專利名稱：筒體式石英晶體的雙面濺射被銀裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于濺射鍍覆的專用設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種筒體式石英晶 體的雙面濺射被銀裝置。
背景技術(shù)：
石英晶振器件是在石英晶體的兩個(gè)表面鍍覆銀電極圖形而制成的?，F(xiàn)有的 被銀技術(shù)是采用真空蒸發(fā)裝置或?yàn)R射裝置輔以掩膜夾具對(duì)石英晶片鍍覆銀質(zhì)圖 形電極的，這些被銀設(shè)備已廣泛應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)，但普遍存在下述缺陷
1. 石英面所鍍金屬層為單一的銀膜。由于銀與石英的組織結(jié)構(gòu)和熱力學(xué)性 質(zhì)不匹配，兩者的結(jié)合力差，在石英晶振器工作時(shí)銀膜容易脫落；單一銀層也 容易被無鉛焊料溶蝕，造成斷線。這些因素嚴(yán)重影響了晶振器件的可靠性，應(yīng) 該設(shè)計(jì)鉻過渡層+銀電極層的多層膜系結(jié)構(gòu)來解決這一問題。
2. 旋轉(zhuǎn)靶柱形磁控濺射靶具有靶材利用率高、體積小、鍍膜均勻度好等突 出的優(yōu)點(diǎn)，非常適合規(guī)?；a(chǎn)。但是，由于旋轉(zhuǎn)耙柱形磁控濺射耙的耙管是 圓管狀的，鉻、鎢、鉬等難熔金屬是采用粉末冶金方法制造板材或管材的，很 難制造出長(zhǎng)度較長(zhǎng)的圓管形靶材。這就限制了柱型靶在被銀設(shè)備上的應(yīng)用。
3. 即便采用多靶濺射或者多坩堝蒸鍍被銀時(shí)，從銀靶材濺射或蒸發(fā)出來的 銀原子會(huì)污染過渡層的靶材，使得石英晶體表面先被鍍上一層銀原子，從而影 響膜層的結(jié)合力。
4. 現(xiàn)有的蒸發(fā)被銀裝置的裝載量小，生產(chǎn)效率太低'。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)緊湊、生產(chǎn)效率高、膜層與晶體結(jié)合力強(qiáng) 的筒體式石英晶體雙面濺射被銀裝置。
本發(fā)明的.目的是采用這樣的技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的它包括真空腔體、真空抽氣機(jī)組、工件架、磁控濺射靶、射頻等離子清洗器和惰性氣體充氣器，所述真空 抽氣機(jī)組和惰性氣體充氣器分別與真空腔體相連，其特征在于所述真空腔體中 設(shè)有工件架，該工件架能轉(zhuǎn)動(dòng)，所述工件架上安裝有能翻轉(zhuǎn)的基片架，所述基 片架上設(shè)有載片盤，所述載片盤上設(shè)置有石英晶體片和掩膜片，所述工件架的 一側(cè)至少設(shè)置兩個(gè)帶擋膜罩的磁控濺射靶，另一側(cè)設(shè)置一個(gè)射頻等離子在線清 洗器,其中一個(gè)磁控濺射靶為過渡層濺射靶，其它磁控濺射靶為電極層濺射耙。
由于本發(fā)明采用了多靶磁控濺射，'并設(shè)有翻轉(zhuǎn)加公轉(zhuǎn)的工件架和在線射頻 等離子清洗器，能夠在同一真空周期內(nèi)對(duì)石英基片進(jìn)行實(shí)時(shí)清洗并雙面鍍覆鉻 加銀等多層膜系結(jié)構(gòu)的電極膜層，膜層與石英基片的結(jié)合力強(qiáng)，所鍍膜層均勻 性、 一致性好，鍍膜吞吐量大，生產(chǎn)效率高，設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊體積小，是一種理 想的石英晶體被銀裝置。


圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖之一
