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一種降低晶體硅片崩邊的裝置制造方法

文檔序號:1888145閱讀:231來源:國知局
一種降低晶體硅片崩邊的裝置制造方法
【專利摘要】一種降低晶體硅片崩邊的裝置,包括硅塊、晶托,所述硅塊下表面與切割線網(wǎng)長垂直的方向平行的粘接兩根導向條,所述硅塊上表面設有玻璃板,玻璃板上表面設有金屬墊條,金屬墊條上設有晶托,所述晶托與金屬墊條之間靠往放線輪一側設有金屬墊片。解決了多晶硅片切片倒角崩邊異常的問題。具有結構簡單、效果好的特點,提高了硅片成品率。
【專利說明】一種降低晶體硅片崩邊的裝置
【技術領域】
[0001 ] 本實用新型涉及一種降低晶體硅片崩邊的裝置。
技術背景
[0002]多晶硅片、單晶硅片是太陽能光伏電池的基礎材料。其經(jīng)過鑄錠或拉制單晶棒,然后經(jīng)多線切割機切割成硅片,用于電池制造。切割加工技術是硅片生產(chǎn)的重要環(huán)節(jié),是硅片加工中技術含量高、生產(chǎn)成本高的工藝環(huán)節(jié)。在硅片切割加工過程中,容易發(fā)生硅片崩邊問題,影響產(chǎn)品質量與成本。
實用新型內容
[0003]本實用新型其目的就在于提供一種降低晶體硅片崩邊的裝置,解決了多晶硅片切片倒角崩邊異常的問題。具有結構簡單、效果好的特點,提高了硅片成品率。
[0004]實現(xiàn)上述目的而采取的技術方案,包括硅塊、晶托,所述硅塊下表面與切割線網(wǎng)長垂直的方向平行的粘接兩根導向條,所述硅塊上表面設有玻璃板,玻璃板上表面設有金屬墊條,金屬墊條上設有晶托,所述晶托與金屬墊條之間靠往放線輪一側設有金屬墊片。
[0005]有益效果
[0006]與現(xiàn)有技術相比本實用新型具有以下優(yōu)點。
[0007]通過在晶托與金屬墊條之間靠往放線輪(MB) —側墊一個金屬墊片(厚度:0.5mm-1MM),硅塊進線口與出線口形成一個I °的夾角度,造成晶棒進線口高出線口低的效果,在導輪帶動鋼線承載著砂漿進行切割,當鋼線割到硅塊、膠層、玻璃板三者交接處(即出刀口)時線弓會形成進線口切割淺,而出線切割深,目的減少鋼線在出刀與硅塊的受力面積,從而可以減小鋼線損在切割時的磨損,從而起到增強鋼線帶砂能力,減小鋼線與硅片的磨擦,最終解決倒角崩邊異常。具有結構簡單、效果好的特點,提高了硅片成品率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]下面結合附圖對本實用新型作進一步詳述。
[0009]圖1為本裝置結構示意圖。
【具體實施方式】
[0010]本裝置包括硅塊5、晶托2,如圖1所示,所述硅塊5下表面與切割線網(wǎng)長垂直的方向平行的粘接兩根導向條6,所述娃塊5上表面設有玻璃板3,玻璃板3上表面設有金屬墊條4,金屬墊條4上設有晶托2,所述晶托2與金屬墊條4之間靠往放線輪一側設有金屬墊片I。
[0011]實施例,包括金屬墊片I (0.5mm_l mm)、晶托2、玻璃板3、金屬墊條4、娃塊5、導向條6 ;其中金屬墊條4下表面與玻璃板3 —面通過膠水相結合在一起,玻璃板3下表面與硅塊5通過膠水相結合在一起,在硅塊5的下表面與切割線網(wǎng)長垂直的方向平行的粘接兩根導向條6,在晶托2與金屬墊條4之間靠往放線輪(MB)—側墊一個金屬墊片I (厚度:
0.5mm-1MM),硅塊進線口與出線口形成一個1°的夾角度,造成晶棒進線口高出線口低的效果,在導輪帶動鋼線承載著砂漿進行切割,當鋼線割到硅塊、膠層、玻璃板三者交接處(即出刀口)時線弓會形成進線口切割淺,而出線切割深,目的減少鋼線在出刀與硅塊的受力面積,從而可以減小鋼線在切割時的磨損,起到增強鋼線帶砂能力,減小鋼線與硅片的磨擦,最終解決倒角崩邊異常。
【權利要求】
1.一種降低晶體硅片崩邊的裝置,包括硅塊(5)、晶托(2),其特征在于,所述硅塊(5)下表面與切割線網(wǎng)長垂直的方向平行的粘接兩根導向條(6),所述硅塊(5)上表面設有玻璃板(3),玻璃板(3)上表面設有金屬墊條(4),金屬墊條(4)上設有晶托(2),所述晶托(2)與金屬墊條(4)之間靠往放線輪一側設有金屬墊片(I)。
【文檔編號】B28D7/00GK203401616SQ201320420350
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2013年7月16日 優(yōu)先權日:2013年7月16日
【發(fā)明者】謝勇波, 汪軍, 尚鵬飛, 張文, 黃志強 申請人:江西旭陽雷迪高科技股份有限公司
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