專利名稱：：激光加工方法及半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及為了切斷加工對(duì)象物而使用的激光加工方法、以及使用此方法所制造的半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
：已知一種激光加工方法在通過(guò)激光的照射來(lái)切斷加工對(duì)象物時(shí)，以切換連續(xù)振蕩與脈沖振蕩的方式，將激光照射在加工對(duì)象物上(例如參照專利文獻(xiàn)1)。在改激光加工方法中，在切斷預(yù)定線的直線部分使激光進(jìn)行連續(xù)振蕩，另一方面，在切斷預(yù)定線的曲線部分或角部分使激光進(jìn)行脈沖振蕩。專利文獻(xiàn)l:日本特開(kāi)昭59—212185號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容已知的一種激光加工方法是，通過(guò)將聚光點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)于板狀加工對(duì)象物的內(nèi)部照射激光，從而沿著加工對(duì)象物的切斷預(yù)定線，在加工對(duì)象物的內(nèi)部形成作為切斷起點(diǎn)的改質(zhì)區(qū)域。在該激光加工方法中，為了沿著切斷預(yù)定線以高精度切斷加工對(duì)象物，希望在加工對(duì)象物的內(nèi)部沿著切斷預(yù)定線的所希望部分確實(shí)地形成改質(zhì)區(qū)域。因此，本發(fā)明是有鑒于上述的事情而完成的，其目的在于提供一種可以在加工對(duì)象物的內(nèi)部沿著切斷預(yù)定線的所希望部分確實(shí)地形成改質(zhì)區(qū)域的激光加工方法，以及使用該方法來(lái)制造的半導(dǎo)體裝置。為了解決上述的問(wèn)題，本發(fā)明的激光加工方法的特征在于，通過(guò)將聚光點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)于板狀加工對(duì)象物的內(nèi)部照射激光，在加工對(duì)象物的內(nèi)部沿加工對(duì)象物的切斷預(yù)定線形成成為切斷起點(diǎn)的改質(zhì)區(qū)域，在照射激光時(shí)，有選擇性地切換連續(xù)振蕩和脈沖振蕩。在使激光進(jìn)行脈沖振蕩時(shí)，相比于使激光進(jìn)行連續(xù)振蕩的情況，可以在加工對(duì)象物的內(nèi)部更確實(shí)地形成改質(zhì)區(qū)域。因此，通過(guò)沿著切斷預(yù)定線的所希望部分使激光進(jìn)行脈沖振蕩、并且沿著該所希望部分以外的部分使激光進(jìn)行連續(xù)振蕩，從而可以在加工對(duì)象物的內(nèi)部沿著所希望的部分確實(shí)地形成改質(zhì)區(qū)域。特別是在使用Q開(kāi)關(guān)激光的情況下，通過(guò)RF輸出的控制來(lái)對(duì)Q開(kāi)關(guān)進(jìn)行ON控制，以此來(lái)切換脈沖振蕩與連續(xù)振蕩，因此激發(fā)用LD光對(duì)固體激光結(jié)晶的施加狀態(tài)基本上不改變。因此，由于可以迅速地進(jìn)行脈沖振蕩與連續(xù)振蕩的切換動(dòng)作，在可以以穩(wěn)定的激光來(lái)進(jìn)行加工的同時(shí)，還可以提高加工速度。另外，按照激光振蕩器種類的不同，在連續(xù)振蕩時(shí)，有時(shí)呈現(xiàn)連續(xù)振蕩輸出與脈沖振蕩輸出混合的狀態(tài)，但是，由于脈沖波輸出的平均輸出已降低，故能量不會(huì)超過(guò)加工臨界值，在加工對(duì)象物的內(nèi)部不會(huì)在所希望的部分以外形成改質(zhì)區(qū)域。在此情況下，同樣地能迅速地進(jìn)行脈沖振蕩與連續(xù)振蕩的切換動(dòng)作的同時(shí)，脈沖振蕩轉(zhuǎn)移時(shí)的熱穩(wěn)定性也得到了進(jìn)一步的提高。因此，可以以更穩(wěn)定的激光進(jìn)行加工，并且能提高加工速度。本申請(qǐng)的連續(xù)振蕩也包括這種情況。另外，加工對(duì)象物優(yōu)選是表面上形成有層疊部的基板，改質(zhì)區(qū)域優(yōu)選形成在基板的內(nèi)部。在此情況下，通過(guò)沿著切斷預(yù)定線的所希望的部分使激光進(jìn)行脈沖振蕩，并且沿著該所希望的部分以外的部分使激光進(jìn)行連續(xù)振蕩，由此，可以在基板的內(nèi)部沿著所希望的部分確實(shí)地形成改質(zhì)區(qū)域。另外，改質(zhì)區(qū)域優(yōu)選形成在與表面、與表面?zhèn)榷瞬康木嚯x為m20um的位置處。另外，改質(zhì)區(qū)域優(yōu)選形成在與表面以及與背面?zhèn)榷瞬康木嚯x為[5+(基板的厚度)X0.1]um[20+(基板的厚度)X0.1]um的位置。在此，所謂「距離」只要無(wú)特別限定，均指沿著基板的厚度方向的距離。在上述的情況下，例如，如果將擴(kuò)張帶等能擴(kuò)張的薄膜貼在基板的背面上并加以擴(kuò)張，就會(huì)沿切斷預(yù)定線使基板及層疊部被切斷。此時(shí)，如果在上述位置形成有改質(zhì)區(qū)域，則能進(jìn)行層疊部的高精度切斷。另外，在層疊部沿著切斷預(yù)定線的規(guī)定部分包含金屬膜或絕緣膜的情況下，優(yōu)選在該規(guī)定的部分使激光進(jìn)行連續(xù)振蕩。此時(shí)，相比于沿著該規(guī)定的部分使激光進(jìn)行脈沖振蕩的情況，可以進(jìn)一步減少對(duì)層疊部造成的損傷。因此，在切斷基板及層疊部時(shí)，可以提高切斷預(yù)定線的規(guī)定部分上的層疊部的切斷精度。另外，在切斷預(yù)定線交叉的部分，優(yōu)選使激光進(jìn)行脈沖振蕩。如此一來(lái)，在加工對(duì)象物的內(nèi)部沿著切斷預(yù)定線交叉的部分確實(shí)地形成改質(zhì)區(qū)域。因此，可以提高切斷預(yù)定線交叉的部分上的加工對(duì)象物的切斷精度。另外，在形成改質(zhì)區(qū)域之后，優(yōu)選沿著切斷預(yù)定線來(lái)切斷加工對(duì)象物。如此一來(lái)，可以以高精度地沿著切斷預(yù)定線切斷加工對(duì)象物。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，它是使用上述的激光加工方法而制造的。該半導(dǎo)體裝置具有被高精度地切斷而成的切斷面。