復(fù)合電磁波吸收片的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種復(fù)合電磁波吸收片，包括：(a)第一電磁波吸收膜(10a)，其具有塑料膜(11)和在塑料膜(11)的至少一面上設(shè)置的單層或多層的金屬薄膜(12)，在所述金屬薄膜(12)上以不規(guī)則的寬度及間隔在多個(gè)方向上形成有多個(gè)實(shí)質(zhì)上平行且斷續(xù)的線狀痕(122)；(b)第二電磁波吸收膜(20)，其由分散有磁性粒子或非磁性導(dǎo)電性粒子的樹(shù)脂或橡膠構(gòu)成。
【專(zhuān)利說(shuō)明】復(fù)合電磁波吸收片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種雖然薄但在寬幅的頻率范圍內(nèi)具有高電磁波吸收能力的復(fù)合電磁波吸收片。
【背景技術(shù)】
[0002]在移動(dòng)電話、智能手機(jī)、無(wú)線電LAN等通信設(shè)備及計(jì)算機(jī)等電子設(shè)備中，對(duì)跨數(shù)MHz~數(shù)GHz這樣寬的頻率范圍的信號(hào)進(jìn)行處理，隨之產(chǎn)生跨寬頻率范圍的電磁波噪聲。不僅需要減少?gòu)耐ㄐ旁O(shè)備、電子設(shè)備發(fā)出的電磁波噪聲，并保護(hù)通信設(shè)備和電子設(shè)備的電路免受外部電磁波噪聲，而且需要使從各個(gè)電路元件產(chǎn)生的電磁波噪聲不對(duì)其他電路元件造成負(fù)面影響。
[0003]對(duì)于這種電磁波噪聲，通常使用電磁屏蔽技術(shù)。電磁屏蔽技術(shù)是利用金屬板覆蓋噪聲產(chǎn)生源及噪聲接收元件的周?chē)?，從而遮蔽電磁波噪聲的技術(shù)。例如，若在電通信設(shè)備、子設(shè)備的殼體內(nèi)部配置金屬制屏蔽板，則從通信設(shè)備、電子設(shè)備放射的電磁波噪聲受到抑制，但并沒(méi)有減少設(shè)備內(nèi)部的電磁波噪聲，因此對(duì)于安裝部件而言不是充分的噪聲對(duì)策。因此，不僅期望反射電磁波噪聲的電磁波屏蔽，而且期望能吸收電磁波噪聲的電磁波吸收片。
[0004]日本特開(kāi)2010-153542號(hào)公開(kāi)了一種電磁波噪聲抑制片，其具有基材、通過(guò)涂敷導(dǎo)電性涂敷材料而形成的導(dǎo)電層、通過(guò)涂敷磁性涂敷材料而形成的磁性層?；牡木唧w例為紙、無(wú)紡布或織物、布、樹(shù)脂片等。導(dǎo)電性涂敷材料含有銅、金、鋁等金屬或碳等導(dǎo)電性材料。磁性涂敷材料含有具有軟磁性的鐵素體等金屬氧化物、鋁硅鐵粉、強(qiáng)磁性鐵鎳合金、非晶體合金等磁性金屬的粒子。通過(guò)該電磁波噪聲抑制片，能夠利用導(dǎo)電層和磁性層這兩方提高電磁波吸收能力。然而，通過(guò)這樣的導(dǎo)電層和磁性層的組合無(wú)法獲得足夠的電磁波吸收能力。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]因此，本發(fā)明的目的在于提供一種雖然薄但在寬幅的頻率范圍內(nèi)具有高電磁波吸收能力的復(fù)合電磁波吸收片。
[0006]【用于解決課題的手段】
[0007]鑒于上述目的而銳意研究的結(jié)果，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在組合:(a)具有以不規(guī)則的寬度及間隔在多個(gè)方向上形成有多個(gè)實(shí)質(zhì)上平行且斷續(xù)的線狀痕的金屬薄膜、或者以使具有規(guī)定的透光率及表面電阻的方式進(jìn)行熱處理而成的磁性金屬薄膜的膜；(b)含有碳、金屬等非磁性導(dǎo)電性粒子或者磁性金屬、鐵素體等磁性粒子的膜時(shí)，能夠得到在較寬的頻率范圍內(nèi)具有高電磁波吸收能力的復(fù)合電磁波吸收片，因而想到了本發(fā)明。
[0008]即，本發(fā)明的第一復(fù)合電磁波吸收片的特征在于，包括:(a)第一電磁波吸收膜，其具有塑料膜和設(shè)置在該塑料膜的至少一面上的單層或多層的金屬薄膜，在所述金屬薄膜上以不規(guī)則的寬度及間隔在多個(gè)方向上形成有多個(gè)實(shí)質(zhì)上平行且斷續(xù)的線狀痕；(b)第二電磁波吸收膜，其由分散有磁性粒子或非磁性導(dǎo)電性粒子的樹(shù)脂或橡膠構(gòu)成。[0009]本發(fā)明的第二復(fù)合電磁波吸收片的特征在于，包括(a)第三電磁波吸收膜和(b)由分散有磁性粒子或非磁性導(dǎo)電性粒子的樹(shù)脂或橡膠構(gòu)成的第二電磁波吸收膜，所述第三電磁波吸收膜包括:(i)塑料膜；(ii)在該塑料膜的至少一面上設(shè)置的單層或多層的金屬薄膜，在該金屬薄膜上以不規(guī)則的寬度及間隔在多個(gè)方向上形成有多個(gè)實(shí)質(zhì)上平行且斷續(xù)的線狀痕；(iii)形成在所述金屬薄膜上的碳納米管薄層。
[0010]優(yōu)選所述碳納米管薄層的以涂敷量來(lái)表示的厚度為0.01~0.5g/m2。優(yōu)選所述碳納米管為多層碳納米管。 [0011 ] 優(yōu)選，在所述第一及第二復(fù)合電磁波吸收片中，所述線狀痕在二個(gè)方向上取向，其交叉角為30~90°。關(guān)于所述線狀痕的寬度，優(yōu)選，90%以上在0.1~100 μ m的范圍內(nèi)，平均為I~50 μ m，所述線狀痕的橫邊方向間隔在I~500μπι的范圍內(nèi)，平均為I~200 μ m。
[0012]優(yōu)選所述金屬薄膜通過(guò)從由鋁、銅、銀、錫、鎳、鈷、鉻及它們的合金構(gòu)成的組中選擇出的至少一種金屬構(gòu)成。
[0013]本發(fā)明的第三復(fù)合電磁波吸收片的特征在于，包括:(a)在塑料膜的至少一個(gè)面上通過(guò)蒸鍍法形成磁性金屬薄膜后以Iio~180°C的范圍內(nèi)的溫度進(jìn)行熱處理而形成的第四電磁波吸收膜，所述磁性金屬薄膜的透光率(波長(zhǎng)660nm的激光束)為3~50%,在從所述第四電磁波吸收膜切出的IOcmXlOcm的正方形的試驗(yàn)片的磁性金屬薄膜的對(duì)置邊部上配置覆蓋邊整體的長(zhǎng)度的一對(duì)電極，經(jīng)由平坦的加壓板施加3.85kg的負(fù)載而進(jìn)行測(cè)定時(shí)的所述磁性金屬薄膜的表面電阻為10~200Ω/ □ ； (b)第二電磁波吸收膜,其由分散有磁性粒子或非磁性導(dǎo)電性粒子的樹(shù)脂或橡膠構(gòu)成。
[0014]優(yōu)選構(gòu)成所述第四電磁波吸收膜的所述磁性金屬為Ni或其合金。優(yōu)選所述熱處理為10分鐘~I小時(shí)。
[0015]在所述第一~第三復(fù)合電磁波吸收片中，優(yōu)選所述第二電磁波吸收膜中的所述磁性粒子或所述非磁性導(dǎo)電性粒子的含量為10~60體積％。此外，優(yōu)選所述磁性粒子或所述非磁性導(dǎo)電性粒子的平均粒徑為5~200 μ m。
[0016]在所述第一~第三復(fù)合電磁波吸收片中，優(yōu)選所述第二電磁波吸收膜中的所述非磁性導(dǎo)電性粒子為非磁性金屬或碳的粒子。
[0017]【發(fā)明效果】
[0018]本發(fā)明的電磁波吸收片組合:(a_l)第一電磁波吸收膜，其具有塑料膜和設(shè)置在該塑料膜的至少一面上的單層或多層的金屬薄膜，在所述金屬薄膜上以不規(guī)則的寬度及間隔在多個(gè)方向上形成有多個(gè)實(shí)質(zhì)上平行且斷續(xù)的線狀痕、(a-2)第三電磁波吸收膜，其在所述第一電磁波吸收膜的金屬薄膜上形成有碳納米管薄層、或者、(a-3)在塑料膜的至少一個(gè)面上通過(guò)蒸鍍法形成磁性金屬薄膜后以110~180°C的范圍內(nèi)的溫度進(jìn)行熱處理而形成的第四電磁波吸收膜，所述磁性金屬薄膜的透光率(波長(zhǎng)660nm的激光束)為3~50%,在從所述第四電磁波吸收膜切出的IOcmXlOcm的正方形的試驗(yàn)片的磁性金屬薄膜的對(duì)置邊部上配置覆蓋邊整體的長(zhǎng)度的一對(duì)電極，經(jīng)由平坦的加壓板施加3.85kg的負(fù)載而進(jìn)行測(cè)定時(shí)的所述磁性金屬薄膜的表面電阻為10~200Ω/ □ ； (b)第二電磁波吸收膜,其由分散有磁性粒子或非磁性導(dǎo)電性粒子的樹(shù)脂或橡膠構(gòu)成，由此，能夠?yàn)楸⌒筒⑶以趯挿念l率范圍內(nèi)發(fā)揮單獨(dú)由第一~第四電磁波吸收膜無(wú)法獲得的高電磁波吸收能力。具有這樣的優(yōu)點(diǎn)的本發(fā)明的薄型的復(fù)合電磁波吸收片適于要求小型化、輕型化及低成本化的各種通信設(shè)備或電子設(shè)備。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1是表示本發(fā)明的第一復(fù)合電磁波吸收片的局部剖視圖。
