專利名稱：致密合成石英玻璃的制造方法、實施該方法的隔焰爐及由此得到的石英玻璃的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于在隔焰爐(Muffelofen)的燃燒室中，利用燃料、化學的氧化 劑以及可蒸發(fā)的氣態(tài)的硅化合物，通過火焰水解(Flammhydrolyse)，制造由合成的石英玻 璃構(gòu)成的致密體的方法，并涉及一種用于此的隔焰爐以及由此得到的石英玻璃本身。
背景技術(shù)：
石英玻璃是一種只由Si02構(gòu)成的透明玻璃。石英玻璃已公知許久，且由于它能使 得紅外至紫外的輻射順暢地透過，即能使得波長為3500nm至160nm的光透過，由于它非常 耐熱交換，以及由于它非常耐化學腐蝕，因而得到了廣泛的應用。作為光學部件的窗口材料 和透鏡材料，石英玻璃起到特殊的作用，所述光學部件在紫外范圍內(nèi)，例如對于激發(fā)激光和 在光刻中是可透過的。對石英玻璃的另一個重要的應用是，它用作光導線纜材料，通過光導 線纜例如能夠傳遞激光，或者也能傳遞消息和信息。但已表明，即使特別純的石英玻璃，通 常會具有2500nm至3000nm的吸收帶，以及具有由所謂的本征缺陷(例如特別是0DC)引起 的光致的熒光，這種熒光的特點是特別是在651nm的波長范圍內(nèi)的吸收。因此已經(jīng)做出了 各種嘗試，以便提高石英玻璃的質(zhì)量。為了使得該問題得到改善，例如對于特別高質(zhì)量的要求，僅制得合成的石英玻璃。 在此，通常在燃燒室中利用爆鳴氣來燃燒氣態(tài)的硅鹵化物，并通過火焰水解轉(zhuǎn)化成Si02，然 后使得Siojt凝成小滴，這些小滴通過熱致發(fā)聲器沉積在目標物上。通過這種方式逐漸地 產(chǎn)生大多數(shù)情況下桿狀和輥狀的合成的石英玻璃體?；鹧嫠獾幕旌衔锿ǔＭㄟ^來自不同噴嘴的氣體的匯流而產(chǎn)生，其中氣態(tài)的硅鹵 化物與載體氣體一起，經(jīng)由中央的噴嘴被引入到隔焰爐的燃燒室中。在該中央的原料噴嘴 周圍，同心地設(shè)置有環(huán)形的燃燒噴嘴和氧化噴嘴，這些噴嘴交替地包圍中央原料噴嘴。通過 這種方式，至少直至目標物和目標物表面，產(chǎn)生一個或多個層流的氣體流，所形成的SiO^J、 滴沉積在所述目標物表面上。通常通過熱致發(fā)聲器使得Si02小滴沉積在目標物表面上。已 經(jīng)做出了各種嘗試，以便改善該方法。例如W0 98/40319記載了一種用于制造由合成的石英玻璃構(gòu)成的預制件的裝置， 其中帶有水平設(shè)置的燃燒室的隔焰爐具有兩個彼此對置的不同大小的開口，其中較大的開 口用于取出預制件，而較小的開口用于插入燃燒噴嘴。在此，隔焰爐內(nèi)室或燃燒室從較小的 開口向較大的開口增大。在此，隔焰爐的總長度為由合成的石英玻璃構(gòu)成的預制件的直徑 的兩倍。在DE-A 42 03 287中記載了一種用于制造合成的石英玻璃的方法以及裝置，其 中借助于光電機構(gòu)使得在增長的石英玻璃體上的Si02沉積面相距燃燒器噴嘴保持恒定的 間隔。在此，射出脈沖式的光束，從而它的軸向光束與沉積面相切。如果光束被生長的且沉 積的石英玻璃中斷，則通過該裝置使得所形成的石英玻璃體遠離燃燒噴嘴被引開，直至脈 沖式的光束又能經(jīng)過沉積面。
