專利名稱：一種提高燒結(jié)體氧化鎂靶材體積密度的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于精細(xì)化工技術(shù)領(lǐng)域，涉及到提高燒結(jié)體氧化鎂靶材提及密度的技術(shù)， 特別涉及到一種提高PDP用燒結(jié)體靶材提及密度的技術(shù)方法。
背景技術(shù)：
為了提高蒸鍍的生產(chǎn)率，必須逐次向蒸發(fā)源自動(dòng)供給試料。因此，試料不是塊狀的，而是廣泛使用粒狀材料。試料粒子有單晶體、多晶體、燒結(jié)體等。單晶體是將精制的原材料利用電弧放電加熱熔融后，經(jīng)緩慢冷卻得到單晶體的晶塊，再經(jīng)機(jī)械粉碎而成顆粒狀。這種單晶體的優(yōu)點(diǎn)是通常具有99. 9%以上的高純度。且非常致密，幾乎不吸收水等雜質(zhì)分子，但制造成本是個(gè)問題。多晶體多是由原礦石熔融精制而成，制造成本低廉是其特征，但純度較低且機(jī)械性能脆弱等是個(gè)問題。燒結(jié)體是將精制的高純度原粉用模型壓制再進(jìn)行熱處理而成的，其優(yōu)點(diǎn)是純度高，且顆粒形狀具全，但若燒結(jié)密度低則水等的吸附成為問題。由此可見，與單晶體和多晶體相比，若能提高燒結(jié)體的密度，其可成為蒸鍍法制備 PDP保護(hù)膜的最佳試料。添加燒結(jié)劑和控制燒成溫度是提高燒結(jié)體氧化鎂靶材提及密度的一種技術(shù)方法。 PDP用燒結(jié)體氧化鎂靶材在國內(nèi)的研究尚屬空白，國際上也未見報(bào)道。目前使用的方法基本為提高燒結(jié)溫度，延長燒結(jié)時(shí)間。此種方法產(chǎn)率低、能耗大，而且產(chǎn)品質(zhì)量難以控制?？梢娪斜匾芯砍鲞m合規(guī)?；a(chǎn)的高效節(jié)能且便于控制產(chǎn)品質(zhì)量的提高體積密度的技術(shù)方法。針對這些問題，本發(fā)明提出一種提高燒結(jié)體氧化鎂靶材體積密度的技術(shù)方法，添加含有促進(jìn)燒結(jié)作用元素的物質(zhì)和制定特定的燒成制度。這種技術(shù)方法簡單，高效節(jié)能，具有工業(yè)化應(yīng)用價(jià)值。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明的目的是提供一種提高燒結(jié)體氧化鎂靶材體積密度的技術(shù)方法，通過該方法可得到PDP用燒結(jié)體氧化鎂靶材體積密度的方法，從而滿足國內(nèi)外市場的特殊需求。本發(fā)明的技術(shù)方案是，提供一種提高燒結(jié)體氧化鎂靶材體積密度的方法，在整個(gè)工藝的濕法混料階段將含硅的氧化物或有機(jī)物與氧化鎂均勻混合，再在工藝最終的燒結(jié)階段通過特定的燒結(jié)制度，完成提高氧化鎂靶材的體積密度。所述提高燒結(jié)體氧化鎂靶材體積密度的方法，包括以下步驟
步驟A，濕法混料階段將含硅的氧化物、氫氧化物或有機(jī)物作為燒結(jié)劑與高純鎂質(zhì)原料均勻混合。步驟B，燒結(jié)階段將步驟A得到的混料燒結(jié)，燒結(jié)溫度145(T1750°C，恒溫時(shí)間 2 15小時(shí)。其中，所述燒結(jié)劑的含量占總量的0.005 50%，其中，所述燒結(jié)劑折算為SiO2后計(jì)算配比。
其中，所述高純鎂質(zhì)原料為氧化鎂、堿式碳酸鎂、氫氧化鎂或氧化鎂、堿式碳酸鎂、 氫氧化鎂兩種或兩種以上的混合物。其中，所述步驟B的燒結(jié)氛圍為氧化氛圍或大氣氛圍。本發(fā)明的效果和益處是，技術(shù)方法融入在整個(gè)工藝工程中，不用延長工藝過程，無需額外添加設(shè)備，且能大幅度降低燒結(jié)溫度和燒結(jié)時(shí)間。本發(fā)明在制造成本、產(chǎn)品性能等方面都展現(xiàn)出顯著的競爭優(yōu)勢和利潤空間。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。本發(fā)明中的一種提高燒結(jié)體氧化鎂靶材體積密度的技術(shù)方法，其主要內(nèi)容在于所使用的燒結(jié)劑的選用和添加量、燒結(jié)溫度、燒結(jié)時(shí)間和燒結(jié)氣氛。