[0020]圖2是表示本發(fā)明的第二復(fù)合電磁波吸收片的局部剖視圖。
[0021]圖3是表示本發(fā)明的第三復(fù)合電磁波吸收片的局部剖視圖。
[0022]圖4(a)是表示本發(fā)明的第一復(fù)合電磁波吸收片中使用的第一電磁波吸收膜的一個(gè)例子的剖視圖。
[0023]圖4(b)是表示圖4(a)的第一電磁波吸收膜的線狀痕的詳細(xì)情況的局部俯視圖。
[0024]圖4 (C)是圖4 (b)的A-A剖視圖。
[0025]圖4(d)是表示圖4(C)的部分C的放大剖視圖。
[0026]圖4(e)是表示第一電磁波吸收膜的另一例的剖視圖。
[0027]圖4(f)是表示圖4(e)的部分D的放大剖視圖。
[0028]圖5(a)是表示在第一電磁波吸收膜的金屬薄膜上形成的線狀痕的另一例的局部俯視圖。
[0029]圖5(b)是表不在第一電磁波吸收膜的金屬薄膜上形成的線狀痕的又一例的局部俯視圖。
[0030]圖5(c)是表不在第一電磁波吸收膜的金屬薄膜上形成的線狀痕的又一例的局部俯視圖。
[0031]圖6(a)是表示具有形成有線狀痕及微小孔的金屬薄膜的第一電磁波吸收膜的局部俯視圖。
[0032]圖6 (b)是圖6 (a)的B-B剖視圖。
[0033]圖7(a)是表示在金屬薄膜表面上形成有碳納米管薄層并設(shè)置有保護(hù)層的第三電磁波吸收膜的一個(gè)例子的剖視圖。
[0034]圖7(b)是表示在金屬薄膜表面上形成有碳納米管薄層并設(shè)置有保護(hù)層的第三電磁波吸收膜的另一例的剖視圖。
[0035]圖8(a)是表示線狀痕的形成裝置的一個(gè)例子的立體圖。
[0036]圖8(b)是表示圖8(a)的裝置的俯視圖。
[0037]圖8 (C)是圖8 (b)的C-C剖視圖。
[0038]圖8(d)是用于說(shuō)明相對(duì)于復(fù)合膜的行進(jìn)方向傾斜的線狀痕的形成原理的局部放大俯視圖。
[0039]圖8(e)是表示在圖8(a)的裝置中，圖案輥及按壓輥相對(duì)于復(fù)合膜的傾斜角度的局部俯視圖。
[0040]圖9是表示線狀痕的形成裝置的另一例的局部剖視圖。
[0041]圖10是表示線狀痕的形成裝置的又一例的立體圖。
[0042]圖11是表示線狀痕的形成裝置的又一例的立體圖。
[0043]圖12是表示線狀痕的形成裝置的又一例的立體圖。
[0044]圖13是表示本發(fā)明的第三復(fù)合電磁波吸收片中使用的第四電磁波吸收膜的剖視圖。[0045]圖14是表示圖13所示的第四電磁波吸收膜的磁性金屬薄膜的詳細(xì)情況的局部剖視圖。
[0046]圖15(a)是表示測(cè)定金屬薄膜的表面電阻的裝置的立體圖。
[0047]圖15(b)是表示使用圖15(a)的裝置測(cè)定金屬薄膜的表面電阻的情況的俯視圖。
[0048]圖15 (C)是圖15 (b)的D-D剖視圖。
[0049]圖16(a)是表示評(píng)價(jià)復(fù)合電磁波吸收片的電磁波吸收能力的系統(tǒng)的俯視圖。
[0050]圖16(b)是表示評(píng)價(jià)復(fù)合電磁波吸收片的電磁波吸收能力的系統(tǒng)的局部剖面主視圖。
[0051]圖17是表示測(cè)定復(fù)合電磁波吸收片的內(nèi)部去耦率的方法的局部剖面示意圖。
[0052]圖18是表示測(cè)定復(fù)合電磁波吸收片的相互去耦率的方法的局部剖面示意圖。
[0053]圖19是表示參考例I的第三電磁波吸收膜的傳送衰減率Rtp、S11及S21與頻率的關(guān)系的曲線圖。
[0054]圖20是表示參考例I的第三電磁波吸收膜的噪聲吸收率頻率的關(guān)系的曲線圖。
[0055]圖21是表示參考例I的第三電磁波吸收膜的內(nèi)部去耦率Rda與頻率的關(guān)系的曲線圖。
[0056]圖22是表示參考例I的第三電磁波吸收膜的相互去耦率Rde與頻率的關(guān)系的曲線圖。
[0057]圖23(a)是表示對(duì)蒸鍍有磁性金屬薄膜的塑料膜進(jìn)行熱處理的裝置的剖視圖。
[0058]圖23 (b)是表示使用圖22 (a)的裝置對(duì)磁性金屬蒸鍍膜進(jìn)行熱處理的情況的俯視圖。
[0059]圖24是表示參考例2的第四電磁波吸收膜的傳送衰減率Rtp、S11及S21與頻率的關(guān)系的曲線圖。
[0060]圖25是表示參考例2的第四電磁波吸收膜的噪聲吸收率頻率的關(guān)系的曲線圖。
[0061]圖26是表示參考例2的第四電磁波吸收膜的內(nèi)部去耦率Rda與頻率的關(guān)系的曲線圖。
[0062]圖27是表示參考例2的第四電磁波吸收膜的相互去耦率Rde與頻率的關(guān)系的曲線圖。
[0063]圖28是表示比較例I的磁性噪聲抑制片(第二電磁波吸收膜)的傳送衰減率Rtp、S11及S21與頻率的關(guān)系的曲線圖。
[0064]圖29是表不比較例I的磁性噪聲抑制片(第二電磁波吸收膜)的噪聲吸收率P1()SS/Pin與頻率的關(guān)系的曲線圖。
[0065]圖30是表示比較例I的磁性噪聲抑制片(第二電磁波吸收膜)的內(nèi)部去耦率Rda與頻率的關(guān)系的曲線圖。
[0066]圖31是表示比較例I的磁性噪聲抑制片(第二電磁波吸收膜)的相互去耦率Rde與頻率的關(guān)系的曲線圖。
[0067]圖32是表示比較例2的磁性噪聲抑制片(第二電磁波吸收膜)的傳送衰減率Rtp、S11及S21與頻率的關(guān)系的曲線圖。[0068]圖33是表不比較例2的磁性噪聲抑制片(第二電磁波吸收膜)的噪聲吸收率P1()SS/Pin與頻率的關(guān)系的曲線圖。
[0069]圖34是表示比較例2的磁性噪聲抑制片(第二電磁波吸收膜)的內(nèi)部去耦率Rda與頻率的關(guān)系的曲線圖。
[0070]圖35是表示比較例2的磁性噪聲抑制片(第二電磁波吸收膜)的相互去耦率Rde與頻率的關(guān)系的曲線圖。
[0071]圖36是表示實(shí)施例1的第二復(fù)合電磁波吸收片的傳送衰減率Rtp、Sn及S21與頻率的關(guān)系的曲線圖。
[0072]圖37是表示實(shí)施例1的第二復(fù)合電磁波吸收片的噪聲吸收率P1()SS/Pin與頻率的關(guān)系的曲線圖。
[0073]圖38是表示實(shí)施例1的第二復(fù)合電磁波吸收片的內(nèi)部去耦率Rda與頻率的關(guān)系的曲線圖。
[0074]圖39是表示實(shí)施例1的第二復(fù)合電磁波吸收片的相互去耦率Rde與頻率的關(guān)系的曲線圖。
[0075]圖40是表示實(shí)施例2的第一復(fù)合電磁波吸收片的傳送衰減率Rtp、S11及S21與頻率的關(guān)系的曲線圖。
[0076]圖41是表示實(shí)施例2的第一復(fù)合電磁波吸收片的噪聲吸收率P1()SS/Pin與頻率的關(guān)系的曲線圖。
[0077]圖42是表示實(shí)施例2的第一復(fù)合電磁波吸收片的內(nèi)部去耦率Rda與頻率的關(guān)系的曲線圖。
[0078]圖43是表示實(shí)施例2的第一復(fù)合電磁波吸收片的相互去耦率Rde與頻率的關(guān)系的曲線圖。
[0079]圖44是表示實(shí)施例3的第三復(fù)合電磁波吸收片的傳送衰減率Rtp、S11及S21與頻率的關(guān)系的曲線圖。
[0080]圖45是表示實(shí)施例3的第三復(fù)合電磁波吸收片的噪聲吸收率P1()SS/Pin與頻率的關(guān)系的曲線圖。
[0081]圖46是表示實(shí)施例3的第三復(fù)合電磁波吸收片的內(nèi)部去耦率Rda與頻率的關(guān)系的曲線圖。
[0082]圖47是表示實(shí)施例3的第三復(fù)合電磁波吸收片的相互去耦率Rde與頻率的關(guān)系的曲線圖。
【具體實(shí)施方式】
[0083]參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，如果沒(méi)有特別說(shuō)明，則與一個(gè)實(shí)施方式相關(guān)的說(shuō)明也可以適用于其他實(shí)施方式。此外，下述說(shuō)明并非限定性的說(shuō)明，在本發(fā)明的技術(shù)思想的范圍內(nèi)可以進(jìn)行各種變更。