根據(jù)本發(fā)明可以在加工對(duì)象物的內(nèi)部沿著切斷預(yù)定線的所希望的部分確實(shí)地形成改質(zhì)區(qū)域。圖1是利用本實(shí)施方式相關(guān)的激光加工方法的激光加工中的加工對(duì)象物的平面圖。圖2是圖i所示加工對(duì)象物的沿著n—n線的剖面圖。圖3是利用本實(shí)施方式相關(guān)的激光加工方法的激光加工后的加工對(duì)象物的平面圖。圖4是圖3所示加工對(duì)象物的沿著IV—IV線的剖面圖。圖5是圖3所示加工對(duì)象物的沿著V—V線的剖面圖。圖6是利用本實(shí)施方式相關(guān)的激光加工方法來(lái)切斷的加工對(duì)象物的平面圖。圖7是表示本實(shí)施方式相關(guān)的激光加工方法中的電場(chǎng)強(qiáng)度與裂縫處大小的關(guān)系的曲線圖。圖8是本實(shí)施方式相關(guān)的激光加工方法的第1工序中的加工對(duì)象物的剖面圖。圖9是本實(shí)施方式相關(guān)的激光加工方法的第2工序中的加工對(duì)象物的剖面圖。圖10是本實(shí)施方式相關(guān)的激光加工方法的第3工序中的加工對(duì)象物的剖面圖。圖11是本實(shí)施方式相關(guān)的激光加工方法的第4工序中的加工對(duì)象物的剖面圖。圖12是表示利用本實(shí)施方式相關(guān)的激光加工方法來(lái)切斷的硅晶片的一部分截面的照片的圖。圖13是表示本實(shí)施方式相關(guān)的激光加工方法中的激光的波長(zhǎng)與硅基板內(nèi)部的透過(guò)率的關(guān)系的曲線圖。圖14是本實(shí)施方式激光加工方法中的加工對(duì)象物的平面圖。圖15是圖14所示加工對(duì)象物的沿著XV—XV線的部分剖面圖。圖16是用來(lái)說(shuō)明本實(shí)施方式的激光加工方法的圖，(a)是加工對(duì)象物貼有保護(hù)帶的狀態(tài)，(b)是正在對(duì)加工對(duì)象物照射激光的狀態(tài)。圖17是用來(lái)說(shuō)明本實(shí)施方式的激光加工方法的圖，(a)是加工對(duì)象物貼有擴(kuò)張帶的狀態(tài)，(b)是正在對(duì)保護(hù)帶照射紫外線的狀態(tài)。圖18是用來(lái)說(shuō)明本實(shí)施方式的激光加工方法的圖，(a)是自加工對(duì)象物剝下保護(hù)帶之后的狀態(tài)，(b)是使擴(kuò)張帶擴(kuò)張后的狀態(tài)。圖19是表示利用本實(shí)施方式的激光加工方法而形成有改質(zhì)區(qū)域的加工對(duì)象物的一部分的平面圖。圖20是圖19所示加工對(duì)象物的沿著XX—XX線的部分剖面圖。圖21是本實(shí)施方式激光加工方法的一實(shí)施例中的加工對(duì)象物的平面圖，(a)是在加工對(duì)象物的內(nèi)部形成改質(zhì)區(qū)域之后的狀態(tài)，(b)是切斷加工對(duì)象物之后的狀態(tài)。圖22是表示利用本實(shí)施方式的激光加工方法的一實(shí)施例來(lái)切斷的加工對(duì)象物的切斷面的照片的圖。圖23是激光加工方法的一例加工對(duì)象物的平面圖，(a)是在加工對(duì)象物的內(nèi)部形成改質(zhì)區(qū)域之后的狀態(tài)，(b)是切斷加工對(duì)象物之后的狀態(tài)。圖24是表示激光加工方法的一例中的加工對(duì)象物的切斷面的照片的圖。符號(hào)說(shuō)明1加工對(duì)象物3表面4基板4a切斷面(側(cè)面)5切斷預(yù)定線7改質(zhì)區(qū)域8切斷起點(diǎn)區(qū)域13熔融處理區(qū)域16層疊部25半導(dǎo)體芯片(半導(dǎo)體裝置)71質(zhì)量改質(zhì)區(qū)域71a表面?zhèn)榷瞬?1b背面?zhèn)榷瞬緾P切斷預(yù)定線交叉的部分L激光M金屬膜P聚光點(diǎn)RC切斷預(yù)定線的規(guī)定部分具體實(shí)施例方式以下參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明合適的實(shí)施方式。本實(shí)施方式的激光加工方法中，為了在加工對(duì)象物的內(nèi)部形成改質(zhì)區(qū)域而利用被稱為多光子吸收的現(xiàn)象。因此，首先說(shuō)明用來(lái)以多光子吸收來(lái)形成改質(zhì)區(qū)域的激光加工方法。若光子的能量hv比材料吸收的能帶間隙Ec更小，則光學(xué)上呈透明。因此，材料產(chǎn)生吸收的條件為hv〉EC。然而，即便光學(xué)上呈透明，若使激光的強(qiáng)度變得非常大，則材料在nhV>Ec的條件(n二2，3,4,…)下產(chǎn)生吸收。此現(xiàn)象被稱為多光子吸收。在脈沖波的情況下，激光的強(qiáng)度取決于激光聚光點(diǎn)的峰值功率密度(W/cm2)，例如，多光子吸收在峰值功率密度為lXl()S(W/cm^以上的條件下產(chǎn)生。峰值功率密度由(聚光點(diǎn)中激光的每1個(gè)脈沖的能量)+(激光的光束點(diǎn)的截面積X脈沖寬度)來(lái)求得。另外，在連續(xù)波的情況下，激光的強(qiáng)度取決于激光的聚光點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度(W/cm2)。對(duì)于利用這樣的多光子吸收的本實(shí)施方式相關(guān)的激光加工方法的原理，參照?qǐng)D1圖6說(shuō)明。如圖1所示，在晶片狀(板狀)加工對(duì)象物1的表面3有用于切斷加工對(duì)象物1的切斷預(yù)定線5。切斷預(yù)定線5是以直線狀延伸的假想線。在本實(shí)施方式相關(guān)的激光加工方法中，如圖2所示，在多光子吸收產(chǎn)生的條件下，將聚光點(diǎn)P對(duì)準(zhǔn)于加工對(duì)象物1的內(nèi)部照射激光L，從而形成改質(zhì)區(qū)域7。另外，聚光點(diǎn)P是指激光L聚光的位置處。另外，切斷預(yù)定線5不限于直線狀也可以是曲線狀，并且不限于假想線也可以是實(shí)際畫在加工對(duì)象物1上的線。另外，通過(guò)使激光L沿著切斷預(yù)定線5(即，往圖1的箭頭A方向)相對(duì)地移動(dòng)，使聚光點(diǎn)P沿著切斷預(yù)定線5移動(dòng)。如此一來(lái)，如圖3圖5所示，改質(zhì)區(qū)域7沿著切斷預(yù)定線5形成在加工對(duì)象物1的內(nèi)部，該改質(zhì)區(qū)域7成為切斷起點(diǎn)區(qū)域8。