專利名稱：連續(xù)陰影掩模汽相沉積系統(tǒng)的陰影掩模的原位腐蝕方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及連續(xù)直線型陰影掩模汽相沉積系統(tǒng)中陰影掩模的原 位清潔的方法。
背景技術(shù)：
美國(guó)專利No. 6,943,066公開(kāi)了 一種示例性連續(xù)直線型陰影掩模 汽相沉積系統(tǒng)，將其在此以用作參考。迄今，此系統(tǒng)的問(wèn)題在于必須 從系統(tǒng)中移走每個(gè)陰影掩模來(lái)進(jìn)行清洗，并且隨后再返回到系統(tǒng)中， 從而防止在每個(gè)陰影掩模的表面上和孔中堆積沉積材料，這種堆積不 利地影響了通過(guò)陰影掩模沉積在基板上的圖案的尺寸。
下文所述的實(shí)施例試圖利用現(xiàn)有技術(shù)中的直線型陰影掩模汽相 沉積系統(tǒng)來(lái)克服前述問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是一種對(duì)用于形成電子器件的陰影掩模汽相沉積系統(tǒng)的 一個(gè)或多個(gè)陰影掩模的使用和清潔方法。該方法包括步驟(a)將基 板推進(jìn)通過(guò)多個(gè)順序連接的沉積真空腔，每個(gè)沉積真空腔具有定位于
其中的至少一個(gè)材料沉積源以及一個(gè)陰影掩模；(b)在每個(gè)沉積真
空腔為真空情況下通過(guò)定位于其中的陰影掩模在基板上沉積來(lái)自定 位于沉積真空腔中的至少一個(gè)材料沉積源的材料，其中所述材料還被
沉積在了陰影掩模朝向該材料沉積源的表面上；(c)接著在步驟(b)中所進(jìn)行的在所述多個(gè)順序連接的沉積真空腔的至少一個(gè)沉積真空 腔中的陰影掩模的表面上的材料沉積之后，在所述至少一個(gè)沉積真空 腔中沒(méi)有基板時(shí)將反應(yīng)氣體導(dǎo)入所述至少一個(gè)沉積真空腔；以及(d) 使得所述多個(gè)順序連接的沉積真空腔的所述至少一個(gè)沉積真空腔中 的反應(yīng)氣體電離，從而電離后的氣體去除了沉積在陰影掩模上的材 料。
該方法可以進(jìn)一步包括步驟(e)推進(jìn)另一基板通過(guò)多個(gè)順序 連接的沉積真空腔；(f)在每個(gè)沉積真空腔為真空情況下通過(guò)定位 于其中的陰影掩模在另一基板上沉積來(lái)自定位于沉積真空腔中的至 少一個(gè)材料沉積源的材料，其中所述材料還被沉積在了陰影掩模朝向 該材料沉積源的表面上；(g)接著在步驟(f)中所進(jìn)行的在所述多 個(gè)順序連接的沉積真空腔的至少一個(gè)沉積真空腔中的陰影掩模的表 面上的材料沉積之后，在所述至少一個(gè)沉積真空腔中沒(méi)有基板時(shí)將反 應(yīng)氣體導(dǎo)入所述至少一個(gè)沉積真空腔；以及(h)使得所述多個(gè)順序
連接的沉積真空腔的所述至少一個(gè)沉積真空腔中的反應(yīng)氣體電離，從 而電離后的氣體去除了沉積在陰影掩模上的材料。
在步驟(d)中，電離后的氣體能通過(guò)濺射法去除沉積在陰影掩 模上的材料。
在步驟(c)中，所述至少一個(gè)沉積真空腔中反應(yīng)氣體的壓力可 以在1毫托到500毫托之間。
當(dāng)沉積在陰影掩模上的材料是絕緣體時(shí)，反應(yīng)氣體可以是CF4 或者SFe。該絕緣體可以是Si02。
當(dāng)沉積在陰影掩模上的材料是導(dǎo)電體時(shí)，反應(yīng)氣體可以是氯型 氣體。氯型氣體可以包括Cb和BC13中的一個(gè)或者其組合。該導(dǎo)電 材料可以是Cu或者Al。
當(dāng)沉積在陰影掩模上的材料是半導(dǎo)體時(shí)，反應(yīng)氣體可以是三甲 胺、或CH4/H2/Ar的組合、或H2/Ar的組合。該半導(dǎo)體可以是CdS、 CdTe或者CdSe。
本發(fā)明還是一種對(duì)用于形成電子器件的陰影掩模汽相沉積系統(tǒng) 的一個(gè)或多個(gè)陰影掩模的使用和清潔方法。該方法包括步驟(a)將基板導(dǎo)入沉積真空腔，在該沉積真空腔中包括材料沉積源和陰影掩 模；(b)在沉積真空腔為真空情況下通過(guò)陰影掩模在基板上沉積來(lái) 自材料沉積源的材料，其中所述材料還被沉積在了陰影掩模朝向該材 料沉積源的表面上；(c)接著在步驟(b)中所進(jìn)行的在沉積真空腔 中的陰影掩模的表面上的材料沉積之后，在該沉積真空腔中沒(méi)有基板 時(shí)將反應(yīng)氣體導(dǎo)入該沉積真空腔；以及(d)使得該沉積真空腔中的 反應(yīng)氣體電離，從而電離后的氣體去除了沉積在陰影掩模上的材料。 該方法可以進(jìn)一步包括步驟(e)將另一基板導(dǎo)入沉積真空腔； (f)在沉積真空腔為真空情況下通過(guò)陰影掩模在另一基板上沉積來(lái) 自材料沉積源的材料，其中所述材料還被沉積在了陰影掩模朝向該材 料沉積源的表面上；(g)接著在步驟(f)中所進(jìn)行的在沉積真空腔
中的陰影掩模的表面上的材料沉積之后，在該沉積真空腔中沒(méi)有其他
基板時(shí)將反應(yīng)氣體導(dǎo)入該沉積真空腔；以及(h)使得該沉積真空腔 中的反應(yīng)氣體電離，從而電離后的氣體去除了沉積在陰影掩模上的材 料。
電離后的氣體能通過(guò)濺射法去除沉積在陰影掩模上的材料。 在步驟(c)中，該沉積真空腔中反應(yīng)氣體的壓力可以在1毫托 到500毫托之間。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例直線型生產(chǎn)系統(tǒng)的示意性側(cè)視圖，該 系統(tǒng)用于在基板上制造電子元件和受控元件；
圖2是在圖1中所示生產(chǎn)系統(tǒng)中所用陰影掩模的分開(kāi)部分的示
圖3是圖1所示基板部分的截面圖，該基板部分上具有通過(guò)圖1 所示的生產(chǎn)系統(tǒng)沉積的電子元件和受控元件；
圖4-圖9是通過(guò)圖1所示的生產(chǎn)系統(tǒng)在圖1的基板部分上依次 沉積材料以在其上形成電子元件的示圖；以及
圖10是圖l所示生產(chǎn)系統(tǒng)的一個(gè)或多個(gè)陰影掩模的使用方法和
清潔方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