[0084][I]第一復(fù)合電磁波吸收片
[0085]如圖1及圖4所示，第一復(fù)合電磁波吸收片Ia包括:(a)第一電磁波吸收膜10a，其具有塑料膜11和設(shè)于其至少一面上的單層或多層的金屬薄膜12，在金屬薄膜12上以不規(guī)則的寬度及間隔在多個(gè)方向上形成有多個(gè)實(shí)質(zhì)上平行且斷續(xù)的線狀痕122 ;(b)第二電磁波吸收膜20，其由分散有磁性粒子或非磁性導(dǎo)電性粒子的樹(shù)脂或橡膠構(gòu)成。
[0086](I)第一電磁波吸收膜
[0087]如圖4(a)所示，第一電磁波吸收膜IOa具有在塑料膜11的至少一面上形成有單層或多層的金屬薄膜12的結(jié)構(gòu)。圖4(a)?圖4(d)示出在塑料膜11的一面整體上形成的金屬薄膜12上沿兩個(gè)方向形成有實(shí)質(zhì)上平行且斷續(xù)的多個(gè)線狀痕122 (122a、122b)的例子。
[0088](a)塑料膜
[0089]形成塑料膜11的樹(shù)脂只要具有絕緣性和足夠的強(qiáng)度、撓性及加工性，則沒(méi)有特別的限制，例如可以舉出聚酯(聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯等)、聚芳基硫醚(聚苯硫醚等)、聚酰胺、聚酰亞胺、聚酰胺酰亞胺、聚醚砜、聚醚醚酮、聚碳酸酯、丙烯酸樹(shù)脂、聚苯乙烯、聚烯烴(聚乙烯、聚丙烯等)等。從強(qiáng)度及成本的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯。塑料膜11的厚度為10?100 μ m左右即可，優(yōu)選10?30 μ m。
[0090](b)金屬薄膜
[0091]形成金屬薄膜12的金屬只要具有導(dǎo)電性則沒(méi)有特別的限定，從耐蝕性及成本的觀點(diǎn)考慮優(yōu)選鋁、銅、銀、錫、鎳、鈷、鉻及它們的合金，特別優(yōu)選鋁、銅、鎳及它們的合金。金屬薄膜的厚度優(yōu)選0.01 μ m以上。厚度的上限沒(méi)有特別的限定，從實(shí)用性來(lái)說(shuō)10 μ m左右即足夠。當(dāng)然，也可以使用超過(guò)IOym的金屬薄膜，但高頻率的電磁波的吸收能力基本沒(méi)有變化。金屬薄膜的厚度更優(yōu)選0.01?5 μ m,最優(yōu)選0.01?I μ m。金屬薄膜12可以通過(guò)蒸鍍法(真空蒸鍍法、濺射法、離子電鍍法等物理蒸鍍法、或等離子體CVD法、熱CVD法、光CVD法等化學(xué)氣相蒸鍍法)、鍍敷法或箔接合法形成。
[0092]在金屬薄膜12為單層的情況下，金屬薄膜12從導(dǎo)電性、耐蝕性及成本的觀點(diǎn)考慮優(yōu)選由鋁或鎳構(gòu)成。此外，在金屬薄膜12為多層的情況下，可以一方由非磁性金屬形成而另一方由磁性金屬形成。作為非磁性金屬可以舉出鋁、銅、銀、錫或它們的合金，作為磁性金屬可以舉出鎳、鈷、鉻或它們的合金。磁性金屬薄膜的厚度優(yōu)選為0.01 μ m以上，非磁性金屬薄膜的厚度優(yōu)選為0.1 μ m以上。厚度的上限沒(méi)有特別的限定，但從實(shí)用性來(lái)說(shuō)兩者均為10 μ m左右即可。更優(yōu)選,磁性金屬薄膜的厚度為0.01?5 μ m,非磁性金屬薄膜的厚度為
0.1?5μπι。圖4(e)及圖4(f)示出在塑料膜11上形成有雙層的金屬薄膜121a、121b的第一電磁波吸收膜10a’。
[0093](c)線狀痕
[0094]如圖4(b)?圖4(d)所示，在金屬薄膜12上以不規(guī)則的寬度及間隔在兩個(gè)方向上形成有多個(gè)實(shí)質(zhì)上平行且斷續(xù)的線狀痕122a、122b。需要說(shuō)明的是，為了進(jìn)行說(shuō)明，在圖4(c)及圖4(d)中夸張示出線狀痕122的深度。在兩個(gè)方向上取向的線狀痕122具有各種的寬度W及間隔I。如后述那樣，線狀痕122通過(guò)具有隨機(jī)附著的硬質(zhì)微粒子(金剛石微粒子)的圖案輥的滑動(dòng)接觸而形成，因此線狀痕的橫邊方向間隔I由圖案輥上的硬質(zhì)微粒子的間隔決定，長(zhǎng)邊方向間隔I由硬質(zhì)微粒子的間隔及圖案輥與復(fù)合膜的相對(duì)周速?zèng)Q定。以下對(duì)橫邊方向間隔I進(jìn)行說(shuō)明，該說(shuō)明對(duì)于長(zhǎng)邊方向間隔也適用。線狀痕122的寬度W由與線狀痕形成前的金屬薄膜12的表面S相當(dāng)?shù)母叨惹蟪?，線狀痕122的間隔I由與線狀痕形成前的金屬薄膜12的表面S相當(dāng)?shù)母叨惹蟪?。線狀痕122由于具有各種的寬度W及間隔I，因此復(fù)合電磁波吸收片能夠高效地吸收跨寬范圍的頻率的電磁波。[0095]線狀痕122的寬度W的90%以上優(yōu)選在0.1?100 μ m的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0.5?50 μ m的范圍內(nèi)，最優(yōu)選在0.5?20 μ m的范圍內(nèi)。線狀痕122的平均寬度Wav優(yōu)選為I?50 μ m,更優(yōu)選為I?10 μ m,最優(yōu)選為I?5 μ m。
[0096]線狀痕122的橫邊方向間隔I優(yōu)選在I?200 μ m的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在I?100 μ m的范圍內(nèi)，最優(yōu)選在I?50 μ m的范圍內(nèi)，特別優(yōu)選在I?30 μ m的范圍內(nèi)。此外，線狀痕122的橫邊方向平均間隔Iav優(yōu)選為I?100 μ，更優(yōu)選為5?50 μ m，最優(yōu)選為5?30 μ m。
[0097]線狀痕122的長(zhǎng)度L由滑動(dòng)接觸條件(主要是輥及膜的相對(duì)周速、以及復(fù)合膜向輥的卷繞角度)決定，只要滑動(dòng)接觸條件不變，則大部分長(zhǎng)度基本相同(平均長(zhǎng)度基本相等)。線狀痕122的長(zhǎng)度沒(méi)有特別的限定，從實(shí)用性來(lái)說(shuō)為I?IOOmm左右即可，優(yōu)選為2?IOmm0
[0098]線狀痕122a、122b的銳角側(cè)的交叉角(以下沒(méi)有特別說(shuō)明則也簡(jiǎn)稱(chēng)“交叉角”)Θ s優(yōu)選為10?90°，更優(yōu)選為30?90°。通過(guò)調(diào)整復(fù)合膜和圖案輥的滑動(dòng)接觸條件(滑動(dòng)接觸方向、周速比等)，能夠如圖5(a)?圖5(c)所示那樣獲得各種的交叉角Θ s的線狀痕122。圖5(a)表示具有三個(gè)方向的線狀痕122a、122b、122c的例子，圖5(b)表示具有四個(gè)方向的線狀痕122a、122b、122c、122d的例子，圖5(c)表示具有正交的線狀痕122a，、122b，的例子。
[0099](d)微小孔
[0100]如圖6 (a)及圖6 (b)所示，在金屬薄膜12上，除了線狀痕122以外還可以隨機(jī)的設(shè)置多個(gè)微小貫通孔13。微小孔13可以通過(guò)向金屬薄膜12按壓在表面具有高硬度微粒子的輥而形成。如圖6(b)所示，微小孔13的開(kāi)口徑D由與線狀痕形成前的金屬薄膜12的表面S相當(dāng)?shù)母叨惹蟪?。微小?3的開(kāi)口徑D優(yōu)選其90%以上在0.1?IOOOym的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0.1?500 μ m的范圍內(nèi)。此外，微小孔13的平均開(kāi)口徑Dav優(yōu)選在0.5?100 μ m的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在I?50 μ m的范圍內(nèi)。
[0101](2)第一電磁波吸收膜的線狀痕的形成
