專利名稱：光信息記錄媒體,信息消去方法,信息記錄方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光信息記錄媒體，更具體地說，涉及可記錄的相變化型光 信息記錄媒體，例如CD-RW,DVD-RW，DVD-RW等。此外，本發(fā)明還涉及 信息記錄在上述光信息記錄媒體上的記錄方法及裝置。再有，本發(fā)明還涉 及信息重寫在上述光信息記錄媒體上的信息記錄方法。再有，本發(fā)明還涉 及4言息消去方法。
背景技術(shù)：
通常CD-RW設(shè)有導(dǎo)向槽。如圖8所示，該導(dǎo)向槽呈S形擺動(dòng)，以便在 壓模曝光時(shí)在整個(gè)面上記錄擺動(dòng)信號(hào)。
擺動(dòng)信號(hào)包含被稱為"ATIP" (Absolute time in pre-groove，在預(yù)置槽的 絕對時(shí)間)的時(shí)間(地址)信息。ATIP表示為例如"00m00s00f，，其中，"m" 表示分，"s，，表示秒，"f，表示flame,即I/75秒。在位于00m00s00f點(diǎn)之 前的區(qū)域存在一程序存儲(chǔ)區(qū)(progmmmemory area，以下筒記為"PMA，，)。 在位于上述PMA與00m00s00f點(diǎn)之間，記錄"特別信息","追加信息"等 關(guān)于光信息記錄媒體記錄/再生的重要信息。
"多記錄時(shí)間"(Multi-session)是重寫型光信息記錄媒體的文件結(jié)構(gòu)之 一，其是在光信息記錄媒體上記錄有二段或二段以上記錄時(shí)間。各記錄時(shí) 間由引入?yún)^(qū)(Lead-in，以下有時(shí)簡記為"L/I"或"L/I區(qū)")、數(shù)據(jù)區(qū)(Data， 以下有時(shí)簡記為"數(shù)據(jù)，，)、引出區(qū)(Lead-out，以下有時(shí)簡記為"L/O"或"L/0 區(qū)")構(gòu)成。
圖1和圖2A-2F表示以往的CD-RW的一般數(shù)據(jù)配置概略圖。圖1表示以往CD-RW的地址數(shù)據(jù)配置概略圖。參照圖1,從98ml3s50f 點(diǎn)到98m27s00f點(diǎn)的區(qū)是程序存儲(chǔ)區(qū)即PMA。從98m27s00f點(diǎn)到99m59s74f 點(diǎn)的區(qū)是L/I區(qū)。從00mO0s00f點(diǎn)到75m42s00f點(diǎn)的區(qū)是數(shù)據(jù)區(qū)。
圖2A表示CD-RW未記錄信息狀態(tài)的概略圖(即未使用CD-RW狀態(tài))。
圖2B表示在圖2A的CD-RW上記錄有第一記錄時(shí)間(L/I-1, lt據(jù)-l， L/0-l)的狀態(tài)。在此，從PMA內(nèi)周開始，按盤ID(在圖中簡記為"D，，)、 第一記錄時(shí)間位置信息(在圖中簡記為"1")的順序記錄信息。
圖2C表示在圖2B的CD-RW上記錄有第二記錄時(shí)間(L/I-2，數(shù)據(jù)-2， L/0-2)的狀態(tài)。在此，從PMA內(nèi)周開始，按盤ID(在圖中簡記為"D")、 第一記錄時(shí)間位置信息(在圖中簡記為"1")、第二記錄時(shí)間位置信息(在圖 中簡記為"2，，)的順序記錄信息。
另 一方面，記錄在相變化型光信息記錄媒體上的信息可消去即擦去。 例如可以一次性地消去記錄在媒體上的全部信息，或僅消去多記錄時(shí)間結(jié) 構(gòu)的最終記錄時(shí)間。在此，所謂信息的消去通過記錄消去信號(hào)實(shí)現(xiàn)。
圖2D表示消去圖2C的CD-RW的最終記錄時(shí)間(即第二記錄時(shí)間)的狀態(tài)。
圖2E表示消去圖2D的CD-RW的最終記錄時(shí)間(第一記錄時(shí)間)的狀 態(tài)。從邏輯上說，雖然處于與圖2A同樣的狀態(tài)，但是，兩者是不同的，因 為圖2E所示CD-RW記錄有消去信號(hào)，而圖2A所示CD-RW沒有記錄信息。
圖2F表示全部信息都被消去的CD-RW狀態(tài)概略圖。這種狀態(tài)從邏輯 上說，雖然處于與圖2A同樣的狀態(tài)，但是，兩者是不同的，因?yàn)閳D2F所 示CD-RW記錄有消去信號(hào)。
近年，提出了設(shè)有ROM區(qū)的可記錄的光信息記錄媒體如CD-R, CD-RW。作為其一種狀態(tài)，有第一記錄時(shí)間是ROM區(qū)的多記錄時(shí)間結(jié)構(gòu)， 該ROM區(qū)以凹坑(pit)形成。
如圖3A-3E所示的記錄媒體除第一記錄時(shí)間是以凹坑形成的ROM區(qū) 以外與圖2B-2F所示記錄媒體相同。
圖3A表示一沒有使用的CD-RW，其設(shè)有一ROM區(qū)，在該ROM區(qū)用 凹坑記錄信號(hào)(L/I-1，數(shù)據(jù)-1, L/0-l)。
在該ROM區(qū)，為了得到與RAM區(qū)信號(hào)相同的擺動(dòng)信號(hào)，使得凹坑以 及凹坑間槽按圖9所示擺動(dòng)。圖3B表示在圖3A所示CD-RW上記錄有第二記錄時(shí)間(即L/I-2,數(shù)據(jù) -2， L/0-2)的狀態(tài)。
圖3C表示消去圖3B所示CD-RW上的最終記錄時(shí)間(即第二記錄時(shí)間) 的狀態(tài)。這種狀態(tài)從邏輯上說，雖然處于與圖3A同樣的狀態(tài)，但是，兩者 是不同的，因?yàn)閳D3C所示CD-RW記錄有消去信號(hào)。
在此，當(dāng)消去最終記錄時(shí)間(即第一記錄時(shí)間)時(shí)，就成為圖3D所示狀 態(tài)。在這種狀態(tài)下，記錄在第一記錄時(shí)間的信號(hào)和在PMA區(qū)的ROM信號(hào) 沒有被消去，但寫入消去信號(hào)，因此，盤不能記錄信息，不能使信息再生。
圖3E表示消去所有信息的狀態(tài)。在這種狀態(tài)下，盤也與上述圖3D — 樣，不能記錄信息，不能使信息再生。
但是，在上述記錄媒體中，控制記錄及消去很難，另外，若因出錯(cuò)將 消去信號(hào)記錄在ROM區(qū)，存在使媒體不能記錄/再生信息的問題。
當(dāng)在相變化型光信息記錄媒體上直接重寫時(shí)，信息記錄是通過使記錄 層成為非結(jié)晶化狀態(tài)實(shí)現(xiàn)，信息消去是通過使記錄層成為結(jié)晶化狀態(tài)實(shí)現(xiàn)。 成為非結(jié)晶狀態(tài)的記錄層的反射信號(hào)強(qiáng)度稱為凹坑電平(pit level)，成為結(jié)晶 化狀態(tài)的記錄層的反射信號(hào)強(qiáng)度稱為地面電平(land level)。