一種電子器件包括沉積在基板上的一個(gè)或多個(gè)電子元件，該電 子元件用于控制可與上述電子器件分開(kāi)或是上述電子器件的一個(gè)組 成部分的一個(gè)或多個(gè)受控元件，并且還涉及一種制造上述電子器件的 方法。在以下的說(shuō)明中，所描述的電子器件是一種有源矩陣底板，其 具有沉積在有源矩陣底板上從而選擇性受控的有機(jī)發(fā)光二極管 (0LED)的陣列。然而，這并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制，因?yàn)橹T如薄膜 晶體管、二極管、電容器或存儲(chǔ)元件之類的任何類型的電子元件都可 被形成在基板上來(lái)對(duì)形成在或未形成在基板上的任何類型的受控元 件進(jìn)行控制。下面將參考附圖進(jìn)行描述，在附圖中相同的參考標(biāo)號(hào)對(duì) 應(yīng)與相同的元件。
參考圖1，用于生產(chǎn)例如其上具有0LED的有源矩陣底板這樣的 電子器件的示例生產(chǎn)系統(tǒng)2包括多個(gè)順序連接的真空腔。多個(gè)真空腔 包括多個(gè)沉積真空腔4、 一個(gè)退火真空腔20、以及一個(gè)測(cè)試真空腔 22。每個(gè)沉積真空腔4包括充有期望材料的沉積源8，將通過(guò)同樣位 于沉積真空腔4中的陰影掩模12來(lái)將所述期望材料沉積到基板10 上。
每一陰影掩模12-1到12-12都包括一個(gè)形成在薄片16上的孔 圖案14，例如狹縫、孔洞等。圖2由對(duì)沉積真空腔4-1的沉積源8-1 的透視來(lái)示出了陰影掩模12-1的示圖。形成在每一陰影掩模12-1 到12-12的薄片16中的孔圖案14與隨著基板IO通過(guò)每個(gè)沉積真空 腔4-1到4-12推進(jìn)而被分別從沉積真空腔4-1到4-12中的沉積源 8-1到8-12沉積到基板10上的材料的期望圖案相對(duì)應(yīng)。
在圖1示出的生產(chǎn)系統(tǒng)2的實(shí)施例中，沉積真空腔4-1到4-6 用于在基板10上沉積材料以在基板10上形成一個(gè)或多個(gè)電子元件。 每一個(gè)電子元件都可以是薄膜晶體管(TFT) 、 二極管、存儲(chǔ)元件或 電容器。為了隨后描述的目的，所述的一個(gè)或多個(gè)電子元件將被描述 為TFT矩陣。然而，這并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。沉積真空腔4-7 到4-11用于將材料形成在基板10上以形成一個(gè)或多個(gè)受控元件，例 如0LED，該受控元件可被在沉積真空腔4-1到4-6中沉積的TFT矩陣所控制。沉積真空腔4-12用于在基板10之上沉積保護(hù)封來(lái)保護(hù)已 沉積在基板10上的TFT矩陣和受控元件免受潮濕和諸如灰塵、污垢 之類的不希望的雜質(zhì)粉粒等的侵害。如果在沉積真空腔4-1到4-6 中所沉積的一個(gè)或多個(gè)電子元件將被用來(lái)對(duì)未在沉積真空腔4-7到 4-11中沉積在基板10上的受控元件進(jìn)行控制，則沉積真空腔4-7到 4-11可被省略，并且沉積真空腔4-12可被定位在當(dāng)基板10從測(cè)試 真空腔22推進(jìn)出來(lái)時(shí)來(lái)對(duì)其進(jìn)行接收的位置上。可選地，真空腔22 和4-7到4-12可被省略，并且可將一存儲(chǔ)腔39定位在當(dāng)基板10從 退火真空腔20推進(jìn)出來(lái)時(shí)來(lái)對(duì)其進(jìn)行接收的位置上。為了進(jìn)行說(shuō)明， 將沉積真空腔4-7到4-11描述為用來(lái)沉積必要材料來(lái)在基板10上形 成0LED。然而這并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。另外，真空腔4、 20和 22的數(shù)量、目的和布局并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制，因?yàn)檎婵涨?、 20 和22的這些數(shù)量、目的和布局可由本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)實(shí)際應(yīng)用所 要求的對(duì)一個(gè)或多個(gè)材料的沉積的需要來(lái)進(jìn)行修改。
退火真空腔20被定位在當(dāng)基板10從沉積真空腔4-6推進(jìn)出來(lái) 時(shí)來(lái)對(duì)其進(jìn)行接收的位置上。退火真空腔20包括加熱元件24，用于 對(duì)在沉積真空腔4-1到4-6中沉積到基板10上的材料進(jìn)行加熱以達(dá) 到適當(dāng)?shù)耐嘶饻囟取Ｍ嘶鹬?，基板IO被推進(jìn)到測(cè)試真空腔22中， 該測(cè)試真空腔22包括一個(gè)具有探針(未示出)的探針配件26，可以 根據(jù)需要將探針移動(dòng)到與沉積在基板10上的TFT矩陣接觸或非接觸， 從而由測(cè)試裝置28進(jìn)行測(cè)試。
當(dāng)在測(cè)試真空腔22中完成了對(duì)基板10上的TFT矩陣的測(cè)試時(shí)， 使基板10被推進(jìn)通過(guò)沉積真空腔4-7到4-12，在其中將形成0LED 的材料沉積在TFT矩陣上并將密封涂層沉積在TFT矩陣和OLED之上。
每個(gè)真空腔4、 20和22都被連接到用于在其中建立適當(dāng)?shù)恼婵?的真空源(未示出)。具體地說(shuō)，真空源在沉積真空腔4-1到4-12 中建立適當(dāng)?shù)恼婵找允沟梦挥诔练e源8-1到8-12中的期望材料的填 料通過(guò)陰影掩模12-1到12-12的薄片16的孔14來(lái)以一種本領(lǐng)域內(nèi) 已知的方式(例如，濺射、汽相沉積等)沉積在基板10上。
在以下對(duì)示例生產(chǎn)系統(tǒng)2的說(shuō)明中，基板10將被描述為一個(gè)連續(xù)的柔性薄片，其最初被置于分配巻34上，從而分配巻34將基板 10分配到沉積真空腔4-1中。分配巻34位于一個(gè)預(yù)載真空腔35中， 該預(yù)載真空腔35連接到一個(gè)用于在其中建立適當(dāng)真空的真空源(未 示出)。然而，可將生產(chǎn)系統(tǒng)2構(gòu)成為連續(xù)處理多個(gè)單獨(dú)的基板10。 每個(gè)沉積真空腔4包括支撐或引導(dǎo)裝置36以避免基板IO在被推進(jìn)通 過(guò)沉積真空腔4-1到4-12時(shí)發(fā)生松弛。
