專利名稱：一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及撓性電路板以及剛撓電路板用的屏蔽膜領(lǐng)域，具體為一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜及其制作方法。
背景技術(shù)：
隨著電子產(chǎn)品輕、薄、短、小的需求，以及通訊系統(tǒng)的高頻化及高速的驅(qū)動(dòng)下所引發(fā)的組件內(nèi)部及外部的電磁干擾問題將逐漸嚴(yán)重，電磁屏蔽成為必然。目前，主要的抗電磁干擾技術(shù)包括屏蔽技術(shù)、接地技術(shù)和濾波技術(shù)。對于電路板，包括撓性電路板、硬板以及剛撓電路板，實(shí)現(xiàn)抗電磁干擾主要從以下幾個(gè)方面考慮。印刷導(dǎo)電銀漿，增加金屬銅層或者貼合電磁屏蔽膜。從撓曲性和厚度方面考慮，電磁屏蔽膜具有更 好地操作和實(shí)用性能。廣泛應(yīng)用于撓性電路板和剛撓電路板中?，F(xiàn)有屏蔽膜主要分以下幾種結(jié)構(gòu)第一種結(jié)構(gòu)如下公告號為CN 101176388A，名稱為《屏蔽膜、屏蔽印刷電路板、屏蔽柔性印刷電路板、屏蔽膜制造方法及屏蔽印刷電路板制造方法》的中國發(fā)明專利公開了一種屏蔽膜，其是最外層硬層和次外層軟層構(gòu)成絕緣層，在軟層上形成一層實(shí)心金屬導(dǎo)體層，然后在實(shí)心金屬導(dǎo)體層上形成一層熱固化的導(dǎo)電膠層，由于具有一層實(shí)心的金屬屏蔽層，該屏蔽膜具有較高的屏蔽效能。但是隨著頻率的增高，特別是當(dāng)頻率超過IGHz后，其屏蔽效能大大地降低，不能滿足60dB以上的屏蔽效能要求；因此，對于需要60dB以上穩(wěn)定屏蔽效能要求的產(chǎn)品，很多廠家還是選用印刷一定厚度的銀漿實(shí)現(xiàn)。公告號為CN101448362B，名稱為《可改變電路阻抗的極薄屏蔽膜、電路板及其制作方法》的中國發(fā)明專利公開的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)是三層結(jié)構(gòu)，絕緣層是最外層、然后是一層金屬導(dǎo)體層、最后在金屬導(dǎo)體層上涂布一層熱固化的導(dǎo)電膠層。該發(fā)明專利重點(diǎn)是通過改變金屬導(dǎo)體層的網(wǎng)格尺寸，實(shí)現(xiàn)最終的阻抗控制；同時(shí)兼具了屏蔽膜功能。但其屏蔽效能與上述的屏蔽膜相當(dāng)，存在相同的不足。且上述兩個(gè)專利申請都是采用了一層金屬導(dǎo)體層，然后涂布導(dǎo)電膠的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)屏蔽功能，僅是一般意義上的屏蔽膜。第二種結(jié)構(gòu)如下公開號為CN 1842245A，名稱為《附有導(dǎo)電層的電子組件及導(dǎo)電膠膜與其制造方法》的中國發(fā)明專利公開的是由兩層結(jié)構(gòu)組成。最外層為金屬導(dǎo)體層，然后是導(dǎo)電膠層。相對于第一種結(jié)構(gòu)，最外層沒有絕緣層，最外層能夠直接與金屬相連接。其屏蔽結(jié)構(gòu)是采用一層金屬導(dǎo)體層，然后涂布導(dǎo)電膠層。屏蔽效能與上述第一種結(jié)構(gòu)沒有本質(zhì)區(qū)別。第三種結(jié)構(gòu)如下公開號為CN 101120627A，名稱為《電磁波屏蔽性粘合薄膜、其制備方法以及被粘合物的電磁波屏蔽方法》的中國發(fā)明專利公開的是由兩層結(jié)構(gòu)組成，最外層絕緣層，然后是全方位的導(dǎo)電膠層。相對于第一和第二種結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)沒有實(shí)心的金屬薄膜層結(jié)構(gòu)。能夠?qū)崿F(xiàn)更薄的要求，耐彎折性能更好，更廉價(jià)。但是作為屏蔽膜，最重要的指標(biāo)是屏蔽效能，由于缺少實(shí)心屏蔽金屬導(dǎo)體層，當(dāng)傳輸頻率超過IGHz時(shí),其屏蔽效能不能到達(dá)40dB。第四種結(jié)構(gòu)如下公開號為CN 2626193Y，名稱為《具有高導(dǎo)熱及電磁屏蔽功能的復(fù)合材料》中國發(fā)明專利公開的是具有的兩層屏蔽層，但是電磁屏蔽層呈棋盤格狀，兩屏蔽層中間設(shè)置在一高導(dǎo)熱層中而形成。一方面，其導(dǎo)熱膠內(nèi)包含有地導(dǎo)熱粒子，不能將屏蔽層中累計(jì)的電荷導(dǎo)入接地層實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的高頻信號屏蔽；另外一方面，金屬導(dǎo)體層呈棋盤格狀，不是實(shí)心金屬屏蔽層結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)不了極高屏蔽效能。第五種結(jié)構(gòu)如下公告號為CN 1819758A，名稱為《電磁雙重屏蔽膜》的中國發(fā)明專利公開了一種采 用奧氏體的鎳鉻類不銹鋼作為濺射靶材的電磁雙重屏蔽膜，是對于塑料表面加工，而且整體生產(chǎn)效率極低，不能實(shí)現(xiàn)卷狀的極薄屏蔽膜大規(guī)模生產(chǎn)。第六種結(jié)構(gòu)如下公告號為CN 101521985A，名稱為《屏蔽結(jié)構(gòu)及具有該屏蔽結(jié)構(gòu)的柔性印刷電路板》的中國發(fā)明專利公開了一種屏蔽膜，先采用涂布的方式形成一單面撓性覆銅板結(jié)構(gòu)，然后在金屬層上涂布導(dǎo)電膠而成，其中金屬銅層在1-6微米之間，聚酰亞胺在3-10微米范圍。由于金屬層厚度大于I微米，遠(yuǎn)高于目前市場上的屏蔽金屬層厚度，硬度大幅度增加，不利于柔韌性要求。同時(shí)該結(jié)構(gòu)金屬箔需要載體支撐而工藝復(fù)雜、成本高昂，無市場競爭力。第七種結(jié)構(gòu)如下公告號為CN 101772996A，名稱為《印刷布線板用屏蔽膜以及印刷布線板》的中國發(fā)明專利公開了一種屏蔽膜，獲得對于從大彎曲半徑至變?yōu)樾〉膹澢霃降姆磸?fù)彎曲及滑動(dòng)，金屬層難以發(fā)生破壞的印刷布線板用屏蔽膜以及印刷布線板。該第一金屬層是一種以上的鱗片狀金屬粒子形成的層，第二金屬層是具有多個(gè)孔的多孔質(zhì)層。難以實(shí)現(xiàn)極高屏蔽效能。