以往相變化型光信息記錄媒體的直接重寫是根據(jù)Orange Book(CD-R規(guī) 格小冊子，在本發(fā)明中，以下簡記為"0range規(guī)格")中記載的y方法用記 錄功率(即寫入功率)Pw及消去功率Pe實(shí)行的，并且，上述記錄功率Pw是 由所使用驅(qū)動(dòng)器決定的，上述消去功率Pe是在記錄功率Pw上乘以定數(shù)s 得到的。
根據(jù)該方法，當(dāng)所決定的記錄功率Pw相對高于最適值場合，消去功率 Pe也隨之變大，這樣，以過剩的消去功率Pe進(jìn)行直接重寫，記錄層發(fā)生非 結(jié)晶化狀態(tài)，結(jié)果，地面電平低下。因此，發(fā)生如跳動(dòng)惡化，記錄層耐久 性劣化等問題。
相反，當(dāng)所決定的記錄功率Pw相對低于最適值場合，消去功率Pe也 隨之變小，這樣，直接重寫前記錄的原先記錄信號(hào)不能充分消去。因此， 存在跳動(dòng)惡化的問題。
在Orange規(guī)格中還記載著另 一種消去方法，即通過穩(wěn)定照射激光的 CW(或物理)消去方法。但是，用Orange規(guī)格中記載的Y法得到最適記錄功 率Pwo， 再通過i己錄功率最適j匕(optimization of the writing power)4尋到的最
6適消去功率Peo,其作為CW消去功率Pecw不是最適。具體地說，在實(shí)行 CW消去部分發(fā)現(xiàn)直接重寫特性低下。因此，通常使用直接重寫消去圖案的 邏輯消去方法。
另夕卜，壓模形成的將ROM區(qū)作為一部分的混合型盤已接近實(shí)用化。當(dāng) 在這種混合型盤上實(shí)行邏輯消去場合，在ROM區(qū)實(shí)行重寫，這樣，該混合 型盤就不能再生。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是鑒于上述先有技術(shù)所存在的問題而提出來的，本發(fā)明的目 的在于，提供可重寫的相變化型光信息記錄媒體，其在記錄及消去信息同 時(shí)，能容易地控制記錄及消去信息(即容易地實(shí)現(xiàn)寫入保護(hù))。
本發(fā)明的第二目的在于，提供不將消去信號(hào)記錄在ROM區(qū)的可重寫的 相變化型光信息記錄媒體。
本發(fā)明的第三目的在于，提供信息記錄(及再生)方法和裝置，其在記錄 及消去信息同時(shí)，能容易地控制記錄及消去信息(即容易地實(shí)現(xiàn)寫入保護(hù))。
本發(fā)明的第四目的在于，提供信息記錄方法和裝置，其決定最適CW 消去功率，在光信息記錄媒體上實(shí)行直接重寫。
本發(fā)明的第五目的在于，提供信息消去方法，通過^f吏用該方法，記錄 在混合型盤上的信息能安全地消去。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種相變化型光信息記錄媒體，包括
一基板；
一記錄層，疊置在該基板上，在記錄層形成標(biāo)記，以儲(chǔ)存信息；
其特征在于，上述基板記錄層包括多記錄時(shí)間以及程序儲(chǔ)存區(qū)，所述 多記錄時(shí)間包括第一記錄時(shí)間，在該第一記錄時(shí)間形成凹坑，其包括一 RAM 區(qū)，該RAM區(qū)包括槽和擺動(dòng)信號(hào)，上述程序儲(chǔ)存區(qū)形成凹坑，其包括第一 記錄時(shí)間的位置信息，不包含相變化型光信息記錄媒體的盤ID信息。
本發(fā)明的相變化型光信息記錄媒體的第 一記錄時(shí)間可以進(jìn)一 步包括一 ROM區(qū)，上述ROM區(qū)含有數(shù)據(jù)部分，在該數(shù)據(jù)部分不存在擺動(dòng)信號(hào)。
本發(fā)明的相變化型光信息記錄媒體可以進(jìn)一步設(shè)有位于基板與記錄 層之間的第一電介質(zhì)層，疊置于記錄層之上的第二電介質(zhì)層，疊置于第二 電介質(zhì)層之上的反射層，疊置于反射層之上的外敷層。本發(fā)明的相變化型光信息記錄媒體的記錄層包括Ag, In, Sb， Te作為主 成份，Ag,In,Sb，Te的含有量分別設(shè)為a、 (3 、 y 、 5(原子％)，其處于下 列范圍
0<a < 10
2 < |3《12
55< y <70
22< 5 "2
oc+(3 + y + 5=100。
本發(fā)明的相變化型光信息記錄媒體的記錄層包括Ge, Ga, Sb, Te作為主 成份，Ge,Ga，Sb,Te的含有量分別設(shè)為a、 |3 、 y 、 5(原子％),其處于下 列范圍
0<oc《10
1 < (3 < 12
55< y《85
12《5 02
cx+|3 + y + 5=100。
本發(fā)明的相變化型光信息記錄媒體的記錄層可以進(jìn)一步含有從3b族，
4b族，5b族選擇的至少一種元素。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種信息記錄裝置，包括 接收裝置，用于接收在相變化型光信息記錄媒體上記錄或消去信息的
指令；
讀取裝置，用于讀取儲(chǔ)存在相變化型光信息記錄媒體的程序儲(chǔ)存區(qū)的 盤ID信息的位置以及相變化型光信息記錄媒體的各記錄時(shí)間的位置信息；
記錄/消去裝置，用于記錄或消去各記錄時(shí)間的信息；
控制裝置，用于控制記錄/消去裝置，當(dāng)在程序儲(chǔ)存區(qū)一記錄時(shí)間或多 記錄時(shí)間的位置信息位于盤ID信息之后時(shí)，根據(jù)指令記錄或消去一記錄時(shí) 間或多記錄時(shí)間中的信息，或者當(dāng)在程序儲(chǔ)存區(qū)一記錄時(shí)間或多記錄時(shí)間 的位置信息位于盤ID信息之前時(shí)，拒絕實(shí)行指令。
本發(fā)明的信息記錄裝置的控制裝置可以進(jìn)一步具有命令記錄/消去裝置 重寫盤ID信息的功能，以改變盤ID信息位置，記錄或消去一記錄時(shí)間或 多記錄時(shí)間中的信本發(fā)明的信息記錄裝置可以進(jìn)一步包括一儲(chǔ)存器，存儲(chǔ)關(guān)于可記錄可 消去記錄時(shí)間的記錄時(shí)間信息，控制裝置進(jìn)一步具有以下功能當(dāng)接收裝 置受信消去光信息記錄媒體上多記錄時(shí)間中的最終記錄時(shí)間指令場合，控 制裝置參照上述記錄時(shí)間信息，確定該最終記錄時(shí)間是否可消去記錄時(shí)間， 當(dāng)最終記錄時(shí)間是可記錄可消去記錄時(shí)間時(shí)，命令記錄/消去裝置消去該最 終記錄時(shí)間，或者當(dāng)最終記錄時(shí)間不是可記錄可消去記錄時(shí)間時(shí)，拒絕消 去指令。
