象素單元中，電路層是將為了驅(qū)動發(fā)光部分的發(fā)光設(shè)備而布置在子象素單元中。有源矩陣型顯示設(shè)備包括條形子象素結(jié)構(gòu)(以后稱為條形結(jié)構(gòu))，在這一結(jié)構(gòu)中子象素電路在行方向和列方向是直線式存在的；Δ子象素結(jié)構(gòu)(以后稱為Δ結(jié)構(gòu))，在這一結(jié)構(gòu)中在子象素電路的子象素結(jié)構(gòu)的行方向上發(fā)光部分的寬度是子象素間隔的兩倍，在子象素電路的子象素結(jié)構(gòu)的列方向，寬度是是子象素間距的1/2。子象素結(jié)構(gòu)中彼此相鄰的兩行的相位差是發(fā)光部分行方向上間距的1/2。
在有源矩陣型顯示設(shè)備中Δ結(jié)構(gòu)具有提供高表觀分辨率的優(yōu)點，這就使發(fā)光設(shè)備的淀積具有高準(zhǔn)確性，這樣就能夠改善發(fā)光設(shè)備的可靠性。因此，用Δ結(jié)構(gòu)作為發(fā)光部分子象素結(jié)構(gòu)有助于實現(xiàn)顯示器的高分辨率和高亮度。另一方面，采用條形結(jié)構(gòu)作為子象素電路的子象素結(jié)構(gòu)減少了布線的彎曲，這就導(dǎo)致布線方式更簡單，這樣就能提高子象素電路的可靠性。


圖1所示為條形子象素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖；圖2為Δ子象素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖；圖3為根據(jù)本發(fā)明實施例用來顯示有源矩陣型有機(jī)EL設(shè)備的結(jié)構(gòu)的電路圖；圖4為有機(jī)EL設(shè)備結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖5為根據(jù)本發(fā)明實施例有源矩陣型有機(jī)EL顯示設(shè)備斷面結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖6A、6B、6C所示為將有機(jī)EL設(shè)備子象素結(jié)構(gòu)和子象素電路子象素結(jié)構(gòu)組合在一起的平面結(jié)構(gòu)視圖；圖7A和7B為用來說明有機(jī)EL設(shè)備形結(jié)構(gòu)(A)和有機(jī)EL設(shè)備Δ結(jié)構(gòu)(B)之間內(nèi)部子象素距離差異的視圖；圖8A和8B為用來說明金屬掩?？讖叫螤畹囊晥D；圖9A、9B和9C為用來說明發(fā)光設(shè)備發(fā)光區(qū)域不同形狀的視圖；圖10為用來說明有機(jī)EL設(shè)備Δ布局的視圖；圖11為用來說明有機(jī)EL設(shè)備Δ布局改進(jìn)型的視圖；
圖12為用來解釋有關(guān)觸點部分形成的難題的輔助圖表；圖13為用來說明觸點部分形成的第一種結(jié)構(gòu)的視圖；圖14為用來說明第一結(jié)構(gòu)改進(jìn)型的視圖；圖15A和15B為用來說明觸點部分形成的第二種結(jié)構(gòu)的視圖；圖16A和16B為用來說明觸點部分形成的第三種結(jié)構(gòu)的視圖；圖17為用來說明觸點部分形成的第四種結(jié)構(gòu)的布局結(jié)構(gòu)圖；圖18為用來說明電流寫入型子象素電路結(jié)構(gòu)的電路圖；圖19為在觸點部分附近有縫隙的晶體管結(jié)構(gòu)透視圖；具體實施方式

以下根據(jù)附圖對本發(fā)明優(yōu)選實施例進(jìn)行詳細(xì)的介紹。圖3為根據(jù)本發(fā)明實施例用來說明有源矩陣型顯示設(shè)備，比如有源矩陣型有機(jī)EL顯示設(shè)備的電路圖。
在圖3中，大量子象素電路(以后也簡稱為子象素)11以矩陣的方式分布形成了顯示區(qū)域。在這種情況下，為了簡化圖形，僅僅顯示子象素結(jié)構(gòu)從i到i+2的三行和從i到i+2的三列。這一顯示區(qū)域為子象素電路11提供掃描線l2i到l2i+2，它們相繼被加入掃描信號2X(i)到X(i+2)，因此可以通過行單元來選擇每個子象素；同時也提供數(shù)據(jù)線(信號線)l3i和l3i+2，它們?yōu)樽酉笏靥峁﹫D像數(shù)據(jù)段，例如亮度數(shù)據(jù)Y(i)到Y(jié)(i+2)。
以下將選擇i行i列的子象素(i，i)作為子象素電路11來進(jìn)行介紹。然而，其它子象素的子象素電路也具有同樣的電路結(jié)構(gòu)。有機(jī)EL設(shè)備ELii作為顯示設(shè)備，TFT(薄膜晶體管)作為子象素晶體管。值得注意的是子象素電路11并不限于這一電路實例。
子象素電路11由用來選擇子象素的選擇晶體管TRiia，用來保持?jǐn)?shù)據(jù)電壓的保持電容Cii，以及用來驅(qū)動有機(jī)EL設(shè)備ELii的驅(qū)動晶體管TRiib構(gòu)成。亮度數(shù)據(jù)從數(shù)據(jù)線l3i中以電壓的形式提供，這樣相應(yīng)于數(shù)據(jù)電壓就有電流流過有機(jī)EL設(shè)備ELii。