在生產(chǎn)系統(tǒng)2的操作中，隨著基板10被推進(jìn)通過(guò)沉積真空腔4-1 到4-12，在存在適當(dāng)真空的條件下將每個(gè)沉積源8-1到8-12中的材 料沉積到基板10上，于是在基板IO上形成了多個(gè)漸進(jìn)的圖案。具體 地說(shuō)，基板10具有多個(gè)部分，它們以預(yù)定的時(shí)間間隔定位在每個(gè)真 空腔4、 20和22中。在該預(yù)定的時(shí)間間隔期間，從一個(gè)或多個(gè)沉積 源8將材料沉積在基板10位于相應(yīng)沉積真空腔4中的部分上，沉積 在基板IO位于退火真空腔20中的部分上的材料被退火，并且沉積在 基板IO位于測(cè)試真空腔22中的部分上的TFT矩陣被測(cè)試。在該預(yù)定 時(shí)間間隔之后，使基板IO步進(jìn)，于是使基板10的多個(gè)部分推進(jìn)到按 實(shí)際應(yīng)用而用于附加處理的下一個(gè)連續(xù)的真空腔4、 20或22。連續(xù) 進(jìn)行該步進(jìn)直到基板10的每個(gè)部分都己通過(guò)了全部真空腔4、 20和 22。之后，出了沉積真空腔4-12的基板10的每個(gè)部分被切割器36 與基板10的剩余部分分離，在該切割后的基板10的切割部分被平放 存儲(chǔ)在位于存儲(chǔ)真空腔39中的一個(gè)適當(dāng)?shù)拇鎯?chǔ)裝置38中?？蛇x地， 出了沉積真空腔4-12的基板10的每個(gè)部分在位于存儲(chǔ)真空腔39中 的接收巻(未示出)上被接收。存儲(chǔ)真空腔39連接到一個(gè)用于在其 中建立適當(dāng)真空的真空源(未示出)。
將基板10描述為一個(gè)連續(xù)的柔性薄片并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限 制，因?yàn)榛?0也可以是剛性的和/或是任意大小或形狀，例如是可 被同時(shí)定位在一個(gè)或多個(gè)真空腔4、 20和22中的一個(gè)或多個(gè)單獨(dú)的 薄片。例如，基板IO可以是剛性的并且是細(xì)長(zhǎng)方形的，位于一個(gè)或 多個(gè)真空腔4、 20和22中。
下面將參考圖3 — 9并繼續(xù)參考圖1來(lái)描述用來(lái)形成有源矩陣 OLED顯示器的步驟序列。如圖3所示，基板IO包括導(dǎo)電層50，在其一個(gè)表面上具有絕緣 體52。將基板10的一部分送入沉積真空腔4-1，使電絕緣層52面向 沉積源8-l。在該示例沉積序列中，沉積源8-1被充入半導(dǎo)體材料54。 由沉積源8-l通過(guò)陰影掩模12-1將該半導(dǎo)體材料54沉積在電絕緣層 52與導(dǎo)電層50相對(duì)的表面上。圖4示出了基板10的分離示圖，其 中基板IO在電絕緣層52的表面上接收半導(dǎo)體材料54的沉積從而形 成最終如圖7所示的一對(duì)晶體管70和74。
每個(gè)陰影掩模12與位于相應(yīng)沉積真空腔4中的基板10的部分 的對(duì)齊是嚴(yán)格的。為此，位于每個(gè)真空沉積腔4中的基板10的部分 可包括一個(gè)或多個(gè)準(zhǔn)標(biāo)或點(diǎn)(未示出)，位于每個(gè)沉積真空腔4中的 對(duì)齊裝置(未示出)可利用該準(zhǔn)標(biāo)或點(diǎn)來(lái)將相應(yīng)陰影掩模12相對(duì)于 在沉積真空腔4中接收到的基板10的部分定位。每個(gè)對(duì)齊裝置可包 括光學(xué)或機(jī)械裝置來(lái)確定相應(yīng)陰影掩模相對(duì)于在相應(yīng)沉積真空腔4 中接收到的基板10的部分上的準(zhǔn)標(biāo)的位置。每個(gè)對(duì)齊裝置還可包括 耦接到相應(yīng)陰影掩模上的驅(qū)動(dòng)裝置，從而對(duì)陰影掩模12相對(duì)于基板 10的部分上的一個(gè)或多個(gè)準(zhǔn)標(biāo)進(jìn)行x和y定位。該驅(qū)動(dòng)裝置還可包 括用于移動(dòng)陰影掩模12使其與基板10的部分接觸從而將材料沉積在 基板10上的裝置。 一旦在每個(gè)沉積真空腔4中完成了將材料沉積在 基板10上，驅(qū)動(dòng)裝置可以將相應(yīng)陰影掩模12與接收到其中的基板 10的部分分離。這種分離避免了在基板10被推進(jìn)到下一真空腔4、 20或22中時(shí)陰影掩模12仍與沉積在基板10上的材料接觸。
當(dāng)在沉積真空腔4-1中將半導(dǎo)體材料54沉積在電絕緣層52上 之后，沉積真空腔4-1中的基板10的部分被推進(jìn)到沉積真空腔4-2 中。沉積真空腔4-2中的沉積源8-2被充入半導(dǎo)體兼容導(dǎo)電材料56， 在沉積真空腔4-2中通過(guò)陰影掩模12-2將該材料沉積在基板10的部 分上，以形成圖5所示的導(dǎo)電材料56的圖案。
如果基板10具有細(xì)長(zhǎng)的形狀，從而基板10的部分可位于兩個(gè) 或多個(gè)沉積真空腔4中，將基板10的部分從沉積真空腔4-1向沉積 真空腔4-2的推進(jìn)使得基板10的另一個(gè)部分被推進(jìn)到了沉積真空腔 4-1中。以此方式，可同時(shí)或幾乎同時(shí)將不同沉積真空腔4中的材料沉積在基板10的不同部分上。類似地，可以在與一個(gè)或多個(gè)材料被 沉積在基板10的其他部分上的同時(shí)或幾乎同時(shí)來(lái)對(duì)沉積在基板10 的各個(gè)部分上的電子元件進(jìn)行退火和測(cè)試。因此，圖l所示的示例生 產(chǎn)系統(tǒng)2具有能夠同時(shí)處理基板10的多個(gè)部分從而使處理基板10
的各個(gè)部分以生產(chǎn)完整電子器件的速率最大的優(yōu)點(diǎn)。
如圖3和5所示，將導(dǎo)電材料56的一部分沉積覆蓋在半導(dǎo)體材 料部分54-1到54-2的相對(duì)側(cè)或相對(duì)端，從而分別為晶體管74和70 定義源極結(jié)構(gòu)58-1和58-2以及漏極結(jié)構(gòu)60-1和60-2。
基板10的導(dǎo)電層50可根據(jù)實(shí)際應(yīng)用被用作電源母線或接地母 線。為此，如圖3所示，形成每個(gè)源極58的導(dǎo)電材料56可通過(guò)電絕 緣層52中的通孔或通路63來(lái)與基板10的導(dǎo)電層50進(jìn)行電連通。用 于將每個(gè)源極58連接到導(dǎo)電層50的通路63可在將基板10引入任何 一個(gè)真空腔4、 20或22之前形成在電絕緣層52中。