本發(fā)明的信息記錄裝置可以進(jìn)一步包括一儲(chǔ)存器，存儲(chǔ)關(guān)于不可記錄
不可消去記錄時(shí)間的記錄時(shí)間信息，控制裝置進(jìn)一步具有以下功能當(dāng)接 收裝置受信完全消去光信息記錄媒體上多記錄時(shí)間指令場合，控制裝置參 照上述記錄時(shí)間信息，確定在儲(chǔ)存器是否存在不可記錄不可消去的記錄時(shí) 間，當(dāng)在儲(chǔ)存器不存在不可記錄不可消去的記錄時(shí)間時(shí)，命令記錄/消去裝 置實(shí)行完全消去指令，或者當(dāng)在儲(chǔ)存器存在不可記錄不可消去的記錄時(shí)間 時(shí)，拒絕完全消去指令。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出另一種信息記錄裝置，將信息記錄在 相變化型光信息記錄媒體上，該相變化型光信息記錄媒體上包括多記錄時(shí) 間，至少有一記錄時(shí)間包括一不含擺動(dòng)信號(hào)的ROM區(qū)，以及一含擺動(dòng)信號(hào) 的RAM區(qū)，該信息記錄裝置包括
接收裝置，接收消去記錄時(shí)間指令；
判斷裝置，判斷是否在記錄時(shí)間存在擺動(dòng)信號(hào)，確定該記錄時(shí)間是否 不包含ROM區(qū)；
消去裝置，當(dāng)該記錄時(shí)間不包含ROM區(qū)時(shí)，消去該記錄時(shí)間。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種信息記錄和消去方法，在相變化 型光信息記錄媒體上記錄或消去信息，上述光信息記錄媒體包括一程序儲(chǔ) 存區(qū)和多記錄時(shí)間，該信息記錄和消去方法包括
讀取記錄在相變化型光信息記錄媒體的程序儲(chǔ)存區(qū)中的盤ID信息的位 置信息以及多記錄時(shí)間的位置信息；
當(dāng)一記錄時(shí)間或多記錄時(shí)間的位置信息位于盤ID信息之后時(shí)，根據(jù)接 收到的記錄或消去指令，記錄或消去一記錄時(shí)間或多記錄時(shí)間中的信息， 或者當(dāng)一記錄時(shí)間或多記錄時(shí)間的位置信息位于盤ID信息之前時(shí)，拒絕實(shí) 行記錄或消去信息指令。本發(fā)明的信息記錄和消去方法可以進(jìn)一步包括重寫盤ID信息的位置信 息，控制記錄或消去 一 記錄時(shí)間或多記錄時(shí)間中的信息。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種信息記錄方法，將信息記錄在相 變化型光信息記錄媒體上，該相變化型光信息記錄媒體上包括多記錄時(shí)間，
至少一記錄時(shí)間包括一不含擺動(dòng)信號(hào)的ROM區(qū)，以及一含擺動(dòng)信號(hào)的RAM
區(qū)，該信息記錄方法包括
根據(jù)接收到的消去某記錄時(shí)間指令，判斷是否在該記錄時(shí)間存在擺動(dòng)
信號(hào)，確定該記錄時(shí)間是否不包含ROM區(qū)；
當(dāng)上述記錄時(shí)間不包含ROM區(qū)時(shí)，消去該記錄時(shí)間。 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種最適CW消去功率決定方法，用
于消去相變化型光信息記錄媒體上的信息，其包括
用不同功率Pe CW消去以所定記錄功率記錄的HF信號(hào)； 測定殘存HF信號(hào)的IIT信號(hào)的凹坑電平(I IIL)或者凹坑電平(I IIL)和
地面電平(I IIH)兩方；
決定最適CW消去功率Pecw，其至少滿足下列關(guān)系式(l)， (2)之一 Pel+0.05 x △ pe < Pecw < Pe2-0.05 x △ pe (1) 式中，Pel表示當(dāng)d(I 11L)/d(Pe)為最大時(shí)的Pe,Pe2表示當(dāng)d(I 11L)/d(Pe)
為最小時(shí)的Pe,厶pe表示Pe2-Pel;
I 11L/I 11H>0.8 (2) 本發(fā)明的最適CW消去功率決定方法中，最好記錄功率比用Y法得到
的最適記錄功率Pwo高。
本發(fā)明的最適CW消去功率決定方法的CW消去步驟中，最好相變化
型光信息記錄媒體的線速度比相變化型光信息記錄媒體的最高記錄線速度高。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出 一種相變化型光信息記錄媒體的直接 重寫信息方法，其包括
用 一消去功率消去儲(chǔ)存在相變化型光信息記錄媒體上的信息，同時(shí)，
將信息記錄在該相變化型光信息記錄媒體上；
率。'" ' 、、、 、 '工
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出另一種相變化型光信息記錄媒體的直
10接重寫信息方法，其包括
第一記錄信息步驟，固定消去功率，用不同的記錄功率將HF信號(hào)記錄 在相變化型光信息記錄媒體上；
測定HF信號(hào)的標(biāo)記長度/凹坑長度的平衡p ;
將標(biāo)記長度/凹坑長度的平衡(3為0~8%的記錄功率作為最適記錄功
率；
第二記錄信息步驟，對相變化型光信息記錄媒體使用上述最適記錄功 率，將信息記錄在相變化型光信息記錄媒體上。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種信息消去方法，其包括 在相變化型光信息記錄媒體上用一消去功率實(shí)行CW消去，該相變化 型光信息記錄媒體包括一通過壓模形成的ROM區(qū)；
上述消去功率是上述本發(fā)明中所述的方法所決定的最適CW消去功率。
下面說明本發(fā)明的效果。
按照本發(fā)明的相變化型光信息記錄媒體，由于在PMA區(qū)，可記錄及消 去的記錄時(shí)間的位置信息記錄在盤ID后的位置，因此，容易控制記錄及消 去。另外，不會(huì)在設(shè)有ROM部的相變化型光信息記錄媒體的ROM部記錄 消去信號(hào)而使得媒體不能記錄再生。
按照本發(fā)明的相變化型光信息記錄媒體，在ROM部的數(shù)據(jù)部不設(shè)擺動(dòng) 信號(hào)，因此，很容易根據(jù)有無擺動(dòng)信號(hào)識(shí)別ROM部和RAM部。