就特定的連接關(guān)系而言，有機(jī)EL設(shè)備ELii的陽極連接到共用電源線(提供電壓VO)14上。驅(qū)動晶體管TRiib連接在有機(jī)EL設(shè)備ELii的陰極和共用地線15之間。保持電容Cii連接在驅(qū)動晶體管TRiib柵極和共用地線15之間。選擇晶體管TRiia連接在數(shù)據(jù)線l3i和驅(qū)動晶體管TRiib的柵極之間，選擇晶體管TRiia的柵極連接在掃描線l2i上。
有機(jī)EL設(shè)備的結(jié)構(gòu)將參照圖4進(jìn)行描述。在由透明玻璃等材料制成的基片21上制成由透明導(dǎo)電薄膜制成的第一電極22(比如陽極)，此外，在上面依次按順序淀積上空穴攜帶層23、發(fā)光層24、電子攜帶層25和電子注入層26來構(gòu)成有機(jī)層27，從而形成有機(jī)EL設(shè)備。然后，在有機(jī)層27上形成由低功函數(shù)金屬構(gòu)成的第二個電極(比如陰極)28。
在有機(jī)EL設(shè)備的第一電極22和第二電極28之間施加直流電壓E，空穴從第一電極(陽極)22通過空穴攜帶層23向發(fā)光層24注入，電子從第二電極(陰極)28通過電子攜帶層25向發(fā)光層24注入。注入的正負(fù)載流子使發(fā)光層中的熒光分子進(jìn)入激發(fā)狀態(tài)，然后在被激發(fā)分子的弛豫過程中發(fā)射光。
圖5所示為按這種方式形成的有源矩陣型有機(jī)EL顯示設(shè)備的剖視結(jié)構(gòu)。圖5所示為形成某一子象素和其子象素電路的有機(jī)EL設(shè)備。
在圖5中，包含上述選擇晶體管TRiia和驅(qū)動晶體管TRiib的子象素電路(TFT電路)在玻璃基片31上制成，從而形成了電路層32。同時，通過構(gòu)圖形成布線33，在布線33上形成平面化薄膜34。此外，在兩個電極35和36之間將有機(jī)層37夾在其中形成的有機(jī)EL設(shè)備在平面化薄膜34上制成，這樣形成了設(shè)備層38。
與圖4所示的有機(jī)EL設(shè)備剖視結(jié)構(gòu)對照，下電極35相應(yīng)于第一電極(例如陽極)22；上電極36相應(yīng)于第二電極(比如陰極)28；有機(jī)層37相應(yīng)于包含發(fā)光層24的有機(jī)層37。在電路層32中的子象素電路通過在平面化薄膜34中形成的觸點部分(連接部分)39電連接到設(shè)備層38中的有機(jī)EL設(shè)備中。
將有機(jī)EL設(shè)備的子象素結(jié)構(gòu)和子象素電路中子象素結(jié)構(gòu)結(jié)合起來的情況將在下面參照平面結(jié)構(gòu)圖6A、6B、6C進(jìn)行介紹。
根據(jù)本發(fā)明在有源矩陣型有機(jī)EL顯示設(shè)備中，用來發(fā)射RGB光的子象素(有機(jī)EL設(shè)備)設(shè)備層38中子象素結(jié)構(gòu)是Δ結(jié)構(gòu)，如圖6A所示，而在電路層32中子象素電路的子象素結(jié)構(gòu)是條形結(jié)構(gòu)，如圖6B所示。在一個子象素結(jié)構(gòu)中的子象素與另一個子象素結(jié)構(gòu)中子象素相對設(shè)置并一一對應(yīng)，如圖6C所示。在圖6A和圖6C中被點劃線所包圍的區(qū)域是每個子象素的發(fā)光區(qū)域。
這樣，當(dāng)子象素(有機(jī)EL設(shè)備)的子象素結(jié)構(gòu)是Δ結(jié)構(gòu)，并且具有Δ結(jié)構(gòu)的象素交錯排列時，這樣Δ結(jié)構(gòu)的圖像就可以被顯示。如上所述，Δ結(jié)構(gòu)具有高表觀顯示分辨率的優(yōu)點，這樣特別是對于圖像顯示非常適合。
特別地，在低分子量的有機(jī)EL設(shè)備中，有機(jī)層通常是通過淀積的方式形成。當(dāng)使用有機(jī)EL設(shè)備作為子象素的有機(jī)EL顯示設(shè)備用于多色或全色顯示時，有機(jī)EL設(shè)備通過使用金屬掩模等選擇性地淀積，因此需要高準(zhǔn)確度的淀積技術(shù)。淀積未對準(zhǔn)將導(dǎo)致很多問題，諸如有機(jī)層37沒有淀積因而下電極35和上電極36被短路的問題、以及將有機(jī)層37淀積到鄰近的子象素上的問題，這就導(dǎo)致了色彩混合或者不發(fā)光的問題等。
此外，當(dāng)?shù)矸e的精度不足時，不能制造具有理想的子象素間隔的有機(jī)EL設(shè)備，因此不可能實現(xiàn)有機(jī)EL顯示器的高分辨率。此外，與制造電極、絕緣薄膜和類似的部件的精度相比，有機(jī)層淀積的精度通常是較低的。因此，即使可以制造具有一定分辨率的顯示器，子象素的精度也要取決于有機(jī)層。這樣，有機(jī)層淀積精度的降低導(dǎo)致發(fā)光層孔徑比的降低。
作為解決這一問題的方法，根據(jù)本發(fā)明，有機(jī)EL顯示設(shè)備采用與子象素(有機(jī)EL設(shè)備)的次像素結(jié)構(gòu)相同的Δ結(jié)構(gòu)。當(dāng)三個相鄰的子象素R、G、B作為一個單元構(gòu)成的象素所占據(jù)的區(qū)域被選定時，從圖7A和圖7B中可以清楚得看到，在Δ結(jié)構(gòu)中一個子象素的子象素形狀(圖7B)和在條形結(jié)構(gòu)中一個子象素的子象素形狀(圖7A)相比更接近方形。