在之前的描述中，將每個(gè)源極58描述成通過(guò)電絕緣層52中的 通路63連接到導(dǎo)電層50。然而，也可通過(guò)兩個(gè)或多個(gè)通路63來(lái)將 每個(gè)源極58連接到導(dǎo)電層50?？蛇x地，根據(jù)實(shí)際應(yīng)用，可通過(guò)電絕 緣層52中的兩個(gè)或多個(gè)通路63來(lái)將每個(gè)漏極60連接到導(dǎo)電層50， 同時(shí)通過(guò)電絕緣層52來(lái)使每個(gè)源極58與導(dǎo)電層50保持電絕緣。通 過(guò)電絕緣層52中的一個(gè)或多個(gè)通路63來(lái)將每個(gè)源極58或每個(gè)漏極 60連接到導(dǎo)電層50的決定是可以根據(jù)對(duì)形成在基板10上的電子元 件的使用意圖和/或?qū)?dǎo)電層50作為電源母線或接地母線使用意圖 通過(guò)本領(lǐng)域普通技術(shù)來(lái)容易地實(shí)現(xiàn)的。
當(dāng)完成了導(dǎo)電材料56的沉積時(shí)，沉積真空腔4-2中的基板10 的部分被推進(jìn)到沉積真空腔4-3中。沉積源8-3被充入絕緣材料62， 將通過(guò)陰影掩模12-3以圖6所示的圖案來(lái)將該絕緣材料62沉積在位 于沉積真空腔4-3中的基板10的部分上。
如圖3和圖6所示，絕緣材料62可對(duì)通過(guò)在半導(dǎo)體材料54上 沉積導(dǎo)電材料56而形成的每個(gè)源極58和每個(gè)漏極60的全部或部分 進(jìn)行覆蓋。另外，絕緣材料62還可覆蓋將包含用于每個(gè)源極58-2 的電源母線64的導(dǎo)電材料56的幾個(gè)部分。接著，將位于沉積真空腔4-3中的基板10的部分推進(jìn)到沉積真 空腔4-4。沉積源8-4被充入導(dǎo)電材料66，將通過(guò)陰影掩模12-4以 圖7所示的圖案來(lái)將該導(dǎo)電材料66沉積在位于沉積真空腔4-4中的 基板10的部分上。覆蓋每個(gè)源極58-2向右延伸的部分以及與導(dǎo)電材 料部分66-4對(duì)齊的導(dǎo)電材料56的導(dǎo)電材料部分66-4完成了用于源 極58-2以及用于在源極58-2同一列中任何相似源極(未示出)的電 源母線64。對(duì)于每個(gè)源極58-2左側(cè)的導(dǎo)電材料部分66-3形成了用 于源極58-1以及用于在源極58-2同一列中任何相似源極(未示出) 的列母線68。導(dǎo)電材料部分66-2被連接到漏極60-1并覆蓋了絕緣 材料62的一部分，所述這部分對(duì)源極58-2和漏極60-2進(jìn)行了部分 覆蓋并相對(duì)于半導(dǎo)體材料54-2平行形成一定間隔。導(dǎo)電材料部分 66-2定義了與源極58-2、漏極60-2 —起的柵極結(jié)構(gòu)69，絕緣材料 部分62-2和半導(dǎo)體材料54-2形成了晶體管70。
沉積在每個(gè)晶體管70上從而覆蓋了水平方向的絕緣材料部分 62-1的導(dǎo)電材料部分66-1形成了行選母線72。具體地，每個(gè)晶體管 70上的導(dǎo)電材料部分66-1在源極58-1、漏極60-1、半導(dǎo)體材料54-1 和絕緣材料62-l之間形成了對(duì)晶體管70的導(dǎo)通狀態(tài)進(jìn)行控制的晶體 管74，所述晶體管70的柵極69與晶體管74的漏極60-1耦接。例 如，晶體管74-1控制晶體管70-1的導(dǎo)通狀態(tài)，而晶體管74-2控制 晶體管70-2的導(dǎo)通狀態(tài)。
在圖7中，每個(gè)圖示晶體管70之下的行選母線72被用于選擇 圖7所示之下的一行晶體管74。為此，要意識(shí)到圖7只示出了基板 10上僅具有用于形成兩對(duì)晶體管74和70的材料部分的一個(gè)單獨(dú)的 部分。為了簡(jiǎn)化圖示，從圖4到圖9中省略了用于形成有源矩陣的其 他對(duì)晶體管74和70的材料。
繼續(xù)參考圖7，當(dāng)晶體管70-1和70-2上方的行選母線72被選 擇時(shí)，晶體管70-1和70-2響應(yīng)于提供到分別與晶體管74-1和74-2 的每一個(gè)相關(guān)的列母線68上的電壓。因此，當(dāng)將一個(gè)適當(dāng)?shù)碾妷禾?供到圖示晶體管70上方的行選母線72時(shí)，通過(guò)它們對(duì)應(yīng)列母線68 而被提供到晶體管74-1和74-2的源極58-1的電壓分別用來(lái)控制流入晶體管70-1和70-2的電流量。因此，在將適當(dāng)?shù)碾妷禾峁┑较鄳?yīng) 行母線時(shí)通過(guò)簡(jiǎn)單地控制提供到每一列母線68上的電壓就可以選擇 性地控制流入每一晶體管70中的電流量。
要意識(shí)到導(dǎo)電材料部分66、源極58、漏極60以及絕緣材料部 分62的每個(gè)例子都定義了一個(gè)電容器。具體地，導(dǎo)電材料部分66 定義了絕緣材料部分62相對(duì)于源極58和漏極60以一定間隔保持的 電容器的第一極板，而源極58和漏極60單獨(dú)地或共同地定義了電容 器的第二極板。如果其漏電流相當(dāng)?shù)?，則每個(gè)電容器可被用作二進(jìn)制 存儲(chǔ)元件。
參考圖8并結(jié)合參考圖1和圖3-7，在完成了對(duì)導(dǎo)電材料66的 沉積之后，沉積真空腔4-4中的基板10的部分被推進(jìn)到沉積真空腔 4-5中。沉積源8-5被充入絕緣材料76，將按照?qǐng)D8所示的圖案來(lái)將 該絕緣材料76沉積在先前所沉積到基板10的幾乎所有材料上。然而， 按照該圖案，晶體管70-1和70-2的漏極60-2的部分78-1和78-2 分別未被絕緣材料76所覆蓋。另外，每個(gè)電源母線64的輸入端與每 個(gè)列母線68的輸入端都未被絕緣材料76所覆蓋。此外，每個(gè)行母線 72的輸入端(未示出)也未被絕緣材料76所覆蓋。在圖4-9所示的 實(shí)施例中，每個(gè)電源母線64的輸入端和每個(gè)列母線68的輸入端在附 圖的頂部，并且每個(gè)行選母線72的輸入端(未示出)位于附圖的右 側(cè)。
當(dāng)完成了對(duì)絕緣材料76的沉積時(shí)，將沉積真空腔4-5中的基板 10的部分推進(jìn)到沉積真空腔4-6。沉積源8-6被充入導(dǎo)電材料80， 將通過(guò)陰影掩模12-6以圖9所示的圖案來(lái)將該導(dǎo)電材料80沉積在基 板10上。如圖3所示，未在沉積真空腔4-5中沉積絕緣材料76的每 個(gè)部分78都定義了一個(gè)通路，導(dǎo)電材料80與相應(yīng)晶體管70的漏極 60-2通過(guò)該通路接觸。沉積在每個(gè)晶體管70上方的導(dǎo)電材料80定 義了一個(gè)輸出焊盤84，其電壓可由一對(duì)相關(guān)晶體管70和74(例如晶 體管70-1和74-1)來(lái)控制。
在沉積了導(dǎo)電材料80之后，將基板10的部分從沉積真空腔4-6 推進(jìn)到退火真空腔20中，在這里， 一個(gè)或多個(gè)加熱元件24受控來(lái)將適當(dāng)?shù)耐嘶馃崽峁┙o在沉積真空腔4-1到4-6中被沉積在基板10的 部分上的材料。