在此，切斷起點(diǎn)區(qū)域8是指加工對(duì)象物l被切斷時(shí)作為切斷(切割)起點(diǎn)的區(qū)域。該切斷起點(diǎn)區(qū)域8，可以通過(guò)使改質(zhì)區(qū)域7連續(xù)狀地形成來(lái)形成，或者，使改質(zhì)區(qū)域7間斷地形成來(lái)形成。本實(shí)施方式的激光加工方法并不是加工對(duì)象物1吸收激光L，從而使加工對(duì)象物1發(fā)熱而形成改質(zhì)區(qū)域7的方法。而是使激光L透過(guò)加工對(duì)象物l，在加工對(duì)象物1的內(nèi)部產(chǎn)生多光子吸收以形成改質(zhì)區(qū)域7。因此，由于在加工對(duì)象物1的表面3上激光L幾乎不會(huì)被吸收，因此，加工對(duì)象物1的表面3不會(huì)熔融。如果在加工對(duì)象物1的內(nèi)部形成切斷起點(diǎn)區(qū)域8，則容易以該切斷起點(diǎn)區(qū)域8作為起點(diǎn)發(fā)生裂開(kāi)，故如圖6所示，能以較小的力量切斷加工對(duì)象物1。因此，在加工對(duì)象物1的表面3不發(fā)生大幅偏離切斷預(yù)定線5的不必要的裂開(kāi)的情況下，可以以高精度地切斷加工對(duì)象物1。以該切斷起點(diǎn)區(qū)域8作為起點(diǎn)的加工對(duì)象物1的切斷有以下2種情況。l種情況是，在形成切斷起點(diǎn)區(qū)域8之后，通過(guò)對(duì)加工對(duì)象物l施加人為的力量，使加工對(duì)象物1以切斷起點(diǎn)區(qū)域8作為起點(diǎn)裂開(kāi)，從而將加工對(duì)象物1切斷的情況。這是對(duì)于例如加工對(duì)象物1的厚度大時(shí)所采用的切斷方法。所謂施加人為的力量是指，例如，對(duì)加工對(duì)象物1沿著加工對(duì)象物1的切斷起點(diǎn)區(qū)域8施加彎曲應(yīng)力或剪切應(yīng)力，或者，對(duì)加工對(duì)象物1賦予溫度差由此產(chǎn)生熱應(yīng)力的情況。另一種情況是，通過(guò)形成切斷起點(diǎn)區(qū)域8，以切斷起點(diǎn)區(qū)域8為起點(diǎn)往加工對(duì)象物1的截面方向(厚度方向)自然地裂開(kāi)，其結(jié)果使加工對(duì)象物1切斷的情況。其在例如加工對(duì)象物1的厚度小的情況下，可以由1列改質(zhì)區(qū)域7來(lái)形成切斷起點(diǎn)區(qū)域8，在加工對(duì)象物1的厚度大的情況下，可以由厚度方向上形成的多列改質(zhì)區(qū)域7來(lái)形成切斷起點(diǎn)區(qū)域8。另外，在此自然裂開(kāi)的情況下，同樣地，在切斷之處，裂開(kāi)不會(huì)進(jìn)行至與未形成有切斷起點(diǎn)區(qū)域8的部位對(duì)應(yīng)的部分的表面3上，可以僅僅割斷與形成有切斷起點(diǎn)區(qū)域8的部位對(duì)應(yīng)的部分，因此能夠良好地控制割斷。近年來(lái)，硅晶片等加工對(duì)象物1的厚度有變薄的趨勢(shì)，因此這種控制性良好的割斷方法是非常有效的。另外，在本實(shí)施方式相關(guān)的激光加工方法中，由多光子吸收來(lái)形成的改質(zhì)區(qū)域有以下(1)(3)的情況。(l)改質(zhì)區(qū)域包含1個(gè)或多個(gè)裂縫的裂縫區(qū)域的情況將聚光點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)于加工對(duì)象物(例如由玻璃或LiTa03所構(gòu)成的壓電材料)的內(nèi)部，以聚光點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度為lXl()S(W/cm,以上、且脈沖寬度為IPs以下的條件照射激光。該脈沖寬度的大小是，產(chǎn)生多光子吸收、并在加工對(duì)象物的表面不產(chǎn)生額外的損傷，可以僅僅在加工對(duì)象物的內(nèi)部形成裂縫區(qū)域的條件。如此一來(lái)，在加工對(duì)象物的內(nèi)部發(fā)生由多光子吸收所引起的被稱作光學(xué)性損傷的現(xiàn)象。該光學(xué)性損傷使加工對(duì)象物的內(nèi)部產(chǎn)生熱應(yīng)變，由此在加工對(duì)象物的內(nèi)部形成裂縫區(qū)域。電場(chǎng)強(qiáng)度的上限值為，例如lX1012(W/cm2)。脈沖寬度優(yōu)選為，例如lns200ns。另夕卜，關(guān)于由多光子吸收所引起的裂縫區(qū)域的形成，例如記載于第45屆激光熱加工研究會(huì)論文集(1998年12月)的第23頁(yè)第28頁(yè)的"以固體激光高次諧波來(lái)進(jìn)行的玻璃基板內(nèi)部標(biāo)記"。本發(fā)明者通過(guò)實(shí)驗(yàn)獲得了電場(chǎng)強(qiáng)度與裂縫大小的關(guān)系。實(shí)驗(yàn)條件如下所述。(A)加工對(duì)象物PYREX(注冊(cè)商標(biāo))玻璃(厚度700um)(B)激光光源半導(dǎo)體激光激發(fā)Nd:YAG激光波長(zhǎng)1064nm激光點(diǎn)截面積3.14X10—8cm2振蕩形態(tài)Q開(kāi)關(guān)脈沖重復(fù)頻率100kHz脈沖寬度30ns輸出輸出〈lmJ/脈沖激光質(zhì)量TEMoo偏光特性直線偏振光(C)聚光用透鏡相對(duì)激光波長(zhǎng)的透過(guò)率60%(D)用來(lái)裝載加工對(duì)象物的裝載臺(tái)的移動(dòng)速度100mm/秒另外，所謂激光質(zhì)量為TEMQ。，是指聚光性高、可以聚光至激光的波長(zhǎng)程度的意思。圖7是表示上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果的曲線圖。橫軸為峰值功率密度，由于激光為脈沖激光，故電場(chǎng)強(qiáng)度以峰值功率密度來(lái)表示?？v軸表示由1個(gè)脈沖的激光而形成在加工對(duì)象物內(nèi)部的裂縫部分(裂縫處)的大小。裂縫處集合成為裂縫區(qū)域。裂縫處的大小，是裂縫處的形狀中呈最大長(zhǎng)度的部分的大小。曲線圖中以黑圓點(diǎn)表示的數(shù)據(jù)，是聚光用透鏡(C)的倍率為100倍、數(shù)值孔徑(NA)為0.80的情況。