腦深部刺激電極及刺激系統(tǒng)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型揭示了一種腦深部刺激電極及刺激系統(tǒng)，所述電極包括具有近端及遠(yuǎn)端的電極本體，所述電極本體具有相互垂直的長(zhǎng)度方向及寬度方向，所述電極還包括位于遠(yuǎn)端的若干電極觸點(diǎn)，于所述長(zhǎng)度方向上，相鄰兩個(gè)電極觸點(diǎn)之間的間距為1.0±0.1毫米。本實(shí)用新型的相鄰兩個(gè)電極觸點(diǎn)之間的間距為1.0±0.1毫米，如此的間距設(shè)計(jì)，可以有效考慮到因磁共振偏差、電極漂移、腦部塌陷、手術(shù)頭架等誤差情況存在而引起的腦深部刺激電極插入核團(tuán)的位置的偏差，從而可以大大提高位于核團(tuán)內(nèi)的電極觸點(diǎn)有效刺激面積，如此，提高了對(duì)患者的刺激效果，減少了插偏時(shí)刺激所帶來(lái)的副作用，且延長(zhǎng)了腦深部電刺激系統(tǒng)中的電池使用壽命。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
腦深部刺激電極及刺激系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及植入式醫(yī)療器械技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種腦深部刺激電極及刺激系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]神經(jīng)電刺激在神經(jīng)功能失調(diào)治療和神經(jīng)損傷康復(fù)中具有重要的作用。植入式神經(jīng)電刺激系統(tǒng)通過(guò)在人體內(nèi)諸如運(yùn)動(dòng)神經(jīng)、感覺(jué)神經(jīng)的特定神經(jīng)處植入電極，來(lái)釋放高頻電刺激，以對(duì)于特定神經(jīng)進(jìn)行刺激，從而使人體機(jī)能恢復(fù)到正常運(yùn)作的狀態(tài)。目前，植入式神經(jīng)電刺激系統(tǒng)主要包括植入式腦深部電刺激(DBS)，植入式腦皮層刺激(CNS)，植入式脊髓電刺激系統(tǒng)(SCS)，植入式骶神經(jīng)電刺激系統(tǒng)(SNS)，植入式迷走神經(jīng)電刺激系統(tǒng)(VNS)等等。
[0003]植入式腦深部電刺激(DBS)以及其他涉及向腦部植入電極和導(dǎo)管的有關(guān)手術(shù)越來(lái)越多地用來(lái)治療像帕金森癥、肌張力障礙、特發(fā)性震顫、癲癇、肥胖、抑郁、運(yùn)動(dòng)控制障礙及其他使人衰弱的疾病。在這些手術(shù)中，策略地把電極或其他醫(yī)療器件放置在腦部的目標(biāo)部位。將電極定位在腦深部刺激的“最佳”或最優(yōu)部位可能是辛苦的過(guò)程。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中，植入式腦深部電刺激系統(tǒng)中的電極植入患者腦部核團(tuán)時(shí)，在醫(yī)生手術(shù)誤差等于零的情況下，因?yàn)榇嬖诖殴舱衿?、電極漂移、腦部塌陷、手術(shù)頭架等產(chǎn)生誤差的情況，所以往往電極不會(huì)維持在醫(yī)生希望的核團(tuán)最佳位置，包括在核團(tuán)的上下左右都會(huì)存在這樣的不確定誤差問(wèn)題，如此，電極上提供刺激脈沖的電極觸點(diǎn)有效刺激面積就會(huì)減少，對(duì)醫(yī)生手術(shù)操作的成功率及患者使用效果都有很大的影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本實(shí)用新型的目的在于提供一種腦深部刺激電極及刺激系統(tǒng)。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述實(shí)用新型目的之一，本實(shí)用新型一實(shí)施方式提供一種腦深部刺激電極，所述電極包括具有近端及遠(yuǎn)端的電極本體，所述電極本體具有相互垂直的長(zhǎng)度方向及寬度方向，所述電極還包括位于遠(yuǎn)端的若干電極觸點(diǎn)，于所述長(zhǎng)度方向上，相鄰兩個(gè)電極觸點(diǎn)之間的間距為1.0±0.1毫米。
