技術(shù)編號：6738986
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。關(guān)聯(lián)申請本申請以日本專利申請2011-194633號(申請日2011年9月7日)為基礎(chǔ)申請， 享受優(yōu)先權(quán)。本申請通過參照該基礎(chǔ)申請而包含基礎(chǔ)申請的全部內(nèi)容。實施例涉及。背景技術(shù)磁阻存儲器(MRAM Magnetoresistive Random Access Memory)是利用磁隧道結(jié) (MTJ Magnetic Tunnel Junction)元件的電阻的變化進行信息的存儲的非易失性存儲器的一種。MTJ元件具有一對強磁性層和設(shè)置在該一對強磁性層間的隧道...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
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