上述幾種結(jié)構(gòu)或者是一層完整金屬導(dǎo)體層涂布導(dǎo)電膠結(jié)構(gòu)；或者是僅有一層全方位的導(dǎo)電膠的結(jié)構(gòu)；或者是有兩層網(wǎng)格金屬導(dǎo)體層、無實(shí)心金屬導(dǎo)體層且無接地設(shè)計(jì)的導(dǎo)熱的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。或者不能滿足60dB以上的屏蔽效能、或者不能滿足彎折性能、或者不能滿足剝離強(qiáng)度、或者不能滿足抗氧化性能、或者不能滿足極薄卷狀生產(chǎn)的規(guī)?；a(chǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種抗干擾性能好，且能夠提供良好的彎曲性能，滿足電子產(chǎn)品的輕、薄需求的高屏蔽效能的極薄屏蔽膜。本發(fā)明的另一目的是提供一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜的制作方法。本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，其包括兩層以上的實(shí)心屏蔽層。所述實(shí)心屏蔽層之間為在逐層表面上依次形成。所述實(shí)心屏蔽層至少有兩層由不同材料制成。所述最外層實(shí)心屏蔽層一側(cè)外表面形成有導(dǎo)電膠層，所述最外層實(shí)心屏蔽層一側(cè)外表面形成有絕緣膜層。
所述絕緣膜層可以是各種絕緣薄膜層，或者各種樹脂層，或者是絕緣層薄膜上根據(jù)需要涂布不同樹脂復(fù)合而成。所述絕緣膜層外表面覆蓋有載體膜層，所述導(dǎo)電膠層外表面根據(jù)需要可以形成有保護(hù)膜。所述絕緣膜層為連接在一起的第一絕緣膜層和第二絕緣膜層組成，其厚度為3-25微米。其中所述第一絕緣膜層選用的材料是聚苯硫醚(PPS)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酯或聚酰亞胺薄膜；第二絕緣膜層是涂布的環(huán)氧樹脂、聚氨酯類樹脂、丙烯酸樹脂或者聚酰亞胺樹脂。所述實(shí)心屏蔽層的材料是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀或金，或者是包含上述金屬中任意一種以上的金屬合金，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質(zhì)；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質(zhì)。厚度為0.01微米-0.5微米之間?？紤]彎折需求,厚度優(yōu)先選擇0. 01微米-0. 2微米之間。所述導(dǎo)電膠層中的粘合劑是聚苯乙烯系、乙酸乙烯酯類、聚酯類、聚乙烯類、聚酰胺類、橡膠類丙烯酸酯類等熱塑性樹脂，或者使用酚醛類、環(huán)氧類、氨基甲酸酯類、三聚氰胺類或醇酸類熱固性樹脂；導(dǎo)電粒子可以是碳、銀、鎳、銅顆粒、鎳金、銅鎳、銅銀、鎳銀、鎳金、銀包玻璃或者銅鎳金顆粒或者碳納米管，其導(dǎo)電粒子與膠的重量比為10%到400%。根據(jù)實(shí)際要求，優(yōu)先選擇導(dǎo)電膠層厚度為3um-20um，重量比為10%_100%。從可靠性和成本兩個(gè)方面考慮，導(dǎo)電粒子優(yōu)先選擇銀包銅粒子、鎳包銅粒子、銀粒子、銅粒子、鎳粒子；粘合劑優(yōu)先選擇耐高溫的具有熱固化性能的環(huán)氧樹脂或者丙烯酸樹脂；予固化條件為溫度為80°C至150°C，時(shí)間為20分鐘-I分鐘。所述保護(hù)膜選用成本低廉且能耐受一定溫度的聚酯保護(hù)膜，也可以是聚酯硅膠保護(hù)膜。厚度25微米到125微米。一種極高屏蔽效能的極薄屏蔽膜的制作方法，包括以下制作步驟I)在載體膜層上形成絕緣膜層；2)在絕緣膜層上形成第一實(shí)心屏蔽層；3)在第一實(shí)心屏蔽層上表面形成至少一層實(shí)心屏蔽層；4)在最外層心屏蔽層的外表面形成有導(dǎo)電膠層。
以上操作步驟可以依順序形成，也可以是如下第二制作步驟一種極高屏蔽效能的極薄屏蔽膜的制作方法，包括以下制作步驟I)根據(jù)需要形成可剝離的兩層以上的實(shí)心屏蔽層；2)在所述實(shí)心屏蔽層一側(cè)外表面形成絕緣膜層；3)在所述實(shí)心屏蔽層另一側(cè)外表面形成需要的導(dǎo)電膠層。所述導(dǎo)電膠層外表面根據(jù)需要形成保護(hù)膜。以上形成的屏蔽膜結(jié)構(gòu)以上述形成的一致，但工藝不同。其中，絕緣膜層選用的材料是PPS、PEN、聚酯、聚酰亞胺薄膜；或者是涂布改性環(huán)氧樹脂、聚氨酯類樹脂、改性丙烯酸樹脂、或者聚酰亞胺樹脂；或者是絕緣層薄膜上根據(jù)需要涂布不同樹脂復(fù)合而成；所述絕緣膜層厚度3微米一 25微米，優(yōu)先選擇3微米一 7微米之間，保證足夠的柔韌性和介電強(qiáng)度。兩層以上的實(shí)心屏蔽層直接因?yàn)榫哂胁煌碾姶牌帘谓缑?，可以通過對干擾信號的多次反射和吸收，實(shí)現(xiàn)對高頻和高速干擾信號的高效屏蔽。實(shí)心屏蔽層與線路板經(jīng)過導(dǎo)電膠的電氣連接，保證干擾信號形成的電荷能夠順利接地，實(shí)現(xiàn)高效屏蔽。與現(xiàn)有的技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)提供了兩層以上極薄的實(shí)心屏蔽層，能夠多次反射和吸收高頻干擾信號，同時(shí)將多余電荷導(dǎo)入接地層，實(shí)現(xiàn)極高屏蔽效能，經(jīng)測試，在頻率超過300MHz時(shí)，屏蔽效能能夠達(dá)到60dB以上；設(shè)置不同的屏蔽層可以實(shí)現(xiàn)高剝離強(qiáng)度、抗氧化性能，同時(shí)極薄的屏蔽層能夠提供很好的彎曲性能，滿足電子產(chǎn)品的輕、薄需求。


