專(zhuān)利名稱(chēng)：可有效控制切片質(zhì)量的切片設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種可有效控制切片質(zhì)量的切片設(shè)備。
背景技術(shù)：
目前對(duì)單多晶晶塊切片的主要方法有兩種一是利用結(jié)構(gòu)鋼線(xiàn)高速運(yùn)行帶動(dòng)懸浮在PEG中的金剛砂磨削單多晶晶塊實(shí)現(xiàn)切片；二是直接利用表面鑲嵌或涂覆有類(lèi)金剛砂的高硬度物質(zhì)的金剛線(xiàn)高速運(yùn)動(dòng)磨削單多晶晶塊實(shí)現(xiàn)切片。目前第一種方法由于其工藝穩(wěn)定，綜合成本具有較明顯優(yōu)勢(shì)，國(guó)內(nèi)批量生產(chǎn)均采用該切片方法。相比第二種方法，第一種切片工藝需要用到金剛砂和懸浮液(聚己二醇-PEG200)，眾所周知PEG200為親水性物質(zhì)，易溶于水，在采用第一種方法切片過(guò)程中，PEG200將持續(xù)吸收環(huán)境中的水氣，導(dǎo)致砂漿 (PEG200和砂子的混合體)中水分的重量比持續(xù)上升，高時(shí)達(dá)到5%，這將使得砂漿中PEG 的懸浮能力及金剛砂在PEG中的分散性變差，金剛砂易發(fā)生沉淀及抱團(tuán)等現(xiàn)象，砂漿的質(zhì)量和切割能力減弱，從而增加了切片過(guò)程中隱裂片、厚薄片、線(xiàn)痕片、缺角片和碎片的比例， 導(dǎo)致切片良率的降低，嚴(yán)重影響了切片效益。目前國(guó)內(nèi)外關(guān)于單多晶晶塊切片過(guò)程中砂漿中水分比例對(duì)砂漿質(zhì)量及砂漿切片能力的影響尚無(wú)詳細(xì)的研究報(bào)道，更加沒(méi)有積極有效的方法能夠降低砂漿中水分含量，從而降低砂漿中水分含量對(duì)砂漿切割能力的影響，進(jìn)而減少單多晶晶塊切片中隱裂片、厚薄片、線(xiàn)痕片、缺角片和碎片比例。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提高一種可有效控制切片質(zhì)量的切片設(shè)備，減少了切片過(guò)程中隱裂片、厚薄片、線(xiàn)痕片、缺角片和碎片的比例。本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的方案是一種可有效控制切片質(zhì)量的切片設(shè)備， 在切片設(shè)備中設(shè)置吸水裝置吸收砂漿中的水分，吸水裝置安裝在切片設(shè)備內(nèi)砂漿循環(huán)及過(guò)濾系統(tǒng)中，和/或安裝在切片設(shè)備外砂漿循環(huán)及過(guò)濾系統(tǒng)中。吸水裝置通過(guò)干燥劑吸收砂漿中的水分。吸水裝置的外圍為不銹鋼網(wǎng)或鋁網(wǎng)，銹鋼網(wǎng)或鋁網(wǎng)內(nèi)填充干燥劑。吸水裝置通過(guò)連接管安裝在切片設(shè)備內(nèi)砂漿循環(huán)及過(guò)濾系統(tǒng)中，和/或安裝在切片設(shè)備外砂漿循環(huán)及過(guò)濾系統(tǒng)中。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明通過(guò)在砂漿循環(huán)及過(guò)濾系統(tǒng)中添加一套吸水裝置吸收砂漿中的水分，降低了砂漿中水分含量對(duì)PEG的懸浮能力及金剛砂在PEG中分散性的影響，使用吸水裝置后砂漿中水分含量降低致左右，從而減少了切片過(guò)程中隱裂片、厚薄片、線(xiàn)痕片、缺角片和碎片的比例，同時(shí)所切硅片的TTV、線(xiàn)痕有明顯降低，硅片質(zhì)量明顯改善，這為硅片在電池端的良率進(jìn)一步提供了保證。


下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明；圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明的吸水裝置的安裝示意圖；圖中，1.切片設(shè)備；2.線(xiàn)切割室；3.切片設(shè)備內(nèi)砂漿循環(huán)及過(guò)濾系統(tǒng)；4.切片設(shè)備外砂漿循環(huán)及過(guò)濾系統(tǒng)；5.吸水裝置；6.連接管。