W0 2004/065314 A也記載了一種用于制造合成的石英玻璃的方法，其中作為原料 或硅初級物，使用一種混合物，該混合物由含有單個硅原子的單晶硅化合物和含有多個硅 原子的多晶硅化合物構(gòu)成，然而多晶硅化合物在混合物中最多能占硅總含量的70%。JP-A 2006-C16292記載了一種用于制造合成的石英玻璃的燃燒器，其中在中央的 原料噴嘴周圍，且在同心地圍繞設(shè)置的環(huán)形的燃燒器噴嘴周圍，設(shè)置有位于外面的環(huán)形噴 嘴，通過該環(huán)形噴嘴引入具有較小反應性的氣體，該氣體呈外套狀地包圍原料氣體和燃燒 氣體，并使得原料氣體和燃燒氣體受到屏蔽而免遭外部影響。所有這些方法都需要高的燃燒效率，以便使得硅初級物充分水解和沉積。因為已 表明，對于這些方法而言，會引入比重相對高的所謂的“滲入空氣”，其使得燃燒器火焰變 冷，由此不僅產(chǎn)生能量損失，而且硅化合物通過火焰水解只能不充分地轉(zhuǎn)化成Si02。采用現(xiàn) 有技術(shù)的這些方法，所使用的硅化合物中通常有60 75%會沉積在相應的目標物上。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的目的在于，降低能耗，并提高硅氧化物的沉積，進而提高硅氧化物的產(chǎn)量。此外，要提供一種石英玻璃，其具有改善的均勻的徑向折射率分布、高的透射性、 以及較小的特別是在651nm波范圍內(nèi)的光致熒光(LIF)。該目的通過在權(quán)利要求中限定的特征得以實現(xiàn)。因為已發(fā)現(xiàn)，合成的石英玻璃的 產(chǎn)量和質(zhì)量可以通過如下措施得到提高對環(huán)形地包圍中央原料噴嘴的燃燒噴嘴和氧化噴 嘴的噴嘴開口進行調(diào)節(jié)，從而它們具有在第二和第三噴嘴之間的至少為3. 8，特別是至少為 4的間隙比，其中優(yōu)選至少為4. 2，特別是至少為4. 4。最大的比值為5. 6，特別是5. 4，其中 優(yōu)選最大為5.2。特別優(yōu)選的是，比值最大為5.0。在第一和第二噴嘴之間的間隙比至少為 6. 0，優(yōu)選至少為6. 2，其中特別優(yōu)選至少為6. 4。最大值優(yōu)選為8. 2，特別是7. 5，其中特別 優(yōu)選最大為7.0。已表明，調(diào)節(jié)間隙比或噴嘴橫截面積，特別是調(diào)節(jié)SiCl2劑量流和干燥的氧氣劑量 以及燃燒氣體特別是吐和02的體積流的比，能完全消除或者極大地減少產(chǎn)生不希望的紅色 熒光。包圍定量噴嘴的第一氧氣噴嘴的橫截面積優(yōu)選至少為6mm2，特別是6. 8mm2或 7mm2，其中特別優(yōu)選至少為7. 1mm2或7. 2mm2。最大橫截面積為9mm2，特別是8mm2，其中優(yōu)選 最大值為8. 5mm2或8. 3mm2。特別優(yōu)選最大值為8mm2或7. 8mm2。饋入氫氣的第二環(huán)形噴嘴 (第二燃燒噴嘴)的優(yōu)選的橫截面積至少為115mm2，其中優(yōu)選為120mm2。至少為122mm2的 值是特別優(yōu)選的。優(yōu)選的最大值為135，特別是最大為130，其中特別優(yōu)選最大值為128。第 三環(huán)形噴嘴(氧氣噴嘴)的橫截面積的優(yōu)選值至少為35mm2，其中優(yōu)選至少為38mm2或至少 為40mm2。優(yōu)選的最大橫截面積為50mm2，特別是最大為45mm2，其中優(yōu)選最大為43mm2。