圖I為本發(fā)明高屏蔽效能的極薄屏蔽膜實(shí)施例I的剖面圖結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明高屏蔽效能的極薄屏蔽膜實(shí)施例2的剖面圖結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3為本發(fā)明高屏蔽效能的極薄屏蔽膜實(shí)施例3的剖面圖結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明高屏蔽效能的極薄屏蔽膜實(shí)施例4的剖面圖結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明高屏蔽效能的極薄屏蔽膜實(shí)施例5的剖面圖結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明高屏蔽效能的極薄屏蔽膜實(shí)施例6的剖面圖結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的說明。實(shí)施例I一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，如圖I所示，包括兩層實(shí)心屏蔽層第一實(shí)心屏蔽層I和第二實(shí)心屏蔽層2。所述第一實(shí)心屏蔽層I形成在所述第二實(shí)心屏蔽層2表面上。所述第二實(shí)心屏蔽層2外表面形成有導(dǎo)電膠層8，所述第一實(shí)心屏蔽層I外表面形成有絕緣膜層10。絕緣層膜10上表面覆蓋有載體膜層11，所述導(dǎo)電膠層8下表面覆蓋保護(hù)膜9。載體膜層11對絕緣膜層10起到支撐作用，有利于后續(xù)加工。保護(hù)膜9對導(dǎo)電膠層8有保護(hù)作用，也有利于后續(xù)加工，并可以防止外界污染。其中，所述第一實(shí)心屏蔽層I和第二實(shí)心屏蔽層2通過導(dǎo)電膠層8實(shí)現(xiàn)接地。一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜的制作方法，其包括的具體制作步驟如下I)在載體膜層11上形成絕緣膜層10，絕緣膜層10厚度3-25微米；絕緣膜層10選用的材料是PPS、PEN、聚酯、聚酰亞胺薄膜；或者是涂布環(huán)氧樹脂、聚氨酯類樹脂、丙烯酸樹脂、或者聚酰亞胺樹脂。厚度優(yōu)先選擇3微米-8微米之間。2)在絕緣膜層上形成需要的第一實(shí)心屏蔽層。所述第一實(shí)心屏蔽層的材料可以是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的金屬合金，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質(zhì)；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質(zhì)。其厚度為0.01微米一 0.5微米之間?？梢圆捎没瘜W(xué)鍍方式、物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、電子槍蒸發(fā)鍍、濺射鍍、電鍍或者其復(fù)合工藝形成。考慮彎折需求，厚度優(yōu)先選擇0. 01微米-0. 2微米之間。3)在所述第一實(shí)心屏蔽層I上形成所需要的第二實(shí)心屏蔽層2。第二實(shí)心屏蔽層2的材料可以是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的金屬合金，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質(zhì)；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質(zhì)。厚度為0.01微米-3微米之間。可以采用化學(xué)鍍方式、物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、電子槍蒸發(fā)鍍、濺射鍍、電鍍或者其復(fù)合工藝形成?？紤]屏蔽效能，第一實(shí)心屏蔽層和第二實(shí)心屏蔽層為不同的屏蔽材料。所述第二實(shí)心屏蔽層厚度優(yōu)先選擇0. 01微米-I微米之間。4)在第二實(shí)心屏蔽層2外表面上涂布導(dǎo)電膠層，予固化。所述導(dǎo)電膠層中的粘合劑是聚苯乙烯系、乙酸乙烯酯類、聚酯類、聚乙烯類、聚酰胺類、橡膠類丙烯酸酯類等熱塑性樹脂，或者使用酚醛類、環(huán)氧類、氨基甲酸酯類、三聚氰胺類或醇酸類熱固性樹脂；導(dǎo)電粒子可以是碳、銀、鎳、銅顆粒、鎳金、銅鎳、銅銀、鎳銀、鎳金、銀包玻璃或者銅鎳金顆粒或者碳納米管，其導(dǎo)電粒子與膠的重量比為10%到400%。根據(jù)實(shí)際要求，優(yōu)先選擇導(dǎo)電膠層厚度為5um-20um,重量比為10%_100%。從可靠性和成本兩個(gè)方面考慮，導(dǎo)電粒子優(yōu)先選擇銀包銅粒 子、鎳包銅粒子、銀粒子、銅粒子、鎳粒子；粘合劑優(yōu)先選擇耐高溫的具有熱固化性能的改性環(huán)氧樹脂或者改性丙烯酸樹脂；厚度為3um至50um，予固化條件為溫度為80°C至150°C，時(shí)間為20分鐘-I分鐘。5)在導(dǎo)電膠層8覆蓋可離形的保護(hù)膜9。所述保護(hù)膜9選用成本低廉且能耐受一定溫度的聚酯保護(hù)膜，也可以是聚酯硅膠保護(hù)膜。厚度25微米到125微米。實(shí)施例2一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，如圖2所示，包括三層實(shí)心屏蔽層第一實(shí)心屏蔽層I、第二實(shí)心屏蔽層2和第三實(shí)心屏蔽層3。所述第一實(shí)心屏蔽層I、第二實(shí)心屏蔽層2和第三實(shí)心屏蔽層2逐層依次在下一層的外表面上形成。所述第三實(shí)心屏蔽層3外表面形成有導(dǎo)電膠層8，所述第一實(shí)心屏蔽層I外表面形成有絕緣膜層I。絕緣層膜I上表面覆蓋有載體膜層I，所述導(dǎo)電膠層8下表面覆蓋保護(hù)膜9。載體膜層I對絕緣膜層I起到支撐作用，有利于后續(xù)加工；保護(hù)膜9對導(dǎo)電膠層8有保護(hù)作用，也有利于后續(xù)加工，并可以防止外界污染。所述第一實(shí)心屏蔽層I、第二實(shí)心屏蔽層2和第三實(shí)心屏蔽層2通過導(dǎo)電膠層實(shí)現(xiàn)接地。一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜的制作方法，其包括的具體制作步驟如下I)在載體膜層11上形成絕緣膜層10，絕緣膜層10厚度3-25微米；絕緣膜層選用的材料是PPS、PEN、聚酯、聚酰亞胺薄膜；或者是涂布環(huán)氧樹脂、聚氨酯類樹脂、丙烯酸樹月旨、或者聚酰亞胺樹脂。厚度優(yōu)先選擇3微米-8微米之間。2)在絕緣膜層10上形成需要的第一實(shí)心屏蔽層。所述第一實(shí)心屏蔽層的材料可以是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的合金金屬層，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質(zhì)；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質(zhì)。