按照本發(fā)明的相變化型光信息記錄媒體，信號(hào)再生穩(wěn)定性好，且信號(hào) 壽命長。
按照本發(fā)明的相變化型光信息記錄媒體的信息記錄裝置，根據(jù)PMA的 盤ID的位置識(shí)別是否可以記錄及消去各記錄時(shí)間，對不可記錄及消去的記 錄時(shí)間不實(shí)行消去指令，很容易控制記錄及消去。另外，不會(huì)在設(shè)有ROM 部的相變化型光信息記錄媒體的ROM部記錄消去信號(hào)而使得媒體不能記 錄再生。
按照本發(fā)明的相變化型光信息記錄媒體的信息記錄裝置，能改變PMA 的盤ID的位置，因此，很容易通過盤ID的位置控制各記錄時(shí)間的記錄及 消去。
按照本發(fā)明的相變化型光信息記錄媒體的信息記錄裝置，能更可靠地防止誤消去動(dòng)作。
按照本發(fā)明的相變化型光信息記錄媒體的信息記錄裝置，根據(jù)數(shù)據(jù)部
有無擺動(dòng)信號(hào)，識(shí)別ROM部和RAM部，不實(shí)行對ROM部的消去指令， 不會(huì)在設(shè)有ROM部的相變化型光信息記錄媒體的ROM部記錄消去信號(hào)而 使得媒體不能記錄再生。
按照本發(fā)明的相變化型光信息記錄媒體的最適CW消去功率決定方 法，能得到最適CW消去功率，不會(huì)因低消去功率而發(fā)生殘存，也不會(huì)因 高消去功率而導(dǎo)致記錄膜的非結(jié)晶化。
按照本發(fā)明的相變化型光信息記錄媒體的最適CW消去功率決定方 法，能在消去難條件下決定CW消去功率，增加了所得CW消去功率的正 確性。
按照本發(fā)明的相變化型光信息記錄媒體的最適CW消去功率決定方 法，由于能在最高記錄線速度上限的比邏輯消去法高的線速度下決定最適 CW消去功率，能縮短因邏輯消去所化費(fèi)的作業(yè)時(shí)間。
按照本發(fā)明的相變化型光信息記錄媒體的重寫方法，不根據(jù)記錄功率 而是以最適消去功率進(jìn)行記錄，所以能實(shí)行記錄功率界限寬的記錄。
按照本發(fā)明的相變化型信息記錄媒體的重寫方法，能將信號(hào)平衡作為 參數(shù)決定固定消去功率場合的最適記錄功率，因此，能進(jìn)行良好信號(hào)質(zhì)量 的記錄。
按照本發(fā)明的相變化型光信息記錄媒體的信息消去方法，通過最適cw 消去方法能對混合型盤實(shí)行安全消去。


圖1表示以往CD-RW的地址數(shù)據(jù)配置；
圖2A表示以往CD-RW上沒有記錄信息的狀態(tài)，圖2B表示在圖2A的 CD-RW上記錄有第一記錄時(shí)間(即L/I-1,數(shù)據(jù)-1, L/0-l)的狀態(tài)，圖2C表 示在圖2B的CD-RW上記錄有第二記錄時(shí)間(即L/I-2,數(shù)據(jù)-2， L/0-2)的狀 態(tài)，圖2D表示消去圖2C的CD-RW的最終記錄時(shí)間(即第二記錄時(shí)間)的狀 態(tài)，圖2E表示消去圖2D的CD-RW的最終記錄時(shí)間(即第一記錄時(shí)間)的狀
態(tài)，圖2F表示上述圖2B-2E所示任一個(gè)CD-RW上所有信息都被消去的狀太.圖3A表示實(shí)施例1的設(shè)有ROM區(qū)的CD-RW狀態(tài)，其中，用凹坑記 錄有第一記錄時(shí)間(即L/I-1，數(shù)據(jù)-1, L/O-1),圖3B-3E表示設(shè)有一 ROM 區(qū)的CD-RW的狀態(tài)，分別與圖2C-2F所示以往CD-RW狀態(tài)相對應(yīng)；
圖4表示第一記錄時(shí)間被寫入保護(hù)的CD-RW;
圖5表示第二記錄時(shí)間區(qū)被寫入保護(hù)的設(shè)有ROM區(qū)的CD-RW;
圖6表示無擺動(dòng)信號(hào)的第一記錄時(shí)間的數(shù)據(jù)；
圖7表示本發(fā)明的記錄再生裝置中消去動(dòng)作流程圖8表示擺動(dòng)導(dǎo)向槽的擺動(dòng)狀態(tài)；
圖9表示使凹坑及凹坑間槽作S形擺動(dòng)狀態(tài)；
圖10表示本發(fā)明信息記錄/再生裝置的構(gòu)成實(shí)施例；
圖ll表示殘存信號(hào)電平與消去功率之間關(guān)系圖12表示|3(EFM信號(hào)的標(biāo)記長度/凹坑長度的平ff)及故障與記錄功 率之間關(guān)系圖13表示重寫二次場合的故障與記錄功率之間關(guān)系圖14表示重寫1000次場合的故障與記錄功率之間關(guān)系圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖通過對較佳實(shí)施例的描述更詳細(xì)地il明上述本發(fā)明，本 發(fā)明的上述目的、特征及優(yōu)點(diǎn)將會(huì)更清楚。
先詳細(xì)說明 一下本發(fā)明的相變化型光信息記錄媒體(以下有時(shí)簡記為 "記錄媒體，，)。
本發(fā)明的記錄媒體(尤其是CD-RW)的基本結(jié)構(gòu)是在設(shè)有導(dǎo)向槽的基板 一側(cè)設(shè)置第一電介質(zhì)層、記錄層、第二電介質(zhì)層、由金屬或合金構(gòu)成的反 射層，及外敷層。較好的是，在外敷層上設(shè)置印刷層，在基板另一側(cè)形成 硬敷層。
基板材料通常采用如玻璃，陶瓷，樹脂。
作為用作基板的樹脂例可以列舉聚碳酸酯樹脂，丙烯酸樹脂，環(huán)氧樹 脂，聚苯乙烯樹脂，丙烯腈-苯乙烯共聚物樹脂，聚乙烯樹脂，聚丙烯樹脂， 硅酮類樹脂，氟類樹脂，ABS樹脂，氨基曱酸乙酯樹脂等。這些樹脂中， 從成形性，光學(xué)特性、成本性方面考慮，最好是聚碳酸酯樹脂、丙烯酸類 樹脂。不僅盤狀，其它形狀例如卡狀，片狀等也可以作為基板形狀。
將本發(fā)明的記錄媒體應(yīng)用于可重寫的小型磁盤(CD-RW)場合，最好滿 足以下(l)-(3)條件
(1) 形成在基板上的導(dǎo)向槽的寬度為0.25~0.65|am,較好的是，0.30 ~ 0.60,,導(dǎo)向槽的深度為150- 550A,較好的是200 - 450A。
(2) 形成在基板上的凹坑寬度為0.25 ~ 0.8(Hrni， 4交好的是，0.30 ~ 0.7(nim，凹坑深度為650~ 1300A，較好的是800 ~ IIOOA。
(3) 形成在基板凹坑間的導(dǎo)向槽的寬度為0.25~0.80pm，較好的是， 0.30 ~ 0.60pn,該凹坑間導(dǎo)向槽的深度為150 ~ 550A,較好的是200 ~ 450A。