這樣，當(dāng)通過淀積的方式形成有機(jī)EL設(shè)備的有機(jī)層時，相同顏色子象素之間的距離尤其會在列方向增加。這樣，Δ結(jié)構(gòu)(圖7B)比條形結(jié)構(gòu)(圖7A)提供了更大的淀積金屬掩模的精度裕度。當(dāng)?shù)矸e以相同的精度制作時，Δ結(jié)構(gòu)(圖7B)可以比條形結(jié)構(gòu)(圖7A)獲得更高的孔徑比。
如圖8A所示，在條形結(jié)構(gòu)(圖7A)中相應(yīng)于長條形的子象素的金屬掩模的縫隙形狀是長窄的矩形(長條形)。另一方面，如圖8B所示，Δ結(jié)構(gòu)(圖7B)中金屬掩模的縫隙形狀與子象素的形狀相比接近于正方形。
當(dāng)注意到從淀積源中飛出的粒子中的傾斜部分時，由帶有長窄形縫隙形狀的矩形罩帶來的遮擋是很大的，因此相對于淀積傾斜部分來說金屬掩模的作用是很弱的。由金屬掩模產(chǎn)生的很大的遮擋作用削弱了在子象素內(nèi)部薄膜厚度的分布，從而導(dǎo)致了有機(jī)EL設(shè)備可靠性的降低。另一方面，具有方形縫隙形狀的掩模(圖8B)產(chǎn)生的遮擋作用是很小的，因此對于淀積傾斜部分來說掩模的作用是很強(qiáng)的。這樣在子象素內(nèi)薄膜厚度分布就是一致的。
最近隨著顯示器分辨率的增加，淀積掩模變得越來越大，為了使淀積掩模的硬度增加其厚度也增加。淀積掩模增加的厚度進(jìn)一步增加了掩模的遮擋作用。這樣，同樣從子象素內(nèi)薄膜厚度分布均勻的角度來看，Δ結(jié)構(gòu)作為子象素的子象素結(jié)構(gòu)比條形結(jié)構(gòu)具有優(yōu)勢。
從上述的描述中可以清楚地看到，使用Δ結(jié)構(gòu)(圖7B)作為子象素的子象素結(jié)構(gòu)比使用條形結(jié)構(gòu)(圖7A)可以使有機(jī)EL設(shè)備擁有更高準(zhǔn)確性的淀積。此外，由于有機(jī)EL設(shè)備可以改善可靠性并降低尺寸，有可能實現(xiàn)有機(jī)EL顯示器的高可靠性，高分辨率和高亮度。
另一方面，使用條形結(jié)構(gòu)作為子象素電路的子象素結(jié)構(gòu)消除了如在Δ結(jié)構(gòu)中沿著子象素結(jié)構(gòu)彎曲布線的必要，這樣可以簡化布線的結(jié)構(gòu)。結(jié)果，子象素電路的可靠性可以提高。發(fā)光設(shè)備的發(fā)光區(qū)域不必是四邊形的，比如，發(fā)光設(shè)備的發(fā)光區(qū)域可以是六邊形的，如圖9A所示。
如圖10所示，根據(jù)前述的實施例，在Δ結(jié)構(gòu)中被密密麻麻的線所包圍的象素(RGB)的子象素，也就是具有同樣發(fā)光顏色的子象素不是彼此相鄰的。同樣，Δ結(jié)構(gòu)是一種將象素以交錯的方式布置的象素結(jié)構(gòu)，每個象素包含三個具有三種不同顏色的子象素，每個子象素中心位置和其它子象素相鄰，形成了一個Δ。當(dāng)子象素電路的子象素結(jié)構(gòu)是帶有上述Δ結(jié)構(gòu)的條形結(jié)構(gòu)，為了從數(shù)據(jù)信號中獲得適當(dāng)?shù)膱D像，掃描線和數(shù)據(jù)線需要沿著Δ子象素結(jié)構(gòu)進(jìn)行復(fù)雜的布線，或者數(shù)據(jù)信號需要被驅(qū)動系統(tǒng)轉(zhuǎn)化成Δ結(jié)構(gòu)所采用的數(shù)據(jù)信號。
作為Δ結(jié)構(gòu)的難題，在行方向上彼此相鄰的子象素間，列向存在1/2個子象素大小的相位差。因此，在Δ結(jié)構(gòu)中，在垂直方向很難對直線進(jìn)行準(zhǔn)確的圖像顯示。相應(yīng)地，用作PC(個人電腦)監(jiān)視器、需要顯示字符的顯示器采用條形結(jié)構(gòu)。
圖11所示為Δ結(jié)構(gòu)的改進(jìn)型。根據(jù)改進(jìn)型在Δ結(jié)構(gòu)中被密密麻麻的線所包圍的象素(RGB)按照條形的方式布置。特別地，Δ結(jié)構(gòu)是一種象素結(jié)構(gòu)，在這一結(jié)構(gòu)中正三角和倒三角型、或者頂部和底部彼此相反的Δ交替地在兩個子象素行中布置。在顯示器中，行方向上彼此相鄰的象素在Δ結(jié)構(gòu)中和在條形結(jié)構(gòu)中布置的位置是相同的。
這樣，由于有機(jī)EL設(shè)備是Δ結(jié)構(gòu)，相同顏色金屬掩模之間的距離增加了。因此，可以進(jìn)行高準(zhǔn)確度的淀積，這樣導(dǎo)致了有機(jī)EL設(shè)備可靠性的改善和有機(jī)EL設(shè)備尺寸的減小。此外，由于在Δ結(jié)構(gòu)中象素(RGB)以條形的方式布置，有機(jī)EL設(shè)備可以按照條形結(jié)構(gòu)相同的方式進(jìn)行驅(qū)動。結(jié)果，改進(jìn)型比圖10所示的Δ結(jié)構(gòu)能更準(zhǔn)確的顯示字符。
