一種太陽能硅片切割工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種太陽能硅片切割工藝，其包括以下步驟：A、將碳化硅與DEG切割液按照重量比1:0.9-1:1.2的范圍加入配置罐內進行攪拌至少三個小時，攪拌持續(xù)要砂漿用完為止：B、將配置好的砂漿加入多線切割機的漿料罐中，利用多線切割機對硅棒進行切割，在切割時利用冷卻水先對砂漿冷卻到18-20℃之間，然后再加入硅棒切割位置；C、將切割好的硅片利用清潔水進行預清洗；D、將預清洗后的硅片放入到清洗機中進行再次清洗，清洗時添加清洗劑去除DEG切割液殘留和其他雜質；E、對硅片進行檢測后包裝。該切割工藝利用DEG切割液與碳化硅混合成砂漿進行切片，無需對碳化硅進行烘烤，避免抱團現(xiàn)象，同時便于清洗，減少清潔水和化學清洗液的用量。
【專利說明】-種太陽能硅片切割工藝

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種切割工藝，特別是指一種太陽能硅片切割工藝。

【背景技術】
[0002] 太陽能硅片的切割一般都是利用硅棒在多線切割機切割成硅片，在切割的過程中 都要用到切割用砂漿，而目前一般都是采用PEG切割液與碳化硅微粉混合而成，然在混合 之前需要對碳化硅微粉在烘箱內烘干去除水分才可使用；且在混合時依舊會受到環(huán)境中濕 度的影響，濕度過高時攪拌的砂漿中的碳化硅容易抱團，造成切割良率下降。另外，切割完 成后的硅片的清洗需要消耗大量的水和化學清洗液才能去除PEG切割液和其他雜質，造成 原料的浪費。另外PEG切割液的價格比較昂貴。


【發(fā)明內容】

[0003] 本發(fā)明所要解決的技術問題是：提供一種太陽能硅片切割工藝，該切割工藝利用 DEG切割液與碳化硅混合成砂漿加入到多線切割機中進行切片，無需對碳化硅進行烘烤，避 免抱團現(xiàn)象，同時便于清洗，減少清潔水和化學清洗液的用量。
[0004] 為解決上述技術問題，本發(fā)明的技術方案是：一種太陽能硅片切割工藝，其包括以 下步驟：
[0005] A、砂漿的配置：將碳化硅與DEG切割液按照重量比1:0. 9-1:1. 2的范圍加入配置 罐內進行攪拌至少三個小時，攪拌持續(xù)要砂漿用完為止：
[0006] B、將配置好的砂漿加入多線切割機的漿料罐中，利用多線切割機對硅棒進行切 害!]，在切割時利用冷卻水先對砂漿冷卻到18_20°C之間，然后再加入硅棒切割位置；
[0007] C、將切割好的硅片利用清潔水進行預清洗；
[0008] D、將預清洗后的硅片放入到清洗機中進行再次清洗，清洗時添加清洗劑去除DEG 切割液殘留和其他雜質；
[0009] E、對硅片進行檢測后包裝。
[0010] 其中，優(yōu)選的，所述步驟A中碳化娃的粒徑在6. 5_7um。
[0011] 其中，優(yōu)選的，所述步驟B中多線切割機使用的鋼線為llOum或115um或120um。
[0012] 其中，優(yōu)選的，所述步驟C中預清洗所使用的清潔水為自來水。
[0013] 其中，優(yōu)選的，所述清潔劑為K0H或NP-10清潔劑。
[0014] 采用了上述技術方案后，本發(fā)明的效果是：由于采用了 DEG切割液與碳化硅進行 混合成砂漿，而DEG切割液為水性切割液，DEG的吸水性小于PEG，流動性優(yōu)于PEG，那么在 混合攪拌之前中碳化硅無需烘干去除水分，碳化硅依舊不會抱團，避免因抱團造成切割良 率下降的現(xiàn)象發(fā)生。而在切割時冷卻溫度控制在18_20°C之間可以確保砂漿粘附適中，增加 鋼線帶砂能力，提高切割效果。切割完成后的先用清潔水預清洗可以清理硅片上絕大部分 的DEG殘留，DEG為水性切割液，易用清潔水清洗，節(jié)省了清潔水和化學清潔劑。