第 四環(huán)形噴嘴(氧氣燃燒噴嘴)的優(yōu)選的橫截面積至少為150mm2，特別是至少為160mm2，其中 優(yōu)選至少為162mm2。通常的最大橫截面積為180mm2或170mm2，其中特別優(yōu)選為168mm2。根 據(jù)本發(fā)明，已表明，第三氧氣環(huán)形噴嘴與第四氫氣環(huán)形噴嘴的間隙比優(yōu)選至少為4. 6，特別 是至少為4. 7，其中優(yōu)選至少為4. 8。優(yōu)選的最大比值為5. 6，特別是5. 2，其中優(yōu)選最大為 5. 1。
根據(jù)一種優(yōu)選的實施方式，兩個噴嘴的體積流通過混合比MV 內(nèi)部H2-2/(02tr+02-l+02-3/2)MV 實際(H2-2/2+H2-4/2) /02-3來描述，其中tr是中央噴嘴的干燥氧氣。這些混合比能夠在較寬的范圍內(nèi)根據(jù)所 要求的0H含量來變化。該范圍在1. 7 2. 5之間，優(yōu)選該范圍在1. 9 2. 3之間。但氫氣的體積流也決定了燃燒器的總效率，不能任意下降。因此，針對H2-2所使 用的體積流在130-90slm(標準升每分鐘)的范圍內(nèi)，優(yōu)選在120-105slm的范圍內(nèi)，針對 02-3所使用的體積流在70-35slm(標準升每分鐘)的范圍內(nèi)，優(yōu)選在65-40slm的范圍內(nèi)。優(yōu)選地，無論氧化劑還是燃燒氣體都以不同于中央的原料劑量的排出速度引入到 燃燒室中。根據(jù)一種優(yōu)選的實施方式，兩個內(nèi)部的燃燒氣體噴嘴和氧化劑噴嘴被其它交替的 燃燒氣體噴嘴和氧化氣體噴嘴包圍。在此，通常在位于內(nèi)部的環(huán)形噴嘴和位于外部的環(huán)形 噴嘴之間進行區(qū)分，其中四個位于內(nèi)部的燃燒氣體噴嘴和氧化氣體噴嘴稱為內(nèi)部噴嘴區(qū) 域，其它位于外部的噴嘴稱為外部噴嘴區(qū)域。根據(jù)一種優(yōu)選的實施方式，外部區(qū)域包括至少 兩個、特別是至少四個或五個噴嘴。原則上，噴嘴的最大數(shù)量不受限制，但已表明，外部噴嘴 最多有七個特別是六個就完全足夠了。外部噴嘴的最大數(shù)量優(yōu)選為五個，特別是四個。根據(jù)另一優(yōu)選的實施方式，這些外部噴嘴被位于外部更遠處的噴嘴包圍，該噴嘴 引入惰性的或者對反應不太友好的圍繞反應氣體的包絡氣體。因為滲入空氣不能完全避免，根據(jù)另一優(yōu)選的實施方式，事先對即使在該系統(tǒng)中 也被帶入的滲入空氣進行加熱。在此已表明有益的是，溫度至少為90°C，特別是至少為 100°C，其中優(yōu)選至少為120°C或140°C。特別優(yōu)選溫度至少為150°C。最高溫度最好為300°C 或280°C，其中優(yōu)選最高為260°C或250°C。優(yōu)選也對位于外部的全部滲入空氣或包絡空氣 進行加熱。已發(fā)現(xiàn)，與前述規(guī)定的措施無關(guān)，本發(fā)明的目的也可以采用如下措施來實現(xiàn)使得 燃燒室或其隔焰爐外包部分(Muffelumhausung)延長，更確切地說，延長圍擋或突出于目 標物上的或已經(jīng)形成的石英玻璃體上的沉積面，突出的尖端部分至少為200mm，特別是至少 為220mm，優(yōu)選至少為240mm。特別優(yōu)選的是，隔焰爐圍擋(Muffeleinhausung)超出沉積面 延伸至少250mm，特別是至少260mm。根據(jù)一種附加的優(yōu)選的實施方式，隔焰爐的下部比上部長，更確切地說，至少長 1. 1倍，優(yōu)選至少長1. 5倍，其中特別優(yōu)選至少長1. 2倍。由此形成所謂的“半開放式燃燒