上述沉積步驟和材料以及由此產(chǎn)生的電路是用于說(shuō)明而非用于 限制本發(fā)明，因?yàn)槌练e步驟、沉積材料和/或由此產(chǎn)生的電路都是本 領(lǐng)域技術(shù)人員能夠作出的設(shè)計(jì)選擇。例如，每個(gè)晶體管的源極和漏極 結(jié)構(gòu)可被顛倒，形成電路的TFT的構(gòu)造和互連可被修改為適應(yīng)實(shí)際應(yīng) 用，可以任何期望的方式為每個(gè)TFT單獨(dú)選址或者為TFT組選址。
可將每個(gè)列母線68和行選母線52耦接到合適的行和列控制邏 輯(未示出)，可以在將每個(gè)晶體管70和每個(gè)晶體管74形成在基板 上的同時(shí)來(lái)在基板IO上形成這些控制邏輯。具體地，每個(gè)陰影掩模 12可在其薄片16中包括一個(gè)適當(dāng)?shù)目讏D案14，其使得在將每個(gè)晶體 管70和每個(gè)晶體管74形成在基板IO上的同時(shí)能夠在基板IO上形成 適當(dāng)?shù)男泻土锌刂七壿嫛?br> 根據(jù)對(duì)其上形成有多個(gè)薄膜晶體管70和74的基板10的使用意 圖，退火處理可以是基板10的部分所接受的最后一個(gè)步驟。如果確 實(shí)如此，則將退火真空腔20的輸出耦接到存儲(chǔ)裝置38，該存儲(chǔ)裝置 38存儲(chǔ)了用于后續(xù)處理或使用的基板10的部分。然而，如果還要將 基板10的部分暴露于附加的處理步驟，例如在輸出焊盤84上形成 OLED的步驟，則可將基板10的部分推進(jìn)到用于對(duì)其進(jìn)行測(cè)試的測(cè)試 真空腔22中。
在測(cè)試真空腔22中，移動(dòng)探針配件22的探針來(lái)根據(jù)需要與各 個(gè)母線64、 68和72以及輸出焊盤84進(jìn)行接觸或非接觸。其后，在 測(cè)試裝置28通過(guò)探針配件26的控制下，可以對(duì)與每個(gè)輸出焊盤84 相關(guān)的晶體管對(duì)70和74進(jìn)行測(cè)試。
如果測(cè)試失敗，未通過(guò)測(cè)試的基板10的部分因此被識(shí)別或被指 明，并且優(yōu)選地不接受進(jìn)一步的處理。然而，如果測(cè)試通過(guò)，則基板 10的部分可如圖1所示接受進(jìn)一步的處理。
在每個(gè)輸出焊盤接受沉積來(lái)形成OLED的情況下，基板10的部 分被從測(cè)試真空腔22推進(jìn)到沉積真空腔4-7中。沉積源8-7被充入 諸如NPB (C44H32N2)之類的孔洞傳輸材料，該材料通過(guò)陰影掩模12-7來(lái)沉積從而在每個(gè)輸出焊盤84上形成一個(gè)如圖3所示的孔洞傳輸層。
在沉積了孔洞傳輸層90之后，將基板10的部分推進(jìn)到沉積真 空腔4-8中。沉積源8-8包含兩個(gè)分開(kāi)的可控沉積源來(lái)沉積發(fā)射極層 92，該發(fā)射極層92包括由一個(gè)沉積源沉積的發(fā)射極材料以及一個(gè)由 另一沉積源沉積的摻雜劑。在利用沉積源8-8來(lái)形成紅色發(fā)光二極管 的情況下，發(fā)射極材料可以為98%-99.5%重量的DCM ( C2:iH21N30)和 2%-0. 5%重量的DMQA (d(感)。在沉積期間，控制沉積源8-8來(lái)以 前述比例沉積發(fā)射極材料和摻雜劑，從而在每三個(gè)輸出焊盤84的孔 洞傳輸層90上形成發(fā)射極層92。
在將發(fā)射極層92沉積到足夠的程度之后，控制沉積源8-8來(lái)在 繼續(xù)發(fā)射極材料的沉積的同時(shí)完成對(duì)摻雜劑材料的沉積。這種對(duì)缺少 摻雜劑的發(fā)射極材料的連續(xù)沉積使得在如圖3所示剛沉積好的發(fā)射 極層92上形成一個(gè)電子傳輸層94。
當(dāng)完成了在沉積真空腔4-8中對(duì)材料的沉積時(shí)，使基板的部分 順序步進(jìn)通過(guò)沉積真空腔4-9和4-10，其中，沉積源8-9和8-10以 上面討論的方法分別來(lái)沉積綠色和藍(lán)色發(fā)射極92和電子傳輸層94， 以在基板10的部分上形成多個(gè)三點(diǎn)色組。每個(gè)三點(diǎn)色組包括獨(dú)立可 控的紅色、綠色和藍(lán)色OLED。
為了形成綠色0LED，沉積源8-9共同沉積諸如Alq3(C27H18AlN303 ) 之類的發(fā)射極材料，以及諸如香豆素153 (ClfiH14F:,02)之類的摻雜劑， 以形成綠色發(fā)光二極管的發(fā)射極層92,并且只沉積發(fā)射極材料來(lái)形 成綠色發(fā)光二極管的電子傳輸層94。為了形成藍(lán)色OLED，沉積源8-10 共同沉積諸如PPD (C52H36N2)之類的發(fā)射極材料以及諸如二萘嵌苯 (C2。H12)之類的摻雜劑，以形成藍(lán)色發(fā)光二極管的發(fā)射極層92，并 且只沉積發(fā)射極材料來(lái)形成藍(lán)色發(fā)光二極管的電子傳輸層94。
在已經(jīng)將每個(gè)層90、 92和94沉積在輸出焊盤84上以形成上述 三點(diǎn)色組之后，將基板10的部分推進(jìn)到沉積真空腔4-11。沉積源8-11 中充入了導(dǎo)電材料96，通過(guò)陰影掩模12-11將該材料沉積在每個(gè)OLED 的電子傳輸材料94的層上。具體地，提供導(dǎo)電材料96而不與形成了 每個(gè)輸出焊盤84的導(dǎo)電材料80的任何一個(gè)接觸，導(dǎo)電材料96被沉積作為形成在基板10的部分上的全部0LED的相鄰層。以此方式，只 需在很少的點(diǎn)上接觸該導(dǎo)電材料的相鄰層，從而為形成在基板10的 部分上的全部0LED形成陰極98。在此構(gòu)造中，導(dǎo)電材料96的層作 為形成在基板10的部分上的全部0LED的共同陰極結(jié)構(gòu)，而與每個(gè) OLED相關(guān)的輸出焊盤84作為與其相關(guān)的0LED結(jié)構(gòu)的陽(yáng)極結(jié)構(gòu)。如 果導(dǎo)電材料96只被沉積在與每個(gè)輸出焊盤84相關(guān)的OLED結(jié)構(gòu)上， 則有必要將導(dǎo)電材料96的每個(gè)沉積連接到一個(gè)適當(dāng)?shù)年帢O偏壓源。