圖2為本發(fā)明的載片盤結(jié)構(gòu)圖
圖3為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖之二
圖4為本發(fā)明的石英震蕩器膜系結(jié)構(gòu)示意圖
圖5為本發(fā)明的短靶管結(jié)構(gòu)示意圖
圖6為本發(fā)明平面磁控靶的難熔金屬平板靶結(jié)構(gòu)示意圖
附圖標(biāo)號(hào)說明1-鍍膜機(jī)底盤，2-真空腔體，2-1-上法蘭，3-磁控濺射靶， 4-工件架，4-1-基片架，4-la-豎條，4-lb-橫條，4-lc-上小軸，4-Id-下小軸， 4-le-長(zhǎng)槽，4-2-載片盤，4-2a-沉隔，4-2b-圖形通孔，4-3-撐桿，4-4-上環(huán)， 4-5-下環(huán)，4-5a-內(nèi)齒輪，4-5b-軸承，4-5c-凸臺(tái)，4-6-翻片驅(qū)動(dòng)器，4-6a-翻 片齒輪，4-6b-導(dǎo)桿，4-7-公轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)齒輪，4-8-齒輪，4-9-軸套，4-10-掩膜片， 4-10a-圖形通 L, 4-11-滾花螺釘5-直流濺射電源a，6-射頻電源，7-惰性氣體 充氣器，8-直流濺射電源b， 9-擋膜罩，9-卜上圓環(huán)，9-2-薄板園筒，9-3-開口，
9- 4-定位光桿，9-5-下圓環(huán)，9-6-外齒輪，9-7-小軸承，9-8-擋板驅(qū)動(dòng)齒輪，
10- 磁控濺射耙，11-射頻等離子清洗器，12-真空抽氣機(jī)組，13-軸承組，13a-垂直定位軸承，13b-水平定位軸承，40-石英晶體片，40a-過渡層，40b-電極層, 51-靶管芯，52-短靶管，53-導(dǎo)熱膠，60-水冷背板，61-導(dǎo)熱膠，62-平板靶。
具體實(shí)施例方式
參照?qǐng)D1和圖2:本發(fā)明包括真空腔體2、真空抽氣機(jī)組12、工件架4、磁 控濺射靶3、 10、射頻等離子清洗器11和惰性氣體充氣器？，所述真空抽氣機(jī) 組12和惰性氣體充氣器7分別與真空齒體2相連，所述真空腔體2中設(shè)有工件 架4，該工件架4能夠轉(zhuǎn)動(dòng)，所述工件架4上安裝有能翻轉(zhuǎn)的基片架4-l，所述 基片架4-1上設(shè)有載片盤4-2,所述載片盤4-2上設(shè)置有石英晶體片40和掩膜 片4-10，所述工件架4的一側(cè)至少設(shè)置兩個(gè)帶擋膜罩9的磁控濺射耙3、 10， 另一側(cè)設(shè)置一個(gè)射頻等離子在線清洗器11，其中一個(gè)磁控濺射靶10為鍍覆過渡 層的濺射靶，其它磁控濺射靶3為電極層濺射靶；所述的真空腔體2為鐘罩式 腔體和前開門的箱式腔體中的一種；所述磁控濺射靶3、 10為旋轉(zhuǎn)靶柱形磁控 濺射靶和平面磁控濺射靶中的一種，磁控濺射靶10的外側(cè)同軸地設(shè)置一個(gè)能轉(zhuǎn) 動(dòng)的擋膜罩9，所述擋膜罩9用來阻擋萁它磁控濺射耙工作時(shí)濺射出來的膜層對(duì) 本靶的污染；所述工件架4設(shè)置在真空腔體2的中央部位，所述的磁控濺射耙3、 10設(shè)置在工件架4的外側(cè)，磁控濺射靶3、 10的濺射靶面指向真空腔體2的軸 心；所述射頻等離子清洗器11設(shè)置在工件架4的內(nèi)側(cè)且兩者同軸，所述射頻等 離子清洗器11為由銅或鋁管構(gòu)成的螺旋形線圈。
所述的鍍覆過渡層的磁控濺射耙10的靶材由鉻、鉤、鉬、鋁、鈦的一種材 料制成，鍍覆電極層的磁控濺射靶3的靶材由銀、金、銅、鉑的一種材料制成。