這樣，就不必以復(fù)雜的方式布置掃描線和數(shù)據(jù)線，也不需要象在Δ結(jié)構(gòu)中驅(qū)動有機(jī)EL設(shè)備那樣，由驅(qū)動系統(tǒng)將數(shù)據(jù)信號轉(zhuǎn)化成Δ結(jié)構(gòu)需要的數(shù)據(jù)信號。因此可以制造比Δ結(jié)構(gòu)更適合字符顯示的高可靠性、高分辨率的有機(jī)EL顯示器，而只有簡單的布線和簡單的驅(qū)動系統(tǒng)。
當(dāng)子象素電路的子象素結(jié)構(gòu)是條形結(jié)構(gòu)并且發(fā)光部分子象素結(jié)構(gòu)為Δ結(jié)構(gòu)，如本實施例中有源矩陣型有機(jī)EL顯示設(shè)備那樣，可以得到下面的結(jié)構(gòu)。一般來說，如圖12所示，觸點部分39在各行之間形成一條直線，在電路層32中的子象素電路通過觸點部分39電連接到設(shè)備層38中相應(yīng)的有機(jī)EL設(shè)備上。
在圖12中，實線所示的區(qū)域代表發(fā)光部分(子象素)，虛線所示的部分代表發(fā)光區(qū)域。為了在行與行之間將觸點部分39以直線的方式布置，必須在行與行之間確保寬度為W的區(qū)域用來形成觸點部分39。這樣就阻止了列方向(垂直方向)上的子象素間距。另一方面，為了保證子象素一定的間距，需要減小發(fā)光區(qū)域的面積(以后稱為發(fā)光面)。
為了解決上述關(guān)于觸點部分39形成的難題，本發(fā)明采用了下面的結(jié)構(gòu)。下面通過采用幾個例子來介紹用來形成觸點部分39的結(jié)構(gòu)，它用來以電子的形式連接電路層32中子象素電路和設(shè)備層38中有機(jī)EL設(shè)備。
第一種結(jié)構(gòu)將子象素電路中行方向上彼此相鄰的兩個子象素的連接部分39作為一個單元。觸點部分39在垂直方向上交叉布置在兩個子象素間彼此不同的位置上，中間一行的邊界線位于觸點部分39之間的中間位置，例如圖13所示。這種結(jié)構(gòu)與圖6C所示的結(jié)構(gòu)相同。從圖6C中可以清楚地看到，在掃描線方向(行方向)上彼此相鄰的兩個子象素之間觸點部分39的位置是不同的，即在R子象素和G子象素之間、在G子象素和B子象素之間、在B子象素和R子象素之間，這樣觸點部分在垂直的方向上以交錯的方式布置，而中間一行的邊界線在觸點部分39之間。
具有第一種結(jié)構(gòu)的有源矩陣型有機(jī)EL顯示設(shè)備將子象素電路中在行方向上彼此相鄰的兩個子象素中的觸點部分39視作一個單元。并將觸點部分39布置在兩個子象素間彼此不相同的位置上，這樣就沒有必要保證行與行之間用來布置觸點部分39的區(qū)域。這樣就可以相應(yīng)地增加發(fā)光面積并使得垂直方向上子象素的間距更小。
有一種結(jié)構(gòu)可以看作第一種結(jié)構(gòu)的改進(jìn)型，在這一結(jié)構(gòu)中，發(fā)光部分和發(fā)光區(qū)域形成五邊形，相鄰兩行發(fā)光部分的凸出部分彼此接合，如圖14所示。在這種情況下，觸點部分39布置在發(fā)光區(qū)域的凸出部分，如圖14所示。同樣在子象素電路中兩個子象素中的凸出部分被視為一個單元，觸點部分39布置在兩個子象素間彼此不同的位置。
這樣，通過將發(fā)光部分和發(fā)光區(qū)域形成五邊形并將觸點部分39布置在發(fā)光區(qū)域的凸出部分，可以獲得由五邊形發(fā)光區(qū)域而不是由凸出部分構(gòu)成的充分接近矩形區(qū)域，作為實際上對發(fā)光有用的區(qū)域(以后稱為實際發(fā)光區(qū)域)。因此，發(fā)光面積增加了。特別地，形成觸點部分39的部件在水平方向上存在了差別，這一部分對發(fā)光并不起作用；因此，當(dāng)發(fā)光部分和發(fā)光區(qū)域如圖13一樣形成矩形結(jié)構(gòu)時，矩形區(qū)域并沒有以它的形狀形成實際的發(fā)光區(qū)域。實際的發(fā)光區(qū)域由于用來形成觸點部分39的部件的面積而減小。
在本改進(jìn)型中，發(fā)光部分和發(fā)光區(qū)域形成五邊形，觸點部分39布置在發(fā)光部分的凸出部分。換句話說，通過將觸點部分39布置在發(fā)光部分確定的發(fā)光區(qū)域之外(如圖13所示其中情況下為一矩形區(qū)域)，對發(fā)光不起作用的區(qū)域僅僅是凸出部分。這樣就可以獲得和圖13所示矩形區(qū)域同樣大小的面積來作為實際發(fā)光區(qū)域，這樣就可以增加發(fā)光面積。
上述結(jié)構(gòu)和改進(jìn)型僅僅要求觸點部分39的位置，而并沒有對電路設(shè)備的布局進(jìn)行特別限制，比如用來形成子象素電路的TFT。然而，當(dāng)子象素間電路設(shè)備的布局不相同時，子象素電路的特性通常也是在子象素間變化的。
如圖15A所示第二種結(jié)構(gòu)將在行方向上彼此相鄰的兩個子象素(F和F′)中的觸點部分39視為一個單元，并將觸點部分39在垂直方向以交錯的方式布置在兩個子象素(F和F′)間彼此不同的位置上。同樣，第二種結(jié)構(gòu)電路設(shè)備也有同樣的(固定的)布局，比如在子象素間用來形成子象素電路的TFT。順便提到，圖15A僅僅顯示了電路層32中子象素的形狀和用來連接發(fā)光部分的觸點部分39。F和F′表明僅僅是觸點部分39的位置在F和F′之間是不同的，而電路設(shè)備的布局在F和F′之間是相同的。
