專利名稱：陶瓷基片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種陶瓷基片，特別涉及一種用于對(duì)光電子器件進(jìn)行封裝的陶瓷基片。
背景技術(shù)：
現(xiàn)代微電子技術(shù)發(fā)展異常迅猛，特別是各種光電子器件逐漸在向微型化、大規(guī)模集成化、高效率、高可靠性等方向發(fā)展。但隨著電子系統(tǒng)集成度的提高，其功率密度隨之增加，電子元件及系統(tǒng)整體工作產(chǎn)生熱量上升、系統(tǒng)工作溫度升高會(huì)引起半導(dǎo)體器件性能惡化、器件破壞、分層等，甚至?xí)狗庋b的芯片燒毀，因此有效的電子封裝必須解決電子系統(tǒng)的散熱問(wèn)題。電子封裝所用的基片是一種底座電子元件，主要為電子元器件及其相互聯(lián)線提供機(jī)械承載支撐、氣密性保護(hù)并可作為熱沉過(guò)渡片給芯片散熱。陶瓷基片具有耐高溫、電絕緣性能高、介電常數(shù)和介質(zhì)損耗低、熱導(dǎo)率大、化學(xué)穩(wěn)定性好、與元件的熱膨脹系數(shù)相近等優(yōu)點(diǎn)，并可對(duì)光電子器件起到較強(qiáng)的保護(hù)作用，因而在航空、航天和軍事工程等領(lǐng)域都得到了非常廣泛的應(yīng)用。目前的陶瓷基片基本都是方形的，這種陶瓷基片用在光電子器件中時(shí)，陶瓷基片會(huì)將光電子器件發(fā)出的光沿原路反射回去，這樣就會(huì)影響到光電子器件的使用。目前為了避免這種情況出現(xiàn)，通常會(huì)在陶瓷基片的下方安裝一個(gè)傾斜的基座使陶瓷基片傾斜，這樣就可避免光電子器件發(fā)出的光沿原路反射回去，從而保證光電子器件可以正常工作。但采用這種封裝方式，每次都需要加裝傾斜的基座，使得封裝工藝變得復(fù)雜，而且加裝基座后對(duì)芯片散熱也會(huì)造成一定的影響，進(jìn)而有可能會(huì)影響到芯片的質(zhì)量。
實(shí)用新型內(nèi)容針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種可避免將光電子器件發(fā)出的光沿原路反射回去的陶瓷基片。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案一種陶瓷基片，所述陶瓷基片上具有至少一個(gè)斜面。優(yōu)選的，所述陶瓷基片的橫截面為梯形。優(yōu)選的，所述陶瓷基片的一個(gè)斜面上鍍有可形成導(dǎo)電電路的金屬層。 優(yōu)選的，所述金屬層由內(nèi)向外依次包括鈦鎢合金層和黃金層。優(yōu)選的，所述金屬層由內(nèi)向外依次包括鈦金屬層、鉬金層和黃金層。優(yōu)選的，所述斜面傾斜的角度為30°至60°。優(yōu)選的，所述斜面傾斜的角度為45°至55°。優(yōu)選的，所述陶瓷基片為Al2O3陶瓷基片或AlN陶瓷基片。優(yōu)選的，所述Al2O3陶瓷基片中Al2O3含量為85% -99. 5%。優(yōu)選的，所述Al2O3陶瓷基片中Al2O3含量為99%。上述技術(shù)方案具有如下有益效果該陶瓷基片在使用時(shí)，使陶瓷基片的一個(gè)斜面與光電器件相對(duì)，這樣光電器件發(fā)出的光經(jīng)過(guò)陶瓷基片反射后不會(huì)被從原路返回，從而可保證光電器件的正常工作。采用這種陶瓷基片進(jìn)行芯片封裝時(shí)無(wú)需再設(shè)置傾斜的基座，簡(jiǎn)化了芯片封裝的步驟，而且采用這種陶瓷基片封裝芯片更有利于芯片的散熱，保證芯片持續(xù)正常的工作。上述說(shuō)明僅是本實(shí)用新型技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本實(shí)用新型的技術(shù)手段，并可依照說(shuō)明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如后。本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。
圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例金屬層的一種結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例金屬層的另一種結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。本實(shí)用新型陶瓷基片應(yīng)根據(jù)需要應(yīng)至少設(shè)置一個(gè)。如圖1所示，該陶瓷基片1的兩個(gè)側(cè)面2、3均為斜面，側(cè)面2、3傾斜的角度范圍為30°至60°，優(yōu)選的范圍為45°至