所述的工件架4包括上環(huán)4-4、下環(huán)4-5、撐桿4-3、基片架4-l、載片盤 4-2、公轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)齒輪4-7和翻片驅(qū)動(dòng)器4-6等部件，它們都由不銹鋼、碳鋼等金 屬材料制成。上環(huán)4-4和下環(huán)4-5與撐桿4-3兩端的螺紋固定連接成一體，所 述下環(huán)4-5的內(nèi)緣設(shè)有公轉(zhuǎn)用的內(nèi)齒輪4-5a，外側(cè)設(shè)有凸臺(tái)4-5c,所述下環(huán)4-5 和上環(huán)4-4上分別對(duì)稱設(shè)置有用來插入基片架4-1的軸承4-5b和能作軸向運(yùn)動(dòng) 的軸套4-9，在鍍膜機(jī)底盤1上設(shè)置有公轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)齒輪4-7，公轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)齒輪4-7與 內(nèi)齒輪4-5a相嚙合，在鍍膜機(jī)底盤1上至少設(shè)有三個(gè)由垂直定位軸承13a和水平定位軸承13b組成的滾動(dòng)軸承組13，所述滾動(dòng)軸承組13的垂直定位軸承13a 和水平定位軸承13b與凸臺(tái)4-5c相配合，當(dāng)公轉(zhuǎn)齒輪4-7轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，所述工件架 4能夠沿著滾動(dòng)軸承組13所圍成的范圍內(nèi)作公轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)。
所述工件架4為多邊形柱體結(jié)構(gòu)，在工件架4的每一個(gè)柱面上安裝有長(zhǎng)方 形的基片架4-l，所述基片架4-1上至少設(shè)置有兩個(gè)載片盤4-2,載片盤4-2內(nèi) 裝載石英片4a，載片盤4-2上設(shè)有掩膜板4-10;
所述基片架4-1為長(zhǎng)形方框，它由兩個(gè)豎條4-la、兩個(gè)橫條4-lb以及設(shè) 置在兩個(gè)橫條4-lb外側(cè)中心上的上小軸4-lc、下小軸4-ld焊接而成，所述下 小軸4-ld上固定有小齒輪4-8,所述兩個(gè)豎條4-lb的內(nèi)側(cè)開有用來安裝載片盤 4-2的長(zhǎng)槽4-le，該基片架4-1通過其兩端的小軸4-lc、 4-ld安裝在工件架4 上環(huán)4-4的軸套4-9和下環(huán)4-5的軸承4-5b中；由于所述軸套4-9可以作軸向 運(yùn)動(dòng)，所以基片架4-l能夠方便地插入或拆下。
本發(fā)明所述載片盤4-2上連接有掩膜片4-10,載片盤4-2上設(shè)有沉隔4-2a， 所述沉隔4-2"底部設(shè)有圖形通孔4-2b，圖形通孔4-2b的一側(cè)與沉隔4-2a相對(duì) 應(yīng)，所述掩膜片4-10上相應(yīng)地刻有電極圖形4-10a，所述沉隔4-2a中安裝有石 英晶體片40，所述的掩膜片4-10由滾花螺釘4-11固定在載片盤4-2上，所述 載片盤4-2插接在基片架4-1的長(zhǎng)槽4-le中；在鍍膜機(jī)的底盤1的相應(yīng)位置設(shè) 置有一個(gè)驅(qū)動(dòng)基片架4-1翻轉(zhuǎn)的翻片驅(qū)動(dòng)器4-6，該驅(qū)動(dòng)器4-6由能夠作軸向運(yùn) 動(dòng)的導(dǎo)桿4-6b和固定在該導(dǎo)桿4-6b端部的齒輪或圓弧形齒條4-6a構(gòu)成；工作 時(shí)，在公轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)齒輪4-7帶動(dòng)下，工件架4作公轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，翻片驅(qū)動(dòng)器4-6的導(dǎo) 桿4-6b向上位移，其齒輪或圓弧齒條4-6a與到達(dá)的小軸上的齒輪4-8嚙合， 可使該基片架翻轉(zhuǎn)180° ，工件架4轉(zhuǎn)動(dòng)一圈，所有基片架4-1都將翻轉(zhuǎn)180° ， 當(dāng)翻片驅(qū)動(dòng)器的導(dǎo)桿4-6b落下，則基片架4-1不會(huì)發(fā)生翻轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)。
