清洗裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型提出了一種清洗裝置，用于對晶圓進行清洗，所述裝置包括混合單元、與所述混合單元相連的第一管路、第二管路以及混合管路，其中所述混合管路還連接一噴頭，所述噴頭與所述晶圓正對，所述噴頭與晶圓之間設(shè)有可活動的遮擋盤。在噴頭與晶圓之間設(shè)置一可活動的遮擋盤，在進行噴等離子水或者氮氣之前先使用遮擋盤對等離子水或氮氣進行遮擋，直至混合單元將氮氣和等離子水制作成高壓水霧之后再移去遮擋盤，使高壓水霧直接噴至晶圓的表面，進行清洗，防止等離子水或者氮氣直接噴在晶圓的表面，減少靜電的形成，避免對晶圓造成損傷。
【專利說明】粒大小的不同設(shè)置不同的氮氣以及等離子
隱結(jié)構(gòu)示意圖，所述清洗裝置位于清洗機臺I路12、混合管路13以及噴頭20，其中，所13均與所述混合單元10相連，所述噴頭2030位于所述噴頭20的下方，氮氣由所述氮2提供，所述氮氣與等離子水在所述混合單擊噴頭20噴出高壓水霧21至晶圓30的表
進行清洗之后，晶圓30的中心位置的鋁盤擊穿所致。因此，清洗工藝便成為高度懷疑
裝置，能夠減少靜電的產(chǎn)生，避免靜電對晶:可以修改在此描述的本實用新型，而仍然:當被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知
征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能細節(jié)而混亂。應(yīng)當認為在任何實際實施例1的特定目標，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商另外，應(yīng)當認為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和是常規(guī)工作。
(體地描述本實用新型。根據(jù)下面說明和權(quán)帚說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且么明本實用新型實施例的目的。
在損傷極有可能是清洗工藝產(chǎn)生的靜電而(1)只噴氮氣至晶圓表面42)至噴等離子高壓水霧。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，只噴氮氣時，在晶圓生靜電最少的是噴由氮氣和等離子水形成、位置，通常是先噴氮氣，與晶圓中心位置存已，并不對本實用新型起到任何限制作用。3新型的技術(shù)方案的范圍內(nèi)，對本實用新型字換或修改等變動，均屬未脫離本實用新型圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種清洗裝置，用于對晶圓進行清洗，其特征在于，所述裝置包括混合單元、與所述混合單元相連的第一管路、第二管路以及混合管路，其中所述混合管路還連接一噴頭，所述噴頭與所述晶圓正對，所述噴頭與晶圓之間設(shè)有可活動的遮擋盤。
2.如權(quán)利要求1所述的清洗裝置，其特征在于，所述清洗裝置還包括一固定件，所述固定件固定在所述噴頭一側(cè)，并與所述遮擋盤相連。
3.如權(quán)利要求1所述的清洗裝置，其特征在于，所述遮擋盤的尺寸大于所述噴頭的尺寸。
4.如權(quán)利要求3所述的清洗裝置，其特征在于，所述噴頭的俯視圖為圓形，所述噴頭的直徑范圍是2cm?8cm。
5.如權(quán)利要求4所述的清洗裝置，其特征在于，所述遮擋盤的俯視圖為圓形，所述遮擋盤的直徑范圍是3cm?9cm。
6.如權(quán)利要求1所述的清洗裝置，其特征在于，所述噴頭設(shè)有多個孔洞，所述孔洞按照一定規(guī)則分布在所述噴頭的表面。
【文檔編號】B08B3/02GK203631506SQ201320804360
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2013年12月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月9日
【發(fā)明者】彭利, 詹揚 申請人:中芯國際集成電路制造(北京)有限公司