室系統(tǒng)”。此外已表明有益的是，用向內(nèi)的半環(huán)形的擋欄或擋壁遮擋隔焰爐圍擋的端部或下 部邊緣。遮擋機構(gòu)與石英玻璃輥的直徑的比應至少為1 1. 1 ；優(yōu)選為1 1. 2士0. 5，最大 為 1 1. 8。已表明有益的是，燃燒過的帶有未沉積的Si02顆?；騍i02小滴的廢氣，以及滲入 空氣，都通過抽吸被去除。優(yōu)選在Si02小滴已經(jīng)目標明確地沉積在生長的石英玻璃體上之 后進行抽吸。通常在隔焰爐圍擋終止處開始抽吸，也就是說，該抽吸部位設(shè)置在石英玻璃體 目標物上的沉積前邊或沉積前面之后至少200mm處。這意味著，通常在用過的氣體流離開 隔焰爐圍擋時進行抽吸。根據(jù)另一優(yōu)選的實施方式，氣體流從離開燃燒器噴嘴直至抽吸所
6經(jīng)過的路程的至少90%被圍擋。特別優(yōu)選的是，所述路程的至少95%，特別是至少98%被 圍擋。抽吸本身主要通過熱對流來進行。但根據(jù)一種有益的實施方式，抽吸通過略低的 低壓的產(chǎn)生來進行，該低壓為至少2mbar、特別是至少3mbar，其中該低壓優(yōu)選至少為4mbar 或5mbar。最大的低壓值最好為250mbar，其中已表明有益的是，最大低壓值為200mbar，特 別是150mbar。在很多情況下，最大低壓值為lOOmbar或80mbar、70mbar、特別是50mbar就 足夠了。另外已表明有益的是，隔焰爐圍擋的內(nèi)直徑如下選擇，即最寬區(qū)域的直徑與所產(chǎn) 生的石英坯料的直徑的比至少為1 1.2，特別是至少為1 1.3，其中優(yōu)選該比值至少為 1 1.5或1 1.7。有益的最大的比值為1 2. 8，特別是1 2. 5，其中特別優(yōu)選最大比 值為1 2.4或1 2.3。在本發(fā)明的方法中，石英坯料與隔焰爐的或燃燒室的內(nèi)直徑的最 佳比值為1 2士0.1。為了產(chǎn)生盡可能層流的流，已表明有益的是，隔焰爐的橫截面積如下 選擇隔焰爐向后呈弧形變寬?；⌒巫儗挷糠挚梢允菆A形、橢圓形，或者也可以是拋物線形。根據(jù)本發(fā)明，可以使用所有已知的硅化合物。但特別是硅鹵化物是優(yōu)選的硅化合 物，其中硅氯化合物是特別優(yōu)選的。更特別優(yōu)選的是SinCl2n+2，其中“n”通常表示1至5，優(yōu) 選表示1至3。更特別優(yōu)選的是SiCl4。一種優(yōu)選的氧化劑是氧氣，其中也可以使用空氣或 富含氧氣的空氣。作為燃料，可使用所有已知的燃料。然而已表明，氫氣是特別適合的。根據(jù)另一優(yōu)選的實施方式，本發(fā)明的隔焰爐或本發(fā)明的方法具有一種光電裝置， 該光電裝置檢測由于Si02顆粒沉積在目標物的沉積面上而形成的生長，并根據(jù)沉積厚度向 伺服電動機發(fā)送控制信號，該伺服電動機使得輥狀的石英玻璃體從燃燒室移出所生長的厚 度。通常的光電裝置例如是光柵，其在特別優(yōu)選的裝置中受脈沖作用。已表明，采用本發(fā)明的方法能快速地提高熔化效率，也就是說，使用較少的燃料能 產(chǎn)生較高的沉積率。采用本發(fā)明的做法能夠?qū)崿F(xiàn)使得每kg玻璃產(chǎn)品的能耗從目前的每kg 石英玻璃需要80m3減少到60m3以下、特別是50m3以下的值。