本實(shí)用新型涉及一種超硬刀，更具體的說，它涉及一種用于晶片（片式電容/MLCC、片式電感/鐵氧體電感、半導(dǎo)體芯片等的俗稱）導(dǎo)光板押出水口切斷的超硬刀。

背景技術(shù)：

晶片行業(yè)起源于日本，越來越小型化。晶片的精度直接關(guān)系到SMT貼裝的效率和電性的效果。切斷用的刀具主要用粗糙的碳鋼刀或普通鎢鋼刀，達(dá)不到元件的精度要求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本實(shí)用新型的目的在于提供一種用于晶片、導(dǎo)光板切斷的超硬刀。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了如下技術(shù)方案：一種用于晶片、導(dǎo)光板切斷的超硬刀，其特征在于：包括超硬刀本體和刃口，所述刃口設(shè)置在超硬刀本體上，兩者為一體結(jié)構(gòu)，所述刃口包括對(duì)稱部分和非對(duì)稱部分，所述對(duì)稱部分設(shè)置在超硬刀本體上端，所述非對(duì)稱部分設(shè)置在對(duì)稱部分上端，三者為一體結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選為，非對(duì)稱部分包括左側(cè)刃口與右側(cè)刃口，所述左側(cè)刃口與刃尖平分線的夾角為β1，β1為2度，所述右側(cè)刃口包括上刃口與下刃口，所述上刃口與刃尖平分線的夾角為β2，β2為2度，所述下刃口與刃尖平分線的夾角為β5，β5為8.5或者9度。

優(yōu)選為，對(duì)稱部分與超硬刀本體側(cè)邊的夾角為β3、β4，β3、β4為8.5或者9度。

優(yōu)選為，超硬刀本體與刃口為超微粒超硬鎢鋼材質(zhì)。

本實(shí)用新型具有下述優(yōu)點(diǎn)：本實(shí)用新型刀具根據(jù)使用產(chǎn)品對(duì)象設(shè)計(jì)不同的角度匹配，設(shè)計(jì)對(duì)稱角度與非對(duì)稱角度，防止晶片斜切，使切割后的產(chǎn)品切割面無刮傷，毛邊，及其他缺陷。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

參照?qǐng)D1所示，本實(shí)施例的一種用于晶片、導(dǎo)光板切斷的超硬刀，包括超硬刀本體1和刃口2，所述刃口2設(shè)置在超硬刀本體1上，兩者為一體結(jié)構(gòu)，所述刃口2包括對(duì)稱部分21和非對(duì)稱部分22，所述對(duì)稱部分21設(shè)置在超硬刀本體1上端，所述非對(duì)稱部分22設(shè)置在對(duì)稱部分21上端，三者為一體結(jié)構(gòu)。

對(duì)于本實(shí)施例的各個(gè)部件進(jìn)行解釋說明：

1）非對(duì)稱部分22包括左側(cè)刃口與右側(cè)刃口，所述左側(cè)刃口與刃尖平分線的夾角為β1，β1為2度，所述右側(cè)刃口包括上刃口與下刃口，所述上刃口與刃尖平分線的夾角為β2，β2為2度，所述下刃口與刃尖平分線的夾角為β5，β5為8.5或者9度。

2）對(duì)稱部分21與超硬刀本體1側(cè)邊的夾角為β3、β4，β3、β4為8.5或者9度。

3）超硬刀本體1與刃口2為超微粒超硬鎢鋼材質(zhì)。

本實(shí)用新型刀具根據(jù)使用產(chǎn)品對(duì)象設(shè)計(jì)不同的角度匹配，設(shè)計(jì)對(duì)稱角度與非對(duì)稱角度，防止晶片斜切，使切割后的產(chǎn)品切割面無刮傷，毛邊，及其他缺陷。

以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不僅局限于上述實(shí)施例，凡屬于本實(shí)用新型思路下的技術(shù)方案均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型原理前提下的若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。