[0102]圖8 (a)?圖8(e)表示在塑料膜上的金屬薄膜上沿二個(gè)方向形成線狀痕的裝置的一個(gè)例子。該裝置具有:(a)卷繞放出金屬薄膜-塑料復(fù)合膜100的卷軸21 ； (b)以與復(fù)合膜100的寬度方向不同的方向配置在金屬薄膜12側(cè)的第一圖案輥2a ； (c)在第一圖案輥2a的上游側(cè)配置在金屬薄膜12的相反側(cè)的第一按壓輥3a ； (d)配置在相對(duì)于復(fù)合膜100的寬度方向與第一圖案輥2a相反的方向上且配置在金屬薄膜12側(cè)的第二圖案輥2b ；(e)在第二圖案輥2b的下游側(cè)配置在金屬薄膜12的相反側(cè)的第二按壓輥3b ； (f)在第一及第二圖案輥2a、2b之間配置在金屬薄膜12側(cè)的電阻測(cè)定機(jī)構(gòu)4a ； (g)在第二圖案輥2b的下游側(cè)配置在金屬薄膜12側(cè)的電阻測(cè)定機(jī)構(gòu)4b ;(h)卷繞帶線狀痕的金屬薄膜-塑料復(fù)合膜I的卷軸24。此外，在規(guī)定的位置配置有多個(gè)導(dǎo)輥22、23。為防止撓曲，各圖案輥2a、2b由背承輥(例如橡膠輥)5a、5b支承。
[0103]如圖8(c)所示，各按壓輥3a、3b在比與各圖案輥2a、2b的滑動(dòng)接觸位置低的位置與復(fù)合膜100相接，因此復(fù)合膜100的金屬薄膜12被各圖案輥2a、2b按壓。通過(guò)保持滿(mǎn)足該條件地調(diào)整各按壓輥3a、3b的縱向位置，能夠調(diào)整各圖案輥2a、2b向金屬薄膜12的按壓力，此外,還能夠調(diào)整與中心角θι成比例的滑動(dòng)接觸距離。
[0104]圖8(d)表示線狀痕122a相對(duì)于復(fù)合膜100的行進(jìn)方向傾斜形成的原理。由于圖案輥2a相對(duì)于復(fù)合膜100的行進(jìn)方向傾斜，因此圖案輥2a上的硬質(zhì)微粒子的移動(dòng)方向(旋轉(zhuǎn)方向)a與復(fù)合膜100的行進(jìn)方向b不同。因此，如X所示，當(dāng)在任意的時(shí)刻圖案輥2a上的點(diǎn)A處的硬質(zhì)微粒子與金屬薄膜12接觸而形成痕B時(shí)，在規(guī)定的時(shí)間后硬質(zhì)微粒子移動(dòng)至點(diǎn)A’，痕B移動(dòng)至點(diǎn)B’。在硬質(zhì)微粒子從點(diǎn)A移動(dòng)至點(diǎn)A’硬質(zhì)微粒子的期間，由于痕連續(xù)地形成，因此形成從點(diǎn)B’延伸至點(diǎn)A’的線狀痕122a。
[0105]由第一及第二圖案輥2a、2b形成的第一及第二線狀痕組122A、122B的方向及交叉角Θ s通過(guò)變更各圖案輥2a、2b相對(duì)于復(fù)合膜100的角度及/或各圖案輥2a、2b相對(duì)于復(fù)合膜100的行走速度的周速度來(lái)調(diào)整。例如，當(dāng)增大圖案輥2a相對(duì)于復(fù)合膜100的行走速度b的周速度a時(shí)，如圖8 (d)的Y所示，能夠使線狀痕122a如線段C’ D’那樣相對(duì)于復(fù)合膜100的行進(jìn)方向?yàn)?5°。同樣地，當(dāng)改變圖案輥2a相對(duì)于復(fù)合膜100的寬度方向的傾斜角Θ 2時(shí)，能夠改變圖案輥2a的周速度a。這對(duì)于圖案輥2b也是同樣。因此，通過(guò)進(jìn)行兩圖案輥2a、2b的調(diào)整，能夠?qū)⒕€狀痕122a、122b的方向如圖4(b)及圖5(c)所例示的那樣變更。
[0106]由于各圖案輥2a、2b相對(duì)于復(fù)合膜100傾斜，因此復(fù)合膜100因與各圖案輥2a、2b的滑動(dòng)接觸而受到寬度方向的力。因此，為了防止復(fù)合膜100的折曲(橫向的偏移)，優(yōu)選調(diào)整各按壓輥3a、3b相對(duì)于各圖案輥2a、2b的縱向位置及/或角度。例如，當(dāng)適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)圖案輥2a的軸線與按壓輥3a的軸線的交叉角Θ 3時(shí)，能夠以抵消寬度方向的力的方式獲得按壓力的寬度方向分布，因此能夠防止折曲。此外，圖案輥2a與按壓輥3a的間隔的調(diào)整也有助于折曲的防止。為了防止復(fù)合膜100的折曲及斷破，優(yōu)選相對(duì)于復(fù)合膜100的寬度方向傾斜的第一及第二圖案輥2a、2b的旋轉(zhuǎn)方向與復(fù)合膜100的行進(jìn)方向相同。
[0107]如圖8(b)所示，輥形的各電阻測(cè)定機(jī)構(gòu)4a、4b隔著絕緣部40而具有一對(duì)電極41、41，在它們之間測(cè)定帶線狀痕的金屬薄膜12的電阻。反饋由電阻測(cè)定機(jī)構(gòu)4a、4b測(cè)定的電阻值，從而調(diào)整復(fù)合膜100的行走速度、圖案輥2a、2b的旋轉(zhuǎn)速度及傾斜角Θ 2、按壓輥3a、3b的位置及傾斜角θ3等運(yùn)轉(zhuǎn)條件。
[0108]為了增大圖案輥2a、2b相對(duì)于復(fù)合膜100的按壓力，優(yōu)選如圖9所示那樣在圖案輥2a、2b之間設(shè)置第三按壓輥3c。通過(guò)第三按壓輥3c使與中心角Θ i成比例的金屬薄膜12的滑動(dòng)接觸距離增大，線狀痕122a、122b變長(zhǎng)。若調(diào)整第三按壓輥3c的位置及傾斜角，也有助于防止復(fù)合膜100的折曲。
[0109]圖10示出如圖5(a)所示那樣形成在三個(gè)方向上取向的線狀痕122a、122b、122c的裝置的一個(gè)例子。該裝置與圖8(a)?圖8(e)所示的裝置的不同點(diǎn)在于，在第二圖案輥2b的下游配置有與復(fù)合膜100的寬度方向平行的第三圖案輥2c及第三按壓輥3c。第三圖案輥2c的旋轉(zhuǎn)方向也可以與復(fù)合膜100的行進(jìn)方向相同，也可以相反，但為了高效地形成線狀痕而優(yōu)選為相反方向。與寬度方向平行配置的第三圖案輥2c形成沿復(fù)合膜100的行進(jìn)方向延伸的線狀痕122c。第三按壓輥3c設(shè)置在第三圖案輥2c的上游側(cè)，但也可以設(shè)置在下游側(cè)。也可以在第三圖案輥2c的下游側(cè)設(shè)置電阻測(cè)定輥4c。需要說(shuō)明的是，不局限于圖示的例子，也可以將第三圖案輥2c設(shè)置在第一圖案輥2a的上游側(cè)、或者第一及第二圖案輥2a、2b之間。
[0110]圖11表示形成如圖5(b)所示那樣在四個(gè)方向上取向的線狀痕122a、122b、122c、122d的裝置的一個(gè)例子。該裝置與圖10所示的裝置的不同點(diǎn)在于，在第二圖案輥2b與第三圖案輥2c之間設(shè)有第四圖案輥2d、在第四圖案輥2d的上游側(cè)設(shè)有第四按壓輥3d。通過(guò)減慢第四圖案輥2d的旋轉(zhuǎn)速度，如在圖8(d)中由Z所示那樣，能夠使線狀痕122a'的方向(線段E’ F’ )與復(fù)合膜100的寬度方向平行。
[0111]圖12表示形成如圖5(c)所示那樣在正交的二個(gè)方向上取向的線狀痕122a’、122b’的裝置的另一例。該裝置與圖8(a)?圖8(e)所示的裝置的不同點(diǎn)在于，第二圖案輥32b配置成與復(fù)合膜100的寬度方向平行。因此，以下僅說(shuō)明與圖8(a)?圖8(e)所示的裝置的不同部分。第二圖案輥32b的旋轉(zhuǎn)方向可以與復(fù)合膜100的行進(jìn)方向相同，也可以相反。此外，第二按壓輥33b可以在第二圖案輥32b的上游側(cè)，也可以在下游側(cè)。如在圖8(d)中由Z所示那樣，該裝置使線狀痕122a'的方向(線段E’F’)為復(fù)合膜100的寬度方向，適于形成圖5(c)所示的線狀痕。
[0112]不僅是線狀痕的傾斜角及交叉角，決定它們的深度、寬度、長(zhǎng)度及間隔的運(yùn)轉(zhuǎn)條件為復(fù)合膜100的行走速度、圖案輥的旋轉(zhuǎn)速度及傾斜角及按壓力等。復(fù)合膜的行走速度優(yōu)選為5?200m/分，圖案輥的周速優(yōu)選為10?2，OOOm/分。圖案輥的傾斜角Θ 2優(yōu)選為20°?60°，特別優(yōu)選為約45°。復(fù)合膜100的張力(與按壓力成比例)優(yōu)選為0.05?5kgf/cm 平方。
[0113]在線狀痕形成裝置中使用的圖案輥優(yōu)選為在表面具備具有銳角的角部且莫氏硬度5以上的微粒子的輥，優(yōu)選例如記載于日本特開(kāi)2002-59487號(hào)中的金剛石輥。線狀痕的寬度由微粒子的粒徑?jīng)Q定，因此金剛石微粒子的90%以上優(yōu)選具有I?1，000 μ m的范圍內(nèi)的粒徑，更優(yōu)選5?200 μ m的范圍內(nèi)的粒徑。金剛石微粒子優(yōu)選在輥面上以50%以上的面