另一方面，曲線圖中以白圓點(diǎn)表示的數(shù)據(jù)，是聚光用透鏡(C)的倍率為50倍、數(shù)值孔徑(NA)為0.55的情況。由此得知加工對(duì)象物的內(nèi)部自峰值功率密度為約1()U(W/cm^起產(chǎn)生裂縫處，峰值功率密度越大，裂縫處也就越大。其次，就利用裂縫區(qū)域形成來(lái)進(jìn)行加工對(duì)象物的切斷的機(jī)制，參照?qǐng)D8圖11來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。如圖8所示，在多光子吸收發(fā)生的條件下，將聚光點(diǎn)P對(duì)準(zhǔn)于加工對(duì)象物1的內(nèi)部來(lái)照射激光L，從而在內(nèi)部沿著切斷預(yù)定線形成裂縫區(qū)域9。裂縫區(qū)域9是包含1個(gè)或多個(gè)裂縫的區(qū)域。如此形成的裂縫區(qū)域9成為切斷起點(diǎn)區(qū)域。如圖9所示，裂縫以裂縫區(qū)域9作為起點(diǎn)(即，以切斷起點(diǎn)區(qū)域作為起點(diǎn))進(jìn)一步成長(zhǎng)，如圖10所示，裂縫到達(dá)加工對(duì)象物1的表面3及背面21，如圖ll所示，加工對(duì)象物1裂開(kāi)，從而使加工對(duì)象物1被切斷。到達(dá)于加工對(duì)象物1的表面3及背面21的裂縫，有自然成長(zhǎng)的情況，也有對(duì)加工對(duì)象物1施加力量而成長(zhǎng)的情況。(2)改質(zhì)區(qū)域?yàn)槿廴谔幚韰^(qū)域的情況將聚光點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)于加工對(duì)象物(例如，硅那樣的半導(dǎo)體材料)的內(nèi)部，以聚光點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度為lX10S(W/cr^)以上、且脈沖寬度為lus以下的條件來(lái)照射激光。如此一來(lái)，加工對(duì)象物的內(nèi)部由于多光子吸收而被局部加熱。由于該加熱在加工對(duì)象物的內(nèi)部形成熔融處理區(qū)域。所謂熔融處理區(qū)域，是熔融后再固化了的區(qū)域、正好處于熔融狀態(tài)的區(qū)域、或處于自熔融狀態(tài)開(kāi)始進(jìn)行再固化的狀態(tài)的區(qū)域，也可以稱作相變化的區(qū)域或結(jié)晶結(jié)構(gòu)改變的區(qū)域。另外，所謂熔融處理區(qū)域，在單結(jié)晶結(jié)構(gòu)、非晶質(zhì)結(jié)構(gòu)、多結(jié)晶結(jié)構(gòu)中，也可以是某一結(jié)構(gòu)改變?yōu)榱硗獾慕Y(jié)構(gòu)的區(qū)域。即，例如，意味著自單結(jié)晶結(jié)構(gòu)改變?yōu)榉蔷з|(zhì)結(jié)構(gòu)的區(qū)域、自單結(jié)晶結(jié)構(gòu)改變?yōu)槎嘟Y(jié)晶結(jié)構(gòu)的區(qū)域、自單結(jié)晶結(jié)構(gòu)改變?yōu)榘蔷з|(zhì)結(jié)構(gòu)及多結(jié)晶結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)的區(qū)域。在加工對(duì)象物為硅單結(jié)晶結(jié)構(gòu)的情況下，熔融處理區(qū)域例如為非晶質(zhì)硅結(jié)構(gòu)。電場(chǎng)強(qiáng)度的上限值為，例如lX1012(W/cm2)。脈沖寬度優(yōu)選為，例如lns200ns。本發(fā)明者通過(guò)實(shí)驗(yàn)確認(rèn)了在硅晶片的內(nèi)部形成熔融處理區(qū)域的情況。實(shí)驗(yàn)條件如下所述。(A)加工對(duì)象物硅晶片(厚度350nm、外徑4英吋)(B)激光光源半導(dǎo)體激光激發(fā)Nd:YAG激光波長(zhǎng):1064nm激光點(diǎn)截面積3.14X10—8cm2振蕩型態(tài)Q開(kāi)關(guān)脈沖重復(fù)頻率100kHz脈沖寬度30ns輸出20uJ/脈沖激光質(zhì)量TEMoo偏光特性直線偏振光(c)聚光用透鏡倍率50倍N.A.:0.55相對(duì)激光波長(zhǎng)的透過(guò)率60%(D)用來(lái)裝載加工對(duì)象物的裝載臺(tái)的移動(dòng)速度100mm/秒圖12是表示在上述條件下通過(guò)激光加工而被切斷的硅晶片的一部分的截面照片的圖。在硅晶片11的內(nèi)部形成有熔融處理區(qū)域13。另外，以上述條件形成的熔融處理區(qū)域13的厚度方向上的大小約為100um。說(shuō)明熔融處理區(qū)域13通過(guò)多光子吸收而形成的情況。圖13是表示激光的波長(zhǎng)與硅基板內(nèi)部的透過(guò)率的關(guān)系的曲線圖。其去除了硅基板的表面?zhèn)燃氨趁鎮(zhèn)雀髯缘姆瓷涑煞郑瑑H表示內(nèi)部的透過(guò)率。分別對(duì)硅基板的厚度t為50lim、100um、200um、500nm、1000um的各種情況表示上述的關(guān)系。例如，在Nd:YAG激光的波長(zhǎng)為1064nm、硅基板的厚度為500um以下的情況下，可知在硅基板的內(nèi)部激光透過(guò)80%以上。由于圖12所示的硅晶片11的厚度為350um，故由多光子吸收所產(chǎn)生的熔融處理區(qū)域13形成在硅晶片11的中心附近，即，自表面算起175um的部分處。此時(shí)的透過(guò)率若以厚度為200nm的硅晶片作為參考，則為90%以上，因此，激光幾乎全部透過(guò)，僅有很少一部分在硅晶片11的內(nèi)部被吸收。這個(gè)結(jié)果意味著激光在硅晶片11的內(nèi)部被吸收，熔融處理區(qū)域13并非形成在硅晶片11的內(nèi)部(即，熔融處理區(qū)域并非由激光所引起的通常的加熱而形成)，熔融處理區(qū)域13是由多光子吸收而形成的。由多光子吸收所引起的熔融處理區(qū)域的形成，例如記載在日本的焊接學(xué)會(huì)全國(guó)大會(huì)演講概要第66集(2000年4月)的第72頁(yè)第73頁(yè)的「利用皮秒(picosecond)脈沖激光的硅加工特性評(píng)價(jià)」中。另外，硅晶片以熔融處理區(qū)域所形成的切斷起點(diǎn)區(qū)域作為起點(diǎn)往截面方向發(fā)生裂開(kāi)，該裂開(kāi)到達(dá)硅晶片的表面及背面，其結(jié)果硅晶片被切斷。