具體實(shí)施例方式如圖1和2所示，一種可有效控制切片質(zhì)量的切片設(shè)備，切片設(shè)備1內(nèi)具有線(xiàn)切割室2，砂漿在線(xiàn)切割室2、切片設(shè)備內(nèi)砂漿循環(huán)及過(guò)濾系統(tǒng)3，和安裝在切片設(shè)備外砂漿循環(huán)及過(guò)濾系統(tǒng)4中循環(huán)。在切片設(shè)備1中設(shè)置吸水裝置5吸收砂漿中的水分，吸水裝置5安裝在切片設(shè)備內(nèi)砂漿循環(huán)及過(guò)濾系統(tǒng)3中，和/或安裝在切片設(shè)備外砂漿循環(huán)及過(guò)濾系統(tǒng)4 中。吸水裝置5的外圍為不銹鋼網(wǎng)或鋁網(wǎng)，銹鋼網(wǎng)或鋁網(wǎng)內(nèi)填充干燥劑。吸水裝置5通過(guò)干燥劑吸收砂漿中的水分。該干燥劑不和懸浮液發(fā)生反應(yīng)而影響砂漿的質(zhì)量，通常根據(jù)實(shí)際環(huán)境濕度每1-5刀更換吸水裝置5中干燥劑部分。吸水裝置5通過(guò)連接管6安裝在切片設(shè)備內(nèi)砂漿循環(huán)及過(guò)濾系統(tǒng)3中，和/或安裝在切片設(shè)備外砂漿循環(huán)及過(guò)濾系統(tǒng)4中。該可有效控制切片質(zhì)量的切片設(shè)備的切片工藝方法如下(一)、對(duì)多晶錠進(jìn)行開(kāi)方、檢測(cè)、截?cái)?、倒角、磨面等工藝制成成品多晶塊；對(duì)于單晶棒進(jìn)行截?cái)?、檢測(cè)、邊皮截除、截?cái)?、倒角、磨面等工藝制成成品單晶晶塊；( 二)、將成品晶塊及輔料如玻璃板放在鋪有軟膠皮墊裝有適量水的超聲波槽內(nèi)清洗；(三)、將特定設(shè)計(jì)準(zhǔn)備好的晶托鋁板尤其是其粘膠面清洗干凈并涂上特制膠水， 將洗凈干燥特制的玻璃板粘貼于鋁板中央，通過(guò)加壓法保證玻璃與鋁板粘連牢固；(四)、將已配膠水適量均勻涂于玻璃板表面后將成品晶塊粘于玻璃塊表面，保證晶塊與玻璃板邊緣面平行，同時(shí)晶塊長(zhǎng)度不可超過(guò)玻璃板；(五)、經(jīng)過(guò)適當(dāng)?shù)墓袒瘯r(shí)間，把粘有晶塊的晶托安裝于切片機(jī)臺(tái)進(jìn)行切片；(六)、晶塊切片結(jié)束以后下棒，經(jīng)過(guò)清洗、分選、測(cè)試等工序便可包裝成成品。本發(fā)明將通過(guò)實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，但實(shí)施例并不作為對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步限制。本實(shí)施例采用MB-264、MB-271、DJZG及HCT-B-50驗(yàn)證，使用后硅片切片質(zhì)量明顯改善，并且對(duì)于所切硅片使用正常電池工藝，在電池端的良率和效率也有一定的提高。
權(quán)利要求
1.一種可有效控制切片質(zhì)量的切片設(shè)備，其特征是在切片設(shè)備中設(shè)置吸水裝置吸收砂漿中的水分，吸水裝置安裝在切片設(shè)備內(nèi)砂漿循環(huán)及過(guò)濾系統(tǒng)中，和/或安裝在切片設(shè)備外砂漿循環(huán)及過(guò)濾系統(tǒng)中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所示的可有效控制切片質(zhì)量的切片設(shè)備，其特征是所述的吸水裝置通過(guò)干燥劑吸收砂漿中的水分。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所示的可有效控制切片質(zhì)量的切片設(shè)備，其特征是所述的吸水裝置的外圍為不銹鋼網(wǎng)或鋁網(wǎng)，銹鋼網(wǎng)或鋁網(wǎng)內(nèi)填充干燥劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所示的可有效控制切片質(zhì)量的切片設(shè)備，其特征是所述的吸水裝置通過(guò)連接管安裝在切片設(shè)備內(nèi)砂漿循環(huán)及過(guò)濾系統(tǒng)中，和/或安裝在切片設(shè)備外砂漿循環(huán)及過(guò)濾系統(tǒng)中。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種可有效控制切片質(zhì)量的切片設(shè)備，在切片設(shè)備中設(shè)置吸水裝置吸收砂漿中的水分，吸水裝置安裝在切片設(shè)備內(nèi)砂漿循環(huán)及過(guò)濾系統(tǒng)中，和/或安裝在切片設(shè)備外砂漿循環(huán)及過(guò)濾系統(tǒng)中。吸水裝置的外圍為不銹鋼網(wǎng)或鋁網(wǎng)，銹鋼網(wǎng)或鋁網(wǎng)內(nèi)填充干燥劑。吸水裝置通過(guò)干燥劑吸收砂漿中的水分。本發(fā)明通過(guò)吸水裝置吸收砂漿中的水分，降低了砂漿中水分含量對(duì)PEG的懸浮能力及金剛砂在PEG中分散性的影響，使用吸水裝置后砂漿中水分含量降低致1％左右，從而減少了切片過(guò)程中隱裂片、厚薄片、線(xiàn)痕片、缺角片和碎片的比例，同時(shí)所切硅片的TTV、線(xiàn)痕有明顯降低，硅片質(zhì)量明顯改善，這為硅片在電池端的良率進(jìn)一步提供了保證。
文檔編號(hào)B28D5/04GK102335969SQ20111021771
公開(kāi)日2012年2月1日 申請(qǐng)日期2011年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月30日
發(fā)明者吳魯, 賀潔 申請(qǐng)人:常州天合光能有限公司