積率附著。
[0114]可以通過(guò)日本專(zhuān)利第2063411號(hào)中記載的方法來(lái)在具有線狀痕122的金屬薄膜12上形成多個(gè)微小孔13。用于形成微小孔13的輥本身與線狀痕形成用輥相同即可。微小孔13通過(guò)使復(fù)合膜100以相同的周速通過(guò)與線狀痕形成用輥同樣地在表面附著有具有銳角的角部且莫氏硬度5以上的多個(gè)微粒子的輥與平滑面的輥之間的間隙而形成。
[0115](3)第二電磁波吸收膜
[0116]如圖1所示，構(gòu)成第一復(fù)合電磁波吸收片Ia的第二電磁波吸收膜20由分散有磁性粒子或非磁性導(dǎo)電性粒子的樹(shù)脂或橡膠構(gòu)成。
[0117](a)磁性粒子或非磁性導(dǎo)電性粒子
[0118]在磁性粒子中有磁性金屬粒子及磁性非金屬粒子。作為磁性金屬粒子可以舉出純鐵、Fe-Si合金、Fe-Al合金、鋁硅鐵粉等Fe-S1-Al合金、強(qiáng)磁性鐵鎳合金、非晶合金等的粒子。作為磁性非金屬粒子可以舉出N1-Zn鐵素體、Cu-Zn鐵素體、Mn-Zn鐵素體等鐵素體的粒子。
[0119]在非磁性導(dǎo)電性粒子中有非磁性金屬粒子及非磁性導(dǎo)電性非金屬粒子。作為非磁性金屬可以舉出銅、銀、金、鋁等。作為非磁性導(dǎo)電性非金屬粒子可以舉出石墨粒子及炭黑。
[0120]為了防止磁性粒子及非磁性導(dǎo)電性粒子的腐蝕，提高向樹(shù)脂或橡膠的分散性，并且確保第二電磁波吸收膜的電阻，優(yōu)選將磁性粒子及非磁性導(dǎo)電性粒子由硅烷耦合劑等覆
至JHL ο
[0121]優(yōu)選磁性粒子及非磁性導(dǎo)電性粒子的平均粒徑為5?200μπι。當(dāng)平均粒徑小于5 μ m時(shí)，難以向樹(shù)脂或橡膠分散。此外，當(dāng)平均粒徑超過(guò)200 μ m時(shí)，難以向樹(shù)脂或橡膠均勻地分散，難以進(jìn)行分散有磁性粒子或非磁性導(dǎo)電性粒子的樹(shù)脂或橡膠的向膜的成形加工。磁性粒子及非磁性導(dǎo)電性粒子的平均粒徑更優(yōu)選10?100 μ m。
[0122](b)樹(shù)脂或橡膠
[0123]形成第二電磁波吸收膜20的樹(shù)脂只要具有磁性粒子及非磁性導(dǎo)電性粒子的分散性及絕緣性、足夠的強(qiáng)度、撓性以及加工性，則沒(méi)有特別的限制，例如可以舉出聚酯(聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯等)、聚芳基硫醚(聚苯硫醚等)、聚酰胺、聚碳酸酯、丙烯酸樹(shù)脂、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚烯烴(聚乙烯、聚丙烯等)等。
[0124]作為橡膠可以舉出例如氯丁二烯橡膠、乙烯-丙烯-二烯橡膠、丙烯腈橡膠、乙烯-醋酸乙烯酯共聚體、聚氨酯、苯乙烯-丁二烯橡膠等。
[0125](C)組成
[0126]第二電磁波吸收膜20中的磁性粒子或非磁性導(dǎo)電性粒子的含量?jī)?yōu)選為10?60體積％。若磁性粒子或非磁性導(dǎo)電性粒子的含量小于10體積％，則第二電磁波吸收膜20無(wú)法發(fā)揮足夠的電磁波吸收能力。另一方面，若超過(guò)60體積％，則磁性粒子或非磁性導(dǎo)電性粒子難以向樹(shù)脂或橡膠分散。磁性粒子或非磁性導(dǎo)電性粒子的含量更優(yōu)選為30?50體積％。
[0127](d)厚度
[0128]通常，第二電磁波吸收膜20越厚而越能發(fā)揮高電磁波吸收能力，但若過(guò)厚則難以向小型的電子設(shè)備及通信設(shè)備內(nèi)的電路配置。因此，第二電磁波吸收膜20的厚度優(yōu)選為Imm以下,更優(yōu)選為0.5mm以下。第二電磁波吸收膜20的厚度的下限從實(shí)用性來(lái)說(shuō)為0.1mm左右。
[0129][2]第二復(fù)合電磁波吸收片
[0130]如圖2所示，第二復(fù)合電磁波吸收片Ib除了在金屬薄膜12上依次形成有碳納米管薄層14以外與第一復(fù)合電磁波吸收片Ia相同。圖7(a)示出形成有碳納米管薄層14的金屬薄膜12為單層的例子，圖7(b)示出形成有碳納米管薄層14的金屬薄膜12為雙層的金屬薄膜121a、121b的例子。在圖示的例子中，在碳納米管薄層14上設(shè)有塑料保護(hù)層15。
[0131](I)碳納米管薄層
[0132]碳納米管本身也可以為單層結(jié)構(gòu)，也可以為多層結(jié)構(gòu)。多層碳納米管優(yōu)選具有IOnm?數(shù)IOnm的外徑，不僅容易不凝結(jié)地形成均勻的薄層，而且導(dǎo)電性?xún)?yōu)越。碳納米管薄層14優(yōu)選具有0.01?0.5g/m2的厚度(涂敷量)。若碳納米管薄層14比0.01 g/m2薄，則電磁波吸收能力的提高及均勻化效果不充分，此外，若比0.5g/m2厚，則難以防止碳納米管的凝結(jié)，碳納米管薄層14不均勻化。碳納米管薄層14的厚度更優(yōu)選為0.02?0.2g/m2，最優(yōu)選為0.04?0.1 g/m2。
[0133]基于碳納米管薄層14的電磁波吸收能力的提高理由未必明確，但在遠(yuǎn)小于線狀痕122的碳納米管存在于線狀痕122中及線狀痕122之間時(shí)，吸收電磁波的結(jié)構(gòu)被微細(xì)化，其結(jié)果是，可以認(rèn)為產(chǎn)生電磁波吸收能力的提高及均勻化。線狀痕122及碳納米管均具有隨機(jī)的尺寸及分布，因此微觀上來(lái)說(shuō)形成不均勻的電磁波吸收結(jié)構(gòu)，但通過(guò)不同的無(wú)數(shù)電磁波吸收結(jié)構(gòu)的存在而在宏觀上發(fā)揮均勻的電磁波吸收能力。
[0134]在具有線狀痕122的金屬薄膜12上涂敷碳納米管的分散液，并進(jìn)行自然干燥，由此形成碳納米管薄層14。分散液中的碳納米管的濃度優(yōu)選為0.1?2質(zhì)量％。若碳納米管的濃度小于0.1質(zhì)量％，則無(wú)法獲得足夠的涂敷量，此外，若超過(guò)2質(zhì)量％，則碳納米管可以在分散液中凝結(jié)，無(wú)法獲得均勻的碳納米管薄層。碳納米管優(yōu)選的濃度為0.2?I質(zhì)量％。在碳納米管足夠長(zhǎng)的情況下，碳納米管分散液也可以含有粘合劑樹(shù)脂。此外，碳納米管分散液也可以含有對(duì)碳納米管的導(dǎo)電性幾乎不造成影響的分散劑。
[0135]以使碳納米管薄層14具有0.01?0.5g/m2的厚度的方式根據(jù)濃度決定碳納米管分散液的涂敷量。分散碳納米管的溶劑只要具有較好的揮發(fā)性則不受限定，例如水、甲醇、乙醇、異丙醇、苯、甲苯、甲基乙基甲酮等。碳納米管分散液的涂敷方法沒(méi)有限定，為了獲得均勻的薄層14而優(yōu)選采用噴墨印刷法等。碳納米管分散液的涂敷無(wú)需僅限一次，為了獲得盡可能均勻的碳納米管薄層14，可以分多次進(jìn)行。
[0136](2)保護(hù)層
[0137]為了便于第一電磁波吸收膜IOa的處理且保護(hù)金屬薄膜12及碳納米管薄層14，如圖7(a)及圖7(b)所示，也可以在金屬薄膜12上形成塑料保護(hù)層15。塑料保護(hù)層15用的塑料膜也可以與成為基體的塑料膜11相同。保護(hù)層15的厚度優(yōu)選為5?30μπι左右，更優(yōu)選為10?20μπι左右。塑料保護(hù)層15優(yōu)選通過(guò)熱層壓形成塑料膜。在塑料保護(hù)層用塑料膜為PET膜的情況下，熱層壓溫度為110?150°C即可。
[0138][3]第三復(fù)合電磁波吸收片
[0139]如圖3所示，第三復(fù)合電磁波吸收片Ic與第一復(fù)合電磁波吸收片Ia的不同點(diǎn)在于，代替第一電磁波吸收膜IOa而使用第四電磁波吸收膜10c。因此，以下詳細(xì)地說(shuō)明第四電磁波吸收膜10c。
[0140](I)磁性金屬薄膜
[0141]如圖13所示，第四電磁波吸收膜IOc在通過(guò)蒸鍍法在塑料膜11的一個(gè)面上形成磁性金屬薄膜12a后，以110?180°C的范圍內(nèi)的溫度進(jìn)行熱處理，(a)使磁性金屬薄膜12a的透光率(波長(zhǎng)660nm的激光束)為3?50%，(b)在從第四電磁波吸收膜IOc切出的IOcmXlOcm的正方形的試驗(yàn)片的磁性金屬薄膜的對(duì)置邊部配置覆蓋邊整體的長(zhǎng)度的一對(duì)電極，經(jīng)由平坦的加壓板施加3.85kg的負(fù)載而進(jìn)行測(cè)定時(shí)的磁性金屬薄膜12a的表面電阻為10?200 Ω / 口。