到達(dá)硅晶片的表面及背面的該裂開(kāi)，有自然成長(zhǎng)的情況，也有對(duì)硅晶片施加力量而成長(zhǎng)的情況。另外，裂開(kāi)自切斷起點(diǎn)區(qū)域自然成長(zhǎng)至硅晶片的表面及背面的情況中，又有以下的任意一種情況裂開(kāi)自形成切斷起點(diǎn)區(qū)域的熔融處理區(qū)域正熔融的狀態(tài)開(kāi)始進(jìn)行成長(zhǎng)的情況；在自形成切斷起點(diǎn)區(qū)域的熔融處理區(qū)域正熔融的狀態(tài)開(kāi)始再進(jìn)行固化時(shí)，裂開(kāi)進(jìn)行成長(zhǎng)的情況。但是，無(wú)論在任意一種情況下，熔融處理區(qū)域均僅僅形成在硅晶片的內(nèi)部，在切斷后的切斷面上，則如圖12所示，僅僅在內(nèi)部形成有熔融處理區(qū)域。如上所述，如果在加工對(duì)象物的內(nèi)部由熔融處理區(qū)域來(lái)形成切斷起點(diǎn)區(qū)域，則在割斷時(shí)，難以發(fā)生偏離切斷起點(diǎn)區(qū)域線的不必要的裂開(kāi)，故割斷控制變得容易。P)改質(zhì)區(qū)域?yàn)檎凵渎首兓瘏^(qū)域的情況將聚光點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)于加工對(duì)象物(例如玻璃)的內(nèi)部，以聚光點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度為lX10S(W/cm、以上、且脈沖寬度為lns以下的條件來(lái)照射激光。若使脈沖寬度極短、使多光子吸收發(fā)生在加工對(duì)象物的內(nèi)部，則由多光子吸收所產(chǎn)生的能量不會(huì)轉(zhuǎn)換為熱能量，在加工對(duì)象物的內(nèi)部引起離子價(jià)態(tài)變化、結(jié)晶化或定向極化等的永久性的結(jié)構(gòu)變化，從而形成折射率變化區(qū)域。電場(chǎng)強(qiáng)度的上限值例如為lX1012(W/cm2)。脈沖寬度優(yōu)選為例如Ins以下，更優(yōu)選為lps以下。多光子吸收所引起的折射率變化區(qū)域的形成，例如記載在日本第42屆激光熱加工研究會(huì)論文集(1997年11月)第105頁(yè)第111頁(yè)的"利用飛秒(femtosecond)激光照射來(lái)對(duì)玻璃內(nèi)部進(jìn)行的光誘導(dǎo)結(jié)構(gòu)形成"。以上，作為由多光子吸收來(lái)形成的改質(zhì)區(qū)域，說(shuō)明了(1)(3)的情況，但是，若考慮到晶片狀的加工對(duì)象物的結(jié)晶結(jié)構(gòu)、以及其解理性等從而以如下方式形成切斷起點(diǎn)區(qū)域的話，則能以該切斷起點(diǎn)區(qū)域?yàn)槠瘘c(diǎn)以更小的力量且精度良好地切斷加工對(duì)象物。艮P，在由硅等的鉆石結(jié)構(gòu)的單結(jié)晶半導(dǎo)體所構(gòu)成的基板的情況下，優(yōu)選在沿著(lll)面(第1解理面)、(110)面(第2解理面)的方向上形成切斷起點(diǎn)區(qū)域。另外，在由GaAs等的閃鋅礦型結(jié)構(gòu)的III一V族化合物半導(dǎo)體所構(gòu)成的基板的情況下，優(yōu)選在沿著(110)面的方向上形成切斷起點(diǎn)區(qū)域。進(jìn)一步，在藍(lán)寶石^1203)等具有六方晶系的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的基板的情況下，優(yōu)選將(0001)面(C面)作為主面沿著(1120)面(A面)或(1100)面(M面)的方向上形成切斷起點(diǎn)區(qū)域。另外，如果在基板上沿著上述的應(yīng)形成切斷起點(diǎn)區(qū)域的方向(例如，在單結(jié)晶硅基板上沿著(ni)面的方向)、或與應(yīng)形成切斷起點(diǎn)區(qū)域的方向垂直的方向上形成定向平面(orientationflat)，則通過(guò)將此定向平面作為基準(zhǔn)，可以容易并且正確地在基板上形成沿著應(yīng)形成切斷起點(diǎn)區(qū)域的方向上的切斷起點(diǎn)區(qū)域。接下來(lái)說(shuō)明本發(fā)明合適的實(shí)施方式。圖14是本實(shí)施方式激光加工方法的加工對(duì)象物的平面圖，圖15是圖14所示的加工對(duì)象物的沿著XV—XV線的部分剖面圖。如圖14及圖15所示，在本實(shí)施方式中，加工對(duì)象物1具備，例如由硅構(gòu)成的厚度為300um的基板4，和包含多個(gè)功能元件15并形成于基板4的表面3的層疊部16。功能元件15具有層疊于基板4的表面3的層間絕緣膜17a、配置在層間絕緣膜17a上的配線層19a、以覆蓋配線層19a的方式層疊在層間絕緣膜17a上的層間絕緣膜17b、以及、配置在層間絕緣膜17b上的配線層19b。配線層19a與基板4由貫穿層間絕緣膜17a的導(dǎo)電性襯套(plug)20a來(lái)電連接；配線層19b與配線層19a由貫穿層間絕緣膜17b的導(dǎo)電性襯套20b來(lái)電連接。作為功能元件15，可以舉出例如，由結(jié)晶成長(zhǎng)而形成的半導(dǎo)體動(dòng)作層、光電二極管等的受光元件、激光二極管等的發(fā)光元件、形成為電路的電路元件、半導(dǎo)體裝置等。另外，多個(gè)功能元件15在與基板4的定向平面6平行方向上以及垂直的方向上形成為矩陣狀；層間絕緣膜17a、17b以覆蓋基板4的表面3全體的方式跨過(guò)相鄰的功能元件15、15之間而形成。將如上述地構(gòu)成的加工對(duì)象物1以如下方式按每個(gè)功能元件15進(jìn)行切斷。首先，如圖16(a)所示，對(duì)加工對(duì)象物1以覆蓋層疊部16的方式貼上保護(hù)帶22。接著，如圖16(b)所示，使基板4的背面21朝向上方，將加工對(duì)象物l固定在激光加工裝置的裝載臺(tái)(未圖示)上。此時(shí)，由于利用保護(hù)帶22避免了層疊部16直接接觸于裝載臺(tái)，故可以保護(hù)各功能元件15。另外，以通過(guò)相鄰的功能元件15、15之間的方式，將切斷預(yù)定線5設(shè)定成格子狀(參照?qǐng)D14的虛線)，以背面21作為激光入射面將聚光點(diǎn)P對(duì)準(zhǔn)于基板4的內(nèi)部，以多光子吸收發(fā)生的條件照射激光L，同時(shí)，通過(guò)載置臺(tái)的移動(dòng)使聚光點(diǎn)P沿著切斷預(yù)定線5進(jìn)行掃描。