在本發(fā)明的做法中，反應性的硅化合物與載體氣體、通常是氧氣，優(yōu)選一起引入到 中央的原料噴嘴中。在此，硅鹵化物與干燥載體氧氣的體積流比通常至少為1 12，特別是 至少為1 14，其中特別優(yōu)選該比值至少為1 15，特別是至少為1 16。已表明，在此最 好使得比值最大為1 30，特別是最大為1 28，其中特別優(yōu)選最大為1 26，特別是最 大為1 25。在此，在SiCl4蒸汽壓力恒定的情況下，體積流作為標準升每分鐘來規(guī)定，使 用MFC (質(zhì)量流量控制器)來測量。MFC能夠與蒸汽單元的壓力波動無關(guān)地對體積流進行測 量。本發(fā)明的方法既可以水平地實施，也可以豎直地實施，也就是說，石英玻璃柱的軸 或燃燒室的縱軸水平地或豎直地伸展。在此，該方法在豎直地實施時，既可以沿著地球引 力方向，又可以逆著地球引力方向。在水平地實施該方法時，輥或柱的大小通常為90_至 200mm，在豎直地實施該方法時，通常為130mm至250mm。本發(fā)明還涉及一種用于實施該方法的裝置。這種裝置具有前述規(guī)定的間隙比或出 口面積比和/或前述規(guī)定的燃燒室隔焰爐或圍擋的延長部分。根據(jù)本發(fā)明還發(fā)現(xiàn)，采用該方法能制得特別良好的石英玻璃，其徑向折射率分布 PV < 5*10_6，其良好的透射率> 99. 4%，以厘米為基準。此外已表明，特別是在使用波長在300nm或350nm與700nm之間的光進行激發(fā)時，會引發(fā)很少的波范圍為550nm至810nm、特 別是651nm的熒光。優(yōu)選使用激光器進行激發(fā)。本發(fā)明的玻璃的特點特別是，大小為430 和650的光致熒光峰值的非常有利的比。該比值優(yōu)選為1 1.3，優(yōu)選最大為1 1.25，其 中特別優(yōu)選最大為1 1.2。該比值通常小于1 1.18，特別是小于1 1.17。已表明，利用本發(fā)明的措施，更確切地說，既利用隔焰爐的改變的結(jié)構(gòu)，和/或特 別是利用對中央環(huán)形噴嘴的間隙比或體積比的調(diào)節(jié)，特別是能減少紅色熒光的產(chǎn)生。


本發(fā)明將借助附圖和實例來詳細說明。圖中示出圖1示出環(huán)形的燃燒器噴嘴的結(jié)構(gòu)；圖2為本發(fā)明的加長的隔焰爐的視圖；圖3為采用本發(fā)明的方法得到的石英玻璃輥的橫剖視圖；圖4示出，由于根據(jù)本發(fā)明對兩個內(nèi)部環(huán)形噴嘴的間隙比或面積比進行了調(diào)節(jié)， 熔化效率得到了提高；圖5示出對通常的石英玻璃以及本發(fā)明的石英玻璃的光致熒光的比較；和圖6示出，由于中央的原料噴嘴中的氧氣載體氣體的比重下降，熒光減小。
具體實施例方式使用8噴嘴燃燒器和標準隔焰爐，例如在2. 75slm(標準升每分鐘)的SiCl4劑量 情況下，這相應于鹵化物與載體氧氣流的比為2. 03，利用體積流為355slm、時間為198小時 的全部H2，將熔化直徑為147mm、重量為46kg的石英玻璃輥。熔化效率為256g/h。燃燒器 的間隙比為5. 32。在這種情況下，每千克熔化的玻璃產(chǎn)品所需要的H2量為83. 5m3/kg。由于根據(jù)本發(fā)明對隔焰爐結(jié)構(gòu)進行了改造，在其它熔化參數(shù)都相同的情況下，能 夠?qū)崿F(xiàn)將熔化效率提高至287g/h。