[0142]作為磁性金屬薄膜12a用的磁性金屬可以舉出N1、Fe、Co或它們的合金，從蒸鍍的容易性、導(dǎo)電性及透磁率的觀點(diǎn)考慮優(yōu)選為Ni或其合金。磁性金屬薄膜12a可以通過(guò)濺射法、真空蒸鍍法等公知的方法形成。
[0143](a)透光率
[0144]由于磁性金屬薄膜12a非常薄，如圖14所示，其厚度不均勻，具有形成得厚的區(qū)域12a’和形成得薄的區(qū)域或完全未形成的區(qū)域12b’。因此，難以正確地測(cè)定磁性金屬薄膜12a的厚度。因此，在本發(fā)明中將磁性金屬薄膜12a的厚度由波長(zhǎng)660nm的激光束的透射率(簡(jiǎn)稱(chēng)“透光率”。)表示。透光率通過(guò)對(duì)磁性金屬薄膜12a的任意多個(gè)位置的測(cè)定值取平均而求出。在測(cè)定位置數(shù)為5以上時(shí)，透光率的平均值穩(wěn)定。當(dāng)塑料膜11的厚度為30μπι以下時(shí)，塑料膜11自身的透光率幾乎為100%，因此第四電磁波吸收膜IOc的透光率與磁性金屬薄膜12a的透光率一致。但是，在塑料膜11比這更厚的情況下，從第四電磁波吸收膜IOc的透光率減去塑料膜11的透光率所得的值為磁性金屬薄膜12a的透光率。
[0145]磁性金屬薄膜12a的透光率需要在3?50%的范圍內(nèi)。若透光率小于3%,則磁性金屬薄膜12a過(guò)厚而顯現(xiàn)金屬箔那樣的舉動(dòng)，電磁波反射率高，電磁波噪聲的吸收能力低。另一方面，若透光率超過(guò)50%，則磁性金屬薄膜12a過(guò)薄而電磁波吸收能力不充分。磁性金屬薄膜12a的透光率優(yōu)選為5?45%，更優(yōu)選為8?30%。
[0146](b)表面電阻
[0147]已知透光率為3?50%這樣薄的磁性金屬薄膜12a的表面電阻因測(cè)定方法的不同而顯著不同。因此，以使磁性金屬薄膜12a與電極的接觸面積盡可能地大，并使磁性金屬薄膜12a與電極盡可能均勻地緊貼的方式，使用圖15所示的裝置，利用加壓下的直流二端子法(簡(jiǎn)稱(chēng)“加壓二端子法”)測(cè)定表面電阻。具體地說(shuō)，在硬質(zhì)的絕緣性平坦面上以磁性金屬薄膜12a在上的方式載置的IOcmX IOcm的第四電磁波吸收膜IOc的正方形試驗(yàn)片TPl的對(duì)置邊部上載置由長(zhǎng)度IOcmX寬度IcmX厚度0.5mm的電極主體部16a和從電極主體部16a的中央側(cè)部延伸的寬度IcmX厚度0.5_的電極延長(zhǎng)部16b構(gòu)成的一對(duì)電極16、16，以完全覆蓋試驗(yàn)片TPl和兩電極16、16的方式在它們之上載置IOcmX IOcmX厚度5mm的透明丙烯板17，在透明丙烯板17之上載置直徑IOcm的圓柱狀重量物18(3.85kg)，然后由在兩電極延長(zhǎng)部16b、16b間流動(dòng)的電流求出表面電阻。
[0148]熱處理后的磁性金屬薄膜12a的表面電阻需要在O?200 Ω / □的范圍內(nèi)。若表面電阻小于10Ω/ □，則磁性金屬薄膜12a過(guò)厚而顯現(xiàn)金屬箔那樣的舉動(dòng)，電磁波噪聲的吸收能力低。另一方面，若表面電阻超過(guò)200Ω/ □，則磁性金屬薄膜12a過(guò)薄而電磁波吸收能力仍然不充分。熱處理后的磁性金屬薄膜12a的表面電阻優(yōu)選為15?150Ω/ □，更優(yōu)選為20?120 Ω / 口，最優(yōu)選為30?100 Ω / 口。
[0149](2)熱處理
[0150]透光率為3?50%且表面電阻為10?200 Ω / □這樣非常薄的磁性金屬薄膜12a如圖14所示那樣整體上存在厚度不均，具有比較厚的區(qū)域12a’和比較薄的(或沒(méi)有薄膜的)區(qū)域12b’。比較薄的區(qū)域12b’作為磁間隙及高電阻區(qū)域發(fā)揮作用，可以認(rèn)為通過(guò)近場(chǎng)噪聲使在磁性金屬薄膜12a內(nèi)流動(dòng)的磁通及電流衰減。然而，已知這樣的薄的磁性金屬薄膜12a的狀態(tài)根據(jù)制造條件而有很大差異，穩(wěn)定地形成具有恒定的透光率及表面電阻的磁性金屬薄膜12a是非常困難。因此，銳意研究結(jié)果發(fā)現(xiàn)，對(duì)于通過(guò)蒸鍍法形成的磁性金屬薄膜12a，當(dāng)以能夠產(chǎn)生塑料膜11的熱收縮的超過(guò)100°C的溫度進(jìn)行熱處理，磁性金屬薄膜12a的表面電阻稍微降低并且穩(wěn)定化，實(shí)質(zhì)上沒(méi)有經(jīng)時(shí)變化。相對(duì)于延伸的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜這樣能夠產(chǎn)生熱收縮的塑料膜以超過(guò)100°C的溫度進(jìn)行熱處理在以往是完全無(wú)法考慮的。然而，若以110?180°C的范圍內(nèi)的溫度進(jìn)行短時(shí)間(例如10分鐘?I小時(shí))熱處理，則塑料膜11僅略微熱收縮，磁性金屬薄膜12a的表面電阻略微降低且穩(wěn)定化，因此電磁波噪聲吸收能力也穩(wěn)定化。在此，電磁波噪聲吸收能力的穩(wěn)定化不僅表示實(shí)質(zhì)上沒(méi)有電磁波噪聲吸收能力的經(jīng)時(shí)變化，而且意味著減少因制造條件產(chǎn)生的差別及制造批量間的差別。
[0151]通過(guò)改變熱處理?xiàng)l件能夠調(diào)整表面電阻。例如，相對(duì)于表面電阻高的磁性金屬薄膜12a，通過(guò)提高熱處理溫度或加長(zhǎng)熱處理時(shí)間，能夠使表面電阻降低成期望的值。相反地，相對(duì)于表面電阻低的磁性金屬薄膜12a，通過(guò)降低熱處理溫度或縮短熱處理時(shí)間，能夠抑制表面電阻的降低。
[0152]即使是具有相同的表面電阻的蒸鍍膜，在未熱處理的蒸鍍膜和經(jīng)過(guò)了熱處理的蒸鍍膜之間，電磁波吸收能力也存在顯著的差異，可知通過(guò)熱處理調(diào)整成期望的表面電阻的蒸鍍膜具有更高的電磁波吸收能力。其理由尚不明確。這是因?yàn)?，評(píng)價(jià)非常薄的磁性金屬薄膜的狀態(tài)(特別是組織)的基于熱處理產(chǎn)生的變化是非常困難的。實(shí)驗(yàn)的結(jié)果表明，磁性金屬薄膜的電磁波吸收能力根據(jù)熱處理溫度而變化，因此在本發(fā)明中通過(guò)熱處理溫度來(lái)規(guī)定磁性金屬薄膜的組織狀態(tài)。
[0153]熱處理溫度為110?180°C的范圍內(nèi)。若熱處理溫度小于110°C，則實(shí)質(zhì)上無(wú)法得到基于熱處理產(chǎn)生的電磁波吸收能力的提高及偏差的減少效果。另一方面，若熱處理溫度超過(guò)180°C，則不僅產(chǎn)生磁性金屬薄膜12a的表面氧化，而且在不具有足夠的耐熱性的塑料膜中會(huì)導(dǎo)致熱收縮過(guò)大。熱處理溫度優(yōu)選為120?170°C，更優(yōu)選為130?160°C。熱處理時(shí)間根據(jù)熱處理溫度而不同，通常優(yōu)選10分鐘?I小時(shí)，更優(yōu)選20?40分鐘。
[0154]優(yōu)選通過(guò)在經(jīng)過(guò)熱處理的磁性金屬薄膜12a的表面層疊保護(hù)膜，確保磁性金屬薄膜12a的保護(hù)及絕緣性。作為保護(hù)膜可以使用與塑料膜11相同的材料。
[0155][4]電磁波吸收膜的電磁波吸收能力
[0156](I)傳送衰減率
[0157]如圖16(a)及圖16(b)所示，傳送衰減率Rtp使用由50 Ω的微帶線MSL(64.4mmX4.4mm)、支承微帶線MSL的絕緣基板220、與絕緣基板220的下表面接合的接地電極221、與微帶線MSL的兩端連接的導(dǎo)電性銷(xiāo)222、222、網(wǎng)絡(luò)分析器NA、將網(wǎng)絡(luò)分析器NA與導(dǎo)電性銷(xiāo)222、222連接的同軸電纜223、223構(gòu)成的系統(tǒng)，通過(guò)粘結(jié)劑在微帶線MSL上粘貼復(fù)合電磁波吸收片的試驗(yàn)片TP2，相對(duì)于0.1?6GHz的入射波測(cè)定反射波S11的功率及透射波S21的功率，通過(guò)下述式⑴:
[0158]Rtp = -10 X log [10s21/10/(1-1Osn710)] *..⑴
[0159]來(lái)求出傳送衰減率Rtp。
[0160](2)噪聲吸收率
[0161]在圖16(a)及圖16(b)所示的系統(tǒng)中，入射的功率Pin =反射波S11的功率+透射波S21的功率+吸收的功率(功率損失)Pltjss是成立的。因此，通過(guò)從入射的功率Pin減去反射波S11的功率及透射波S21的功率，從而求出功率損失Pltjss，通過(guò)Pltjss除以入射功率Pin從而求出噪聲吸收率P1()SS/Pin。
[0162](3)內(nèi)部去耦率
[0163]內(nèi)部去I禹率(intra.decoupling.ratio) Rda表示通過(guò)噪聲抑制片使相同的印刷電路基板內(nèi)的結(jié)合衰減了何種程度，如圖17所示，通過(guò)在與網(wǎng)絡(luò)分析器NA連接的一對(duì)環(huán)形天線301、302附近載置噪聲抑制片的試驗(yàn)片TP，測(cè)定O?6GHz的高頻信號(hào)從一方的環(huán)形天線301向另一方的環(huán)形天線302發(fā)送時(shí)的衰減率而求出內(nèi)部去耦率。
[0164](4)相互去耦率
[0165]相互去稱(chēng)率(inter decoupling ratio) Rde表示通過(guò)噪聲抑制片使2個(gè)印刷電路基板間或部件間的結(jié)合衰減了何種程度，如圖18所示，通過(guò)在與網(wǎng)絡(luò)分析器NA連接的一對(duì)環(huán)形天線301、302之間載置噪聲抑制片的試驗(yàn)片TP，測(cè)定O?6GHz的高頻信號(hào)從一方的環(huán)形天線301向另一方的環(huán)形天線302發(fā)送時(shí)的衰減率而求出相互去耦率。
[0166]根據(jù)以下的實(shí)施例進(jìn)一步詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明不局限于這些實(shí)施例。
[0167]參考例I[0168]使用具有電鍍了粒徑分布為50?80 μ m的金剛石微粒子的圖案輥32a、32b的圖12所示的結(jié)構(gòu)的裝置，在厚度16μπι的二軸延伸聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜11的一面上通過(guò)真空蒸鍍法形成的厚度0.05 μ m的鋁薄膜12上形成如圖5 (c)所示那樣在正交的二個(gè)方向上取向的線狀痕122a’、122b’，由此制成第一電磁波吸收膜10a。從帶線狀痕的鋁薄膜12的光學(xué)顯微鏡照片可知，線狀痕122a’、122b’具有下述特性。
[0169]寬度W的范圍:0.5?5 μ m
[0170]平均寬度Wav:2ym
[0171]間隔I的范圍:2?30 μ m
[0172]平均間隔Iav:20 μ m
[0173]平均長(zhǎng)度Lav:5_
[0174]銳角側(cè)的交叉角Θ s:90°
[0175]通過(guò)噴槍將在甲基乙基甲酮中分散外徑為10?15nm且長(zhǎng)度為0.1?10 μ m的多層碳納米管而成的濃度I質(zhì)量％的碳納米管分散液(含有I質(zhì)量％的分散劑)涂敷到帶線狀痕的鋁薄膜12上并使其自然干燥。形成的碳納米管薄層14的厚度(涂敷量)為0.064g/m2。然后，在鋁薄膜12上以120°C熱層壓厚度16μπι的PET膜保護(hù)層15，得到第三電磁波吸收膜IOb的樣本。
[0176]通過(guò)粘結(jié)劑將從第三電磁波吸收膜IOb切出的試驗(yàn)片TP2(55.2mmX 4.7mm)粘貼到圖16(a)及圖16(b)所示的系統(tǒng)的微帶線MSL上，并測(cè)定相對(duì)于0.1?6GHz的頻率范圍的入射功率Pin的反射波的功率S11及透射波的功率S21。根據(jù)段落[4]的⑴及⑵所記載的方法，求出0.1?6GHz的頻率范圍內(nèi)的傳送衰減率Rtp及噪聲吸收率P1()SS/Pin。傳送衰減率Rtp及噪聲吸收率P1()SS/Pin分別在圖19及圖20中示出。
[0177]在圖17所示的裝置上載置第三電磁波吸收膜IOb的試驗(yàn)片TPJlJS O?6GHz的高頻信號(hào)從一方的環(huán)形天線301向另一方的環(huán)形天線302發(fā)送時(shí)的衰減率，由此求出內(nèi)部去耦率Rda。進(jìn)而，在圖18所示的裝置上載置第三電磁波吸收膜IOb的試驗(yàn)片TP，測(cè)定O?6GHz的高頻信號(hào)從一方的環(huán)形天線301向另一方方的環(huán)形天線302發(fā)送時(shí)的衰減率，由此求出相互去耦率Rde。O?6GHz的頻率范圍內(nèi)的內(nèi)部去耦率Rda及相互去耦率Rde分別在圖21及圖22中示出。
[0178]參考例2
[0179]通過(guò)真空蒸鍍法在厚度16 μ m的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜11上形成目標(biāo)透光率(波長(zhǎng)660nm) 27.0%的Ni薄膜12a，制成長(zhǎng)條的蒸鍍膜。從長(zhǎng)條的蒸鍍膜的任意部分切取A4尺寸(210mmX 297mm)的樣本S，如圖23 (a)及圖23 (b)所示，將各樣本S以Ni薄膜12a在下的方式載置在加熱裝置240的熱板241上，在載置A4尺寸且厚度3mm的特氟龍(登錄商標(biāo))制隔熱片242、以及A4尺寸且厚度2mm的鐵板243后，以150°C進(jìn)行30分鐘熱處理，得到第四電磁波吸收膜10c。通過(guò)熱處理產(chǎn)生的熱收縮為約1%。
[0180]從第四電磁波吸收膜IOc切出IOcmX IOcm的試驗(yàn)片TPl。使用株式會(huì)社基恩士制的透射式激光傳感器(IB-05)以波長(zhǎng)660nm的激光束對(duì)試驗(yàn)片TPl的任意5個(gè)位置的透光率進(jìn)行測(cè)定，并取平均。此外，對(duì)試驗(yàn)片TPl的表面電阻如圖15所示那樣通過(guò)加壓二端子法進(jìn)行了測(cè)定。各電極16由長(zhǎng)度IOcmX寬度IcmX厚度0.5mm的電極主體部16a和寬度IcmX厚度0.5mm的電極延長(zhǎng)部16b構(gòu)成,透明丙烯板17為IOcmX IOcmX厚度5mm,圓柱狀重量物18具有IOcm的直徑，為3.85kg。將兩電極16、16與鶴賀電機(jī)株式會(huì)社制的電阻計(jì)(型號(hào)名:3565)連接，由得到的電流值求出表面電阻。其結(jié)果是，試驗(yàn)片TPl的平均透光率為26.7%。此外，平均表面電阻在熱處理前為100?110 Ω/ □，熱處理后為90 Ω / 口。
[0181]將從第四電磁波吸收膜IOc切取的試驗(yàn)片TP2(55.2mmX 4.7mm)通過(guò)粘結(jié)劑粘貼到圖16(a)及圖16(b)所示的系統(tǒng)的微帶線MSL上，測(cè)定0.1?6GHz的頻率范圍內(nèi)的反射波S11的功率及透射波S21的功率。根據(jù)段落[4]的⑴及⑵所記載的方法，求出0.1?6GHz的頻率范圍內(nèi)的傳送衰減率Rtp及噪聲吸收率P1()SS/Pin。傳送衰減率Rtp及噪聲吸收率P1JPin分別在圖24及圖25中示出。
[0182]在圖17所示的裝置及圖18所示的裝置上分別載置第四電磁波吸收膜IOc的試驗(yàn)片TP，測(cè)定O?6GHz的高頻信號(hào)從一方的環(huán)形天線301向另一方的環(huán)形天線302發(fā)送時(shí)的衰減率，求出內(nèi)部去耦率Rda及相互去耦率Rde。O?6GHz的頻率范圍內(nèi)的內(nèi)部去耦率Rda及相互去耦率Rde分別在圖26及圖27中示出。
[0183]比較例I
[0184]作為第二電磁波吸收膜20，使用含有鐵素體粒子的市售的厚度0.1mm的磁性噪聲抑制片(NEC TOKIN株式會(huì)社制的“BUSTERAID”)，測(cè)出其0.1?6GHz的頻率范圍內(nèi)的傳送衰減率Rtp及噪聲吸收率P1()SS/Pin、以及O?6GHz的頻率范圍內(nèi)的內(nèi)部去耦率Rda及相互去耦率Rde。結(jié)果分別在圖28?圖31中示出。
[0185]比較例2