所述的擋膜罩9由薄板圓筒9-2、上圓環(huán)9-l、下圓環(huán)9-5等構(gòu)成，它們都 由不銹鋼材料制成，所述薄板圓筒9-2的一側(cè)開有長(zhǎng)方形開口 9-3，薄板圓筒 9-2的兩端分別焊接有上圓環(huán)9-1和下圓環(huán)9-5，所述下圓環(huán)9-5的外圓上設(shè)有 外齒輪9-6，下圓環(huán)9-5的下部安裝有三個(gè)以上的小軸承9-7;所述真空腔體2的上法蘭2-1、鍍膜機(jī)底盤1上分別相應(yīng)設(shè)置有至少三個(gè)定位光桿9-4，定位光 桿9-4起著定位擋膜罩9的作用，以便擋膜罩9同軸地布置在磁控濺射靶10外 側(cè)。所述鍍膜機(jī)底盤1上設(shè)置有擋板驅(qū)動(dòng)齒輪9-8，該驅(qū)動(dòng)齒輪9-8與下圓環(huán) 9-5上的外齒輪9-6相配合，所述擋膜罩9由定位光桿9-4同軸地設(shè)置在磁控濺 射耙10的外側(cè)。當(dāng)磁控濺射靶10工作時(shí)，驅(qū)動(dòng)齒輪9-8能使擋膜罩9處于打 開狀態(tài)，反之則關(guān)閉，這樣可避免其他磁控濺射靶的濺射材料對(duì)本靶的污染， 保證膜層的純潔度。擋膜罩9安裝在鍍覆過渡層的磁控濺射靶10上，鍍覆電極 層的磁控濺射靶3可安裝也可不安裝擋膜罩9;這一裝置還可用來進(jìn)行預(yù)濺，以 除去耙面上的污染物。
在圖3中，本發(fā)明所述的磁控濺射靶3、 10設(shè)置在真空腔體2的中央部位， 所述的磁控濺射靶3、 10的濺射靶面指向真空腔體2的內(nèi)壁，所述工件架4設(shè) 置在磁控濺射靶3、 IO的外側(cè)，為防止等離子清洗器ll的線圈會(huì)擋住所濺射的 膜層，所述射頻等離子清洗器11設(shè)置在工件架4的外側(cè)。所述濺射靶3、 10的 外側(cè)各同軸地布置一個(gè)擋膜罩9，所述的磁控濺射靶3、 IO為旋轉(zhuǎn)靶柱形磁控濺 射耙或平面磁控濺射耙的一種，其中一只濺射靶的靶材為鉻、鈦、鎳、鋁、鎳 合金或鋁合金的一種，另一只磁控濺射靶的靶材為銀、金、銅、鉑中一種；該 結(jié)構(gòu)同樣安裝了工件架4公轉(zhuǎn)齒輪、翻片齒輪以及擋膜罩驅(qū)動(dòng)齒輪等，在此不 再贅述。
在圖4中，所述的石英晶體片40的兩側(cè)面分別鍍覆由過渡層40a和電極層 40b構(gòu)成的多層膜系結(jié)構(gòu)的圖形電極，過渡層40a鍍覆在石英晶體片40表面， 電極層40b鍍覆在過渡層40a上，所述過渡層40a的材料由鋁、鉻、鎢、鉬、 鈦等材料的一種制成，其厚度為150-1000A;所述電極層40b由銀、金、銅、鉑 等中的一種材料制成，其厚度為100-5000A.
在圖5中，所述的旋轉(zhuǎn)靶柱形磁控濺射靶10由短靶管52、靶管芯51構(gòu)成， 所述短革E管52套接于靶管芯51，兩者之間設(shè)有導(dǎo)熱膠53，在靶管芯51上至少 套接有兩個(gè)短靶管52，使靶管達(dá)到所需要的長(zhǎng)度，這種靶管結(jié)構(gòu)可有效解決難 熔金屬材料難以制造成旋轉(zhuǎn)靶柱形磁控濺射靶的長(zhǎng)靶管這一技術(shù)問題。所述靶管芯51由銅、鋁、不銹鋼等導(dǎo)熱性能好的金屬管材制成，所述短靶管52是鉻、 鎢、鉬、鈦、陶瓷等材料的一種，其長(zhǎng)度為10-20cm，其內(nèi)徑略大于靶管芯51， 所述的導(dǎo)熱膠53為放氣率低、化學(xué)性能穩(wěn)定的導(dǎo)熱膠，它是硅基導(dǎo)熱膠、環(huán)氧 導(dǎo)熱膠、銀漿等導(dǎo)熱或?qū)щ娔z的一種。
