一種高效多晶硅鑄錠切方裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種高效多晶硅鑄錠切方裝置，包括上部平放有兩個待切割多晶硅鑄錠的晶托，所述晶托呈水平向布設(shè)；兩個所述待切割多晶硅鑄錠的結(jié)構(gòu)和尺寸均相同，兩個所述待切割多晶硅鑄錠分別為下多晶硅鑄錠和位于下多晶硅鑄錠正上方的上多晶硅鑄錠；所述晶托與下多晶硅鑄錠之間以及所述下多晶硅鑄錠與上多晶硅鑄錠之間均墊裝有一層緩沖層；兩個所述待切割多晶硅鑄錠的四周外側(cè)均設(shè)置有對多晶硅鑄錠切割用砂漿進(jìn)行聚攏的圍板，所述圍板布設(shè)在晶托上。本實用新型結(jié)構(gòu)簡單、設(shè)計合理且使用操作簡便、使用效果好，能有效提高多晶硅鑄錠的切方效率。
【專利說明】—種高效多晶硅鑄錠切方裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于多晶硅鑄錠切方【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其是涉及一種高效多晶硅鑄錠切方裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]光伏發(fā)電是當(dāng)前最重要的清潔能源之一，具有極大的發(fā)展?jié)摿?。制約光伏行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵因素，一方面是光電轉(zhuǎn)化效率低，另一方面是成本偏高。光伏硅片是生產(chǎn)太陽能電池和組件的基本材料，用于生產(chǎn)光伏硅片的多晶硅純度必須在6Ν級以上(B卩非硅雜質(zhì)總含量在Ippm以下)，否則光伏電池的性能將受到很大的負(fù)面影響。近年來，隨著光伏發(fā)電技術(shù)的發(fā)展，光伏產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)成本逐漸下降，轉(zhuǎn)換效率逐步提高。實際生產(chǎn)過程中，多晶硅是目前光伏產(chǎn)業(yè)中最重要的材料，產(chǎn)業(yè)鏈涉及到太陽能級多晶硅制備、鑄錠、切方、切片、電池片、組件等。其中，切方過程是將大方錠通過多線切割技術(shù)切成小方錠，目前成熟的切方設(shè)備均是單錠單切，加工周期較長，切方需4小時~6小時且換線需I小時。因而，如能縮短切方周期，就可加快產(chǎn)品周轉(zhuǎn)減少資金占用，提升生產(chǎn)單位的產(chǎn)能。
實用新型內(nèi)容
[0003]本實用新型所要解決的技術(shù)問題在于針對上述現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種高效多晶硅鑄錠切方裝置，其結(jié)構(gòu)簡單、設(shè)計合理且使用操作簡便、使用效果好，能有效提高多晶硅鑄錠的切方效率。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本實用新型采用的技術(shù)方案是:一種高效多晶硅鑄錠切方裝置，其特征在于:包括上部平放有兩個待切割多晶硅鑄錠的晶托，所述晶托呈水平向布設(shè)；兩個所述待切割多晶硅鑄錠的結(jié)構(gòu)和尺寸均相同，兩個所述待切割多晶硅鑄錠分別為下多晶娃鑄淀和位于下多晶娃鑄淀正上方的上多晶娃鑄淀；所述晶托與下多晶娃鑄淀之間以及所述下多晶硅鑄錠與上多晶硅鑄錠之間均墊裝有一層緩沖層；兩個所述待切割多晶硅鑄錠的四周外側(cè)均設(shè)置有對多晶硅鑄錠切割用砂漿進(jìn)行聚攏的圍板，所述圍板布設(shè)在晶托上。
[0005]上述一種高效多晶硅鑄錠切方裝置，其特征是:所述緩沖層為發(fā)泡緩沖層。
[0006]上述一種高效多晶硅鑄錠切方裝置，其特征是:兩個所述待切割多晶硅鑄錠的總高度不超過650mm。
[0007]上述一種高效多晶硅鑄錠切方裝置，其特征是:兩個所述待切割多晶硅鑄錠的形狀均為立方體。
[0008]上述一種高效多晶硅鑄錠切方裝置，其特征是:所述圍板由四個呈豎直向布設(shè)的擋板拼裝而成，四個所述擋板均為方形平板且其均支立在晶托上。
[0009]本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點:
[0010]1、結(jié)構(gòu)簡單、設(shè)計合理且投入成本較低。