在本實(shí)施方式中，對(duì)1條切斷預(yù)定線5進(jìn)行6次沿著切斷預(yù)定線5的聚光點(diǎn)P的掃描，并且，通過(guò)每次掃描都改變對(duì)準(zhǔn)聚光點(diǎn)P的位置的距背面21的距離，從而在基板4的內(nèi)部沿著切斷預(yù)定線5從表面3側(cè)依序在每1列形成1列的質(zhì)量改質(zhì)區(qū)域71;3列的截?cái)喔馁|(zhì)區(qū)域72;以及，2列的HC(半切(halfcut))改質(zhì)區(qū)域73。各改質(zhì)區(qū)域71、72、73成為在切斷加工對(duì)象物1時(shí)的切斷起點(diǎn)。另外，由于本實(shí)施方式的基板4是由硅所構(gòu)成的半導(dǎo)體基板，故各改質(zhì)區(qū)域71、72、73是熔融處理區(qū)域。另外，改質(zhì)區(qū)域71、72、73與上述的改質(zhì)區(qū)域7同樣，可以由連續(xù)形成的改質(zhì)區(qū)域構(gòu)成，也可以由以規(guī)定間隔間斷地形成的改質(zhì)區(qū)域構(gòu)成。如此，由于將各改質(zhì)區(qū)域71、72、73以距離基板4的背面21由遠(yuǎn)而近、每次一列的方式來(lái)形成，故在形成各改質(zhì)區(qū)域71、72、73時(shí)，在激光入射面——背面21與激光L的聚光點(diǎn)P之間不存在改質(zhì)區(qū)域，因此，不會(huì)發(fā)生己經(jīng)形成的改質(zhì)區(qū)域所引起的激光L的散射、吸收等。因此，可以將各改質(zhì)區(qū)域71、72、73沿著切斷預(yù)定線5精度良好地形成在基板4的內(nèi)部。另外，通過(guò)將基板4的背面21作為激光入射面，即使在層疊部16的切斷預(yù)定線5上存在反射激光L的部件(例如，TEG)的情況下，也可以在基板4的內(nèi)部確實(shí)地形成沿著切斷預(yù)定線5的各改質(zhì)區(qū)域71、72、73。在形成各改質(zhì)區(qū)域7K72、73之后，如圖17(a)所示，在加工對(duì)象物1的基板4的背面21貼上擴(kuò)張帶23。接著，如圖17(b)所示，對(duì)保護(hù)帶22照射紫外線，以降低其粘著力，再如圖18(a)所示，從加工對(duì)象物l的層疊部16剝下保護(hù)帶22。剝下保護(hù)帶22之后，如圖18(b)所示，使擴(kuò)張帶23擴(kuò)張，以各改質(zhì)區(qū)域71、72、73為起點(diǎn)發(fā)生裂開(kāi)，從而將基板4及層疊部16沿著切斷預(yù)定線5切斷的同時(shí)，將切斷所獲得的各半導(dǎo)體芯片25(半導(dǎo)體裝置)互相分開(kāi)。在此，對(duì)改質(zhì)區(qū)域71、72、73的形成方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。圖19是表示形成有改質(zhì)區(qū)域71、72、73的加工對(duì)象物1的一部分的平面圖，圖20是圖19所示的加工對(duì)象物1沿著XX—XX線的部分剖面圖。質(zhì)量改質(zhì)區(qū)域71是通過(guò)在照射激光L時(shí)選擇性地切換連續(xù)振蕩和脈沖振蕩而形成的。激光L的振蕩，例如是利用控制激光L的電源控制器(未圖示)來(lái)切換的。當(dāng)使激光L進(jìn)行脈沖振蕩時(shí)，相比于使激光L進(jìn)行連續(xù)振蕩的情況其能量較高超過(guò)加工臨界值，可以在基板4的內(nèi)部確實(shí)地形成質(zhì)量改質(zhì)區(qū)域71。因此，使激光L沿著切斷預(yù)定線5的所希望部分RP進(jìn)行脈沖振蕩，通過(guò)使激光L沿著其所希望部分RP以外的部分(規(guī)定部分)RC進(jìn)行連續(xù)振蕩，可以在基板4的內(nèi)部沿著所希望部分RP確實(shí)地形成質(zhì)量改質(zhì)區(qū)域71。另外，由于沿著規(guī)定部分RC使激光L進(jìn)行連續(xù)振蕩，因此能量較低不超過(guò)加工臨界值，相比于沿著規(guī)定部分RC使激光L進(jìn)行脈沖振蕩的情況，可以降低激光L對(duì)層疊部16給予的損傷。因此，在切斷基板4以及層疊部16時(shí)，可以提高切斷預(yù)定線5的規(guī)定部分RC上的層疊部16的切斷精度。因此，如圖18(b)所示，使用本實(shí)施方式的激光加工方法所制造出的半導(dǎo)體芯片25中，基板4的切斷面(側(cè)面)4a、以及層疊部16的切斷面(側(cè)面)16a成為凹凸被抑制的高精度切斷面。另外，在本實(shí)施方式中，如圖19及圖20所示，金屬膜M沿著切斷預(yù)定線5的規(guī)定部分RC設(shè)置在層疊部16內(nèi)。在沿著該規(guī)定部分RC的基板4的內(nèi)部，從降低在上述層疊部16上產(chǎn)生的損傷的觀點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選不形成質(zhì)量改質(zhì)區(qū)域71。若金屬膜M設(shè)置在層疊部16內(nèi)，則容易在層疊部16上產(chǎn)生損傷。如下所述事實(shí)被認(rèn)為是產(chǎn)生該損傷的原因。有時(shí)由于用來(lái)使激光L聚光的透鏡的像差等的影響，激光L的一部分成分會(huì)被聚集在金屬膜M上。在此情況下，激光L被金屬膜M反射，改質(zhì)區(qū)域因反射光而形成在基板4、層疊部16的內(nèi)部、或基板4與層疊部16的界面。特別是在基板4的背面21為入射面的情況下，在從距離入射面遠(yuǎn)的一側(cè)形成改質(zhì)區(qū)域時(shí)，容易受到透鏡的像差的影響。另外，層疊部16由于相比于基板4用于形成改質(zhì)區(qū)域所必要的能量的閾值低，故在層疊部16內(nèi)容易形成改質(zhì)區(qū)域。但是，在層疊部16上產(chǎn)生損傷的原因并不限定于這些。作為金屬膜M可以舉出構(gòu)成試驗(yàn)用元件組(TEG)的金屬配線、金屬墊等。另外，金屬膜M也可以是因熱而剝離的膜。另外，也可以用低電容率膜(low—k膜)等絕緣膜來(lái)代替金屬膜M，并將其設(shè)置在層疊部16內(nèi)。該絕緣膜也可以是因熱而剝離的膜。作為低電容率膜例如可以舉出電容率比3.8(Si02的電容率)更小的膜。