在沉積了導(dǎo)電材料96之后，將基板10的部分從沉積真空腔4-11 推進(jìn)到沉積真空腔4-12。沉積源8-12被充入密封材料98，通過(guò)陰影 掩模12-12將該材料沉積在基板10的部分上所沉積的材料的全部暴 露表面上。為了實(shí)現(xiàn)與母線64、 68、 72以及一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電材料96 的沉積的電接觸，不將密封材料98沉積在母線64、 68、 72的輸入端 上，也不將密封材料98沉積在一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電材料96的沉積的全部 或一部分上。構(gòu)成密封材料98來(lái)避免濕氣和顆粒物質(zhì)接觸到除已被 有意暴露的沉積材料的部分以外的任何沉積材料。
可選地，可將沉積真空腔4-12認(rèn)為是代表了布置在沉積真空腔 4-11與存儲(chǔ)真空腔39之間的多個(gè)順序連接的沉積真空腔。這些順序 連接的沉積真空腔的每一個(gè)都包括充有適當(dāng)材料的沉積源8，隨著基 板10的一個(gè)或多個(gè)部分被推進(jìn)通過(guò)沉積真空腔，通過(guò)陰影掩模12 將這些材料沉積在基板10的一個(gè)或多個(gè)部分上來(lái)在其上形成保護(hù) 封。在圖1所示生產(chǎn)系統(tǒng)2的實(shí)施例中可被應(yīng)用的系統(tǒng)為加利福尼亞 圣何塞的Vitec Systems, Inc.公司設(shè)計(jì)的Guardian"'工具。該系統(tǒng) 包括順序連接的沉積真空腔，用來(lái)在基板10的部分上所沉積的材料 的幾乎全部暴露表面上沉積液態(tài)單體以創(chuàng)建顯微水平表面。隨后將液 態(tài)單體硬化(聚合)為固態(tài)聚合物薄膜。之后，沉積透明陶瓷的第一 層來(lái)創(chuàng)建第一阻擋層，并且施加第二聚合物層來(lái)保護(hù)該阻擋層并創(chuàng)建 第二水平表面。根據(jù)需要來(lái)重復(fù)這一阻擋層/聚合物的組合，直到實(shí) 現(xiàn)了期望的不滲透水平。
在前面的描述中，假設(shè)基板IO是連續(xù)的薄片。在沉積了密封材 料98之后，將沉積真空腔4-12中的基板10的部分推進(jìn)以使切割器36將基板10的部分與基板10的剩余部分切斷。之后，將基板10的 切割部分存儲(chǔ)在存儲(chǔ)真空腔39的存儲(chǔ)裝置38中來(lái)進(jìn)行后續(xù)處理或使 用。可選地，可用接收巻(未示出)來(lái)代替切割器36，該接收巻在 基板IO從沉積真空腔4-12中被推進(jìn)出來(lái)時(shí)對(duì)其進(jìn)行接收。
上述通過(guò)陰影掩模12對(duì)材料進(jìn)行的沉積是用于說(shuō)明本發(fā)明而并 不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在單個(gè)沉積真空 腔4中可能需要不止一個(gè)陰影掩模12來(lái)形成所述圖案。例如，為了 以圖8所示方式來(lái)沉積絕緣材料76，可能要同時(shí)或一次一個(gè)地使用 兩個(gè)或多個(gè)陰影掩模12，從而來(lái)沉積所示的絕緣材料76的圖案。為 此，沉積真空腔4-5可包括用于對(duì)沉積所示絕緣材料76的圖案所需 的各個(gè)陰影掩模進(jìn)行交換的裝置(未示出)?？蛇x地，沉積真空腔 4-5可被認(rèn)為是代表了布置在沉積真空腔4-4與沉積真空腔4-6之間 的多個(gè)順序連接的沉積真空腔。這些順序連接的沉積真空腔的每一個(gè) 都可包括一個(gè)充有絕緣材料76的沉積源，隨著基板10的所選部分穿 過(guò)而通過(guò)陰影掩模12將該絕緣材料76沉積在基板IO的所選部分上。 總的來(lái)說(shuō)，由這些順序連接的沉積真空腔進(jìn)行的對(duì)絕緣材料76的沉 積將生產(chǎn)出圖8所示的絕緣材料76的圖案。類似地，對(duì)導(dǎo)電材料66 的沉積以形成導(dǎo)電材料部分66-1到66-4可能需要多個(gè)可在沉積真空 腔4-4中互換定位的陰影掩模12，其每一個(gè)都具有不同的孔圖案14。 可選地，沉積真空腔4-4可被認(rèn)為是代表了布置在沉積真空腔4-3 與沉積真空腔4-5之間的多個(gè)順序連接的沉積真空腔。這些順序連接 的沉積真空腔的每一個(gè)都可包括一個(gè)充有導(dǎo)電材料66的沉積源8， 隨著基板10的所選部分穿過(guò)而通過(guò)陰影掩模之一將該導(dǎo)電材料66 沉積在基板10的所選部分上?？偟膩?lái)說(shuō)，由這些順序連接的沉積真 空腔進(jìn)行的對(duì)導(dǎo)電材料66的沉積將生產(chǎn)出圖7所示的導(dǎo)電材料66 的圖案。類似內(nèi)容應(yīng)用于任何其他陰影掩模12，其中的孔14的體積 對(duì)形成陰影掩模12的薄片16的結(jié)構(gòu)剛度有不利的影響。
在使用陰影掩模期間，為了減小或者避免或者消除在系統(tǒng)2的 每個(gè)陰影掩模12上來(lái)自每個(gè)沉積源8的材料的堆積，可以在所述沉 積真空腔4未用于沉積材料時(shí)一次或適當(dāng)次地把適當(dāng)壓力的反應(yīng)氣體導(dǎo)入裝有陰影掩模12的沉積真空腔4中。在每個(gè)沉積真空腔4中
的反應(yīng)氣體的適當(dāng)壓力理想地是在1毫托到500毫托之間。然而，這 并非看作是對(duì)本發(fā)明的限制，因?yàn)楸绢I(lǐng)域技術(shù)人員可以想到選擇沉積
真空腔中的反應(yīng)氣體的壓力來(lái)以下面描述的方式實(shí)現(xiàn)陰影掩模的清 潔。
可以采用本領(lǐng)域公知方式激發(fā)(激勵(lì))沉積真空腔4中的反應(yīng) 氣體，即，通過(guò)對(duì)反應(yīng)氣體施加適當(dāng)?shù)腞F電場(chǎng)，使得激發(fā)的反應(yīng)氣 體在稱為反應(yīng)離子腐蝕(RIE)的處理中有選擇地對(duì)沉積在陰影掩模 12上的(多個(gè))材料進(jìn)行腐蝕。理想地，根據(jù)對(duì)沉積在相應(yīng)的陰影 掩模12上的(多個(gè))材料進(jìn)行腐蝕的能力來(lái)選擇導(dǎo)入每個(gè)沉積真空 腔4中的反應(yīng)氣體，同時(shí)避免或使得形成陰影掩模12 (例如，可以 由但不限于Invar⑧或Kovar⑧構(gòu)成)本身的材料被腐蝕得最小。例如， CF4或者SF6(不限于)可用于對(duì)沉積或形成在基板10上的諸如Si02 (不限于)之類的絕緣體或者對(duì)沉積在基板10上的(多個(gè))材料進(jìn) 行RIE處理。諸如Cl2和BCl3的組合之類的氯型氣體可用于對(duì)沉積 在基板10上的諸如Cu和Al (不限于)之類的導(dǎo)電材料進(jìn)行RIE處 理。最后，三甲胺、CH4/H2/Ar或者H2/Ar可用于對(duì)沉積在基板10 上的諸如CdS、 CdTe或者CdSe (不限于)之類的(多個(gè))半導(dǎo)體材 料進(jìn)行RIE處理。