。斜面在這個(gè)角度范圍內(nèi)傾斜即可方便加工又可放便芯片封裝過(guò)程中陶瓷基片的安裝。陶瓷基片1可采用Al2O3陶瓷基片或AlN陶瓷基片。采用Al2O3陶瓷基片時(shí)Al2O3含量應(yīng)為85 % -99. 5 %，優(yōu)選的，Al2O3含量為99 %。陶瓷基片中Al2O3含量的越高，散熱性越好。該陶瓷基片在使用時(shí)，使陶瓷基片1的一個(gè)斜面與光電器件相對(duì)，這樣光電器件發(fā)出的光經(jīng)過(guò)陶瓷基片反射后不會(huì)被從原路返回，從而可保證光電器件的正常工作。采用這種陶瓷基片進(jìn)行芯片封裝時(shí)無(wú)需再設(shè)置傾斜的基座，簡(jiǎn)化了芯片封裝的步驟，而且采用這種陶瓷基片封裝芯片有利于芯片的散熱，保證芯片持續(xù)正常的工作。為了方便芯片封裝過(guò)程中半導(dǎo)體裸芯片與外接管腳的連接，通常需要在陶瓷基片上設(shè)置導(dǎo)電電路，導(dǎo)電電路通過(guò)鍵合金絲與半導(dǎo)體裸芯片連接，目前常用的方法是設(shè)置一專門的過(guò)渡片來(lái)設(shè)置上述導(dǎo)電電路，然后使該過(guò)渡片與陶瓷基片連接起來(lái)，這樣也會(huì)使封裝工藝變得復(fù)雜。而本實(shí)用新型陶瓷基片可直接在其一個(gè)斜面上鍍可形成導(dǎo)電電路的金屬層，該金屬層可以如圖2所示，由內(nèi)向外可以依次包括鈦鎢合金層4和黃金層5，也可如圖3所示，由內(nèi)向外可以依次包括鈦金屬層6、鉬金層7和黃金層8。設(shè)置鈦金屬層6、鉬金層7或鈦鎢合金層4的目的是為了使黃金層8可以更加牢固的鍍?cè)谔沾苫?上，黃金層8主要起導(dǎo)電作用。這樣采用這種結(jié)構(gòu)的陶瓷基片無(wú)需再設(shè)置專門設(shè)有導(dǎo)電電路的過(guò)渡片，從而也可有效簡(jiǎn)化芯片的封裝工藝，而且更加有利于芯片的散熱，保證芯片封裝的質(zhì)量。以上對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的一種陶瓷基片進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制，凡依本實(shí)用新型設(shè)計(jì)思想所做的任何改變都在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種陶瓷基片，其特征在于所述陶瓷基片上具有至少一個(gè)斜面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷基片，其特征在于所述陶瓷基片的橫截面為梯形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷基片，其特征在于所述陶瓷基片的一個(gè)斜面上鍍有可形成導(dǎo)電電路的金屬層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陶瓷基片，其特征在于所述金屬層由內(nèi)向外依次包括鈦鎢合金層和黃金層。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陶瓷基片，其特征在于所述金屬層由內(nèi)向外依次包括鈦金屬層、鉬金層和黃金層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷基片，其特征在于所述斜面傾斜的角度為30°至 60°。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陶瓷基片，其特征在于所述斜面傾斜的角度為45°至 55°。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷基片，其特征在于所述陶瓷基片為Al2O3陶瓷基片或 AlN陶瓷基片。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種陶瓷基片，所述陶瓷基片上具有至少一個(gè)斜面。該陶瓷基片在使用時(shí)，使陶瓷基片的一個(gè)斜面與光電器件相對(duì)，這樣光電器件發(fā)出的光經(jīng)過(guò)陶瓷基片反射后不會(huì)被從原路返回，從而可保證光電器件的正常工作。采用這種陶瓷基片進(jìn)行芯片封裝時(shí)無(wú)需再設(shè)置傾斜的基座，簡(jiǎn)化了芯片封裝的步驟，而且采用這種陶瓷基片封裝芯片更有利于芯片的散熱，保證芯片持續(xù)正常的工作。
文檔編號(hào)C04B41/88GK202217656SQ201120096500
公開(kāi)日2012年5月9日 申請(qǐng)日期2011年4月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月6日
發(fā)明者王紅 申請(qǐng)人:蘇州文迪光電科技有限公司