本發(fā)明同樣適合于平面磁控靶，只不過其靶材為平板。在圖6中，平板靶 材62通過導(dǎo)熱膠粘61接在磁控濺射耙的水冷背板60上。所述平面磁控濺射靶 的靶材是鉻、鎢、'鉬、鈦、鋁、銀、金、銅、鉑、陶瓷等材料的一種，所述的 導(dǎo)熱膠61是硅基導(dǎo)熱膠、環(huán)氧導(dǎo)熱膠、銀漿等導(dǎo)熱或?qū)щ娔z的一種。這一結(jié)構(gòu) 可方便地解決平面磁控濺射靶的靶材需要高溫焊接的工藝難題。
本發(fā)明使用時(shí)，將石英晶片40放入載片盤4-2，用螺釘4-11固定掩膜片 4-10，再把載片盤4-2插入基片架4-1的長(zhǎng)槽4-le中，將上環(huán)4-4中的軸套4-9 拉起，向下環(huán)的軸承4-5b中插入基片架4-l，再推下軸套4-9。按照常規(guī)程序 啟動(dòng)高真空抽氣機(jī)組12,把真空腔室2抽成優(yōu)于10—3Pa高真空狀態(tài)后，用氬氣 充氣器7向真空腔內(nèi)動(dòng)態(tài)地充入氬氣，使真空腔內(nèi)保持l(TPa量級(jí)的氣壓。啟 動(dòng)公轉(zhuǎn)齒輪4-7，'使工件架4保持公轉(zhuǎn)，啟動(dòng)射頻電源6，產(chǎn)生等離子體，使等 離子體對(duì)石英晶體的一個(gè)表面進(jìn)行清洗,再啟動(dòng)翻片驅(qū)動(dòng)器4-6，使所有基片架 翻轉(zhuǎn)180° ，關(guān)閉翻片驅(qū)動(dòng)器，使等離子體對(duì)石英晶體的另一面進(jìn)行清洗；關(guān)閉 射頻電源，開啟過渡層濺射靶10并打開擋膜罩9，對(duì)石英晶體的第一面鍍覆鉻 等過渡層，重新啟動(dòng)翻片驅(qū)動(dòng)器4-6，使所有基片架翻轉(zhuǎn)180°然后關(guān)閉翻片驅(qū) 動(dòng)器，對(duì)石英晶體的另一面鍍覆過渡層，關(guān)閉過渡層濺射靶10并關(guān)閉其擋膜罩 9，然后，開啟電極膜濺射靶3，鍍覆銀膜或其它金屬膜，再啟動(dòng)翻片驅(qū)動(dòng)器4-6， 使所有基片架翻轉(zhuǎn)180。然后關(guān)閉驅(qū)動(dòng)器4-6，對(duì)另一面鍍覆銀層，最后關(guān)閉電 極膜濺射靶3并停止公轉(zhuǎn)。完成上述工序后，向真空腔放入大氣，打開真空腔 門，取出工件，重復(fù)上述程序鍍覆下一批石英晶片。上述工作過程可采用編程 語言編制成相應(yīng)的控制程序，并輔以膜厚監(jiān)控儀等傳感器，實(shí)現(xiàn)對(duì)各工作過程 的自動(dòng)控制。
權(quán)利要求
1、筒體式石英晶體的雙面濺射被銀裝置，包括真空腔體、真空抽氣機(jī)組、工件架、磁控濺射靶、射頻等離子清洗器和惰性氣體充氣器，所述真空抽氣機(jī)組和惰性氣體充氣器分別與真空腔體相連，其特征在于所述真空腔體中設(shè)有工件架，該工件架能夠轉(zhuǎn)動(dòng)，所述工件架上安裝有能翻轉(zhuǎn)的基片架，所述基片架上設(shè)有載片盤，所述載片盤上設(shè)置有石英晶體片和掩膜片，所述工件架的一側(cè)至少設(shè)置兩個(gè)帶擋膜罩的磁控濺射靶，其中一個(gè)磁控濺射靶為鍍覆過渡層濺射靶，其靶材為鉻、鎢、鉬、鋁、鈦的一種材料制成，其它磁控濺射靶為電極層濺射靶，其靶材為銀、金、銅、鉑的一種材料制成，所述工件架的另一側(cè)設(shè)置一個(gè)射頻等離子在線清洗器。