[0007]作為本實(shí)用新型一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，相鄰兩個(gè)電極觸點(diǎn)之間的間距為1.0毫米。
[0008]作為本實(shí)用新型一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，每一所述電極觸點(diǎn)沿所述長(zhǎng)度方向的寬度為1.5毫米。
[0009]作為本實(shí)用新型一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，當(dāng)所述電極本體處于展開(kāi)平鋪狀態(tài)時(shí)，所述若干電極觸點(diǎn)沿所述寬度方向呈四排排布，且相鄰兩排之間的間距保持為1.0毫米。
[0010]作為本實(shí)用新型一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，所述電極本體沿所述寬度方向的截面為圓形。
[0011]作為本實(shí)用新型一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，每一所述電極觸點(diǎn)為沿所述電極本體圓周方向延伸的環(huán)狀電極觸點(diǎn)。
[0012]為實(shí)現(xiàn)上述實(shí)用新型目的之一，本實(shí)用新型一實(shí)施方式提供一種腦深部刺激電極，所述電極包括具有近端及遠(yuǎn)端的圓柱狀電極本體，所述電極本體具有長(zhǎng)度方向，所述電極還包括若干環(huán)狀電極觸點(diǎn)，于所述長(zhǎng)度方向上，相鄰兩個(gè)環(huán)狀電極觸點(diǎn)之間的間距為1.0±0.1毫米。
[0013]作為本實(shí)用新型一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，相鄰兩個(gè)環(huán)狀電極觸點(diǎn)之間的間距為1.0毫米。
[0014]作為本實(shí)用新型一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，每一所述環(huán)狀電極觸點(diǎn)沿所述長(zhǎng)度方向的寬度為1.5毫米。
[0015]作為本實(shí)用新型一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，所述電極沿所述長(zhǎng)度方向均勻分布有四個(gè)所述環(huán)狀電極觸點(diǎn)。
[0016]為實(shí)現(xiàn)上述實(shí)用新型目的之一，本實(shí)用新型一實(shí)施方式提供一種腦深部刺激系統(tǒng)，包括如上所述的腦深部刺激電極。
[0017]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果在于:本實(shí)用新型的相鄰兩個(gè)電極觸點(diǎn)之間的間距為1.0±0.1毫米，如此的間距設(shè)計(jì)，可以有效考慮到因磁共振偏差、電極漂移、腦部塌陷、手術(shù)頭架等誤差情況存在而引起的腦深部刺激電極插入核團(tuán)的位置的偏差，從而可以大大提尚位于核團(tuán)內(nèi)的電極觸點(diǎn)有效刺激面積，如此，提尚了對(duì)患者的刺激效果，減少了插偏時(shí)刺激所帶來(lái)的副作用，且延長(zhǎng)了腦深部電刺激系統(tǒng)中的電池使用壽命。
【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1是本實(shí)用新型一實(shí)施方式的腦深部刺激電極結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2a是本實(shí)用新型一示例的腦深部刺激電極主視圖；