對本發(fā)明涉及的相變化型光信息記錄媒體，不僅要求其具有記錄和消 去信息的功能，而且同時(shí)要求信號(hào)再生穩(wěn)定性及信號(hào)長壽命。為了綜合滿 足這些要求，記錄層至少包括Ag， In， Sb, Te作為主要元素，Ag， In, Sb, Te的含量分別設(shè)為a、 P、 Y、 5 (atomic %即原子％),它們必須處于下列 范圍
0<a《10
2《(3《12
55《Y <70
22 < 5《32
cc + (3 + y + 5=100
在上述構(gòu)成中，若Ag超過10原子。/。， 111超過12原子％， Sb超過70 原子％,信號(hào)再生穩(wěn)定性差，記錄在記錄層中的信號(hào)壽命短。
Te的含有量對記錄媒體的記錄線速度影響很大，即使通過記錄層厚或 其它層的熱傳導(dǎo)率進(jìn)行控制，也必須滿足22 - 32原子％的范圍。
信號(hào)再生劣化及信號(hào)壽命短的原因在于非結(jié)晶標(biāo)記結(jié)晶化。為了抑制 非結(jié)晶標(biāo)記結(jié)晶化，提高信號(hào)再生穩(wěn)定性及信號(hào)壽命，在記錄層中添加從 周期表的3B, 4B， 5B族選擇的至少一種元素很有效。
其機(jī)理雖然尚不十分清楚，但可以考慮這些添加元素進(jìn)入Ag IN Sb Te 的空間間隙和/或與AgINSbTe形成化學(xué)結(jié)合，這樣，能抑制非結(jié)晶標(biāo)記的 結(jié)晶化。因此，使用小原子直徑，與AgINSbTe的化學(xué)結(jié)合力大，化學(xué)結(jié) 合部位多的元素很有效。從這方面看，尤其如B、 C、 N、 Si、 Ge、 Sn很有 效。上述添加到記錄層中的元素量最好在5原子％以下。若超過5原子％ ,
會(huì)對AglNSbTe記錄層本來具有的記錄/消去特性帶來影響，這樣，會(huì)發(fā)生 記錄信息不能完全被消去的問題。
再有，在本發(fā)明的記錄媒體上以高線速度進(jìn)行記錄場合，該記錄層至 少包括Ge, Ga， Sb， Te作為主要元素，Ge, Ga， Sb, Te的含量分別設(shè)為 oc、 P、 y、 5(原子％),它們必須處于下列范圍
0<cc《10
1《|3 < 12
55< y <85
12< 5 <32
oc+(3 + y + 5=100
在上述構(gòu)成中，若Ge超過10原子y。， Ga超過12原子。/。， Sb超過85 原子％，信號(hào)再生穩(wěn)定性差，信號(hào)壽命短。
Te的含有量對記錄媒體的記錄線速度影響很大，因此，即使通過記錄 層厚或其它層的熱傳導(dǎo)率進(jìn)行控制，也必須滿足12 ~ 32原子％的范圍。
上述記錄材料與AgINSbTe記錄層一樣，信號(hào)再生劣化及信號(hào)壽命短 的原因在于非結(jié)晶標(biāo)記結(jié)晶化，為了抑制非結(jié)晶標(biāo)記結(jié)晶化，提高信號(hào)再 生穩(wěn)定性及信號(hào)壽命，在記錄層中添加從周期表的3B, 4B， 5B族選擇的至 少一種元素4艮有效。
其原因與上述AgINSbTe記錄層一樣，這里說明省略。
上述包含在Ge Ga Sb Te記錄層中的添加元素量最好在5原子％以下， 其原因與上述AgINSbTe記錄層一樣，這里"i兌明省略。
記錄層的膜厚較好的是10~50nm,更好的是12~30nm。若考慮跳動(dòng) 等初始特性、重寫特性、生產(chǎn)性，上述厚度最好是14~25nm。若過薄的話， 光吸收能力顯著低下，因此，難以起到作為記錄層的作用。若記錄層過厚 的話，當(dāng)進(jìn)行高速記錄和消去時(shí)，難以發(fā)生均一的相變化。
這種記錄層可以通過各種氣相成長法，例如真空蒸鍍法，噴濺法，等 離子CVD法，光CVD法，離子鍍法，電子光束蒸鍍法等形成。其中，從 生產(chǎn)性及膜質(zhì)量等角度考慮，噴濺法較好。
適合作為第一及第二電介質(zhì)層的材料，可以列舉SiO, Si02, ZnO, Sn02, A1203, Ti02， ln203， MgO, Zr02等金屬氧化物，Si3N4, A1N, TiN, BN, ZrN等氮化物，ZnS，In2S3,TaS4等硫化物，SiC， TaC, B4C, WC， TiC, ZrC等碳化物，鉆 石狀碳，或者它們的混合物。這些材料既可以單體形成保護(hù)層，也可以作 為混合物使用。
另外，用于第一及第二電介質(zhì)層的材料還可以根據(jù)需要含有雜質(zhì)。再 有，各層可以是多層型電介質(zhì)層。第一及第二電介質(zhì)層的熔點(diǎn)必須比記錄 層高。
這樣的第 一及第二電介質(zhì)層可以通過各種氣相成長法，例如真空蒸鍍 法，噴濺法，等離子CVD法，光CVD法，離子鍍法，電子光束蒸鍍法等 形成。其中，從生產(chǎn)性及膜質(zhì)量等角度考慮，噴濺法較好。
第一電介質(zhì)層的膜厚對儲(chǔ)存在DVD中的信息再生波長650nm的反射 率影響很大。為了滿足對780nm或650nm波長光的反射率0.15 ~ 0.25(尤其 是CD-RW),第一電介質(zhì)層的膜厚最好設(shè)為65 - 130nm范圍。
第二電介質(zhì)層的膜厚設(shè)為15-45nm，更好的是，20 ~ 40nm。若第二電 介質(zhì)層膜厚過薄的話，難以起到作為耐熱保護(hù)層的作用，靈敏度低下。與 此相反，若第二電介質(zhì)層膜厚過厚的話，易發(fā)生界面剝離，反復(fù)記錄性能 低下。
適合作為反射層的材料可以列舉A1， Au, Cu, Ag， Ta等金屬材料，或者 它們的合金等。另外，可以使用Cr，Ti, Si，Cu，Ag，Pb,Ta等作為添加元素添 加到反射層中。這樣的反射層可以通過各種氣相成長法，例如真空蒸鍍法， 噴賊法，等離子CVD法，光CVD法，離子鍍法，電子光束蒸鍍法等形成。 反射層的膜厚設(shè)為70~200nm，更好的是，100- 160nm。 在反射層上面，為了防止其氧化，最好設(shè)置外敷層。 一般，通過旋轉(zhuǎn) 涂敷法制作紫外線硬化樹脂層作為外敷層。其厚度設(shè)為5 ~ 15pm是合適的。 若該外敷層過薄時(shí)，當(dāng)在外敷層上設(shè)置印刷層的場合，會(huì)引起故障增多。 而若該外敷層過厚時(shí)，內(nèi)部應(yīng)力變大，對記錄媒體的機(jī)械特性帶來很大影 響。
一般，通過旋轉(zhuǎn)涂敷法制作紫外線硬化樹脂層作為硬敷層形成在基板 另一側(cè)面上。其厚度設(shè)為2-6iam是合適的。若不滿2(am，沒有足夠的耐擦 傷性，而若超過6(im，內(nèi)部應(yīng)力變大，對記錄媒體的機(jī)械特性帶來很大影 響。