【具體實施方式】
[0015] 下面通過具體實施例對本發(fā)明作進一步的詳細描述。
[0016] 一種太陽能硅片切割工藝，其包括以下步驟：
[0017] A、砂漿的配置：將碳化硅與DEG切割液按照重量比1:0. 9-1:1. 2的范圍加入配置 罐內進行攪拌至少三個小時，攪拌持續(xù)要砂漿用完為止：一般優(yōu)選的碳化硅與DEG切割液 的重量比為，碳化硅的粒徑在6. 5-7um，攪拌三個小時候才可以用于切割，DEG切割液與碳 化硅在配置罐內充分攪拌，無需預先烘烤碳化硅，節(jié)省了工時，無需烤箱投入，節(jié)省了功耗， 降低成本。DEG (甘二醇）切割液是一種水性切割液，流動性好于PEG，吸水性小于PEG，在 25°C時，DEG的粘度為24. 5Pa. s，而PEG的粘度為38Pa. s。
[0018] B、將配置好的砂漿加入多線切割機的漿料罐中，利用多線切割機對硅棒進行切 害I]，在切割時利用冷卻水對硅棒切割位置進行冷卻，冷卻溫度在18-20°c之間，一般溫度在 19°C時最優(yōu)，而DEG切割液溫度下降其粘度會上升，因此，利用該特性，使切割溫度在19°C 時，DEG粘度增加切割帶砂能力與目前普通P EG切割時的帶砂能力接近，彌補了因粘度較 低而帶來的切割力下降的影響。多線切割機使用的鋼線為llOum或115um或120um。可根 據切割硅片的厚度來進行選擇。
[0019] C、將切割好的硅片利用清潔水進行預清洗；所使用的清潔水一般采用自來水即 可，清潔水的預清洗可沖洗硅片上的大部分可見雜質和DEG切割液，由于DEG切割液是水性 切割液，因此便于清潔，用水量減少。
[0020] D、將預清洗后的硅片放入到清洗機中進行再次清洗，清洗時添加清洗劑去除DEG 切割液殘留和其他雜質；所述清潔劑為K0H或NP-10清潔劑。此步驟主要目的是清洗一些 不可見雜質，例如各種離子雜質，還有少量殘留的DEG切割液，硅粉和碳化硅顆粒。
[0021] E、對硅片進行檢測后包裝。此步驟中，檢測一般是檢查切割后的硅片的質量，并對 其質量好壞劃分等級。并按照等級分類包裝，分開銷售。
[0022] 1.另附具使用目前常用的使用PEG切割液進行切割和使用DEG切割液進行切割的 各指標的對比數(shù)據：
[0023] 項目 規(guī)格 棒長 連續(xù)切割3力良率 功耗（KW) 碳化硅1500# 88. 5Κ(Γ 97% (砂漿第一刀）^8. 2 (砂漿第一刀） 切割液^PEG 94. 8KG~ 820腿 96% (砂漿第二刀）^8. 8 (砂漿第二刀） 鋼線 115 320?Π _| 94% (砂漿第三刀）| 59.2 (砂漿第三刀）
[0024] 項g 規(guī)格 用量 棒長 連續(xù)切割3刀良率 功耗KW 碳化硅1500# 88.5Κ(Γ 96% (砂漿第一刀） 48 (砂漿第一刀） 切割液 DEG 94. 8KG 820mm 94% (砂漿第二刀) 49. 6 (砂漿第二刀)~ 鋼線 115 320Ι〇Γ|_| 95% (砂漿第三刀）| 52. 8 (砂漿第三刀）
[0025] 2. PEG切割液的機床平均功耗為58. 7KW/小時
[0026] 3. DEG切割液的機床每小時功耗為50. 1KW/小時，每切割一刀平均節(jié)約功耗86KW， 切割3刀的綜合良率為95 %左右，基本接近
【權利要求】
1. 一種太陽能硅片切割工藝，其包括以下步驟： A、 砂漿的配置：將碳化硅與DEG切割液按照重量比1:0. 9-1:1.2的范圍加入配置罐內 進行攪拌至少三個小時，攪拌持續(xù)要砂漿用完為止： B、 將配置好的砂漿加入多線切割機的漿料罐中，利用多線切割機對硅棒進行切割，在 切割時利用冷卻水先對砂漿冷卻到18_20°C之間，然后再加入硅棒切割位置； C、 將切割好的硅片利用清潔水進行預清洗； D、 將預清洗后的硅片放入到清洗機中進行再次清洗，清洗時添加清洗劑去除DEG切割 液殘留和其他雜質； E、 對硅片進行檢測后包裝。
2. 如權利要求1所述的一種太陽能硅片切割工藝，其特征在于：所述步驟A中碳化硅 的粒徑在6. 5-7um。
3. 如權利要求2所述的一種太陽能硅片切割工藝，其特征在于：所述步驟B中多線切 割機使用的鋼線為ll〇um或115um或120um。
4. 如權利要求2所述的一種太陽能硅片切割工藝，其特征在于：所述步驟C中預清洗 所使用的清潔水為自來水。
5. 如權利要求4所述的一種太陽能硅片切割工藝，其特征在于：所述清潔劑為K0H或 NP-10清潔劑。
【文檔編號】B28D7/00GK104118069SQ201410358445
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2014年7月25日 優(yōu)先權日:2014年7月25日
【發(fā)明者】張力峰 申請人:蘇州晶櫻光電科技有限公司