[0020]圖2b是本實(shí)用新型一示例的腦深部刺激電極橫截面圖；
[0021 ]圖2c是本實(shí)用新型另一示例的腦深部刺激電極主視圖；
[0022]圖2d是本實(shí)用新型另一示例的腦深部刺激電極橫截面圖；
[0023]圖3a是本實(shí)用新型一示例的腦深部刺激電極主視圖；
[0024]圖3b是本實(shí)用新型一示例的腦深部刺激電極展開(kāi)平鋪圖；
[0025]圖4是本實(shí)用新型一實(shí)施方式的三種間距的腦深部刺激電極插入核團(tuán)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖5a是本實(shí)用新型一實(shí)施方式的核團(tuán)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖5b是本實(shí)用新型一實(shí)施方式的腦深部刺激電極插入核團(tuán)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖6a_6i本實(shí)用新型一實(shí)施方式的三種間距的腦深部刺激電極于核團(tuán)各個(gè)點(diǎn)插入時(shí)的有效刺激曲線(xiàn)圖；
[0029]圖7a是本實(shí)用新型一實(shí)施方式的數(shù)學(xué)依據(jù)推導(dǎo)過(guò)程的核團(tuán)示意圖；
[0030]圖7b是本實(shí)用新型一實(shí)施方式的數(shù)學(xué)依據(jù)推導(dǎo)過(guò)程的腦深部刺激電極示意圖；
[0031]圖8a是本實(shí)用新型一實(shí)施方式的數(shù)學(xué)依據(jù)推導(dǎo)過(guò)程的腦深部刺激電極位于核團(tuán)第一位置的示意圖；
[0032]圖8b是本實(shí)用新型一實(shí)施方式的數(shù)學(xué)依據(jù)推導(dǎo)過(guò)程的腦深部刺激電極位于核團(tuán)第二位置的示意圖；
[0033]圖9是本實(shí)用新型一實(shí)施方式的腦深部刺激電極制作方法步驟圖。
【具體實(shí)施方式】
[0034]以下將結(jié)合附圖所示的【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)描述。但這些實(shí)施方式并不限制本實(shí)用新型，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)這些實(shí)施方式所做出的結(jié)構(gòu)、方法、或功能上的變換均包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0035]為清楚地表達(dá)本申請(qǐng)內(nèi)所描述的位置與方向，以器械操作者作為參照，靠近操作者的一端為近端，遠(yuǎn)離操作者的一端為遠(yuǎn)端。另外，本申請(qǐng)使用的例如“上”、“上方”、“下”、“下方”等表示空間相對(duì)位置的術(shù)語(yǔ)是出于便于說(shuō)明的目的來(lái)描述如附圖中所示的一個(gè)單元或特征相對(duì)于另一個(gè)單元或特征的關(guān)系?？臻g相對(duì)位置的術(shù)語(yǔ)可以旨在包括設(shè)備在使用或工作中除了圖中所示方位以外的不同方位。例如，如果將圖中的設(shè)備翻轉(zhuǎn)，則被描述為位于其他單元或特征“下方”或“之下”的單元將位于其他單元或特征“上方”。因此，示例性術(shù)語(yǔ)“下方”可以囊括上方和下方這兩種方位。設(shè)備可以以其他方式被定向(旋轉(zhuǎn)90度或其他朝向)，并相應(yīng)地解釋本文使用的與空間相關(guān)的描述語(yǔ)。
[0036]如圖1所示，為本實(shí)用新型一實(shí)施方式的腦深部刺激電極結(jié)構(gòu)示意圖，本實(shí)施方式的腦深部刺激電極100包括具有近端及遠(yuǎn)端的電極本體10，所述電極本體10具有相互垂直的長(zhǎng)度方向A及寬度方向B，所述電極100還包括位于遠(yuǎn)端的若干電極觸點(diǎn)11，于所述長(zhǎng)度方向A上，相鄰兩個(gè)電極觸點(diǎn)11之間的間距L為1.0±0.1毫米。需要說(shuō)明的是，由于制作工藝或其他方面的誤差，相鄰兩個(gè)電極觸點(diǎn)11之間的間距P可具有一定的誤差范圍。另外，這里的長(zhǎng)度方向A定義為電極本體10的延伸方向。