厚度為0.01微米-0.5微米之間?？梢圆捎没瘜W(xué)鍍方式、PVD、CVD、電子槍蒸發(fā)鍍、濺射鍍、電鍍或者其復(fù)合工藝形成?？紤]彎折需求，厚度優(yōu)先選擇0. 01微米一0.2微米之間。3)在所述第一實(shí)心屏蔽層I上形成需要的第二實(shí)心屏蔽層2。第二實(shí)心屏蔽層2材料可以是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的合金金屬層，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質(zhì)；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質(zhì)。厚度為0. 01微米-3微米之間。可以采用化學(xué)鍍方式、PVD、CVD、電子槍蒸發(fā)鍍、濺射鍍、電鍍或者其復(fù)合工藝形成。第一實(shí)心屏蔽層和第二實(shí)心屏蔽層為不同的屏蔽材料。第二實(shí)心屏蔽層厚度優(yōu)先選擇0. 01微米-0. 5微米之間。
4)在所述第二實(shí)心屏蔽層2上形成需要的第三實(shí)心屏蔽層3。第三實(shí)心屏蔽層3材料是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的合金金屬層，包括但不僅限于鎳鉻 合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質(zhì)；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質(zhì)。厚度為0.01微米-3微米之間?？梢圆捎没瘜W(xué)鍍方式、PVD、CVD、電子槍蒸發(fā)鍍、濺射鍍、電鍍或者其復(fù)合工藝形成。第二實(shí)心屏蔽層2和第三實(shí)心屏蔽層3可以是不同的屏蔽材料，兩者的工藝可以不同。第三實(shí)心屏蔽層3可以增加屏蔽效能，其厚度優(yōu)先選擇0. 01微米-I微米之間。5)在第三實(shí)心屏蔽層3外表面上涂布導(dǎo)電膠層8，予固化。所述導(dǎo)電膠層中的粘合劑是聚苯乙烯系、乙酸乙烯酯類、聚酯類、聚乙烯類、聚酰胺類、橡膠類丙烯酸酯類等熱塑性樹脂，或者使用酚醛類、環(huán)氧類、氨基甲酸酯類、三聚氰胺類或醇酸類熱固性樹脂；導(dǎo)電粒子可以是碳、銀、鎳、銅顆粒、鎳金、銅鎳、銅銀、鎳銀、鎳金、銀包玻璃或者銅鎳金顆?；蛘咛技{米管，其導(dǎo)電粒子與膠的重量比為10%到400%。根據(jù)實(shí)際要求，優(yōu)先選擇導(dǎo)電膠層厚度為5um-20um,重量比為10%_100%。從可靠性和成本兩個(gè)方面考慮，導(dǎo)電粒子優(yōu)先選擇銀包銅粒子、鎳包銅粒子、銀粒子、銅粒子、鎳粒子；粘合劑優(yōu)先選擇耐高溫的具有熱固化性能的改性環(huán)氧樹脂或者改性丙烯酸樹脂；厚度為3um至50um，予固化條件為溫度為80°C至150°C，時(shí)間為20分鐘-I分鐘。6)在導(dǎo)電膠層覆蓋可離形的保護(hù)膜。所述保護(hù)膜選用成本低廉且能耐受一定溫度的聚酯保護(hù)膜，也可以是聚酯硅膠保護(hù)膜。厚度25微米到125微米。實(shí)施例3—種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，如圖3所示，包括四層實(shí)心屏蔽層第一實(shí)心屏蔽層I、第二實(shí)心屏蔽層2、第三實(shí)心屏蔽層3和第四實(shí)心屏蔽層4。所述第一實(shí)心屏蔽層I、第二實(shí)心屏蔽層2、第三實(shí)心屏蔽層3和第四實(shí)心屏蔽層3為逐層依次在下一層的外表面上形成。所述第四實(shí)心屏蔽層4外表面形成有導(dǎo)電膠層8，所述第一實(shí)心屏蔽層I外表面形成有絕緣膜層I。絕緣層膜I上表面覆蓋有載體膜層I，所述導(dǎo)電膠層8下表面覆蓋保護(hù)膜9。載體膜層I對絕緣膜層I起到支撐作用，有利于后續(xù)加工；保護(hù)膜9對導(dǎo)電膠層8有保護(hù)作用，也有利于后續(xù)加工，并可以防止外界污染。四層實(shí)心屏蔽層通過導(dǎo)電膠層實(shí)現(xiàn)接地。一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜的制作方法，其包括的具體制作步驟如下I)在載體膜層11上形成絕緣膜層10，絕緣膜層10厚度3-25微米；絕緣膜層選用的材料是PPS、PEN、聚酯、聚酰亞胺薄膜；或者是涂布改性環(huán)氧樹脂、聚氨酯類樹脂、改性丙烯酸樹脂、或者聚酰亞胺樹脂。厚度優(yōu)先選擇3微米-8微米之間。2)在絕緣膜層上形成需要的第一實(shí)心屏蔽層I。所述第一實(shí)心屏蔽層I材料是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的合金金屬層，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質(zhì)；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質(zhì)。厚度為0.01微米至0.5微米之間?？梢圆捎没瘜W(xué)鍍方式、PVD、CVD、電子槍蒸發(fā)鍍、濺射鍍、電鍍或者其復(fù)合工藝形成?？紤]彎折需求，厚度優(yōu)先選擇0. 01微米-0. 2微米之間。3)在所述第一實(shí)心屏蔽層I上形成需要的第二實(shí)心屏蔽層2。第二實(shí)心屏蔽層材料是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的合金金屬層，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質(zhì)；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質(zhì)。厚度為0. Ol微米-3微米之間?？梢圆捎没瘜W(xué)鍍方式、PVD、CVD、電子槍蒸發(fā)鍍、濺射鍍、電鍍或者其復(fù)合工藝形成。第一實(shí)心屏蔽層I和第二實(shí)心屏蔽層2為不同的屏蔽材料。第二實(shí)心屏蔽層2厚度優(yōu)先選擇0. 01微米-0. 5微米之間。4)在所述第二實(shí)心屏蔽層2上形成需要的第三實(shí)心屏蔽層3。