本發(fā)明所用原料為高純鎂質(zhì)原料，例如氧化鎂，堿式碳酸鎂、氫氧化鎂等，也可以是它們中的兩種或兩種以上的混合物；所使用燒結(jié)劑為含鈣、釔、硅等的氧化物，氫氧化物或有機(jī)物。本發(fā)明所使用的燒結(jié)劑的含量占總量的0. 005 50%，添加劑需折算為SiO2后計(jì)算配比。本發(fā)明所使用的燒結(jié)制度為燒結(jié)溫度145(T1750°C，恒溫時(shí)間2 15小時(shí)，燒結(jié)氛圍為氧化氛圍也可以是大氣氛圍。實(shí)施例1
以二氧化硅作為燒結(jié)劑為例，取0.66 kg氧化鎂、2 g 二氧化硅，即燒結(jié)劑比例為0.3%; 燒結(jié)溫度為1500°C，恒溫時(shí)間為2小時(shí)，燒結(jié)氛圍為大氣氛圍。經(jīng)過本發(fā)明的實(shí)施，將燒結(jié)體氧化鎂靶材體積密度從原來的2. 82 g/cm3提高到 3. 25 g/cm3 (與相同燒結(jié)制度但無燒結(jié)劑時(shí)相比較)，燒結(jié)成本降低10% (與達(dá)到相同密度時(shí)的能耗相比較)。以上內(nèi)容是結(jié)合優(yōu)選技術(shù)方案對本發(fā)明所做的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定發(fā)明的具體實(shí)施僅限于這些說明。對本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明的構(gòu)思的前提下，還可以做出簡單的推演及替換，都應(yīng)當(dāng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種提高燒結(jié)體氧化鎂靶材體積密度的方法，包括以下步驟步驟A，濕法混料階段將含硅的氧化物、氫氧化物或有機(jī)物作為燒結(jié)劑與高純鎂質(zhì)原料均勻混合；步驟B，燒結(jié)階段將步驟A得到的混料燒結(jié)，燒結(jié)溫度145(T1750°C，恒溫時(shí)間2 15小時(shí)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高燒結(jié)體氧化鎂靶材體積密度的方法，其特征在于，所述燒結(jié)劑的含量占總量的0. 005 50%，其中，所述燒結(jié)劑折算為SW2后計(jì)算配比。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高燒結(jié)體氧化鎂靶材體積密度的方法，其特征在于，所述高純鎂質(zhì)原料為氧化鎂、堿式碳酸鎂、氫氧化鎂或氧化鎂、堿式碳酸鎂、氫氧化鎂兩種或兩種以上的混合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高燒結(jié)體氧化鎂靶材體積密度的方法，其特征在于，所述步驟B的燒結(jié)氛圍為氧化氛圍或大氣氛圍。
全文摘要
本發(fā)明提供一種提高燒結(jié)體氧化鎂靶材體積密度的方法，包括以下步驟步驟A，濕法混料階段將含硅的氧化物、氫氧化物或有機(jī)物作為燒結(jié)劑與高純鎂質(zhì)原料均勻混合；步驟B，燒結(jié)階段將步驟A得到的混料燒結(jié)，燒結(jié)溫度1450~1750℃，恒溫時(shí)間2~15小時(shí)。本發(fā)明將技術(shù)方法融入在整個(gè)工藝工程中，不用延長工藝過程，無需額外添加設(shè)備，且能大幅度降低燒結(jié)溫度和燒結(jié)時(shí)間。本發(fā)明在制造成本、產(chǎn)品性能等方面都展現(xiàn)出顯著的競爭優(yōu)勢和利潤空間。
文檔編號C04B35/622GK102225862SQ20111010150
公開日2011年10月26日 申請日期2011年4月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月22日
發(fā)明者張百平, 林宇, 潘忠藝, 王寧會, 穆卓藝 申請人:遼寧中大超導(dǎo)材料有限公司