一種可鋼化三銀low-e玻璃及制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種可鋼化三銀LOW-E玻璃，包括有玻璃基片，在所述的玻璃基片的復(fù)合面上由內(nèi)到外依次相鄰地復(fù)合有十四個膜層，其特征在于：其中第一膜層即最內(nèi)層為Si3N4層，第二膜層為TiO2層，第三膜層為NiCr層，第四膜層為Ag層，第五膜層為NiCr層，第六層膜為TiO2層，第七膜層為Ag層，第八膜層為NiCr層，第九膜層為TiO2層，第十膜層為NiCr層，第十一膜層為Ag層，第十二膜層為NiCr層，第十三膜層為TiO2層，第十四膜層即最外層為Si3N4層。
【專利說明】—種可鋼化三銀LOW-E玻璃及制備方法
【【技術(shù)領(lǐng)域】】
[0001]本發(fā)明涉及一種鍍膜玻璃，更具體地說是一種可鋼化三銀L0W-E玻璃，本發(fā)明還涉及一種玻璃的制備方法。
【【背景技術(shù)】】
[0002]玻璃是在當代的生產(chǎn)和生活中扮演著重要角色，建筑物的門窗汽車車窗和擋風(fēng)玻璃等等許多地方都用到玻璃，給生產(chǎn)和生活帶來了很多的方便。中性色玻璃需求量也很大，但現(xiàn)有的鋼化玻璃陽光透過率低，反射率高，遮陽系數(shù)高，鋼化后顏色偏差大。
【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0003]本發(fā)明目的是克服了現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種透過率高，反射率低，遮陽系數(shù)小，鋼化后顏色偏差小的可鋼化三銀L0W-E玻璃。本發(fā)明還提供一種可鋼化三銀L0W-E玻璃的制備方法。
[0004]本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的:
[0005]一種可鋼化三銀L0W-E玻璃，包括有玻璃基片1，在所述的玻璃基片1的復(fù)合面上由內(nèi)到外依次相鄰地復(fù)合有十四個膜層，其特征在于:其中第一膜層即最內(nèi)層為Si3N4層21，第二膜層為Ti02層22，第三膜層為NiCr層23，第四膜層為Ag層24，第五膜層為NiCr層25，第六層膜為Ti02層26，第七膜層為Ag層27，第八膜層為NiCr層28，第九膜層為Ti02層29，第十膜層為NiCr層210，第十一膜層為Ag層211，第十二膜層為NiCr層212，第十三膜層為Ti02層213，第十四膜層即最外層為Si3N4層214。
[0006]如上所述的可鋼化三銀L0W-E玻璃，其特征在于所述第一膜層的Si3N4層21的厚度為20?35nm，最外層第十四膜層Si3N4層214的厚度為25?35nm。
[0007]如上所述的可鋼化三銀L0W-E玻璃，其特征在于所述第二膜層的Ti02層22的厚度為10?15nm，第六層膜層Ti02層26的厚度為60?80nm，第九膜層Ti02層29的厚度為60?75nm，第十三膜層Ti02層213的厚度為25?35nm。
[0008]如上所述的可鋼化三銀L0W-E玻璃，其特征在于所述第三膜層NiCr層23、第十二膜層NiCr層212的厚度均為1?2nm，第五膜層NiCr層25、第八膜層NiCr層28、第十膜層NiCr層210的厚度均為1?3nm。
[0009]如上所述的可鋼化三銀L0W-E玻璃，其特征在于所述第四膜層Ag層24、第七膜層為Ag層27、第^^一膜層為Ag層211的厚度均為4?8nm。
[0010]一種制備上述的可鋼化三銀L0W-E玻璃的方法，其特征在于包括如下步驟:
[0011](1)磁控濺射Si3N4層，用交流中頻電源、氮氣作反應(yīng)氣體濺射半導(dǎo)體材料SiAl重量比 S1:Al = 90:10，密度 96% ；
[0012](2)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；
[0013](3)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射；
[0014](4)磁控濺射Ag層，用交流電源濺射；
[0015](5)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射；
[0016](6)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；
[0017](7)磁控濺射Ag層，用交流電源濺射；
[0018](8)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射；
[0019](9)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；
[0020](10)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射；
[0021](11)磁控濺射Ag層，用交流電源濺射；
[0022](12)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射；
[0023](13)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；
[0024](14)磁控濺射Si3N4層，用交流中頻電源、氮氣作反應(yīng)氣體濺射半導(dǎo)體材料SiAl重量比 S1:Al = 90:10，密度 96%。
[0025]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明有如下優(yōu)點:
[0026]1、本玻璃利用Si3N4作基膜及頂膜，提高膜層的硬度，可防止納離子的注入破壞銀層，使整個膜層在高溫下耐熱性更好，機械性更好，具有可見光高透過及對中遠紅外線高反射的特性。
[0027]2、本玻璃透光率T(透過透明或半透明體的光通量與其入射光通量的百分率)彡65% ;反射率< 10，遮陽系數(shù)SC ( 0.4。本玻璃輻射率< 0.03，輻射率是某物體的單位面積輻射的熱量同單位面積黑體在相同溫度、相同條件下輻射熱量之比。輻射率定義是某物體吸收或反射熱量的能力。玻璃的輻射率越接近于零，其絕熱性能就越好。
[0028]3、本玻璃鋼可合成中空使用，可滿足異地鋼化、中空加工使用。
[0029]4、本玻璃鋼化后顏色偏差較小，a* = -4?-5, b* = -5.5?-6.5。
【【專利附圖】
【附圖說明】】
[0030]圖1是本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖。
【【具體實施方式】】
[0031]一種可鋼化三銀L0W-E玻璃，包括有玻璃基片1，在所述的玻璃基片1的復(fù)合面上由內(nèi)到外依次相鄰地復(fù)合有十四個膜層，其中第一膜層即最內(nèi)層為Si3N4層21，第二膜層為Ti02層22，第三膜層為NiCr層23，第四膜層為Ag層24，第五膜層為NiCr層25，第六層膜為Ti02層26，第七膜層為Ag層27，第八膜層為NiCr層28，第九膜層為Ti02層29，第十膜層為NiCr層210，第i^一膜層為Ag層211，第十二膜層為NiCr層212，第十三膜層為Ti02層213，第十四膜層即最外層為Si3N4層214。
[0032]所述最內(nèi)層Si3N4層21，即氮化硅層；Si3N4是一種非常堅硬的材料，提高膜層硬度及避免不良原子深入破壞銀層鍍膜層，使整個膜層在高溫下耐熱性更好，機械性更好，它確保了整個鍍層具有良好的機械耐久性。Si3N4層21的厚度為20?35nm，nm是納米，lm =109nm。
[0033]所述的第二層Ti02層22，即鈦的氧化物——二氧化鈦。采用高折射率η = 2.5的Ti02是為了提高玻璃的透光率，降低銀層的面電阻，減少銀的消耗，又可以減少L0W-E熱處理后產(chǎn)生光散射，而且玻璃呈中性顏色，1102膜表面非常光滑，因而改善了銀膜的導(dǎo)電率。所述第二膜層的Ti02層22的厚度為10?15nm，第六層膜層Ti02層26的厚度為60?80nm，第九膜層Ti02層29的厚度為60?75nm，第十三膜層Ti02層213的厚度為25?35nm。
[0034]所述第三膜層NiCr層23，即鎳鉻金屬層，作為Ag層的保護層及平整層，提高耐氧化性能防止Ag層的氧化，所述第三膜層NiCr層23、第十二膜層NiCr層212的厚度均為1?2nm，第五膜層NiCr層25、第八膜層NiCr層28、第十膜層NiCr層210的厚度均為1?3nm。
[0035]所述第四層Ag層24，即金屬銀層，金屬銀提供了較低的輻射率，起環(huán)保節(jié)能的作用；所述第四膜層Ag層24、第七膜層為Ag層27、第十一膜層為Ag層211的厚度均為4?8nm0
[0036]所述的最外層Si3N4層214，即氮化硅層；它確保了整個鍍層具有良好的機械耐久性。Si3N4膜是非常堅硬，而且抗劃傷，它的硬度是玻璃的三倍，是Ti02的二倍；Si3N4的折射率為2.05，吸收率幾乎為零，所以它作為Low-e鍍層的頂層是非常適合的。最外層第十四膜層Si3N4層214的厚度為25?35nm。
[0037]一種制備上述的可鋼化三銀L0W-E玻璃的方法，其特征在于包括如下步驟:
[0038](1)磁控濺射Si3N4層，用交流中頻電源、氮氣作反應(yīng)氣體濺射半導(dǎo)體材料SiAl重量比 S1:Al = 90:10，密度 96% ；
[0039](2)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；
[0040](3)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射；
[0041](4)磁控濺射Ag層，用交流電源濺射；
[0042](5)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射；
[0043](6)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；
[0044](7)磁控濺射Ag層，用交流電源濺射；
[0045](8)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射；
[0046](9)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；
[0047](10)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射；
[0048](11)磁控濺射Ag層，用交流電源濺射；
[0049](12)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射；
[0050](13)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；
[0051](14)磁控濺射Si3N4層，用交流中頻電源、氮氣作反應(yīng)氣體濺射半導(dǎo)體材料SiAl重量比 S1:Al = 90:10，密度 96%。
[0052]可鋼化三銀L0W-E玻璃在陽光性能上有很大提高，三層銀膜可以使發(fā)射率降到很低值，即傳熱系數(shù)降到低值；而且它在降低太陽能的同時，仍然能保持很高的可見光透過率，所以三銀L0W-E鍍層在陽光性能方面具有良好的選擇性。