第三實(shí)心屏蔽層3材料是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的合金金屬層，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質(zhì)；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質(zhì)。厚度為0.01微米一 3微米之間?？梢圆捎没瘜W(xué)鍍方式、PVD、CVD、電子槍蒸發(fā)鍍、濺射鍍、電鍍或者其復(fù)合工藝形成。第二實(shí)心屏蔽層和第三實(shí)心屏蔽層可以是不同的屏蔽材料，兩者的工藝可以不同。第三實(shí)心屏蔽層可以增加屏蔽效能，其厚度優(yōu)先選擇0.01微米-I微米之間。5)在所述第三實(shí)心屏蔽層3上形成需要的第四實(shí)心屏蔽層4。第四實(shí)心屏蔽層4材料是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的合金金屬層，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質(zhì)；也可以是鐵氧體 和碳納米管等材質(zhì)。厚度為0.01微米一 3微米之間?？梢圆捎没瘜W(xué)鍍方式、PVD、CVD、電子槍蒸發(fā)鍍、濺射鍍、電鍍或者其復(fù)合工藝形成。第四實(shí)心屏蔽層和第三實(shí)心屏蔽層可以是不同的屏蔽材料，第四實(shí)心屏蔽層可以提高屏蔽效能、提高抗氧化性能。其厚度優(yōu)先選擇0.01微米-I微米之間。6)在第四實(shí)心屏蔽層4外表面上涂布導(dǎo)電膠層，予固化。所述導(dǎo)電膠層中的粘合劑是聚苯乙烯系、乙酸乙烯酯類、聚酯類、聚乙烯類、聚酰胺類、橡膠類丙烯酸酯類等熱塑性樹脂，或者使用酚醛類、環(huán)氧類、氨基甲酸酯類、三聚氰胺類或醇酸類熱固性樹脂；導(dǎo)電粒子可以是碳、銀、鎳、銅顆粒、鎳金、銅鎳、銅銀、鎳銀、鎳金、銀包玻璃或者銅鎳金顆?；蛘咛技{米管，其導(dǎo)電粒子與膠的重量比為10%到400%。根據(jù)實(shí)際要求，優(yōu)先選擇導(dǎo)電膠層厚度為5um-20um,重量比為10%_100%。從可靠性和成本兩個(gè)方面考慮，導(dǎo)電粒子優(yōu)先選擇銀包銅粒子、鎳包銅粒子、銀粒子、銅粒子、鎳粒子；粘合劑優(yōu)先選擇耐高溫的具有熱固化性能的改性環(huán)氧樹脂或者改性丙烯酸樹脂；厚度為3um至50um，予固化條件為溫度為80°C至150°C，時(shí)間為20分鐘-I分鐘。6)在導(dǎo)電膠層覆蓋可離形的保護(hù)膜。所述保護(hù)膜選用成本低廉且能耐受一定溫度的聚酯保護(hù)膜，也可以是聚酯硅膠保護(hù)膜。厚度25微米到125微米。實(shí)施例4一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，如圖4所示，包括兩層實(shí)心屏蔽層第一實(shí)心屏蔽層I和第二實(shí)心屏蔽層2。所述第二實(shí)心屏蔽層2為在第一實(shí)心屏蔽層I表面上形成。所述第二實(shí)心屏蔽層2外表面形成有導(dǎo)電膠層8，所述第一實(shí)心屏蔽層I外表面形成有絕緣膜層10。絕緣層膜10外面形成有絕緣層12，絕緣層12上表面覆蓋有載體膜層1，所述導(dǎo)電膠層8下表面覆蓋保護(hù)膜9。載體膜層I對絕緣膜層I和絕緣層2起到支撐作用，有利于后續(xù)加工；保護(hù)膜9對導(dǎo)電膠層8有保護(hù)作用，也有利于后續(xù)加工，并可以防止外界污染。兩實(shí)心屏蔽層通過導(dǎo)電膠層8實(shí)現(xiàn)接地。一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜的制作方法，其包括的具體制作步驟如下I)在載體膜層上形成第二絕緣膜層12，所述第二絕緣膜層12上形成第一絕緣膜層10，所述第二絕緣膜層12和第一絕緣膜層10整體厚度3-25微米。所述第二絕緣膜層12選用的材料是PPS、PEN、聚酯、聚酰亞胺薄膜；第一絕緣膜層1010是涂布改性環(huán)氧樹脂、聚氨酯類樹脂、改性丙烯酸樹脂、或者聚酰亞胺樹脂而成。所述第二絕緣膜層12和第一絕緣膜層10根據(jù)需要可以順序互換，即靠近載體膜可以是第一絕緣膜層10，然后是第二絕緣膜層12。不受附圖所示結(jié)構(gòu)所限制。設(shè)置多層絕緣層目的是提高絕緣層壓合時(shí)耐撕裂能力，實(shí)現(xiàn)更高臺階壓合需求?？偨^緣層厚度優(yōu)先選擇3微米-8微米之間。2)在絕緣膜層上形成需要的第一實(shí)心屏蔽層。所述第一實(shí)心屏蔽層材料是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的合金金屬層，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質(zhì)；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質(zhì)。厚度為0.01微米-0.5微米之間。可以采用化學(xué)鍍方式、PVD、CVD、電子槍蒸發(fā)鍍、濺射鍍、電鍍或者其復(fù)合工藝形成?？紤]彎折需求，厚度優(yōu)先選擇0. 01微米-0. 2微米之間。
3)在所述第一實(shí)心屏蔽層上形成需要的第二實(shí)心屏蔽層。第二實(shí)心屏蔽層材料是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的合金金屬層，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質(zhì)；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質(zhì)。厚度為0.01微米至3微米之間?？梢圆捎没瘜W(xué)鍍方式、PVD、CVD、電子槍蒸發(fā)鍍、濺射鍍、電鍍或者其復(fù)合工藝形成?？紤]屏蔽效能，第一實(shí)心屏蔽層和第二實(shí)心屏蔽層為不同的屏蔽材料。第二實(shí)心屏蔽層厚度優(yōu)先選擇0. 01微米-I微米之間。4)在第二實(shí)心屏蔽層外表面上涂布導(dǎo)電膠層，予固化。所述導(dǎo)電膠層中的粘合劑是聚苯乙烯系、乙酸乙烯酯類、聚酯類、聚乙烯類、聚酰胺類、橡膠類丙烯酸酯類等熱塑性樹脂，或者使用酚醛類、環(huán)氧類、氨基甲酸酯類、三聚氰胺類或醇酸類熱固性樹脂；導(dǎo)電粒子可以是碳、銀、鎳、銅顆粒、鎳金、銅鎳、銅銀、鎳銀、鎳金、銀包玻璃或者銅鎳金顆粒或者碳納米管，其導(dǎo)電粒子與膠的重量比為10%到400%。