[0186]作為第二電磁波吸收膜20，使用市售的厚度0.2mm的含碳導(dǎo)電性噪聲抑制片，測(cè)定其0.1?6GHz的頻率范圍內(nèi)的傳送衰減率Rtp及噪聲吸收率P1()SS/Pin、以及O?6GHz的頻率范圍內(nèi)的內(nèi)部去耦率Rda及相互去耦率Rde。結(jié)果分別在圖32?圖35中示出。
[0187]實(shí)施例1
[0188]在參考例I中得到的第三電磁波吸收膜IOb上粘接含有鐵素體粒子的市售的厚度0.1mm的磁性噪聲抑制片(NEC TOKIN株式會(huì)社制的“BUSTERAID”)來(lái)作為第二電磁波吸收膜20，由此得到圖2所示的第二復(fù)合電磁波吸收片lb。第二復(fù)合電磁波吸收片Ib的0.1?6GHz的頻率范圍內(nèi)的傳送衰減率Rtp及噪聲吸收率P1()SS/Pin、以及O?6GHz的頻率范圍內(nèi)的內(nèi)部去耦率Rda及相互去耦率Rde分別在圖36?圖39中示出。由圖36?圖39可知，由第三電磁波吸收膜IOb和磁性噪聲抑制片20構(gòu)成的實(shí)施例1的第二復(fù)合電磁波吸收片Ib與第三電磁波吸收膜IOb單獨(dú)(參考例I)及第二電磁波吸收膜20單獨(dú)(比較例I)的情況相比具有更優(yōu)越的電磁波吸收能力。
[0189]實(shí)施例2
[0190]使用具有電鍍了粒徑分布為50?80 μ m的金剛石微粒子的圖案輥32a、32b的圖12所示的結(jié)構(gòu)的裝置，在厚度16 μ m的二軸延伸聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜11的一面上通過(guò)真空蒸鍍法形成的厚度0.05 μ m的鋁薄膜12上形成如圖5 (c)所示那樣在正交的二個(gè)方向上取向的線狀痕122a’、122b’，制成第一電磁波吸收膜10a。從帶線狀痕的鋁薄膜12的光學(xué)顯微鏡照片可知，線狀痕122a’、122b’具有下述特性。
[0191]寬度W的范圍:0.5?5 μ m
[0192]平均寬度Wav:2ym
[0193]間隔I的范圍:2?30 μ m[0194]平均間隔Iav:20 μ m
[0195]平均長(zhǎng)度Lav:5_
[0196]銳角側(cè)的交叉角Θ s:90°
[0197]在該第一電磁波吸收膜IOa上粘結(jié)含有鐵素體粒子的市售的厚度0.1mm的磁性噪聲抑制片(NEC TOKIN株式會(huì)社制的“BUSTERAID”)作為第二電磁波吸收膜20，由此得到圖1所示的第一復(fù)合電磁波吸收片la。第一復(fù)合電磁波吸收片Ia的0.1?6GHz的頻率范圍內(nèi)的傳送衰減率Rtp及噪聲吸收率P1()SS/Pin、以及O?6GHz的頻率范圍內(nèi)的內(nèi)部去耦率Rda及相互去耦率Rde分別在圖40?圖43中示出。如圖40?圖43可知，由第一電磁波吸收膜IOa和磁性噪聲抑制片20構(gòu)成的實(shí)施例2的第一復(fù)合電磁波吸收片Ia與第一電磁波吸收膜IOa單獨(dú)及第二電磁波吸收膜20單獨(dú)(比較例I)的情況相比具有更優(yōu)越的電磁波吸收能力。
[0198]實(shí)施例3
[0199]在由參考例2得到的第四電磁波吸收膜IOc上粘接含有鐵素體粒子的市售的厚度
0.1mm的磁性噪聲抑制片(NEC TOKIN株式會(huì)社制的“BUSTERAID”)作為第二電磁波吸收膜20，由此得到圖3所示的第三復(fù)合電磁波吸收片lc。第三復(fù)合電磁波吸收片Ic的0.1?6GHz的頻率范圍內(nèi)的傳送衰減率Rtp及噪聲吸收率P1()SS/Pin、以及O?6GHz的頻率范圍內(nèi)的內(nèi)部去耦率Rda及相互去耦率Rde分別在圖44?圖47中示出。如圖44?圖47可知，由第四電磁波吸收膜IOc和磁性噪聲抑制片20構(gòu)成的實(shí)施例3的第三復(fù)合電磁波吸收片Ic與第四電磁波吸收膜IOc單獨(dú)(參考例2)及第二電磁波吸收膜20單獨(dú)(比較例I)的情況下相比具有更優(yōu)越的電磁波吸收能力。
【權(quán)利要求】
1.一種復(fù)合電磁波吸收片，其特征在于， 包括:(a)第一電磁波吸收膜，其具有塑料膜和設(shè)置在該塑料膜的至少一面上的單層或多層的金屬薄膜，在所述金屬薄膜上以不規(guī)則的寬度及間隔在多個(gè)方向上形成有多個(gè)實(shí)質(zhì)上平行且斷續(xù)的線狀痕；(b)第二電磁波吸收膜，其由分散有磁性粒子或非磁性導(dǎo)電性粒子的樹(shù)脂或橡膠構(gòu)成。
2.一種復(fù)合電磁波吸收片，其特征在于， 包括:(a)第三電磁波吸收膜；(b)第二電磁波吸收膜，其由分散有磁性粒子或非磁性導(dǎo)電性粒子的樹(shù)脂或橡膠構(gòu)成， 所述第三電磁波吸收膜包括:(i)塑料膜；(ii)在該塑料膜的至少一面上設(shè)置的單層或多層的金屬薄膜，在該金屬薄膜上以不規(guī)則的寬度及間隔在多個(gè)方向上形成有多個(gè)實(shí)質(zhì)上平行且斷續(xù)的線狀痕；(iii)形成在所述金屬薄膜上的碳納米管薄層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的復(fù)合電磁波吸收片，其特征在于， 所述線狀痕在二個(gè)方向上取向，其交叉角為30?90°。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的復(fù)合電磁波吸收片，其特征在于， 關(guān)于所述線狀痕的寬度，90%以上在0.1?IOOym的范圍內(nèi)，平均為I?50 μ m，所述線狀痕的橫邊方向間隔在I?500μπι的范圍內(nèi)，平均為I?200μπι。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的復(fù)合電磁波吸收片，其特征在于， 所述金屬薄膜通過(guò)從由鋁、銅、銀、錫、鎳、鈷、鉻及它們的合金構(gòu)成的組中選擇出的至少一種金屬構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的復(fù)合電磁波吸收片，其特征在于， 所述碳納米管薄層的以涂敷量來(lái)表示的厚度為0.01?0.5g/m2。
7.一種復(fù)合電磁波吸收片，其特征在于， 包括:(a)在塑料膜的至少一個(gè)面上通過(guò)蒸鍍法形成磁性金屬薄膜后以110?180°C的范圍內(nèi)的溫度進(jìn)行熱處理而形成的第四電磁波吸收膜，所述磁性金屬薄膜的波長(zhǎng)660nm的激光束的透光率為3?50%，在從所述第四電磁波吸收膜切出的IOcmX IOcm的正方形的試驗(yàn)片的磁性金屬薄膜的對(duì)置邊部上配置覆蓋邊整體的長(zhǎng)度的一對(duì)電極，經(jīng)由平坦的加壓板施加3.85kg的負(fù)載而進(jìn)行測(cè)定時(shí)的所述磁性金屬薄膜的表面電阻為10?200Ω / □ ; (b)第二電磁波吸收膜，其由分散有磁性粒子或非磁性導(dǎo)電性粒子的樹(shù)脂或橡膠構(gòu)成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的復(fù)合電磁波吸收片，其特征在于， 所述熱處理進(jìn)行10分鐘?I小時(shí)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的復(fù)合電磁波吸收片，其特征在于， 所述磁性金屬薄膜由Ni或其合金構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的復(fù)合電磁波吸收片，其特征在于， 所述第二電磁波吸收膜中的所述磁性粒子或所述非磁性導(dǎo)電性粒子的含量為10?60體積％。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的復(fù)合電磁波吸收片，其特征在于， 所述磁性粒子或所述非磁性導(dǎo)電性粒子的平均粒徑為5?200 μ m。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的復(fù)合電磁波吸收片，其特征在于， 所述非磁性導(dǎo)電性粒子為非磁性金屬或碳的粒子。
【文檔編號(hào)】B32B15/08GK103959927SQ201280059175
【公開(kāi)日】2014年7月30日 申請(qǐng)日期:2012年11月29日 優(yōu)先權(quán)日:2011年11月30日
【發(fā)明者】加川清二 申請(qǐng)人:加川清二