該硬敷層的硬度需要達(dá)到用布擦不會(huì)引起大損傷的鉛筆硬度H以上。另外，根據(jù)需要，通過混入導(dǎo)電性材料，能有效防止帶電，防止附著塵埃。
下面，詳細(xì)說明決定cw消去功率的方法。
圖10表示本發(fā)明的信息記錄/再生裝置，其可以將信息記錄在本發(fā)明的 相變化型光信息記錄媒體上，或使信息再生。
參照圖10，標(biāo)號(hào)7表示一光信息記錄媒體，即本發(fā)明的相變化型光信 息記錄媒體。通過包括主軸馬達(dá)8的驅(qū)動(dòng)手段驅(qū)動(dòng)該記錄4某體7。通過作為 光源驅(qū)動(dòng)手段的激光驅(qū)動(dòng)電路4驅(qū)動(dòng)包括激光二極管的光源。 一記錄/再生 拾波器3用激光照射記錄媒體1,該激光從激光二極管發(fā)出，經(jīng)沒有圖示的 光學(xué)系統(tǒng)，作為電磁波照射在記錄媒體1上，使得記錄媒體7的記錄層發(fā) 生相變化。
當(dāng)通過記錄/再生拾波器3使光照射已發(fā)生相變化的記錄層，接收來自 記錄媒體1的反射光，所記錄信息可以得到再生。波形處理電路6測定被 再生的HF信號(hào)的信號(hào)電平，以確定最適CW消去功率(Pecw)和最適記錄功 率(Pwo)。
記錄/再生拾波器3的最適記錄功率通過一記錄功率/消去功率設(shè)定電路 5進(jìn)行設(shè)定。
信息記錄/再生裝置將激光作為電磁波照射在記錄媒體1上，使得記錄 媒體1的記錄層發(fā)生相變化，對信息記錄媒體1進(jìn)行信息記錄或再生，且 可重寫。該信息記錄/再生裝置設(shè)有記錄手段，上述記錄手段包括記錄/再生 拾波器3以及一用于對需記錄的信號(hào)進(jìn)行調(diào)制的調(diào)制器。
上述包括記錄/再生拾波器3的記錄手段在記錄媒體1的記錄層進(jìn)行 PWM記錄，在該P(yáng)WM記錄中，通過形成標(biāo)記，同時(shí)改變標(biāo)記寬度記錄信 號(hào)。當(dāng)進(jìn)行記錄時(shí)，在調(diào)制器對需記錄的信號(hào)用時(shí)標(biāo)進(jìn)行調(diào)制。合適的調(diào) 制方式包括EFM(Eight-to-Fourteen-Modulation)調(diào)制方式或其改良調(diào)制方式 等。
圖11表示在上述構(gòu)成的初始化的相變化型光信息記錄媒體上記錄信號(hào) 以及所記錄信號(hào)通過CW消去方法消去場合的消去功率Pe與殘存信號(hào)11T 的地面電平(I11H)，凹坑電平(I llL)及d(I 11L)/d(Pe)之間關(guān)系。由圖可知， 當(dāng)d(I 11L)/d(Pe)為最大值時(shí)，CW消去功率(Pel)是6.0mW，當(dāng)d(I 11L)/d(Pe) 為最小值時(shí)，CW消去功率(Pe2)是10.2mW。其差A(yù)Pe(即Pe2-Pel)為4.2mW。
在此，所謂最適CW消去功率(Pecw)是指記錄媒體上殘存信號(hào)振幅小、反射率降低少的功率。該相變化型光信息記錄媒體場合，最適CW消去功
率Pecw為6.2 ~ 10.0mW。
為了測定殘存信號(hào)振幅，預(yù)先以比用Y法得到的最適記錄功率Pwo高 的記錄功率記錄HF信號(hào)，結(jié)果，易使信號(hào)殘存。當(dāng)通過上述方法確定最適 CW消去功率Pecw場合，即使是信號(hào)振幅大的信號(hào)也能通過使用該最適CW 消去功率充分消去。
從上述結(jié)果可得以下關(guān)系式
Pel+0.05x △ pe < Pecw《Pe2-0.05 x APe
當(dāng)考慮有效數(shù)字，小數(shù)點(diǎn)以下1位后數(shù)字四舍五入，可得以下關(guān)系式 6.2《Pecw《10.0
從激光二極管的利用效率考慮，Pecw以小為好。因此，該相變化型光 信息記錄媒體場合，最適CW消去功率Pecw為6.2mW。
通過使用這樣的消去功率，地面電平I IIH與凹坑電平I IIL具有以下 關(guān)系
I 11L/I 11H>0.8
當(dāng)使用CW消去方法場合，與實(shí)行消去同時(shí)必須形成標(biāo)記的直接重寫 方法相比，能以高線速度狀態(tài)實(shí)行消去，能進(jìn)行比邏輯消去快的高速消去。
圖12表示當(dāng)信息以6.2mW消去功率(即最適CW消去功率Pecw)Pe進(jìn) 行記錄時(shí)P與記錄功率Pw之間的關(guān)系。在此，(3表示標(biāo)記長度與凹坑長度 的平^f。當(dāng)P值處于0-8%之間時(shí)故障幾乎不發(fā)生。
從圖12可知，當(dāng)固定Pe場合，(3與Pw為一次相關(guān)關(guān)系，因此，線性 近似可能。從圖12可知，Pw為12.3mW時(shí)，(3=4%,因此，可以得到平 衡好的EFM信號(hào)。
圖13和圖14表示以Pe-6.2mW的消去功率(即本發(fā)明的方法)反復(fù)直接 重寫場合以及以Pe=s xpw(s-o.5)(即先有技術(shù)方法)反復(fù)直接重寫場合記 錄功率與故障的功率界限之間的關(guān)系。圖13表示重寫二次場合，圖M表 示重寫1000次場合的數(shù)據(jù)。
從圖13和圖14可知，當(dāng)Pw為6.2mW場合，直接重寫特性之一的功 率界限能顯著提高。即，為了進(jìn)行可靠性更好的記錄，固定消去功率Peo 是有利的。
當(dāng)壓模形成包含有一 ROM區(qū)的混合型盤場合，若對該混合盤實(shí)行邏輯
18消去，會(huì)在ROM區(qū)實(shí)行直接重寫。在這種情況下，ROM區(qū)沒有被消去， 而在ROM區(qū)寫上邏輯消去圖案，這樣，ROM區(qū)不能再生。對這種被誤消 去的混合型盤，通過使用CW消去方法僅消去寫在ROM區(qū)的邏輯消去圖案， 該ROM區(qū)能復(fù)原。
下面，通過實(shí)施例更具體地說明本發(fā)明，當(dāng)然，本發(fā)明并不局限于這 些實(shí)施例。
實(shí)施例1
圖3A-3E表示本發(fā)明實(shí)施例1的設(shè)有ROM部的CD-RW的信息配置。 圖3A表示CD-RW處于未使用狀態(tài)。用凹坑記錄有下列信息
(1) 在98ml3s50f-98ml3s59f形成第一記錄時(shí)間的位置信息；
(2) 在98m27s00f- 99m59s74f形成第一記錄時(shí)間的L/I區(qū)；
(3) 在00m00s00f ~ (Hm5WMf形成第一記錄時(shí)間的數(shù)據(jù)區(qū)；