另外，如圖19所示，在切斷預(yù)定線5交叉的部分CP，優(yōu)選使激光L進(jìn)行脈沖振蕩。如此一來(lái)，質(zhì)量改質(zhì)區(qū)域71確實(shí)地沿著切斷預(yù)定線5交叉的部分CP而形成在基板4的內(nèi)部。因此，在切斷基板4及層疊部16時(shí)，可以防止在切斷預(yù)定線5交叉的部分CP上產(chǎn)生碎屑(chipping)等。因此，能進(jìn)一步提高基板4及層疊部16的切斷精度。另外，如圖20所示，優(yōu)選在與基板4的表面3以及與質(zhì)量改質(zhì)區(qū)域71的表面?zhèn)榷瞬?1a的距離為5um20um的位置、或者、在與基板4的表面3以及與質(zhì)量改質(zhì)區(qū)域71的背面?zhèn)榷瞬?1b的距離為[5+(基板4的厚度)XO.l]Um[20+(基板4的厚度)XO.l]ym的位置，形成1列質(zhì)量改質(zhì)區(qū)域71。在此，例如，如果將作為可擴(kuò)張的薄膜的擴(kuò)張帶23貼在基板4的背面21并加以擴(kuò)張，則基板4以及層疊部16沿著切斷預(yù)定線5被切斷。此時(shí)，若在上述位置形成有質(zhì)量改質(zhì)區(qū)域71，則可以進(jìn)行層疊部16(在此為層間絕緣膜17a、17b)的高精度的切斷。另外，即使在基板4厚度為300um這樣的厚度較厚的情況下，仍能進(jìn)行基板4及層疊部16的高精度的切斷。另外，在截?cái)喔馁|(zhì)區(qū)域72的形成中，以在基板4的厚度方向上連續(xù)的方式，形成例如3列截?cái)喔馁|(zhì)區(qū)域72。進(jìn)一步，在HC改質(zhì)區(qū)域73的形成中，如圖16(b)所示，通過(guò)形成例如2列HC改質(zhì)區(qū)域73，使沿著切斷預(yù)定線5的裂開(kāi)24自HC改質(zhì)區(qū)域73產(chǎn)生到基板4的背面21處。另外，按照形成條件的不同，有時(shí)在相鄰的截?cái)喔馁|(zhì)區(qū)域72與HC改質(zhì)區(qū)域73之間也發(fā)生裂開(kāi)24。如果將擴(kuò)張帶23貼在基板4的背面21并加以擴(kuò)張，則經(jīng)由在厚度方向上連續(xù)地形成的3列截?cái)喔馁|(zhì)區(qū)域72，自基板4往層疊部16平穩(wěn)地進(jìn)行裂開(kāi)，其結(jié)果，能精度良好地沿著切斷預(yù)定線5切斷基板4及層疊部16。另外，只要能使裂開(kāi)自基板4平穩(wěn)地往層疊部16進(jìn)行，則截?cái)喔馁|(zhì)區(qū)域72就不限定于3列。一般來(lái)說(shuō)，若基板4薄就要減少截?cái)喔馁|(zhì)區(qū)域72的列數(shù)，若基板4厚就要增加截?cái)喔馁|(zhì)區(qū)域72的列數(shù)。另外，只要能使裂開(kāi)自基板4平穩(wěn)地往層疊部16進(jìn)行，則截?cái)喔馁|(zhì)區(qū)域72也可以是互相分開(kāi)的形態(tài)。進(jìn)一步，只要能確實(shí)地使裂開(kāi)24自HC改質(zhì)區(qū)域73進(jìn)行至基板4的背面21，則HC改質(zhì)區(qū)域73也可以為1歹U。以上對(duì)本發(fā)明合適的實(shí)施方式進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，但本發(fā)明不限定于上述實(shí)施方式。例如，在上述的實(shí)施方式中，在形成質(zhì)量改質(zhì)區(qū)域71時(shí)有選擇性地切換了脈沖振蕩與連續(xù)振蕩，但在形成其它改質(zhì)區(qū)域時(shí)也可以有選擇性地切換脈沖振蕩與連續(xù)振蕩。作為其它改質(zhì)區(qū)域，例如可以舉出截?cái)喔馁|(zhì)區(qū)域72、HC改質(zhì)區(qū)域73等。其中，從提高切斷精度的觀點(diǎn)考慮，在形成最靠近裝置側(cè)的質(zhì)量改質(zhì)區(qū)域71時(shí)，優(yōu)選有選擇性地切換脈沖振蕩與連續(xù)振蕩。另夕卜，加工對(duì)象物1也可以是GaAs晶片或厚度100iim以下的硅晶片。此時(shí)，通過(guò)在加工對(duì)象物1的內(nèi)部沿著切斷預(yù)定線5形成1列改質(zhì)區(qū)域，可以以非常高的精度進(jìn)行加工對(duì)象物l的切斷。另外，改質(zhì)區(qū)域71、72、73并不限定于通過(guò)在加工對(duì)象物1內(nèi)部發(fā)生的多光子吸收來(lái)形成。改質(zhì)區(qū)域71、72、73也可以通過(guò)在加工對(duì)象物1內(nèi)部發(fā)生與多光子吸收等同的光吸收來(lái)形成。另外，雖然在本實(shí)施方式中使用硅制半導(dǎo)體晶片來(lái)作為加工對(duì)象物l，但半導(dǎo)體晶片的材料不限定于此。作為半導(dǎo)體晶片的材料，例如可以舉出硅以外的IV族元素半導(dǎo)體、包含SiC那樣的IV族元素的化合物半導(dǎo)體、包含III一V族元素的化合物半導(dǎo)體、包含II一VI族元素的化合物半導(dǎo)體、以及、摻雜有各種摻雜物的半導(dǎo)體等。以下，對(duì)本實(shí)施方式的激光加工方法的一實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，但本發(fā)明不限定于改實(shí)施例。圖21(a)及圖21(b)是本實(shí)施例的激光加工方法中的加工對(duì)象物的平面圖。圖22是表示圖21(b)所示加工對(duì)象物的基板的切斷面4a的照片的圖，其對(duì)應(yīng)于圖20。首先，沿著位于功能元件15、15間的切斷預(yù)定線5的所希望的部分RP，使激光L進(jìn)行脈沖振蕩，從而在加工對(duì)象物的內(nèi)部形成質(zhì)量改質(zhì)區(qū)域71。另一方面，沿著切斷預(yù)定線5的規(guī)定部分RC使激光L進(jìn)行連續(xù)振蕩，從而在加工對(duì)象物的內(nèi)部不形成質(zhì)量改質(zhì)區(qū)域71。另外，基板的背面21為激光的入射面。其次，沿著切斷預(yù)定線5形成截?cái)喔馁|(zhì)區(qū)域72及HC改質(zhì)區(qū)域73。其結(jié)果，如圖21(a)所示，雖然沿著切斷預(yù)定線5的規(guī)定部分RC的層疊部16中包含有金屬膜M，但未確認(rèn)到由激光造成的層疊部16的損傷。