[0037]本實(shí)施方式的間距L設(shè)計(jì)，可以有效考慮到因磁共振偏差、電極漂移、腦部塌陷、手術(shù)頭架等誤差情況存在而引起的腦深部刺激電極100插入核團(tuán)200的位置的偏差，從而可以大大提高位于核團(tuán)內(nèi)的電極觸點(diǎn)11的有效刺激面積，如此，提高了對(duì)患者的刺激效果，減少了插偏時(shí)刺激所帶來(lái)的副作用，且延長(zhǎng)了腦深部電刺激系統(tǒng)中的電池使用壽命。
[0038]在本實(shí)施方式中，所述電極本體10可為多種形態(tài)，如圖2a_2d所示，為電極本體10多種形態(tài)的示意圖，包括電極本體1的正視圖及沿寬度方向B的橫截面圖。如圖2a及圖2b所示，電極本體1為圓柱狀電極本體I Oa，此時(shí)圓柱狀電極本體I Oa沿寬度方向B的橫截面呈圓形。如圖2c及圖2d所示，電極本體10為扁平狀電極本體10b，此時(shí)扁平狀電極本體1b沿寬度方向B的橫截面呈類(lèi)矩形。當(dāng)然，電極本體10還可為其他形態(tài)，并不以上述舉例為限。
[0039 ]在本實(shí)施方式中，位于電極本體1遠(yuǎn)端的電極觸點(diǎn)11也可為多種形態(tài)，這里，以電極本體1為圓柱狀電極本體I Oa且電極觸點(diǎn)11之間的間距L為1.0毫米為例，包括圓柱狀電極本體1a的正視圖及展開(kāi)平鋪圖，所述展開(kāi)平鋪圖定義為以長(zhǎng)度方向A為分割線(xiàn)且沿寬度方向B展開(kāi)的平鋪圖。如圖3a及圖3b所示，所述電極觸點(diǎn)11為沿所述圓柱狀電極本體1圓周方向延伸的環(huán)狀電極觸點(diǎn)11a，環(huán)狀電極觸點(diǎn)Ila首尾相連，當(dāng)圓柱狀電極本體1a展開(kāi)時(shí)，若干環(huán)狀電極觸點(diǎn)Ila沿所述寬度方向B呈四排排布，且相鄰兩排之間的間距L保持為1.0毫米。
[0040]在本實(shí)施方式中，每一所述電極觸點(diǎn)11沿所述長(zhǎng)度方向A的寬度為1.5毫米，但不以此為限。
[0041]下面以一具體示例來(lái)詳細(xì)介紹本實(shí)用新型的腦深部刺激電極。本示例以具有四個(gè)環(huán)狀電極觸點(diǎn)11 a的圓柱狀電極本體I Oa為例，四個(gè)環(huán)狀電極觸點(diǎn)11 a均勻分布在圓柱狀電極本體I Oa上。
[0042]如圖4所示，為本示例的腦深部刺激電極實(shí)現(xiàn)提高有效刺激面積的示意圖。這里，分別以相鄰環(huán)狀電極觸點(diǎn)Ila之間的間距為0.5毫米、1.0毫米及1.5毫米的腦深部刺激電極100準(zhǔn)確伸入核團(tuán)200中心為例。在實(shí)際運(yùn)用中，當(dāng)有兩個(gè)環(huán)狀電極觸點(diǎn)I Ia位于核團(tuán)200內(nèi)時(shí)，腦深部刺激電極1 O對(duì)患者的刺激效果最佳，也就是說(shuō)，腦深部刺激電極1 O伸入核團(tuán)200的有效刺激面積為兩個(gè)環(huán)狀電極觸點(diǎn)Ila的概率越高，腦深部刺激電極100對(duì)患者的刺激效果越好。