2、 如權(quán)利要求l所述的筒體式石英晶體的雙面濺射被銀裝置，其特征在于 所述的真空腔體為鐘罩式腔體和前開門的箱式腔體中的一種，所述磁控濺射靶 為旋轉(zhuǎn)靶柱形磁控濺射靶和平面磁控濺射靶中的一種，磁控濺射靶的外側(cè)同軸 地設(shè)置一個(gè)能轉(zhuǎn)動(dòng)的擋膜罩。 '
3、 如權(quán)利要求1和2所述的筒體式石英晶體的雙面濺射被銀裝置，其特征 在于所述工件架設(shè)置在真空腔體的中央部位，所述的磁控濺射靶設(shè)置在工件架 的外側(cè)，磁控濺射靶的濺射靶面指向真空腔體的軸心，所述射頻等離子清洗器 設(shè)置在工件架的內(nèi)側(cè)。
4、 如權(quán)利要求1和2所述的筒體式石英晶體的雙面濺射被銀裝置，其特征 在于所述磁控濺射靶設(shè)置在真空腔體的中央部位，所述工件架設(shè)置在磁控濺射 耙的外側(cè)，所述的磁控濺射靶的濺射靶面指向真空腔體的內(nèi)壁，所述射頻等離 子清洗器設(shè)置在工件架的外側(cè)。 '
5、 如權(quán)利要求1和2所述的筒體式石英晶體的雙面濺射被銀裝置，其特征在于所述的旋轉(zhuǎn)靶柱形磁控濺射靶由短靶管、靶管芯構(gòu)成，所述短靶管套接于 耙管芯，兩者之間設(shè)有導(dǎo)熱膠，在靶管芯上至少套接有兩個(gè)短靶管；所述靶管 芯由銅、鋁、不銹鋼等導(dǎo)熱性能好的金屬管材制成，所述短靶管是鉻、鎢、鉬、 鈦、陶瓷等材料的一種，其長(zhǎng)度為10-20cm,其內(nèi)徑大于靶管芯，所述的導(dǎo)熱膠是硅基導(dǎo)熱膠、環(huán)氧導(dǎo)熱膠、銀漿的一種。
6、 如權(quán)利要求1和2所述的筒體式石英晶體的雙面濺射被銀裝置，其特征 在于所述的平面磁控濺射靶的平板靶材通過導(dǎo)熱膠粘接在磁控濺射靶的水冷背 板上；所述平板靶材是鉻、鎢、鉬、鈦、鋁、銀、金、銅、鉑、陶瓷等材料的 一種，所述的，熱膠是硅基導(dǎo)熱膠、環(huán)氧導(dǎo)熱膠、銀漿等導(dǎo)熱或?qū)щ娔z的一種。
7、 如權(quán)利要求1所述的筒體式石英晶體的雙面濺射被銀裝置，其特征在于 所述的工件架包括上環(huán)、下環(huán)、撐桿、.基片架、載片盤、公轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)齒輪和翻片 驅(qū)動(dòng)器，上環(huán)和下環(huán)與撐桿兩端固定連接成一體，所述下環(huán)的內(nèi)緣設(shè)有公轉(zhuǎn)用 的內(nèi)齒輪，外側(cè)設(shè)有凸臺(tái)，所述下環(huán)和上環(huán)上分別對(duì)稱設(shè)置有用來插入基片架 的軸承和能作軸向運(yùn)動(dòng)的軸套，在鍍膜機(jī)底盤上設(shè)置有公轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)齒輪，所述公 轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)齒輪與所述內(nèi)齒輪相嚙合，在鍍膜機(jī)底盤上至少設(shè)有由垂直定位軸承和 水平定位軸承組成的三個(gè)滾動(dòng)軸承組，所述滾動(dòng)軸承組與所述凸臺(tái)相配合，所 述工件架能夠沿著滾動(dòng)軸承組所圍成的范圍內(nèi)作公轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)；所述的翻片驅(qū)動(dòng)器 包括能夠作軸向運(yùn)動(dòng)的導(dǎo)桿和固定在該導(dǎo)桿端部的齒輪或圓弧形齒條，工件架 的基片架之下小軸上固定有齒輪,工件架作公轉(zhuǎn)時(shí)，翻片驅(qū)動(dòng)器的導(dǎo)桿向上位移， 其齒輪或圓弧齒條與到達(dá)的基片架之小軸上的齒輪嚙合，基片架被翻轉(zhuǎn)180。。