根據(jù)實(shí)際要求，優(yōu)先選擇導(dǎo)電膠層厚度為5um-20um,重量比為10%_100%。從可靠性和成本兩個(gè)方面考慮，導(dǎo)電粒子優(yōu)先選擇銀包銅粒子、鎳包銅粒子、銀粒子、銅粒子、鎳粒子；粘合劑優(yōu)先選擇耐高溫的具有熱固化性能的改性環(huán)氧樹脂或者改性丙烯酸樹脂；厚度為3um至50um，予固化條件為溫度為80°C至150°C，時(shí)間為20分鐘-I分鐘。5)在導(dǎo)電膠層覆蓋可離形的保護(hù)膜。所述保護(hù)膜選用成本低廉且能耐受一定溫度的聚酯保護(hù)膜，也可以是聚酯硅膠保護(hù)膜。厚度25微米到125微米。實(shí)施例5一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，如圖5所示，包括三層實(shí)心屏蔽層第一實(shí)心屏蔽層I、第二實(shí)心屏蔽層2和第三實(shí)心屏蔽層3。所述第一實(shí)心屏蔽層I、第二實(shí)心屏蔽層2和第三實(shí)心屏蔽層3為逐層依次在下一層的外表面上形成。所述第三實(shí)心屏蔽層3外表面形成有導(dǎo)電膠層8，所述第一實(shí)心屏蔽層I外表面形成有絕緣膜層10。絕緣層膜10外面形成有絕緣層12，絕緣層12上表面覆蓋有載體膜層11，所述導(dǎo)電膠層8下表面覆蓋保護(hù)膜9。載體膜層11對絕緣膜層I和絕緣層2起到支撐作用，有利于后續(xù)加工；并可以防止外界污染。三層實(shí)心屏蔽層通過導(dǎo)電膠層實(shí)現(xiàn)接地。一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜的制作方法，其包括的具體制作步驟如下I)在載體膜層上形成第二絕緣膜層12，所述第二絕緣膜層12上形成第一絕緣膜層10，所述第二絕緣膜層12和第一絕緣膜層10整體厚度3-25微米。所述第二絕緣膜層12選用的材料是PPS、PEN、聚酯、聚酰亞胺薄膜；第一絕緣膜層1010是涂布改性環(huán)氧樹脂、聚氨酯類樹脂、改性丙烯酸樹脂、或者聚酰亞胺樹脂而成。所述第二絕緣膜層12和第一絕緣膜層10根據(jù)需要可以順序互換，即靠近載體膜可以是第一絕緣膜層10，然后是第二絕緣膜層12。不受附圖所示結(jié)構(gòu)所限制。設(shè)置多層絕緣層目的是提高絕緣層壓合時(shí)耐撕裂能力，實(shí)現(xiàn)更高臺階壓合需求?？偨^緣層厚度優(yōu)先選擇3微米-8微米之間。2)在絕緣膜層上形成需要的第一實(shí)心屏蔽層。所述第一實(shí)心屏蔽層材料是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的合金金屬層，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質(zhì)；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質(zhì)。厚度為0.01微米-0.5微米之間?？梢圆捎没瘜W(xué)鍍方式、PVD、CVD、電子槍蒸發(fā)鍍、濺射鍍、電鍍或者其復(fù)合工藝形成?？紤]彎折需求，厚度優(yōu)先選擇0. 01微米-0. 2微米之間。3)在所述第一實(shí)心屏蔽層上形成需要的第二實(shí)心屏蔽層。第二實(shí)心屏蔽層材料是 鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的合金金屬層，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質(zhì)；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質(zhì)。厚度為0.01微米至3微米之間?？梢圆捎没瘜W(xué)鍍方式、PVD、CVD、電子槍蒸發(fā)鍍、濺射鍍、電鍍或者其復(fù)合工藝形成。第一實(shí)心屏蔽層和第二實(shí)心屏蔽層為不同的屏蔽材料。第二實(shí)心屏蔽層厚度優(yōu)先選擇0. 01微米-0. 5微米之間。4)在所述第二實(shí)心屏蔽層上形成需要的第三實(shí)心屏蔽層。第三實(shí)心屏蔽層材料是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的合金金屬層，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質(zhì)；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質(zhì)。厚度為0.01微米至3微米之間。可以采用化學(xué)鍍方式、PVD、CVD、電子槍蒸發(fā)鍍、濺射鍍、電鍍或者其復(fù)合工藝形成。第二實(shí)心屏蔽層和第三實(shí)心屏蔽層可以是不同的屏蔽材料，兩者的工藝可以不同。第三實(shí)心屏蔽層可以增加屏蔽效能，其厚度優(yōu)先選擇0.01微米-I微米之間。5)在第三實(shí)心屏蔽層外表面上涂布導(dǎo)電膠層，予固化。所述導(dǎo)電膠層中的粘合劑是聚苯乙烯系、乙酸乙烯酯類、聚酯類、聚乙烯類、聚酰胺類、橡膠類丙烯酸酯類等熱塑性樹脂，或者使用酚醛類、環(huán)氧類、氨基甲酸酯類、三聚氰胺類或醇酸類熱固性樹脂；導(dǎo)電粒子可以是碳、銀、鎳、銅顆粒、鎳金、銅鎳、銅銀、鎳銀、鎳金、銀包玻璃或者銅鎳金顆?；蛘咛技{米管，其導(dǎo)電粒子與膠的重量比為10%到400%。根據(jù)實(shí)際要求，優(yōu)先選擇導(dǎo)電膠層厚度為5um-20um,重量比為10%_100%。從可靠性和成本兩個(gè)方面考慮，導(dǎo)電粒子優(yōu)先選擇銀包銅粒子、鎳包銅粒子、銀粒子、銅粒子、鎳粒子；粘合劑優(yōu)先選擇耐高溫的具有熱固化性能的改性環(huán)氧樹脂或者改性丙烯酸樹脂；厚度為3um至50um，予固化條件為溫度為80°C至150°C，時(shí)間為20分鐘-I分鐘。6)在導(dǎo)電膠層覆蓋可離形的保護(hù)膜。所述保護(hù)膜選用成本低廉且能耐受一定溫度的聚酯保護(hù)膜，也可以是聚酯硅膠保護(hù)膜。厚度25微米到125微米。實(shí)施例6一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，如圖6所示，包括四層實(shí)心屏蔽層第一實(shí)心屏蔽層I、第二實(shí)心屏蔽層2、第三實(shí)心屏蔽層3和第四實(shí)心屏蔽層4。