[0043]在實(shí)際運(yùn)用中，因?yàn)榇嬖诖殴舱衿?、電極漂移、腦部塌陷、手術(shù)頭架等產(chǎn)生誤差的情況，例如，MRI(磁共振)檢測(cè)結(jié)果本身有偏差、開(kāi)顱后顱內(nèi)壓發(fā)生變化而導(dǎo)致與開(kāi)顱前的MRI檢測(cè)結(jié)果有差異、腦部塌陷導(dǎo)致腦深部刺激電極100與核團(tuán)200的相對(duì)位置發(fā)生偏差等等，腦深部刺激電極100于核團(tuán)200的位置并不能很好地維持在醫(yī)生認(rèn)為的最佳位置處。假設(shè)圖4中的左框內(nèi)為醫(yī)生根據(jù)MRI(磁共振)檢測(cè)結(jié)果將腦深部刺激電極100伸入核團(tuán)200的狀態(tài)圖，可以看到，間距為0.5毫米、1.0毫米及1.5毫米的腦深部刺激電極100均保證有兩個(gè)環(huán)狀電極觸點(diǎn)Ila位于核團(tuán)200內(nèi)，此時(shí)可以認(rèn)為腦深部刺激電極100處于醫(yī)生認(rèn)為的最佳位置。但實(shí)際情況是，由于上述提到的誤差情況的存在，腦深部刺激電極100與核團(tuán)200的相對(duì)位置會(huì)發(fā)生變化，如圖4中的右框內(nèi)的示意圖所示，右框內(nèi)的示意圖也是實(shí)際刺激過(guò)程的示意圖，腦深部刺激電極100相對(duì)左框內(nèi)的示意圖發(fā)生了下移，此時(shí)，可以看到，考慮到上述誤差情況后，間距為0.5毫米及1.5毫米的腦深部刺激電極100均僅有一個(gè)環(huán)狀電極觸點(diǎn)Ila位于核團(tuán)200內(nèi)，而間距為1.0毫米的腦深部刺激電極100仍有兩個(gè)環(huán)狀電極觸點(diǎn)Ila位于核團(tuán)內(nèi)，也就是說(shuō)，間距為1.0毫米的腦深部刺激電極100伸入核團(tuán)200的有效刺激面積為兩個(gè)環(huán)狀電極觸點(diǎn)Ila的概率較高。
[0044]這里，間距為1.0毫米的腦深部刺激電極100伸入核團(tuán)200的有效刺激面積為兩個(gè)環(huán)狀電極觸點(diǎn)Ua的概率較高，一方面，可以使得腦深部刺激電極100的刺激效果始終保持較佳，另一方面，由于腦深部刺激電極100始終保持較大的刺激面積，可以大大延長(zhǎng)腦深部刺激系統(tǒng)中供電電池的使用壽命。
[0045]在實(shí)際運(yùn)用中，一方面，腦深部刺激電極100還包括與若干環(huán)狀電極觸點(diǎn)Ila相連的若干導(dǎo)線(xiàn)(未標(biāo)示)，在導(dǎo)線(xiàn)之間的絕緣有效性固定的情況下，為了更有效地防止相鄰環(huán)狀電極觸點(diǎn)Ua之間短路，較佳的做法是加大相鄰環(huán)狀電極觸點(diǎn)Ila之間的間距，如本示例間距為1.5毫米的腦深部刺激電極100所示;而另一方面，為了增大環(huán)狀電極觸點(diǎn)Ila在一個(gè)核團(tuán)200內(nèi)的有效刺激面積，且不至于每個(gè)環(huán)狀電極觸點(diǎn)Ila面積過(guò)大，會(huì)盡量降低相鄰環(huán)狀電極觸點(diǎn)Ila之間的間距，如本示例間距為0.5毫米的腦深部刺激電極100所示。間距為
0.5毫米及1.5毫米的腦深部刺激電極100恰好也是目前比較常用的腦深部刺激電極100，而本實(shí)用新型提出的間距為1.0毫米的腦深部刺激電極100，不僅可以避免相鄰環(huán)狀電極觸點(diǎn)Ila之間短路，還可以增大環(huán)狀電極觸點(diǎn)Ila在一個(gè)核團(tuán)200內(nèi)的有效刺激面積，更重要的是，間距為1.0毫米的腦深部刺激電極100可以在考慮各種誤差的情況下大大提高有效刺激面積為兩個(gè)環(huán)狀電極觸點(diǎn)Ila的概率，相較于間距為0.5毫米及1.5毫米的腦深部刺激電極100，間距為1.0毫米的腦深部刺激電極100的優(yōu)勢(shì)明顯。
[0046]另外，本示例間距為1.0毫米的腦深部刺激電極100的優(yōu)勢(shì)還在于可以減少腦深部刺激電極100插偏時(shí)刺激所帶來(lái)的對(duì)患者的副作用。具體的，如圖5a至圖6 i所示，圖5a及圖5b為核團(tuán)200及腦深部刺激電極100插入核團(tuán)200的結(jié)構(gòu)示意圖，圖6a-6i分別為不同間距的腦深部刺激電極100在核團(tuán)200各個(gè)位置插入時(shí)的環(huán)狀電極觸點(diǎn)Ila有效刺激曲線(xiàn)圖。