8、 如權(quán)利要求1所述的筒體式石英晶體的雙面濺射被銀裝置，其特征在于 所述基片架為長(zhǎng)形方框，它由兩個(gè)豎條、兩個(gè)橫條以及設(shè)置在兩個(gè)橫條外側(cè)中 心上的上小軸、下小軸焊接而成，所述兩個(gè)豎條的內(nèi)側(cè)開有用來安裝載片盤的 長(zhǎng)槽，該基片架安裝在工件架上環(huán)的軸套和下環(huán)的軸承中，所述載片盤上連接 有掩膜片，載it盤上設(shè)有沉隔，所述沉隔底部設(shè)有圖形通孔，圖形通孔的一側(cè) 與沉隔相對(duì)應(yīng)，所述掩膜片上相應(yīng)地刻有電極圖形，所述壞隔中安裝有石英晶 體片，所述的掩膜片由滾花螺釘固定在載片盤上，所述載片盤插接在基片架的 長(zhǎng)槽中。
9、 如權(quán)利要求1所述的筒體式石英晶體的雙面濺射被銀裝置，其特征在于 所述的擋膜罩由薄板圓筒、上圓環(huán)、下圓環(huán)構(gòu)成，所述薄板圓筒的一側(cè)開有長(zhǎng)方形開口，薄板圓筒的兩端分別連接有上圓環(huán)和下圓環(huán)，所述下圓環(huán)的外圓上 設(shè)有外齒輪，下部至少安裝有三個(gè)小軸承，所述真空腔體的上法蘭、鍍膜機(jī)底 盤上分別至少相應(yīng)設(shè)置有三個(gè)定位光桿，定位光桿起著定位擋膜罩的作用，所 述鍍膜機(jī)底盤上設(shè)置有驅(qū)動(dòng)齒輪，該驅(qū)動(dòng)齒輪與下圓環(huán)上的外齒輪相配合，所 述擋膜罩由定位光桿同軸地設(shè)置在磁控濺射靶的外側(cè)。
10、如權(quán)利要求1所述的筒體式石英晶體的雙面濺射被銀裝置，其特征在于所述的石英晶體片的兩側(cè)面分別鍍覆有過渡層和電極層構(gòu)成的多層膜系結(jié)構(gòu) 的圖形電極，過渡層鍍覆在石英晶體片表面，電極層鍍覆在過渡層上，所述過渡層的材料由鋁、鉻、鎢、鉬、鈦等材料的一種制成，其厚度為150-1000A;所 述電極層由銀、金、銅、鉑等中的一種材料制成，其厚度為100-5000A.
全文摘要
本發(fā)明涉及一種筒體式石英晶體的雙面濺射被銀裝置，它包括真空腔體、真空抽氣機(jī)組、工件架、磁控濺射靶、射頻等離子清洗器和惰性氣體充氣器，所述真空抽氣機(jī)組和惰性氣體充氣器分別與真空腔體相連，其特征在于所述真空腔體中設(shè)有工件架，該工件架能轉(zhuǎn)動(dòng)，所述工件架上安裝有能翻轉(zhuǎn)的基片架，所述基片架上設(shè)有載片盤，所述載片盤上設(shè)置有石英晶體片和掩膜片，所述工件架的一側(cè)至少設(shè)置兩個(gè)帶擋膜罩的磁控濺射靶，另一側(cè)設(shè)置一個(gè)射頻等離子在線清洗器，其中一個(gè)磁控濺射靶為過渡層濺射靶，其它磁控濺射靶為電極層濺射靶。由于采用了多靶磁控濺射、自轉(zhuǎn)加公轉(zhuǎn)的工件架和在線射頻等離子清洗器結(jié)構(gòu)，能夠?qū)κ⒒瑢?shí)時(shí)清洗并雙面鍍覆鉻加銀的多層膜系結(jié)構(gòu)的電極膜，所鍍膜層均勻性一致性好，膜層與石英基片的結(jié)合力強(qiáng)，吞吐量大生產(chǎn)效率高，設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊體積小，是一種理想的石英晶體被銀裝置。
文檔編號(hào)C03C17/06GK101565278SQ200910098338
公開日2009年10月28日 申請(qǐng)日期2009年5月8日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月8日
發(fā)明者任高潮, 斌 馮, 強(qiáng) 李, 王德苗, 浩 金, 顧為民 申請(qǐng)人:浙江大學(xué)