(4) 在05m00s00f- 06m29s74f形成第一記錄時(shí)間的L/O區(qū)。 在圖3B表示的CD-RW上按如下所示追加記錄有第二記錄時(shí)間
(1) 在98ml3s60f ~ 98ml3s69f形成盤ID信息；
(2) 在9Sml3s70f ~卵mMs(Mf形成第二記錄時(shí)間的位置信息；
(3) 在06m30s00f-外側(cè)形成第二記錄時(shí)間的L/I-2，數(shù)據(jù)-2， L/0-2。
圖3C所示CD-RW表示消去CD-RW的最終記錄時(shí)間(即第二記錄時(shí)間) 的狀態(tài)。
在此，在PMA從內(nèi)周按以下順序記錄信息
(1) 在98ml3s50f-98mUs59f形成第一記錄時(shí)間的位置信息；
(2) 在98ml3s60f-98ml3s69f形成盤ID信息。
圖3D表示消去圖3C的CD-RW的盤ID信息的狀態(tài)。在該狀態(tài)下，即 使發(fā)出消去CD-RW的第一記錄時(shí)間的命令，由于第一記錄時(shí)間的位置信息 位于盤ID信息之前，第一記錄時(shí)間及其位置信息不被消去而殘留著。
圖3E表示除第一記錄時(shí)間及其位置信息其它都消去的CD-RW的狀 態(tài)。第 一記錄時(shí)間及其位置信息沒有被消去的理由與上述相同。
在本發(fā)明的信息記錄方法及裝置中，當(dāng)裝上盤時(shí)，讀入PMA。位于盤 ID信息之后的記錄位置信息的記錄時(shí)間設(shè)為可記錄可消去的記錄時(shí)間。此 外的記錄時(shí)間設(shè)為不可記錄不可消去的記錄時(shí)間。該信息存儲(chǔ)在裝置的儲(chǔ) 存器中。即，不管圖3A-3E所示哪種狀態(tài)，第一記錄時(shí)間的位置信息之前沒有 盤ID信息，第一記錄時(shí)間沒有成為可記錄可消去的記錄時(shí)間，而是作為不
可記錄不可消去(即寫入保護(hù)時(shí)間)的記錄時(shí)間進(jìn)行記錄。
下面，說明在本發(fā)明的記錄/再生裝置中實(shí)行的寫入保護(hù)方法。
參照圖2C，在CD-RW的PMA區(qū)，記錄下列信息
(1) 在98ml3s50f ~ 98ml3s59f記錄盤ID信息；
(2) 在98ml3s60f 98ml3s69f記錄第一記錄時(shí)間的位置信息；
(3) 在98ml3s70f- 98mMs04f記錄第二記錄時(shí)間的位置信息。 但是，第一和第二記錄時(shí)間沒有實(shí)行寫入保護(hù)。
當(dāng)對第一記錄時(shí)間實(shí)行寫入保護(hù)場合，在PMA區(qū)進(jìn)行信息再記錄，使 其成為以下狀態(tài)
(1) 在98ml3sS0f 98ml3sS9f記錄第一記錄時(shí)間的位置信息；
(2) 在98ml3s60f ~ 98ml3s69f記錄盤ID信息；
(3) 在98mUs 0f Q8mMs(Mf記錄第二記錄時(shí)間的位置信息。 這種狀態(tài)表示在圖4中，然后再設(shè)置盤。第二記錄時(shí)間的位置信息沒
有變化，因此，可以不再記錄。
結(jié)果，第一記錄時(shí)間的位置信息位于盤ID信息前，因此，第一記錄時(shí) 間成為不可記錄不可消去的記錄時(shí)間。
參照圖3C,在CD-RW的PMA區(qū)，記錄下列信息；
(1) 在98ml3s50f-9Sml3sS9f記錄第一記錄時(shí)間的位置信息；
(2) 在98ml3s60f ~ 98ml3s69f記錄盤ID信息；
(3) 在98ml3s70f-9SmMs(Hf記錄第二記錄時(shí)間的位置信息。 但是，第二記錄時(shí)間沒有實(shí)行寫入保護(hù)。
當(dāng)對第二記錄時(shí)間實(shí)行寫入保護(hù)場合，在PMA區(qū)進(jìn)行信息再記錄，使
其成為以下狀態(tài)
(1) 在98ml3s60f 98ml3s②f記錄第二記錄時(shí)間的位置信息；
(2) 在98ml3s70f ~ 98ml4s04f記錄盤ID信息。 這種狀態(tài)表示在圖5中，然后再設(shè)置盤。 t
這種場合，由于第一記錄時(shí)間4皮實(shí)行寫入保護(hù)，所以，98ml3s50f-98ml3s59f區(qū)也不可記錄不可消去。因此，第一記錄時(shí)間不^L再記錄。
結(jié)果，第二記錄時(shí)間的位置信息位于盤ID信息之前，因此，第二記錄時(shí)間成為不可記錄不可消去的記錄時(shí)間。
當(dāng)從主機(jī)側(cè)(如計(jì)算機(jī)和軟件)受信消去最終記錄時(shí)間指令場合，若該最 終記錄時(shí)間是可記錄可消去的記錄時(shí)間，且其被存儲(chǔ)在裝置儲(chǔ)存器中，則 信息記錄/再生裝置消去該最終記錄時(shí)間。否則，則回復(fù)主機(jī)側(cè)，拒絕消去 該最終記錄時(shí)間。
當(dāng)從主機(jī)側(cè)受信完全消去(或快速消去)指令場合，若在裝置儲(chǔ)存器中不 存在不可記錄不可消去的記錄時(shí)間，則裝置實(shí)行該完全消去指令。否則， 則回復(fù)主機(jī)側(cè)，拒絕完全消去指令。
實(shí)施例2
準(zhǔn)備本發(fā)明的相變化型光信息記錄媒體。該記錄媒體包括處于 98ml3s50f ~ 98m27s00f位置區(qū)域的包括擺動(dòng)信號(hào)的第一記錄時(shí)間的PMA; 處于98m27s00f-99m59s74f位置區(qū)域的包括擺動(dòng)信號(hào)(參照圖9)的第一記 錄時(shí)間的L/I區(qū)；處于00m00s00f ~ 04m59s74f位置區(qū)域的沒有擺動(dòng)信號(hào)的 第一記錄時(shí)間的數(shù)據(jù)區(qū)(參照圖6),處于0Sm00s00f-(^mMsMf位置區(qū)域的 包括擺動(dòng)信號(hào)(參照圖9)的第一記錄時(shí)間的L/O區(qū)。上述PMA, L/I區(qū)，數(shù) 據(jù)區(qū)及L/0區(qū)各部分分別以凹坑形成。在其他部分，在基板上形成含擺動(dòng) 信號(hào)的導(dǎo)向槽。于是，作成包括ATIP信息的CD-RW。
如上所述，基板上至少形成包含凹坑的第一記錄時(shí)間。即，第一記錄 時(shí)間包括一不存在擺動(dòng)信號(hào)的ROM區(qū)以及存在擺動(dòng)信號(hào)的RAM區(qū)。因此， 根據(jù)有無擺動(dòng)信號(hào)，容易識(shí)別ROM區(qū)和RAM區(qū)。