[0047]參圖5a，在核團(tuán)2 O O上例舉了具有代表性的9個(gè)點(diǎn)(a點(diǎn)、b點(diǎn)、c點(diǎn)、d點(diǎn)、e點(diǎn)、f點(diǎn)、g點(diǎn)、h點(diǎn)及0點(diǎn))，其中，ο點(diǎn)是核團(tuán)200的中心點(diǎn)，也是理論上刺激效果最佳的點(diǎn)，其余的a點(diǎn)至h點(diǎn)均可認(rèn)為是偏離核團(tuán)200中心點(diǎn)的點(diǎn)，也就是說(shuō)，當(dāng)腦深部刺激電極100插入至a點(diǎn)至h點(diǎn)中任意一點(diǎn)時(shí)，腦深部刺激電極100認(rèn)定為處于插偏狀態(tài)。
[0048]參圖6a_圖6i，環(huán)狀電極觸點(diǎn)Ila有效刺激曲線(xiàn)圖的橫坐標(biāo)定義為腦深部刺激電極100的插入核團(tuán)深度，縱坐標(biāo)定義為環(huán)狀電極觸點(diǎn)Ila的有效刺激長(zhǎng)度(即沿長(zhǎng)度方向A上，位于核團(tuán)200內(nèi)的實(shí)際提供刺激脈沖的環(huán)狀電極觸點(diǎn)Ila的總長(zhǎng))，而后分別獲取間距為0.5毫米、1.0毫米及1.5毫米的腦深部刺激電極100在核團(tuán)200內(nèi)隨著插入核團(tuán)深度加大時(shí)的有效刺激長(zhǎng)度變化曲線(xiàn)，曲線(xiàn)與橫坐標(biāo)所圍設(shè)形成的面積便可示意環(huán)狀電極觸點(diǎn)Ila的有效刺激面積。可以看到，無(wú)論是在插偏位置(a點(diǎn)至h點(diǎn))，還是在中心位置0點(diǎn)，間距為1.0毫米的腦深部刺激電極100的有效刺激面積始終保持最大，也就是說(shuō)，當(dāng)一些誤差情況發(fā)生而導(dǎo)致腦深部刺激電極100與核團(tuán)200的相對(duì)位置發(fā)生變化或腦深部刺激電極100插入時(shí)便插偏時(shí)，間距為1.0毫米的腦深部刺激電極100的刺激效果始終保持最佳，間距為1.0毫米的腦深部刺激電極100可以減少腦深部刺激電極100插偏時(shí)刺激所帶來(lái)的對(duì)患者的副作用。
[0049]在本實(shí)用新型中，還提供了間距為1.0毫米的腦深部刺激電極100伸入核團(tuán)200的有效刺激面積為兩個(gè)環(huán)狀電極觸點(diǎn)Ila的概率最高的數(shù)學(xué)依據(jù)。
[0050]如圖7a、7b及圖8a、8b所示，假設(shè)核團(tuán)200的有效厚度為H，核團(tuán)200上端為C點(diǎn)，核團(tuán)200下端為D點(diǎn)，則H=D-C，有效厚度H定義為腦深部刺激電極100插入核團(tuán)200中心點(diǎn)時(shí)腦深部刺激電極100位于核團(tuán)200內(nèi)的長(zhǎng)度。電極觸點(diǎn)11包括四個(gè)長(zhǎng)度方向A的寬度為1.5mm的環(huán)狀電極觸點(diǎn)11a，且四個(gè)環(huán)狀電極觸點(diǎn)Ila之間包括三個(gè)長(zhǎng)度均為Amm的間距，腦深部刺激電極100總的可使用刺激長(zhǎng)度為(6+3 Δ )mm，其中△ e [0，2]，腦深部刺激電極100最下方的環(huán)狀電極觸點(diǎn)Ila的下邊沿實(shí)際坐標(biāo)點(diǎn)為X;
[0051]腦深部刺激電極100的植入目標(biāo)為D點(diǎn)，植入可允許誤差范圍為±5mm，則Xe[D-5，D+5]，當(dāng)至少有m長(zhǎng)的環(huán)狀電極觸點(diǎn)Ila在核團(tuán)200內(nèi)時(shí)，xe[xl，x2];其中xl =D-Y，O彡Y彡5 ； x2 =D+Z ， O彡Z彡50
[0052]參圖8a及圖8b，
[0053]當(dāng)0.CKm^il.5mm時(shí)，xl = D-(H-m); x2 = D+(6+3 Δ -m);
[0054]當(dāng)1.5<m^i3.0 mm時(shí)，xl = D-(H-m-Δ ) ； x2 = D+(6+2 Δ -m);