能量效率得到了提高，這體現(xiàn)在，每千克玻璃產(chǎn)品所需要 的H2量減少為79. 4m3/kg。對第二和第三環(huán)形噴嘴的間隙面積的適配調(diào)整導致4. 9的間隙比。具有類似輥直 徑的由此熔化的輥具有302g/h的熔化效率。將劑量流與干燥氧氣流的比從2提高到12，然后提高到22，這會導致熔化時間從 198h縮短到140h，然后縮短到127h，進而導致每kg玻璃產(chǎn)品的H2耗用量從83. 5m3/kg減 少到62. 3m3/kg，然后減少到48. 8m3/kg。熔化效率提高至380g/h，然后提高至510g/h。SiCl4/干燥氧氣的體積流比的增大和間隙比與所使用的氧化劑和燃料的氣體流 的適配相關(guān)，結(jié)果導致特別是651nm范圍內(nèi)的光致熒光明顯減小。在這些實例中說明的關(guān)系在表格1中針對該方法的熔化效率和能量效率再次被 示出，且在表格2中針對對光致熒光的影響再次被示出。表格1:
8 表格2
權(quán)利要求
一種用于在隔焰爐的燃燒室中制造合成的石英玻璃的方法，其中-形成氣體流，該氣體流含有燃料、化學的氧化劑以及可蒸發(fā)的氣態(tài)的硅化合物，該硅化合物通過火焰水解和/或通過化學的氧化劑被轉(zhuǎn)化成SiO2顆粒；-SiO2顆粒沉積到目標物的沉積面上，同時形成輥狀的石英體；-其中燃燒室被壁限定，且燃燒室在其前端和其后端具有前面的氣體入口和后面的氣體出口，其中所述壁和開口圍繞縱軸旋轉(zhuǎn)對稱，且燃燒室從氣體入口向后變寬；和-其中氣體流通過至少三個噴嘴而產(chǎn)生，包括設(shè)置在縱軸前端的用于饋入硅化合物的中央的噴嘴，以及-與中央噴嘴間隔開的同心地設(shè)置的用于饋入氧化劑的第一環(huán)形噴嘴，和-同樣同心地設(shè)置的用于饋入燃料的第二環(huán)形噴嘴，該第二環(huán)形噴嘴的直徑大于第一環(huán)形噴嘴，其特征在于，第一噴嘴具有第一環(huán)形間隙，第二噴嘴具有第二環(huán)形間隙，第二環(huán)形間隙的面積與第一環(huán)形間隙的面積的比為1∶4至1∶6.1。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，從中央噴嘴將SiCl4與作為載體氣體的干燥 氧氣一起饋入。
3.如前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，將用過的氣體排除。
4.如前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，利用3mbar至250mbar的低壓， 通過抽吸將用過的氣體抽走。
5.如前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，噴嘴和抽走部位的間距的至少 99%被套接壁圍擋。
6.如前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，目標物的沉積面上的溫度至少 為 1600 0C ο
7.如前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，通過至少四個同心地圍繞中央 噴嘴設(shè)置的環(huán)形噴嘴，交替地將燃料和氧化劑饋入到燃燒腔中。