本發(fā)明的光信息記錄/再先裝置設(shè)有判斷裝置B，如圖7所示。當(dāng)記錄 時(shí)間不包含擺動(dòng)信號(hào)時(shí)，判斷裝置B判斷記錄媒體的該記錄時(shí)間的數(shù)據(jù)部 為ROM。當(dāng)記錄時(shí)間的數(shù)據(jù)部存在擺動(dòng)信號(hào)時(shí)，判斷裝置B將該記錄時(shí)間 判斷為RAM。該裝置還包括一受信裝置A(參照圖7)。當(dāng)受信裝置A接收 到消去記錄媒體的記錄時(shí)間的指令時(shí)，光信息記錄/再生裝置僅在記錄時(shí)間 為RAM(即記錄時(shí)間不含有ROM)場合消去該記錄時(shí)間。
圖7表示本發(fā)明的光信息記錄/再生裝置的消去動(dòng)作的流程。
當(dāng)受信裝置從主機(jī)側(cè)(如計(jì)算機(jī)和軟件)接收到消去最終記錄時(shí)間指令 時(shí)(步驟S1)，記錄/再生裝置搜索記錄媒體上的PMA，從PMA信息檢測最 終記錄時(shí)間位置(步驟S2和S3)。
接著，記錄/再生裝置搜索最終記錄時(shí)間的數(shù)據(jù)區(qū)(即圖2C場合的數(shù)據(jù)
21-2，圖2B或2D場合的數(shù)據(jù)-l)(步驟S4)，讀取數(shù)據(jù)區(qū)的擺動(dòng)信號(hào)(即ATIP 信息)(步驟S5)。
當(dāng)在數(shù)據(jù)區(qū)存在擺動(dòng)信號(hào)場合(步驟S6的"是")，判斷裝置B判斷最 終記錄時(shí)間不是ROM，記錄/再生裝置消去最終記錄時(shí)間(步驟S7)。與此相 反，當(dāng)在數(shù)據(jù)區(qū)不存在擺動(dòng)信號(hào)場合(步驟S6的"否")，判斷裝置B判斷 最終記錄時(shí)間是ROM,記錄/再生裝置向主機(jī)側(cè)返信，拒絕消去最終記錄時(shí) 間(步驟S8)。
當(dāng)受信裝置A從主機(jī)側(cè)接收到完全消去指令(即快速消去指令)場合， 記錄/再生裝置搜索記錄媒體的PMA,從PMA信息檢測第一記錄時(shí)間位置。
接著，記錄/再生裝置搜索第一記錄時(shí)間的數(shù)據(jù)區(qū)，讀取數(shù)據(jù)區(qū)的擺動(dòng) 信號(hào)(即ATIP信息)。
當(dāng)在數(shù)據(jù)區(qū)存在擺動(dòng)信號(hào)時(shí)，判斷裝置B判斷第 一記錄時(shí)間不是ROM。 記錄/再生裝置實(shí)行完全消去(即快速消去)。與此相反，當(dāng)數(shù)據(jù)區(qū)不存在擺 動(dòng)信號(hào)時(shí)，判斷裝置B判斷第一記錄時(shí)間是ROM，記錄/再生裝置向主機(jī)側(cè) 返信，拒絕實(shí)行完全消去。
當(dāng)然，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，在本發(fā)明技術(shù)思想范圍內(nèi)可以 作種種變更，它們都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1. 一種最適cw消去功率決定方法，用于消去相變化型光信息記錄媒 體上的信息，其包括用不同功率Pe CW消去以所定記錄功率記錄的HF信號(hào)； 測定殘存HF信號(hào)的IIT信號(hào)的凹坑電平(I IIL)或者凹坑電平(I 11L) 和地面電平(I IIH)兩方；決定最適CW消去功率Pecw，其至少滿足下列關(guān)系式(l), (2)之一 Pel+0.05x厶pe《Pecw《Pe2-0.05 x Ape (1)式中，Pel表示當(dāng)d(I 11L)/d(Pe)為最大時(shí)的Pe,Pe2表示當(dāng)d(I 11L)/d(Pe) 為最小時(shí)的Pe， Ape表示Pe2-Pel;I 11L/I 11H>0.8 (2)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l中所述的最適CW消去功率決定方法，其特征在于， 記錄功率比用Y法得到的最適記錄功率Pwo'高。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2中所述的最適CW消去功率決定方法，其特征 在于，在CW消去步驟中，相變化型光信息記錄媒體的線速度比相變化型 光信息記錄媒體的最高記錄線速度高。
4. 一種相變化型光信息記錄媒體的直接重寫信息方法，其包括用 一消去功率消去儲(chǔ)存在相變化型光信息記錄媒體上的信息，同時(shí)， 將信息記錄在該相變化型光信息記錄媒體上；上述消去功率是上述權(quán)利要求1-3中任一個(gè)所述的方法所決定的最適 CW消去功率。
5. —種相變化型光信息記錄媒體的直接重寫信息方法，其包括 第一記錄信息步驟，固定消去功率，用不同的記錄功率將HF信號(hào)記錄在相變化型光信息記錄媒體上；測定HF信號(hào)的標(biāo)記長度/凹坑長度的平衡P ;將標(biāo)記長度/凹坑長度的平衡(3為0 ~ 8 %的記錄功率作為最適記錄功率；第二記錄信息步驟，對相變化型光信息記錄媒體使用上述最適記錄功 率，將信息記錄在相變化型光信息記錄媒體上。
6. —種信息消去方法,其包括在相變化型光信息記錄媒體上用一消去功率實(shí)行CW消去，該相變化型光信息記錄媒體包括一通過壓模形成的ROM區(qū)；上述消去功率是上述權(quán)利要求1-3中任一個(gè)所述的方法所決定的最適 cw消去功率。
全文摘要
本發(fā)明涉及相變化型光信息記錄媒體，信息消去方法，信息記錄方法及裝置。相變化型光信息記錄媒體包括一基板及一記錄層，記錄層疊置在該基板上，在記錄層形成用以儲(chǔ)存信息的標(biāo)記?；逵涗泴影ǘ嘤涗洉r(shí)間以及程序儲(chǔ)存區(qū)，所述多記錄時(shí)間包括第一記錄時(shí)間，在該第一記錄時(shí)間形成凹坑，其包括一RAM區(qū)，該RAM區(qū)包括槽和擺動(dòng)信號(hào)，上述程序儲(chǔ)存區(qū)形成凹坑，其包括第一記錄時(shí)間的位置信息，不包含相變化型光信息記錄媒體的盤ID信息。提供可重寫的相變化型光信息記錄媒體，其在記錄及消去信息同時(shí)，能容易地控制記錄及消去信息，即容易地實(shí)現(xiàn)寫入保護(hù)。
文檔編號(hào)B41M5/26GK101312051SQ2008101378
公開日2008年11月26日 申請日期2002年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2001年9月25日
發(fā)明者野田英治 申請人:株式會(huì)社理光