在形成改質(zhì)區(qū)域71、72、73之后，在加工對(duì)象物上貼上擴(kuò)張帶，通過(guò)由擴(kuò)張裝置使擴(kuò)張帶擴(kuò)張切斷加工對(duì)象物(參照?qǐng)D21(b))。如圖21(b)所示，在切斷面16a上看不到凹凸，確認(rèn)了其已被高精度地切斷的事實(shí)。拍攝這樣被切斷的加工對(duì)象物的基板的切斷面4a所得的照片，顯示于圖22中。如圖22所示，在沿著切斷預(yù)定線5的規(guī)定部分RC的加工對(duì)象物的內(nèi)部并未形成有質(zhì)量改質(zhì)區(qū)域71。接著說(shuō)明在上述實(shí)施例中形成改質(zhì)區(qū)域71、72、73時(shí)的激光加工條件。激光L的脈沖寬度為180ns，激光L的照射位置間隔(脈沖間距)為4ym，激光L的頻率為75kHz。另外，裝載有加工對(duì)象物的裝載臺(tái)的移動(dòng)速度為300mm/s。再者，自作為入射面的背面21至聚光點(diǎn)P為止的距離(聚光點(diǎn)位置)、激光L的能量、以及單位時(shí)間能量之間的關(guān)系如表1所示。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>另一方面，圖23(a)及圖23(b)是激光加工方法的一例中的加工對(duì)象物的平面圖。圖24是表示圖23(b)所示加工對(duì)象物的基板的切斷面104a的照片的圖。首先，通過(guò)沿著位于功能元件115、115間的切斷預(yù)定線105照射激光，從而在加工對(duì)象物的內(nèi)部形成改質(zhì)區(qū)域171、172、173。另外，基板的背面121為激光的入射面。在此情況下，如圖23(a)所示，由于沿著切斷預(yù)定線105照射激光，因此在包含金屬膜100M的層疊部116上產(chǎn)生膜的剝離等的損傷。在形成改質(zhì)區(qū)域171、172、173之后，在加工對(duì)象物上貼上擴(kuò)張帶，通過(guò)由擴(kuò)張裝置使擴(kuò)張帶擴(kuò)張來(lái)切斷加工對(duì)象物(參照?qǐng)D23(b))。如圖23(b)所示，可以在切斷面116a上看到凹凸，確認(rèn)到切斷精度不足。拍攝這樣切斷的加工對(duì)象物的基板的104a所得的照片顯示于圖24。如圖24所示，在加工對(duì)象物的內(nèi)部沿著切斷預(yù)定線105形成有改質(zhì)區(qū)域171。產(chǎn)業(yè)上的利用可能性根據(jù)本發(fā)明，可以在加工對(duì)象物的內(nèi)部沿著切斷預(yù)定線的所希望部分確實(shí)地形成改質(zhì)區(qū)域。權(quán)利要求1.一種激光加工方法，其特征在于，通過(guò)對(duì)加工對(duì)象物照射激光，該加工對(duì)象物具有基板和形成在所述基板的表面并包含金屬膜以及絕緣膜的層疊部，沿所述加工對(duì)象物的切斷預(yù)定線在所述基板的內(nèi)部形成成為切斷起點(diǎn)的改質(zhì)區(qū)域，以所述改質(zhì)區(qū)域?yàn)榍袛嗟钠瘘c(diǎn)沿所述切斷預(yù)定線切斷所述加工對(duì)象物，在所述切斷預(yù)定線橫切所述金屬膜的情況下，當(dāng)形成第一改質(zhì)區(qū)域作為所述改質(zhì)區(qū)域時(shí)，在對(duì)應(yīng)于所述金屬膜以外的部分的所述切斷預(yù)定線的第一部分形成所述第一改質(zhì)區(qū)域，在對(duì)應(yīng)于所述金屬膜的所述切斷預(yù)定線的第二部分不形成所述第一改質(zhì)區(qū)域。2.如權(quán)利要求1所述的激光加工方法，其特征在于，沿所述切斷預(yù)定線以在所述加工對(duì)象物的厚度方向上排列的方式形成多列所述改質(zhì)區(qū)域的情況下，所述第一改質(zhì)區(qū)域是多列所述改質(zhì)區(qū)域中最靠近所述層疊部的所述改質(zhì)區(qū)域，在多列所述改質(zhì)區(qū)域中，形成比所述第一改質(zhì)區(qū)域遠(yuǎn)離所述層疊部的第二改質(zhì)區(qū)域時(shí)，在所述第一部分以及所述第二部分形成所述第二改質(zhì)區(qū)域。3.如權(quán)利要求2所述的激光加工方法，其特征在于，在形成所述第一改質(zhì)區(qū)域時(shí)，在所述第一部分以形成所述第一改質(zhì)區(qū)域的方式將所述激光的能量設(shè)定為規(guī)定的臨界值以上，在所述第二部分以不形成所述第一改質(zhì)區(qū)域的方式將所述激光的能量設(shè)定為小于所述規(guī)定的臨界值，在形成所述第二改質(zhì)區(qū)域時(shí)，在所述第一部分以及所述第二部分以形成所述第二改質(zhì)區(qū)域的方式將所述激光的能量設(shè)定為規(guī)定的臨界值以上。4.如權(quán)利要求13中的任意一項(xiàng)所述的激光加工方法，其特征在于，在形成所述改質(zhì)區(qū)域之后，通過(guò)對(duì)所述加工對(duì)象物施加應(yīng)力，以所述改質(zhì)區(qū)域?yàn)榍袛嗟钠瘘c(diǎn)，沿所述切斷預(yù)定線切斷所述加工對(duì)象物。全文摘要本發(fā)明提供一種可以在加工對(duì)象物的內(nèi)部沿著切斷預(yù)定線的所希望的部分確實(shí)地形成改質(zhì)區(qū)域的激光加工方法。在該激光加工方法中，將聚光點(diǎn)(P)對(duì)準(zhǔn)于基板(4)的內(nèi)部照射激光(L)，從而在基板(4)的內(nèi)部沿切斷預(yù)定線(5)形成成為切斷起點(diǎn)的質(zhì)量改質(zhì)區(qū)域(71)。此時(shí)，沿切斷預(yù)定線(5)的所希望的部分(RP)使激光(L)進(jìn)行脈沖振蕩，并沿切斷預(yù)定線(5)的規(guī)定部分(RC)使激光(L)進(jìn)行連續(xù)振蕩。由此，在沿著切斷預(yù)定線(5)的所希望部分(RP)的基板(4)的內(nèi)部形成質(zhì)量改質(zhì)區(qū)域(71)，并且在沿著切斷預(yù)定線(5)的規(guī)定部分RC的基板(4)的內(nèi)部不形成質(zhì)量改質(zhì)區(qū)域(71)。文檔編號(hào)C03B33/02GK101434010SQ200810185780公開(kāi)日2009年5月20日申請(qǐng)日期2005年7月27日優(yōu)先權(quán)日2004年8月6日發(fā)明者久野耕司,坂本剛志,鈴木達(dá)也申請(qǐng)人:浜松光子學(xué)株式會(huì)社