這樣，只有在行方向上彼此相鄰的兩個子象素的觸點部分39被看作一個單元，只有觸點部分39放置在兩個子象素之間彼此不同的位置上。另一方面，諸如用來形成子象素電路的TFT等電路設(shè)備的布局在子象素間是相同的。這樣就有可能通過設(shè)定觸點部分39的位置來增加發(fā)光面積，優(yōu)化發(fā)光區(qū)域。同樣，就有可能減小由于電路設(shè)備的布局引起的子象素間子象素電路結(jié)構(gòu)性能的變化，這樣就實現(xiàn)了具有相同特性的子象素電路單元。
如圖15B所示，對于諸如子象素間的用來形成子象素電路的TFT等電路設(shè)備，改進(jìn)型具有同樣的(固定的)布局，并將觸點部分39放置在一個已經(jīng)偏移子象素電路中心的位置上，在行方向上將彼此相鄰的兩個子象素之一倒置。這樣，子象素間的電路設(shè)備布局相同，僅僅是將在行方向上彼此相鄰的兩個子象素的觸點部分39視為一個單元，只有兩個子象素中觸點部分39在垂直方向上以交錯的方式布置。
同樣在本改進(jìn)型中，通過設(shè)定觸點部分39的位置可以增加發(fā)光面積從而對發(fā)光區(qū)域進(jìn)行優(yōu)化。此外，有可能減小由電路設(shè)備布局引起的子象素間子象素電路性能的變化，這樣就實現(xiàn)了具有相同特性的子象素電路單元。特別地，當(dāng)子象素電路的電路結(jié)構(gòu)僅僅采用一根掃描線時，掃描線可以在行方向上在子象素電路中間布線。
第三種結(jié)構(gòu)中具有與諸如子象素間用來形成子象素電路的TFT等電路設(shè)備一樣的(固定的)結(jié)構(gòu)，觸點部分39對于子象素間的子象素電路的位置也相同，在行方向上與在列方向上彼此相鄰的兩個子象素之一的子象素電路錯開，如圖16A所示。這樣，僅僅是在行方向上彼此相鄰的兩個子象素的觸點部分39被看作一個單元，并且在兩個子象素中在垂直方向上以交錯的方式布置。
同樣在本結(jié)構(gòu)中，可以通過設(shè)定觸點部分39的位置的方式來增加發(fā)光面積，對發(fā)光區(qū)域進(jìn)行優(yōu)化。此外，可以減小由電路設(shè)備布局帶來的子象素間子象素電路特性的變化，這樣就實現(xiàn)了具有一致特性的子象素電路。通過一種結(jié)構(gòu)也可以獲得類似的效果，在這一結(jié)構(gòu)中在行方向上彼此相鄰的兩個子象素之一的子象素電路被倒置，在列方向上被移位，如圖16B所示。

圖17所示為用來顯示第四種結(jié)構(gòu)布線的結(jié)構(gòu)圖。圖17所示為實際電路布局的實例，在這種布局中，子象素電路由電流寫入型子象素電路形成，如圖18所示。
首先介紹電流寫入型子象素電路的電路結(jié)構(gòu)。為了簡化，圖18僅僅顯示在第i列彼此相鄰的第i行和第i+1行兩個子象素(i，i)和(i，i+1)的子象素電路P1和P2。
圖18所示的子象素(i，i)的子象素電路P1包括陰極與第一電源(在這種情況下接地)相連的有機(jī)EL設(shè)備41-1；漏極與有機(jī)EL設(shè)備41-1的陽極相連且源極與第二電源(其中為正向電源Vdd)相連的TFT42-1；在TFT42-1柵極和正向電源Vdd之間連接的電容器43-1；漏極與TFT42-1柵極相連、柵極與掃描線48B-1相連的TFT44-1。
同樣，子象素(i，i+1)的子象素電路P2包括陰極與地相連的有機(jī)EL設(shè)備41-2；漏極與有機(jī)EL設(shè)備41-2的陽極相連、源極與正向電源Vdd相連的TFT42-2；在TFT42-2的柵極和正向電源Vdd之間相連的電容器43-2；漏極與TFT42-2柵極相連、柵極與掃描線48B-2相連的TFT44-2。
兩個子象素的子象素電路P1和P2有共同之處所謂的二極管連接的TFT45其漏極和柵極是短路的，TFT46連接在TFT45和數(shù)據(jù)線47之間。特別地，TFT45的漏極和柵極連接在子象素電路P1的TFT44-1的源極和子象素電路P2的TFT44-2的源極上，而TFT45的源極連接在正向電源Vdd上。TFT46的漏極連接在TFT45的漏極和柵極上，源極連接在數(shù)據(jù)線47上，柵極連接在掃描線48A上。
在這種電路示例中，p溝道MOS型晶體管用作TFF42-1、TFF42-2和TFT45，n溝道MOS型晶體管用作TFT44-1、TFT44-2和TFT46。然而，TFT并不限于上面這些導(dǎo)電類型。
按照這種方法形成的子象素電路P1和P2中的TFT46用作第一掃描開關(guān)，用來選擇性的向TFT45提供來自于數(shù)據(jù)線47的電流Iw。TFT45具有轉(zhuǎn)換單元的功能，用來將來自數(shù)據(jù)線47的電流Iw通過TFT46轉(zhuǎn)化為電壓，同時連接TFT42-1和TFT42-2也形成電流鏡像電路。在子象素電路P1和P2之間TFT45可以共享，因為TFT45僅僅在電流Iw寫入的瞬間使用。