RIE工作方式如下。將沉積真空腔4中的反應(yīng)氣體暴露于強(qiáng)大 的RF (射頻)電磁場(chǎng)，該電磁場(chǎng)把反應(yīng)氣體轉(zhuǎn)換成等離子。RF電磁 場(chǎng)的典型頻率為13.56兆赫，施加了幾百瓦特的功率。通過(guò)剝離電子， 產(chǎn)生等離子，振蕩的電場(chǎng)使得反應(yīng)氣體分子電離。在電場(chǎng)的每個(gè)周期 中，在沉積真空腔4中，電子被電加速或者減速，有時(shí)撞擊沉積真空 腔4和定位于其中的陰影掩模12 (或者沉積在陰影掩模上的材料) 的兩個(gè)內(nèi)表面。同時(shí)，響應(yīng)于RF電磁場(chǎng)，體積稍大的離子移動(dòng)得相 對(duì)較少。當(dāng)電子被吸入沉積真空腔4的內(nèi)表面時(shí)，它們只是被饋送到 接地端，并沒(méi)有改變?cè)撓到y(tǒng)的電子狀態(tài)。然而，吸入沉積真空腔4 內(nèi)部的陰影掩模12 (或者沉積在陰影掩模上的材料)的電子使得陰 影掩模12堆積負(fù)電荷，該負(fù)電荷產(chǎn)生了很大的負(fù)電壓，例如，大約幾百伏特。由于正離子與自由電子相比密集度較高，等離子本身產(chǎn)生 了少量的正電荷。
因?yàn)榇嬖诖箅妷翰?，正離子向陰影掩模12漂移，由于一個(gè)或多 個(gè)沉積事件之間在材料上的沉積，正離子與在陰影掩模12上沉積的 材料發(fā)生碰撞。這些離子與通過(guò)相應(yīng)的沉積源8沉積在陰影掩模表面 上的材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，并且通過(guò)轉(zhuǎn)換它們中的一些動(dòng)能來(lái)除去(濺 蝕) 一些材料。
理想地，RIE離子沿基本上垂直于陰影掩模12朝向沉積源8的 表面的方向行進(jìn)，從而RIE產(chǎn)生了基本上各向異性的腐蝕輪廓。然 而，這并非看作是對(duì)本發(fā)明的限制。
原位進(jìn)行對(duì)沉積在系統(tǒng)2的陰影掩模12上(即，在裝有陰影掩 模12陰影掩模12的真空腔4中)的材料的RIE處理的優(yōu)勢(shì)在于， 可以在無(wú)需從其真空腔4中去除陰影掩模12的情況下進(jìn)行陰影掩模 12的這種清潔，從而保持了真空腔4內(nèi)用于在另一基板IO上進(jìn)行接 下來(lái)的材料沉積的陰影掩模12的對(duì)齊。陰影掩模12的原位RIE清 潔的另一優(yōu)勢(shì)在于，相對(duì)于從系統(tǒng)2的沉積真空腔4中去除陰影掩模 12以用于清潔，從而至少需要從生產(chǎn)使用中臨時(shí)去除系統(tǒng)2的至少 一個(gè)真空腔4的方式，所述的原位RIE清潔增加了系統(tǒng)2的可用生 產(chǎn)時(shí)間。另一優(yōu)勢(shì)在于，RIE通?？梢杂脕?lái)使陰影掩模12保持清潔， 從而由所述陰影掩模12產(chǎn)生的圖案更一致，并且可以避免一貫的較 長(zhǎng)時(shí)間的RIE處理的次數(shù)。
參考圖IO和返回參考圖1，現(xiàn)在描述用于形成電子器件的生產(chǎn) 系統(tǒng)2(例如，陰影掩模汽相沉積系統(tǒng))的一個(gè)或多個(gè)陰影掩模的使 用和清潔方法。
首先，該方法從開(kāi)始步驟100行進(jìn)到步驟102。在步驟102，將 基板推進(jìn)通過(guò)多個(gè)順序連接的沉積真空腔4。每個(gè)沉積真空腔4具有 定位于其中的至少一個(gè)材料沉積源8以及一個(gè)陰影掩模12。
該方法隨后行進(jìn)到步驟104，其中，在沉積真空腔4為真空的情 況下通過(guò)定位于其中的陰影掩模12中的孔14的圖案在基板10上沉 積來(lái)自定位于每個(gè)沉積真空腔4的至少一個(gè)材料沉積源8的材料。該材料還被沉積在了陰影掩模12朝向材料沉積源8的表面上。
隨后該方法行進(jìn)到步驟106，其中，在從沉積真空腔4中去除基 板后，將反應(yīng)氣體導(dǎo)入沉積真空腔4。
隨后該方法行進(jìn)到步驟108，其中，在沉積真空腔4中使得反應(yīng) 氣體電離，從而電離后的氣體去除了沉積在陰影掩模12上的材料。
針對(duì)圖1所示順序連接的沉積真空腔4的每個(gè)沉積真空腔，可 以根據(jù)需要重復(fù)步驟104-108。因此，例如，理想地，比起用來(lái)沉積 另一材料(例如，絕緣體或者導(dǎo)體)的每個(gè)陰影掩模，更經(jīng)常地對(duì)用 于沉積一種材料(例如，半導(dǎo)體材料)的每個(gè)陰影掩模進(jìn)行清潔。同 樣或者可替換地，用于清潔每個(gè)陰影掩模的時(shí)間可以取決于其上沉積 的材料的量。因此，用于沉積大量材料的陰影掩模比用于沉積少量材 料的陰影掩模需要更經(jīng)常的RIE處理。
理想地，當(dāng)對(duì)陰影掩模上的材料進(jìn)行RIE處理時(shí)，沒(méi)有在沉積 真空腔中放置基板以防止對(duì)其上沉積的任何材料，特別是通過(guò)陰影掩 模12的孔徑14沉積的材料進(jìn)行無(wú)意的RIE處理。
返回參考圖10的流程圖，在步驟108—完成在陰影掩模上對(duì)材 料進(jìn)行的RIE處理，該方法就行進(jìn)到步驟110，進(jìn)行判斷沉積真空腔 4是否用于在通過(guò)其中的另一基板10上沉積材料。如果出現(xiàn)了在移 動(dòng)通過(guò)沉積真空腔4的另一基板10上的材料的額外沉積，則該方法 行進(jìn)到步驟112，其中將其他基板推進(jìn)通過(guò)順序連接的沉積真空腔。 隨后，針對(duì)推進(jìn)通過(guò)圖1中順序連接的沉積真空腔4的每個(gè)額外基板， 根據(jù)需要重復(fù)步驟104-110和步驟112。
如果進(jìn)行完步驟110的任何重復(fù)步驟，則確定不用在推進(jìn)通過(guò) 圖1的沉積真空腔4的其他基板上沉積額外材料，該方法行進(jìn)到停止 步驟114。
在結(jié)合圖1所示的順序連接的沉積真空腔4來(lái)描述圖10的流程 圖時(shí)，可以理解的是該方法對(duì)于單個(gè)沉積真空腔4的情況下也適用。
已經(jīng)參考優(yōu)選實(shí)施例描述了本發(fā)明。在閱讀并理解前面具體說(shuō) 明后，任何人將會(huì)做出各種變型和替換。本發(fā)明意在被理解為包括落 在所附權(quán)利要求或其等同物的范圍內(nèi)的所有這些變型和替換。