所述第一實(shí)心屏蔽層I、第二實(shí)心屏蔽層2、第三實(shí)心屏蔽層3和第四實(shí)心屏蔽層3為逐層依次在下一層的外表面上形成。所述第四實(shí)心屏蔽層4外表面形成有導(dǎo)電膠層8，所述第一實(shí)心屏蔽層I外表面形成有絕緣膜層2。絕緣層膜2外面形成有絕緣層1，絕緣層I上表面覆蓋有載體膜層1，所述導(dǎo)電膠層8下表面覆蓋保護(hù)膜9。載體膜層I對絕緣膜層I和絕緣層2起到支撐作用，有利于后續(xù)加工；并可以防止外界污染。四層實(shí)心屏蔽層通過導(dǎo)電膠層實(shí)現(xiàn)接地。一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜的制作方法，其包括的具體制作步驟如下I)在載體膜層上形成第二絕緣膜層12，所述第二絕緣膜層12上形成第一絕緣膜層10，所述第二絕緣膜層12和第一絕緣膜層10整體厚度3-25微米。所述第二絕緣膜層12選用的材料是PPS、PEN、聚酯、聚酰亞胺薄膜；第一絕緣膜層1010是涂布改性環(huán)氧樹脂、聚氨酯類樹脂、改性丙烯酸樹脂、或者聚酰亞胺樹脂而成。所述第二絕緣膜層12和第一絕緣膜層10根據(jù)需要可以順序互換，即靠近載體膜可以是第一絕緣膜層10，然后是第二絕緣膜層12。不受附圖所示結(jié)構(gòu)所限制。設(shè)置多層絕緣層目的是提高絕緣層壓合時(shí)耐撕裂能力，實(shí)現(xiàn)更高臺階壓合需求?？偨^緣層厚度優(yōu)先選擇3微米-8微米之間。 2)在絕緣膜層上形成需要的第一實(shí)心屏蔽層。所述第一實(shí)心屏蔽層材料是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的合金金屬層，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質(zhì)；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質(zhì)。厚度為0.01微米-0.5微米之間?？梢圆捎没瘜W(xué)鍍方式、PVD、CVD、電子槍蒸發(fā)鍍、濺射鍍、電鍍或者其復(fù)合工藝形成?？紤]彎折需求，厚度優(yōu)先選擇0. 01微米-0. 2微米之間。3)在所述第一實(shí)心屏蔽層上形成需要的第二實(shí)心屏蔽層。第二實(shí)心屏蔽層材料是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的合金金屬層，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質(zhì)；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質(zhì)。厚度為0.01微米至3微米之間。可以采用化學(xué)鍍方式、PVD、CVD、電子槍蒸發(fā)鍍、濺射鍍、電鍍或者其復(fù)合工藝形成。第一實(shí)心屏蔽層和第二實(shí)心屏蔽層為不同的屏蔽材料。第二實(shí)心屏蔽層厚度優(yōu)先選擇0. 01微米-0. 5微米之間。4)在所述第二實(shí)心屏蔽層上形成需要的第三實(shí)心屏蔽層。第三實(shí)心屏蔽層材料是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的合金金屬層，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質(zhì)；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質(zhì)。厚度為0.01微米至3微米之間?？梢圆捎没瘜W(xué)鍍方式、PVD、CVD、電子槍蒸發(fā)鍍、濺射鍍、電鍍或者其復(fù)合工藝形成。第二實(shí)心屏蔽層和第三實(shí)心屏蔽層可以是不同的屏蔽材料，兩者的工藝可以不同。第三實(shí)心屏蔽層可以增加屏蔽效能，其厚度優(yōu)先選擇0.01微米-I微米之間。5)在所述第三實(shí)心屏蔽層上形成需要的第四實(shí)心屏蔽層。第四實(shí)心屏蔽層材料是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的合金金屬層，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質(zhì)；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質(zhì)。厚度為0.01微米至3微米之間?？梢圆捎没瘜W(xué)鍍方式、PVD、CVD、電子槍蒸發(fā)鍍、濺射鍍、電鍍或者其復(fù)合工藝形成。第四實(shí)心屏蔽層和第三實(shí)心屏蔽層可以是不同的屏蔽材料，第四實(shí)心屏蔽層可以提高屏蔽效能、提高抗氧化性能。其厚度優(yōu)先選擇0. 01微米-I微米之間。6)在第四實(shí)心屏蔽層外表面上涂布導(dǎo)電膠層，予固化。所述導(dǎo)電膠層中的粘合劑是聚苯乙烯系、乙酸乙烯酯類、聚酯類、聚乙烯類、聚酰胺類、橡膠類丙烯酸酯類等熱塑性樹脂，或者使用酚醛類、環(huán)氧類、氨基甲酸酯類、三聚氰胺類或醇酸類熱固性樹脂；導(dǎo)電粒子可以是碳、銀、鎳、銅顆粒、鎳金、銅鎳、銅銀、鎳銀、鎳金、銀包玻璃或者銅鎳金顆?；蛘咛技{米管，其導(dǎo)電粒子與膠的重量比為10%到400%。根據(jù)實(shí)際要求，優(yōu)先選擇導(dǎo)電膠層厚度為5um-20um,重量比為10%_100%。從可靠性和成本兩個(gè)方面考慮，導(dǎo)電粒子優(yōu)先選擇銀包銅粒子、鎳包銅粒子、銀粒子、銅粒子、鎳粒子；粘合劑優(yōu)先選擇耐高溫的具有熱固化性能的改性環(huán)氧樹脂或者改性丙烯酸樹脂；厚度為3um至50um，予固化條件為溫度為80°C至150°C，時(shí)間為20分鐘-I分鐘。6)在導(dǎo)電膠層覆蓋可離形的保護(hù)膜。所述保護(hù)膜選用成本低廉且能耐受一定溫度的聚酯保護(hù)膜，也可以是聚酯硅膠保護(hù)膜。厚度25微米到125微米。 實(shí)施例7一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜的制作方法，其制作步驟如下(I)形成光亮基體載帶；(2)在光亮基體載帶上采用蒸發(fā)鍍或者電沉積或者化學(xué)沉積技術(shù)，依次形成需要的兩層以上的實(shí)心屏蔽層；(3)在所述實(shí)心屏蔽層外表面形成絕緣膜層；(4)在絕緣膜層上貼合可轉(zhuǎn)移膠膜，將絕緣膜層和實(shí)心屏蔽層從光亮基體載帶上剝離下來；(5)在所述實(shí)心屏蔽層另一側(cè)外表面形成需要的導(dǎo)電膠層(6)根據(jù)需要在導(dǎo)電膠層面貼合保護(hù)層。