TFT44-1和TFT44-2具有第二掃描開關(guān)的作用，用來選擇性地向電容器43-1和43-2提供由TFT45將電流Iw轉(zhuǎn)化得到的電壓。電容器43-1和43-2具有保持單元的作用，用來保持電流Iw經(jīng)TFT45轉(zhuǎn)化后得到的并通過TFT44-1和TFT44-2提供的電壓。TFT42-1和TFT42-2具有驅(qū)動單元的作用，通過將電容器43-1和43-2保持的電壓轉(zhuǎn)化成電流并將電流供應(yīng)給有機(jī)EL設(shè)備41-1和41-2，來驅(qū)動有機(jī)EL設(shè)備41-1和41-2來發(fā)光。
在這樣形成的電流寫入類型的子象素電路中，寫入亮度數(shù)據(jù)的操作將在下面予以介紹。
首先考慮向子象素(i，i)寫入亮度數(shù)據(jù)的情況。在掃描線48A-1和48B-1同時被選中的狀態(tài)下與亮度數(shù)據(jù)對應(yīng)的電流Iw提供給數(shù)據(jù)線。電流Iw通過處于導(dǎo)通狀態(tài)的TFT46供給TFT45。響應(yīng)流入TFT45的電流Iw，在TFT45柵極產(chǎn)生與電流Iw相對應(yīng)的電壓。電壓通過處于導(dǎo)通狀態(tài)的TFT44-1供給電容器43-1，然后該電壓被電容器43-1所保持。
然后，相應(yīng)于被電容器43-1所保持的電壓的電流經(jīng)過TFT42-1流向有機(jī)EL設(shè)備41-1。有機(jī)EL設(shè)備41-1因此開始發(fā)光。當(dāng)掃描線48A和48B-1處于未被選擇的狀態(tài)時，向子象素(i，i)寫入亮度數(shù)據(jù)的操作就完成了。在一系列的操作步驟中，掃描線48B-2處于未被選擇的狀態(tài)，因此子象素(i，i)的有機(jī)EL設(shè)備41-2根據(jù)電容器43-2上保持的電壓來發(fā)出對應(yīng)亮度的光。這樣，向子象素(i，i)寫操作不會對有機(jī)EL設(shè)備41-2的發(fā)光狀態(tài)產(chǎn)生任何影響。
接下來考慮向子象素(i，i+1)寫入亮度數(shù)據(jù)的情況。當(dāng)掃描線48A和48-2處于都被選擇的狀態(tài)下，與亮度數(shù)據(jù)相應(yīng)的電流Iw輸入到數(shù)據(jù)線47中。響應(yīng)通過TFT46流向TFT45的電流Iw，在TFT45柵極產(chǎn)生相應(yīng)于電流Iw的電壓。電壓通過處于導(dǎo)通狀態(tài)的TFT44-2供給電容器43-2，然后被電容器43-2所保持。
然后，相應(yīng)于被電容器43-2所保持的電壓的電流經(jīng)過TFT42-2流向有機(jī)EL設(shè)備41-2。有機(jī)EL設(shè)備41-2因此開始發(fā)光。在一系列的操作步驟中，掃描線48B-1處于未被選擇的狀態(tài)，因此子象素(i，i)的有機(jī)EL設(shè)備41-1根據(jù)電容器43-1上保持的電壓來發(fā)出對應(yīng)亮度的光。這樣，向子象素(i，i+1)寫操作不會對有機(jī)EL設(shè)備41-1的發(fā)光狀態(tài)產(chǎn)生任何影響。
以下將參照圖17的結(jié)構(gòu)圖對使用這種方式形成的電流寫入類型的子象素電路的布局實例進(jìn)行介紹。
在這一布局示例中，在行方向(掃描線方向)上彼此相鄰的兩個子象素(i，i)和(i+1，i)的次像素電路被看作一組，形成兩個子象素電路的電路設(shè)備、TFT及它們布線方式關(guān)于列之間的邊界線是對稱的。就用來電連接設(shè)備層中有機(jī)EL設(shè)備和子象素電路的觸點部分39而言，用來形成一組的兩個子象素的觸點部分39被視為一個單元，并在兩個子象素垂直方向上以交叉的方式被布置在子象素電路不同位置上，與上述第一到第三結(jié)構(gòu)同樣。
對圖17所示的布局結(jié)構(gòu)圖中的電路設(shè)備和圖18所示的子象素電路圖中子象素(i，i)的子象素電路P1的電路中電路設(shè)備作對照，T1對應(yīng)于TFT45，T2對應(yīng)于TFT42-1，T3對應(yīng)TFT46；T4對應(yīng)于TFT44-1；Cs(陰影區(qū))相應(yīng)于電容器43-1。
從圖17中可以清楚地看到，在行方向(圖中由右到左方向)上彼此相鄰的兩個子象素(i，i)和(i+1，i)的子象素電路設(shè)備的布局應(yīng)該按照這樣的方式形成，以便關(guān)于列之間的邊界線Ly是對稱的，除了在兩個子象素單元中觸點部分39是按照交叉的方式排列的。此外，在列方向(圖中上下方向)上彼此相鄰的兩個子象素(i，i)和(i，i+1)的子象素電路中設(shè)備的布局，也就是相鄰兩行子象素電路應(yīng)該按照這種方式布置，以便除了觸點部分39外關(guān)于行之間的邊界線Lx是對稱的。
在子象素布局結(jié)構(gòu)中，在行方向上彼此相鄰的兩個子象素被看作一個單元，電源線(Vdd)51沿著兩個子象素之間的邊界線Ly布線，也就是說，如圖17例子中，在子象素(i，i)和子象素(i+1，i)之間、子象素(i，i+1)和子象素(i+1，i+1)之間。電源線51被在行方向上彼此相鄰的兩個子象素所共享。這種結(jié)構(gòu)布置允許單電源線成為供兩列使用的電源線，這樣就使得電源線51布線寬度可以很寬，這一點可以從圖17中清楚地看出。