權(quán)利要求
1. 一種對(duì)用于形成電子器件的陰影掩模汽相沉積系統(tǒng)的一個(gè)或多個(gè)陰影掩模的使用和清潔方法，該方法包括步驟(a)將基板推進(jìn)通過(guò)多個(gè)順序連接的沉積真空腔，每個(gè)沉積真空腔具有定位于其中的至少一個(gè)材料沉積源以及一個(gè)陰影掩模；(b)在每個(gè)沉積真空腔為真空情況下通過(guò)定位于其中的陰影掩模在基板上沉積來(lái)自定位于沉積真空腔中的至少一個(gè)材料沉積源的材料，其中所述材料也被沉積在了陰影掩模朝向該材料沉積源的表面上；(c)接著在步驟(b)中所進(jìn)行的在所述多個(gè)順序連接的沉積真空腔的至少一個(gè)沉積真空腔中的陰影掩模的表面上的材料沉積之后，在所述至少一個(gè)沉積真空腔中沒(méi)有基板時(shí)將反應(yīng)氣體導(dǎo)入所述至少一個(gè)沉積真空腔；以及(d)使得所述多個(gè)順序連接的沉積真空腔的所述至少一個(gè)沉積真空腔中的反應(yīng)氣體電離，從而電離后的氣體去除了沉積在陰影掩模上的材料。
2. 如權(quán)利要求l所述的方法，進(jìn)一步包括步驟(e) 推進(jìn)另一基板通過(guò)多個(gè)順序連接的沉積真空腔；(f) 在每個(gè)沉積真空腔為真空情況下通過(guò)定位于其中的陰影掩模在另一基板上沉積來(lái)自定位于沉積真空腔中的至少一個(gè)材料沉積 源的材料，其中所述材料還被沉積在了陰影掩模朝向該材料沉積源的表面上；(g) 接著在步驟(f)中所進(jìn)行的在所述多個(gè)順序連接的沉積 真空腔的至少一個(gè)沉積真空腔中的陰影掩模的表面上的材料沉積之 后，在所述至少一個(gè)沉積真空腔中沒(méi)有基板時(shí)將反應(yīng)氣體導(dǎo)入所述至 少一個(gè)沉積真空腔；以及(h) 使得所述多個(gè)順序連接的沉積真空腔的所述至少一個(gè)沉積 真空腔中的反應(yīng)氣體電離，從而電離后的氣體去除了沉積在陰影掩模上的材料。
3. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中在步驟(d)中，電離后的氣 體通過(guò)濺射法去除了沉積在陰影掩模上的材料。
4. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中在步驟(c)中，所述至少一 個(gè)沉積真空腔中反應(yīng)氣體的壓力在1毫托到500毫托之間。
5. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中當(dāng)沉積在陰影掩模上的材料 是絕緣體時(shí)，反應(yīng)氣體是CF4或者SF6。
6. 如權(quán)利要求5所述的方法，其中絕緣體是Si02。
7. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中當(dāng)沉積在陰影掩模上的材料 是導(dǎo)電體時(shí)，反應(yīng)氣體是氯型氣體。
8. 如權(quán)利要求7所述的方法，其中氯型氣體包括Cl2和BCl3中的一個(gè)或者其組合；并且導(dǎo)電材料是Cu或者Al。
9. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中當(dāng)沉積在陰影掩模上的材料 是半導(dǎo)體時(shí)，反應(yīng)氣體是三甲胺、或CH4/H2/Ar的組合、或H2/Ar的 組合。
10. 如權(quán)利要求9所述的方法，其中半導(dǎo)體是CdS、 CdTe或者 CdSe。
11. 一種對(duì)用于形成電子器件的陰影掩模汽相沉積系統(tǒng)的一個(gè)或多個(gè)陰影掩模的使用和清潔方法，該方法包括步驟(a)將基板導(dǎo)入沉積真空腔，在該沉積真空腔中包括材料沉積源和陰影掩模；(b)在沉積真空腔為真空情況下通過(guò)陰影掩模在基板上沉積來(lái) 自材料沉積源的材料，其中所述材料還被沉積在了陰影掩模朝向該材 料沉積源的表面上；(C)接著在步驟(b)中所進(jìn)行的在沉積真空腔中的陰影掩模 的表面上的材料沉積之后，在該沉積真空腔中沒(méi)有基板時(shí)將反應(yīng)氣體 導(dǎo)入該沉積真空腔；以及(d) 使得該沉積真空腔中的反應(yīng)氣體電離，從而電離后的氣體 去除了沉積在陰影掩模上的材料。
12. 如權(quán)利要求11所述的方法，進(jìn)一步包括步驟(e) 將另一基板導(dǎo)入沉積真空腔；(f) 在沉積真空腔為真空情況下通過(guò)陰影掩模在另一基板上沉 積來(lái)自材料沉積源的材料，其中所述材料還被沉積在了陰影掩模朝向 該材料沉積源的表面上；(g) 接著在步驟(f)中所進(jìn)行的在沉積真空腔中的陰影掩模 的表面上的材料沉積之后，在該沉積真空腔中沒(méi)有其他基板時(shí)將反應(yīng) 氣體導(dǎo)入該沉積真空腔；以及(h) 使得該沉積真空腔中的反應(yīng)氣體電離，從而電離后的氣體 去除了沉積在陰影掩模上的材料。
13. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中在步驟(d)中，電離后的 氣體通過(guò)濺射法去除了沉積在陰影掩模上的材料。
14. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中在步驟(C)中，該沉積真 空腔中反應(yīng)氣體的壓力在1毫托到500毫托之間。
全文摘要
公開(kāi)了一種連續(xù)陰影掩模汽相沉積系統(tǒng)的陰影掩模的原位腐蝕方法，其中將基板推進(jìn)通過(guò)多個(gè)順序連接的沉積真空腔。隨著基板推進(jìn)通過(guò)每個(gè)沉積真空腔，通過(guò)定位于沉積真空腔中的陰影掩模在基板上沉積來(lái)自定位于沉積真空腔中的材料沉積源的材料。該材料還被沉積在了陰影掩模朝向該材料沉積源的表面上。接著在至少一個(gè)沉積真空腔中的陰影掩模的表面上所進(jìn)行的材料沉積之后，在該沉積真空腔中沒(méi)有基板時(shí)將反應(yīng)氣體導(dǎo)入該沉積真空腔。隨后使得反應(yīng)氣體電離以去除沉積在陰影掩模上的材料。
文檔編號(hào)B08B7/00GK101413124SQ20081016829
公開(kāi)日2009年4月22日 申請(qǐng)日期2008年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月15日
發(fā)明者托馬斯·彼得·布羅迪, 約瑟夫·A·馬爾卡尼奧 申請(qǐng)人:阿德文泰克全球有限公司