關(guān)于具體制作兩層以上的實(shí)心屏蔽層的制作工藝可以依發(fā)明人在2009年申請的公開號為CN101486264，專利名稱為《一種可剝離的超薄轉(zhuǎn)移載體金屬箔及其制造方法》的中國發(fā)明專利申請。以上所述者，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，當(dāng)不能以此限定本發(fā)明實(shí)施的范圍， 即大凡依本發(fā)明申請專利范圍及發(fā)明說明內(nèi)容所作的簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發(fā)明專利涵蓋的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，其特征在于，包括兩層以上的實(shí)心屏蔽層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，其特征在于，所述實(shí)心屏蔽層為在逐層表面上依次形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，其特征在于，所述實(shí)心屏蔽層至少有兩層由不同材料制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，其特征在于，所述實(shí)心屏蔽層一側(cè)外表面形成有導(dǎo)電膠層，所述實(shí)心屏蔽層另外一側(cè)外表面形成有一層以上的絕緣膜層。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，其特征在于，所述絕緣膜層為連接在一起的第一絕緣膜層和第二絕緣膜層組成，厚度為3-25微米。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，其特征在于，所述第一絕緣膜層選用的材料是PPS、PEN、聚酯或者聚酰亞胺薄膜；第二絕緣膜層是涂布的環(huán)氧樹脂、聚氨酯類樹脂、丙烯酸樹脂或者聚酰亞胺樹脂。
7.根據(jù)權(quán)利要求4、5或者6所述一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，其特征在于，所述絕緣膜層外表面覆蓋有載體膜層，所述導(dǎo)電膠層外表面根據(jù)需要形成有保護(hù)膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，其特征在于，所述實(shí)心屏蔽層的材料是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀或金，或者是包含上述金屬中任意一種以上的金屬合金，或者是鐵氧體、碳納米管；厚度為O. Ol微米-O. 5微米之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，其特征在于，所述實(shí)心屏蔽層厚度選擇O. 01微米-O. 2微米之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，其特征在于，所述導(dǎo)電膠層中的粘合劑是聚苯乙烯系、乙酸乙烯酯類、聚酯類、聚乙烯類、聚酰胺類、橡膠類丙烯酸酯類熱塑性樹脂，或者使用酚醛類、環(huán)氧類、氨基甲酸酯類、三聚氰胺類或醇酸類熱固性樹脂，導(dǎo)電粒子是碳、銀、鎳、銅顆粒、鎳金、銅鎳、銅銀、鎳銀、鎳金、銀包玻璃或者銅鎳金顆?；蛘咛技{米管，其導(dǎo)電粒子與膠的重量比為10%到400% ;厚度為3um至50um。
11.根據(jù)權(quán)利要求4所述一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，其特征在于，導(dǎo)電膠層厚度為5um-20um,重量比為10%_100% ;導(dǎo)電粒子選擇銀包銅粒子、鎳包銅粒子、銀粒子、銅粒子或鎳粒子。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-11任一所述一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜的制作方法，其特征在于，包括以下步驟 1)在載體膜層上形成絕緣膜層； 2)在絕緣膜層上形成第一實(shí)心屏蔽層； 3)在第一實(shí)心屏蔽層上表面形成至少一層實(shí)心屏蔽層； 4)在最外層心屏蔽層的外表面形成有導(dǎo)電膠層。
13.根據(jù)權(quán)利要求1-11任一所述一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜的制作方法，其特征在于，包括以下制作步驟 1)根據(jù)需要形成可剝離的兩層以上的實(shí)心屏蔽層； 2)在所述實(shí)心屏蔽層一側(cè)外表面形成絕緣膜層； 3)在所述實(shí)心屏蔽層另一側(cè)外表面形成需要的導(dǎo)電膠層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，包括兩層以上實(shí)心屏蔽層，所述實(shí)心屏蔽層一側(cè)外表面涂覆有導(dǎo)電膠層，所述實(shí)心屏蔽層另外一側(cè)外表面設(shè)置有一層以上的絕緣層；所述絕緣膜層外表面設(shè)置有載體膜層，所述導(dǎo)電膠層下表面覆蓋保護(hù)膜。本發(fā)明還公開一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜的制作方法。本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)提供了兩層以上極薄的完整的實(shí)心屏蔽層，能夠多次反射和吸收高頻干擾信號，同時(shí)將多余電荷導(dǎo)入接地層，實(shí)現(xiàn)高屏蔽效能，經(jīng)測試，在頻率超過300MHz時(shí)，屏蔽效能能夠達(dá)到60dB以上；同時(shí)極薄的實(shí)心屏蔽層能夠提供很好的彎曲性能，滿足電子產(chǎn)品的輕、薄需求。
文檔編號B32B37/00GK102711428SQ201210209
公開日2012年10月3日 申請日期2012年6月21日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月21日
發(fā)明者蘇陟 申請人:廣州方邦電子有限公司