對于列方向上彼此相鄰的兩個子象素視為一個單元，X1(i，i+1)的掃描線52沿著兩個子象素之間的邊界線Lx進(jìn)行布線，也就是說，在圖17的例子中在子象素(i，i)和子象素(i，i+1)、子象素(i+1，i)和子象素(i+1，i+1)、子象素(i+2，i)和子象素(i+2，i+1)之間布線。掃描線52被列方向上彼此相鄰的兩個子象素所共享，借此，圖18中子象素電路中的TFT46，也就是圖17中的晶體管T3，被兩個子象素所共享。
縫隙53和54向著有大面積的布線結(jié)構(gòu)的方向延伸，比如向電源線51的布線結(jié)構(gòu)延伸，這些縫隙在晶體管T1(圖18中的TFT45)的源極凸出部分A的附近和布線圖案中存在的晶體管T2(圖18中的TFT42-1)的源電極凸出部分B附近形成。圖19顯示為晶體管T1的結(jié)構(gòu)，縫隙53例如在其凸出部分A附近?？p隙53或者54的作用將在下面進(jìn)行介紹。
如果有大范圍(面積)的布線方式，或者在這種情況下有電源線51的布線方式，在晶體管T1的側(cè)面，在制作臺階過程中加熱的時候布線材料(比如鋁)會擴(kuò)散到晶體管的側(cè)面，這就導(dǎo)致了晶體管受到破壞。在晶體管T1凸出部分A附近形成一個縫隙53，就可以減小擴(kuò)散到晶體管側(cè)的布線材料的供應(yīng)量。結(jié)果，就可以控制布線材料擴(kuò)散到晶體管側(cè)的數(shù)量，這樣在制作臺階的過程中就防止了對晶體管的破壞。此外，由于縫隙53或54是沿著電源線51布線方式的布線方向形成的，就可以將形成縫隙過程中布線電阻的增量最小化。
如上所述，前述的結(jié)構(gòu)將兩個子象素的觸點部分39視為一個單元，并且將觸點部分39在子象素電路中沿著兩個子象素中垂直的方向以交叉的方式放置在不同的位置上。這樣就可以增加發(fā)光面積，也就是孔徑比，這樣就可以獲得有源矩陣型有機(jī)EL顯示設(shè)備的高亮度。此外，由于子象素電路之間的特性是一致的，這樣就可以取得有源矩陣型有機(jī)EL顯示設(shè)備的高質(zhì)量。
需要注意的是，雖然前面關(guān)于使用有機(jī)EL設(shè)備作為子象素電路發(fā)光設(shè)備的有源矩陣型有機(jī)EL顯示設(shè)備的實施例的各種應(yīng)用進(jìn)行了介紹，但是本發(fā)明不限于這些應(yīng)用，它也適用于一般方法中將包含發(fā)光層的設(shè)備層層疊到電路層上形成的有源矩陣型顯示設(shè)備。
如上所述，設(shè)備層通過在子象素單元中布置發(fā)光部分形成，電路層通過在子象素單元中布置用來驅(qū)動發(fā)光部分的發(fā)光設(shè)備的子象素電路來形成，當(dāng)將二者層疊到基片上時，根據(jù)本發(fā)明有源矩陣型顯示設(shè)備具有和子象素電路一樣布局的條形布局以及和發(fā)光設(shè)備中子象素結(jié)構(gòu)相同的Δ結(jié)構(gòu)。因此，利用發(fā)光設(shè)備Δ結(jié)構(gòu)的優(yōu)點，就可以改善子象素電路的可靠性，這樣就實現(xiàn)了顯示設(shè)備的高可靠性、高分辨率和高亮度。
權(quán)利要求
1.一種有源矩陣型顯示設(shè)備，通過在基片上層疊設(shè)備層和電路層構(gòu)成，設(shè)備層通過在子象素單元中放置發(fā)光部分而形成，電路層通過在子象素單元中放置用來驅(qū)動上述發(fā)光部分的發(fā)光設(shè)備的子象素電路來實現(xiàn)，上述有源矩陣型顯示設(shè)備包括條形子象素結(jié)構(gòu)，在這種結(jié)構(gòu)中上述子象素電路在行方向和列方向都以直線的形式存在；Δ子象素結(jié)構(gòu)，在這一結(jié)構(gòu)中，在上述子象素電路的上述子象素結(jié)構(gòu)的行方向上上述發(fā)光部分具有兩倍的子象素間距，在上述子象素電路的上述子象素結(jié)構(gòu)的列方向上具有1/2子象素間距，在上述發(fā)光部分行方向上相鄰兩行之間子象素結(jié)構(gòu)的相位差是1/2間距。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所示的有源矩陣型顯示設(shè)備，其中發(fā)出三種不同顏色光線的三個上述發(fā)光設(shè)備，作為一個單元構(gòu)成一個象素；上述發(fā)光設(shè)備是按照Δ關(guān)系布置的，在這種結(jié)構(gòu)中發(fā)出同樣顏色光的子象素彼此不相鄰，在一個象素中三種不同顏色的光的三個子象素的中心位置彼此相鄰形成三角形；在兩個子象素行中，在列方向上彼此相鄰的子象素交替以正三角和倒三角的方式，或者以Δ的頂部和底部彼此倒置的方式布置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的有源矩陣型顯示設(shè)備，其中行方向上彼此相鄰的上述子象素電路的兩個子象素中，用來連接上述發(fā)光部分和上述子象素電路的連接部分形成一個單元，在兩個象素間布置在彼此不相同的位置上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的有源矩陣型顯示設(shè)備，其中上述的連接部分在上述發(fā)光部分中布置在確定形狀的發(fā)光區(qū)域之外。