[0011]2、使用操作簡便，只需將兩個待切割多晶硅鑄錠放置于晶托上且在晶托與下多晶硅鑄錠之間以及下多晶硅鑄錠與上多晶硅鑄錠之間均墊裝一層緩沖層后，采用多晶硅切割機進(jìn)行切割即可。
[0012]3、使用效果好且實用價值高，采用本實用新型對兩個待切割多晶硅鑄錠進(jìn)行切割的時間為5?6小時，因而能有效提聞多晶娃鑄淀的切方效率，縮短換線周期，多晶娃鑄淀切方的單位產(chǎn)量可提升80%，并且便于批量生產(chǎn)。
[0013]綜上所述，本實用新型結(jié)構(gòu)簡單、設(shè)計合理且使用操作簡便、使用效果好，能有效提高多晶硅鑄錠的切方效率。
[0014]下面通過附圖和實施例，對本實用新型的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1為本實用新型的使用狀態(tài)參考圖。
[0016]圖2為本實用新型兩個待切割多晶娃鑄淀的布設(shè)位置不意圖。
[0017]附圖標(biāo)記說明:
[0018]I一晶托； 2—下多晶娃鑄淀；3—上多晶娃鑄淀；
[0019]4一緩沖層；5—圍板。
【具體實施方式】
[0020]如圖1、圖2所不，本實用新型包括上部平放有兩個待切割多晶娃鑄淀的晶托I，所述晶托I呈水平向布設(shè)。兩個所述待切割多晶硅鑄錠的結(jié)構(gòu)和尺寸均相同，兩個所述待切割多晶娃鑄淀分別為下多晶娃鑄淀2和位于下多晶娃鑄淀2正上方的上多晶娃鑄淀3。所述晶托I與下多晶硅鑄錠2之間以及所述下多晶硅鑄錠2與上多晶硅鑄錠3之間均墊裝有一層緩沖層4。兩個所述待切割多晶硅鑄錠的四周外側(cè)均設(shè)置有對多晶硅鑄錠切割用砂漿進(jìn)行聚攏的圍板5，所述圍板5布設(shè)在晶托I上。
[0021]本實施例中，所述緩沖層4為發(fā)泡緩沖層，如EVA發(fā)泡緩沖層。
[0022]本實施例中，兩個所述待切割多晶硅鑄錠的總高度不超過650_。
[0023]本實施例中，兩個所述待切割多晶硅鑄錠的形狀均為立方體。
[0024]同時，所述圍板5由四個呈豎直向布設(shè)的擋板拼裝而成，四個所述擋板均為方形平板且其均支立在晶托I上。
[0025]實際進(jìn)行切割時，將兩個所述待切割多晶硅鑄錠放置于晶托I上且在晶托I與下多晶硅鑄錠2之間以及所述下多晶硅鑄錠2與上多晶硅鑄錠3之間均墊裝一層緩沖層4后，采用多晶硅切割機進(jìn)行切割即可。本實施料中，所述擋板為玻璃板。
[0026]以上所述，僅是本實用新型的較佳實施例，并非對本實用新型作任何限制，凡是根據(jù)本實用新型技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、變更以及等效結(jié)構(gòu)變化，均仍屬于本實用新型技術(shù)方案的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種高效多晶硅鑄錠切方裝置，其特征在于:包括上部平放有兩個待切割多晶硅鑄錠的晶托(1)，所述晶托(I)呈水平向布設(shè)；兩個所述待切割多晶硅鑄錠的結(jié)構(gòu)和尺寸均相同，兩個所述待切割多晶硅鑄錠分別為下多晶硅鑄錠(2)和位于下多晶硅鑄錠(2)正上方的上多晶娃鑄淀(3);所述晶托(I)與下多晶娃鑄淀(2)之間以及所述下多晶娃鑄淀(2)與上多晶硅鑄錠(3)之間均墊裝有一層緩沖層(4);兩個所述待切割多晶硅鑄錠的四周外側(cè)均設(shè)置有對多晶硅鑄錠切割用砂漿進(jìn)行聚攏的圍板(5)，所述圍板(5)布設(shè)在晶托(I)上。
2.按照權(quán)利要求1所述的一種高效多晶硅鑄錠切方裝置，其特征在于:所述緩沖層(4)為發(fā)泡緩沖層。
3.按照權(quán)利要求1或2所述的一種高效多晶硅鑄錠切方裝置，其特征在于:兩個所述待切割多晶硅鑄錠的總高度不超過650_。
4.按照權(quán)利要求1或2所述的一種高效多晶硅鑄錠切方裝置，其特征在于:兩個所述待切割多晶硅鑄錠的形狀均為立方體。
5.按照權(quán)利要求4所述的一種高效多晶硅鑄錠切方裝置，其特征在于:所述圍板(5)由四個呈豎直向布設(shè)的擋板拼裝而成，四個所述擋板均為方形平板且其均支立在晶托(I)上。
【文檔編號】B28D5/04GK203650718SQ201320882484
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2013年12月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月29日
【發(fā)明者】周建華 申請人:西安華晶電子技術(shù)股份有限公司