[0055]當(dāng)3.0<m^i4.5mm時(shí)，xl = D-(H-m-2 Δ ) ； x2 = D+(6+ Δ -m);
[0056]當(dāng)4.5<m^i6.0mm時(shí)，xl = D-(H-m-3 Δ ) ； x2 = D+(6_m);
[0057]如果植入位置服從均勻分布，S卩x~U[D_5，D+5]，則至少有m長(zhǎng)的環(huán)狀電極觸點(diǎn)Ila在核團(tuán)200內(nèi)的概率P=(x2-xl)/10。
[0058]在植入式腦深部電刺激手術(shù)應(yīng)用中，核團(tuán)200的有效厚度H通常在4?6mm區(qū)間(因人而異)。
[0059]假設(shè)m=3.0，此時(shí):
[0060]當(dāng) Δ 彡1，且4彡H彡6時(shí)，xl = D-(H_3-A) ； χ2 = D+(3+2A )；P = (x2_xl)/10 =(Η+Δ )/10，也就是說(shuō)，若H—定，則當(dāng)Δ=1時(shí)，概率P最大
[0061 ]當(dāng) Δ >1，且4彡H彡6時(shí)xl = D-(H_3-A) ； x2 = D+5 ;P = (x2_xl)/10 = (H+2_A )/10，也就是說(shuō)，若H—定，則Δ趨近于I時(shí)，概率P趨近于最大。
[0062]綜上可知，當(dāng)相鄰環(huán)狀電極觸點(diǎn)I Ia之間的間隙Δ =Imm時(shí)，可以使得有3.0mm及以上的環(huán)狀電極觸點(diǎn)Ila處于核團(tuán)200內(nèi)的概率最大，此時(shí)概率P = (H+l)/10。且當(dāng)H處于4?6mm區(qū)間內(nèi)時(shí)，P e [0.5，0.7 ]，即核團(tuán)200內(nèi)環(huán)狀電極觸點(diǎn)I Ia長(zhǎng)度不低于3.0mm的幾率超過(guò)50%。根據(jù)上述數(shù)學(xué)依據(jù)，可以進(jìn)一步證明間距為1.0毫米的腦深部刺激電極100伸入核團(tuán)200的有效刺激面積為兩個(gè)環(huán)狀電極觸點(diǎn)Ila的概率最高。
[0063]本實(shí)用新型還提供一種腦深部刺激裝置，包括如上所述的腦深部刺激電極100、連接電極的控制裝置等等。
[0064]本實(shí)用新型一實(shí)施方式還提供一種腦深部刺激電極制作方法，如圖9所示，所述方法包括步驟:
[0065]提供一電極本體10，所述電極本體10具有近端及遠(yuǎn)端，且所述電極本體10具有長(zhǎng)度方向A;
[0066]于所述電極本體10的遠(yuǎn)端形成若干電極觸點(diǎn)11，于所述長(zhǎng)度方向A上，相鄰兩個(gè)電極觸點(diǎn)11之間的間距為1.0±0.1毫米。
[0067]本實(shí)施方式的間距P設(shè)計(jì)，可以有效考慮到因磁共振偏差、電極漂移、腦部塌陷、手術(shù)頭架等誤差情況存在而引起的腦深部刺激電極100插入核團(tuán)200的位置的偏差從而可以大大提高位于核團(tuán)內(nèi)的電極觸點(diǎn)11有效刺激面積，如此，提高了對(duì)患者的刺激效果，減少了插偏時(shí)刺激所帶來(lái)的副作用，且延長(zhǎng)了腦深部電刺激系統(tǒng)中的電池使用壽命。
[0068]本實(shí)施方式的腦深部刺激電極制作方法的其他說(shuō)明可以參考上述腦深部刺激電極100結(jié)構(gòu)的說(shuō)明，在此不再贅述。
[0069]應(yīng)當(dāng)理解，雖然本說(shuō)明書(shū)按照實(shí)施方式加以描述，但并非每個(gè)實(shí)施方式僅包含一個(gè)獨(dú)立的技術(shù)方案，說(shuō)明書(shū)的這種敘述方式僅僅是為清楚起見(jiàn)，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)將說(shuō)明書(shū)作為一個(gè)整體，各實(shí)施方式中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當(dāng)組合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實(shí)施方式。