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所示的有源矩陣型顯示設(shè)備，其中上述連接部分布置在上述發(fā)光部分中確定形狀的發(fā)光區(qū)域之外。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所示的有源矩陣型顯示設(shè)備，其中上述子象素電路的電路設(shè)備布局在上述兩個子象素之間是完全相同的。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所示的有源矩陣型顯示設(shè)備，其中上述子象素電路的上述兩個子象素中的電路設(shè)備的布局關(guān)于上述子象素電路列之間的界線是對稱的。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所示的有源矩陣型顯示設(shè)備，其中上述子象素電路的上述兩個子象素中的電路設(shè)備的布局關(guān)于上述子象素電路列之間的界線是對稱的。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有源矩陣型顯示設(shè)備，其中上述子象素電路有一根電源線沿著列方向布置在上述兩個子象素的邊界，在上述兩個子象素之間電源線是共享的。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣型顯示設(shè)備，其中彼此相鄰兩行中的上述子象素電路形成一個單元，這兩行子象素中電路設(shè)備的布局關(guān)于兩行間分界線是對稱的。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所示的有源矩陣型顯示設(shè)備，其中彼此相鄰兩行中的上述子象素電路形成一個單元，這兩行子象素中電路設(shè)備的布局關(guān)于兩行間的分界線是對稱的。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有源矩陣型顯示設(shè)備，其中上述子象素電路有掃描線沿著行方向布置在上述兩行子象素的邊界線上，掃描線在上述兩行的子象素之間共享。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所示的有源矩陣型顯示設(shè)備，其中上述子象素電路在布線圖案中存在的電路設(shè)備連接部分附近沿著布線的方向形成有一個縫隙。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所示的有源矩陣型顯示設(shè)備，其中上述的發(fā)光設(shè)備是具有第一電極、第二電極、在兩個電極之間包含發(fā)光層的有機(jī)層的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所示的有源矩陣型顯示設(shè)備，其中上述子象素電路是薄膜晶體管電路。
16.一種通過在子象素單元中以矩陣的方式布置用來驅(qū)動發(fā)光部分的發(fā)光設(shè)備的子象素電路形成的有源矩陣型顯示設(shè)備，其中上述子象素電路在布線圖案中存在的電路設(shè)備連接部分附近沿著布線的方向形成有一個縫隙。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所示的有源矩陣型顯示設(shè)備，其中上述發(fā)光設(shè)備是一種有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，包含有第一電極、第二電極和在電極之間包含發(fā)光層的有機(jī)層。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所示的有源矩陣型顯示設(shè)備，其中上述子象素電路是薄膜晶體管電路。
全文摘要
在根據(jù)本發(fā)明的有源矩陣型顯示設(shè)備中,設(shè)備層(發(fā)光部分)是通過將發(fā)光部分布置在子象素單元中形成的,電路層(子象素電路)是通過將用來驅(qū)動發(fā)光部分的子象素電路布置在子象素單元中形成的,當(dāng)把設(shè)備層和電路層層疊在基片上的時候,提出了下面的方法:設(shè)備將條形結(jié)構(gòu)作為子象素電路的結(jié)構(gòu),將Δ結(jié)構(gòu)作為發(fā)光部分的結(jié)構(gòu)。因此,當(dāng)在發(fā)光部分中利用Δ結(jié)構(gòu)的優(yōu)點時就可以改善子象素電路的可靠性,這樣就實現(xiàn)了顯示設(shè)備的高可靠性、高分辨率和高亮度。
文檔編號G09G3/30GK1376014SQ0113818
公開日2002年10月23日 申請日期2001年11月22日 優(yōu)先權(quán)日2000年11月22日
發(fā)明者淺野慎, 山田二郎, 森敬郎, 關(guān)谷光信 申請人:索尼株式會社