[0053]L0W-E玻璃也叫做低輻射鍍膜玻璃。
[0054]本玻璃利用Ti02可降低銀層的面電阻，減少銀的消耗，又可以減少L0W-E熱處理后產(chǎn)生光散射，Si3N4作頂膜及底膜，提高膜層硬度及避免不良原子深入破壞銀層鍍膜層，使整個膜層在高溫下耐熱性更好，機械性更好，具有對可見光高透過及對中遠紅外線高反射的特性。
[0055]本玻璃透光率T(透過透明或半透明體的光通量與其入射光通量的百分率)彡65% ;反射率< 10，遮陽系數(shù)SC ( 0.4。本玻璃輻射率< 0.03，輻射率是某物體的單位面積輻射的熱量同單位面積黑體在相同溫度、相同條件下輻射熱量之比。輻射率定義是某物體吸收或反射熱量的能力。玻璃的輻射率越接近于零，其絕熱性能就越好。
[0056]本玻璃鋼化后顏色偏差較小，a* = -4?-5，b* = -5.5?-6.5。
【權(quán)利要求】
1.一種可鋼化三銀LOW-E玻璃，包括有玻璃基片(I)，在所述的玻璃基片(I)的復(fù)合面上由內(nèi)到外依次相鄰地復(fù)合有十四個膜層，其特征在于:其中第一膜層即最內(nèi)層為Si3N4層(21)，第二膜層為T12層(22)，第三膜層為NiCr層(23)，第四膜層為Ag層(24)，第五膜層為NiCr層(25)，第六層膜為T12層(26)，第七膜層為Ag層(27)，第八膜層為NiCr層(28)，第九膜層為1102層(29)，第十膜層為NiCr層(210)，第十一膜層為Ag層(211)，第十二膜層為NiCr層(212)，第十三膜層為T12層(213)，第十四膜層即最外層為Si3N4層(214)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可鋼化三銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第一膜層的Si3N4層(21)的厚度為20?35nm，最外層第十四膜層Si3N4層(214)的厚度為25?35nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可鋼化三銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第二膜層的T12層(22)的厚度為10?15nm，第六層膜層T12層(26)的厚度為60?80nm，第九膜層T12層(29)的厚度為60?75nm，第十三膜層T12層(213)的厚度為25?35nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可鋼化三銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第三膜層NiCr層(23)、第十二膜層NiCr層(212)的厚度均為I?2nm，第五膜層NiCr層(25)、第八膜層NiCr層(28)、第十膜層NiCr層(210)的厚度均為I?3nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可鋼化三銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第四膜層Ag層(24)、第七膜層為Ag層(27)、第十一膜層為Ag層(211)的厚度均為4?8nm。
6.一種制備權(quán)利要求1-5任意一項所述的可鋼化三銀LOW-E玻璃的方法,其特征在于包括如下步驟: (1)磁控濺射Si3N4層，用交流中頻電源、氮氣作反應(yīng)氣體濺射半導(dǎo)體材料SiAl重量比S1:Al = 90:10，密度 96% ； (2)磁控濺射T12層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶； (3)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射； (4)磁控濺射Ag層，用交流電源濺射； (5)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射； (6)磁控濺射T12層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶； (7)磁控濺射Ag層，用交流電源濺射； (8)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射； (9)磁控濺射T12層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶； (10)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射； (11)磁控濺射Ag層，用交流電源濺射； (12)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應(yīng)氣體的金屬濺射； (13)磁控濺射T12層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶； (14)磁控濺射Si3N4層，用交流中頻電源、氮氣作反應(yīng)氣體濺射半導(dǎo)體材料SiAl重量比 S1:Al = 90:10，密度 96%。
【文檔編號】B32B15/00GK104354361SQ201410563887
【公開日】2015年2月18日 申請日期:2014年10月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月18日
【發(fā)明者】秦文鋒, 王玲, 楊永華 申請人:中山市創(chuàng)科科研技術(shù)服務(wù)有限公司