[0070]上文所列出的一系列的詳細(xì)說(shuō)明僅僅是針對(duì)本實(shí)用新型的可行性實(shí)施方式的具體說(shuō)明，它們并非用以限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍，凡未脫離本實(shí)用新型技藝精神所作的等效實(shí)施方式或變更均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種腦深部刺激電極，所述電極包括具有近端及遠(yuǎn)端的電極本體，所述電極本體具有相互垂直的長(zhǎng)度方向及寬度方向，其特征在于所述電極還包括位于遠(yuǎn)端的若干電極觸點(diǎn)，于所述長(zhǎng)度方向上，相鄰兩個(gè)電極觸點(diǎn)之間的間距為1.0±0.1毫米。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腦深部刺激電極，其特征在于，相鄰兩個(gè)電極觸點(diǎn)之間的間距為1.0毫米。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腦深部刺激電極，其特征在于，每一所述電極觸點(diǎn)沿所述長(zhǎng)度方向的寬度為1.5毫米。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腦深部刺激電極，其特征在于，當(dāng)所述電極本體處于展開(kāi)平鋪狀態(tài)時(shí)，所述若干電極觸點(diǎn)沿所述寬度方向呈四排排布，且相鄰兩排之間的間距保持為1.0毫米。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腦深部刺激電極，其特征在于，所述電極本體沿所述寬度方向的截面為圓形。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的腦深部刺激電極，其特征在于，每一所述電極觸點(diǎn)為沿所述電極本體圓周方向延伸的環(huán)狀電極觸點(diǎn)。7.—種腦深部刺激電極，所述電極包括具有近端及遠(yuǎn)端的圓柱狀電極本體，所述電極本體具有長(zhǎng)度方向，其特征在于所述電極還包括若干環(huán)狀電極觸點(diǎn)，于所述長(zhǎng)度方向上，相鄰兩個(gè)環(huán)狀電極觸點(diǎn)之間的間距為1.0 ± 0.1毫米。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的腦深部刺激電極，其特征在于，相鄰兩個(gè)環(huán)狀電極觸點(diǎn)之間的間距為1.0毫米。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的腦深部刺激電極，其特征在于，每一所述環(huán)狀電極觸點(diǎn)沿所述長(zhǎng)度方向的寬度為1.5毫米。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的腦深部刺激電極，其特征在于，所述電極沿所述長(zhǎng)度方向均勻分布有四個(gè)所述環(huán)狀電極觸點(diǎn)。11.一種腦深部刺激系統(tǒng)，其特征在于包括如權(quán)利要求1-10中任意一項(xiàng)所述的腦深部刺激電極。
【文檔編號(hào)】A61N1/05GK205672351SQ201620285702
【公開(kāi)日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年4月7日 公開(kāi)號(hào)201620285702.3, CN 201620285702, CN 205672351 U, CN 205672351U, CN-U-205672351, CN201620285702, CN201620285702.3, CN205672351 U, CN205672351U
【發(fā)明人】豆美娟, 朱為然
【申請(qǐng)人】蘇州景昱醫(yī)療器械有限公司