8.如前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，燃燒室的圍擋超出沉積面延長 至少200mm。
9.一種用于制造合成的石英玻璃的隔焰爐，包括被套接壁圍擋的燃燒室，該燃燒室具 有縱軸以及前面的氣體入口和后面的氣體出口，-其中所述壁和開口圍繞縱軸旋轉(zhuǎn)對稱地布置，且燃燒室從前面的開口向后變寬；包括-在前開口區(qū)域中設(shè)置在縱軸上的用于饋入氣態(tài)硅化合物的中央噴嘴，以及-與中央噴嘴間隔開的同心地設(shè)置的用于饋入氧化劑的第一環(huán)形噴嘴，和-同樣同心地設(shè)置的用于饋入燃料的第二環(huán)形噴嘴，該第二環(huán)形噴嘴的直徑大于第一 環(huán)形噴嘴，其特征在于，第一噴嘴具有第一環(huán)形間隙，第二噴嘴具有第二環(huán)形間隙，第二環(huán)形間隙 的面積與第一環(huán)形間隙的面積的比為1 4至1 6. 1。
10.如權(quán)利要求9所述的隔焰爐，其特征在于，它具有一種光電裝置，該光電裝置檢測 輥狀石英體的由于SiO2顆粒沉積在沉積面上而產(chǎn)生的生長，并控制伺服電動機，該伺服電 動機使得輥狀的石英體從燃燒室移出所生長的長度。
11.如權(quán)利要求9或10所述的隔焰爐，其特征在于，燃燒爐的最大直徑與石英玻璃輥的 直徑的比為1.3 1至2. 5 1。
12.如權(quán)利要求9至11所述的隔焰爐，其特征在于，燃燒室的圍擋超出光電裝置延長至 少 200mm。
13.如權(quán)利要求9至12所述的隔焰爐，其特征在于，燃燒腔的下部比燃燒室的長度至少 長1.1倍。
14.如權(quán)利要求9至13所述的隔焰爐，其特征在于，隔焰爐圍擋的下部的端部具有向內(nèi) 的半環(huán)形的遮擋機構(gòu)。
15.一種按照權(quán)利要求1至9中任一項得到的合成的石英玻璃。
全文摘要
一種合成的石英玻璃，在隔焰爐的燃燒室中制得，其中-形成氣體流，該氣體流含有燃料、化學的氧化劑以及可蒸發(fā)的氣態(tài)的硅化合物，該硅化合物通過火焰水解和/或通過化學的氧化劑被轉(zhuǎn)化成SiO2顆粒；-SiO2顆粒沉積到目標物的沉積面上，同時形成輥狀的石英體；-其中燃燒室被壁限定，且燃燒室在其前端和其后端具有前面的氣體入口和后面的氣體出口，其中所述壁和開口圍繞縱軸旋轉(zhuǎn)對稱，且燃燒室從氣體入口向后變寬；-其中氣體流通過至少三個噴嘴而產(chǎn)生，包括設(shè)置在縱軸前端的用于饋入硅化合物的中央的噴嘴，以及-與中央噴嘴間隔開的同心地設(shè)置的用于饋入氧化劑的第一環(huán)形噴嘴，和-同樣同心地設(shè)置的用于饋入燃料的第二環(huán)形噴嘴，該第二環(huán)形噴嘴的直徑大于第一環(huán)形噴嘴。在此，第一噴嘴具有第一環(huán)形間隙，第二噴嘴具有第二環(huán)形間隙，第二環(huán)形間隙的面積與第一環(huán)形間隙的面積的比為1∶4至1∶6.1。還說明了一種用于制造石英玻璃的隔焰爐。
文檔編號C03B20/00GK101863613SQ20091026252
公開日2010年10月20日 申請日期2009年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月29日
發(fā)明者H·-J·施米特, H·-J·米勒, J·馬津科夫斯基, L·奧爾特曼, R·馬丁, U·斯特羅貝爾 申請人:肖特股份有限公司