本發(fā)明涉及疾病治療設備,尤其涉及一種治療真菌的治療儀。
背景技術:
灰指甲又稱甲真菌病或甲癬,是一種常見的病癥,其常見的致病真菌為皮膚癬菌(毛癬菌屬、表皮癬菌屬或小孢子菌屬)、念珠菌(假絲酵母菌)及非皮膚癬菌類真菌。上述病原通常會分布在病者的甲溝、甲床或甲板上并長期生長繁殖并持續(xù)致病。
目前,應對灰指甲有效的處理方法為殺死其致病真菌;在相關技術中,常見的殺死致病真菌的方式為在病變部位外敷一些殺菌藥物;由于導致灰指甲產生的病菌有多種,因此,在使用外敷殺菌藥物殺滅病菌時,需要針對不同的致病菌以及所處的部位外敷相應的殺菌藥物;但是,在外敷殺菌藥物時,相同的病變部位可能會存在多種致病菌,因此,外敷的殺菌藥物往往會互相重疊,進而造成殺菌藥物不能有效的直接接觸其所能滅活的致病菌,所以,殺菌效果不理想。
現有技術提出了一種治療儀,采用錐狀殼體,超聲波發(fā)生器和導聲介質,使得超聲波發(fā)生器發(fā)出的超聲波進入錐狀殼體,超聲波聚焦,聚焦后的超聲波的溫度較高。但是真菌受到的溫度越高時,被殺滅的可能性才較大,殺菌效率才更高。因此,有必要提高超聲波的聚焦能量。
技術實現要素:
本發(fā)明實施例提供一種治療儀,解決上述治療儀超聲波的聚焦能量較低的問題。
本發(fā)明提供的治療儀包括:錐狀殼體,超聲波發(fā)射器和導聲介質;所述錐狀殼體的口徑沿頂部至底部方向逐漸縮減;所述超聲波發(fā)射器置于所述錐狀殼體的頂部;導聲介質置于錐狀殼體內;所述錐狀殼體的內壁為光滑表面且所述錐狀殼體內壁設置有超聲波反射層,所述超聲波反射層依照所述錐狀殼體內壁的形狀形成在所述錐狀殼體內壁上,其表面也為光滑表面。
較佳的,所述超聲波反射層為薄膜體聲波諧振器。
較佳的,所述薄膜體聲波諧振器為至少兩層的結構,具體包括第一薄膜體聲波諧振器和第二薄膜體聲波諧振器,靠近導聲介質的第一層薄膜體聲波諧振器的密度小于第二層薄膜體聲波諧振器的密度。
較佳的,所述超聲波反射層為聲波反射層。
較佳的,所述超聲波發(fā)射器包括疊置的超聲波發(fā)生器和超聲波換能器。
較佳的,所述超聲波發(fā)射器為超聲波發(fā)生器或超聲波換能器。
上述本發(fā)明實施例提供的治療儀,所述錐狀殼體內壁設置有超聲波反射層,所述超聲波反射層依照所述錐狀殼體內壁的形狀形成在所述錐狀殼體1內壁上,其表面也為光滑表面。這樣,超聲波到達錐狀殼體內壁時,超聲波會被超聲波反射層4反射而不會被錐狀殼體內壁吸收或散射,這樣就可以保證超聲波不會過多的被損耗,提高了超聲波的利用率,相應的也就提高了超聲波的聚焦能量。
附圖說明
圖1為本發(fā)明實施例提供的治療儀截面示意圖;
圖2為本發(fā)明實施例提供的治療儀截面示意圖。
具體實施方式
以下將具體說明本發(fā)明實施例提供的治療儀。
參見圖1,為目前治療儀的整體結構示意圖,包括盛有導聲介質106的筒狀殼體,導聲介質106具有第一開口101和第二開口102,第一開口101和第二開口102處分別設置有第一封口膜103和第二封口膜104,所述超聲波發(fā)生器105置于第二開口102處其產生的超聲波透第一封口膜103之后會帶動與之接觸的第一封口膜103發(fā)生共振,并在筒狀殼體內部的導聲介質106中傳播,從而得到聚焦。
但是上述治療儀超聲波通過所述導聲介質傳導,通過所述筒狀殼體聚焦,聚焦時,超聲波投射到筒狀殼體內壁時,筒狀殼體會吸收超聲波,導致超聲波的能量會損耗掉。
針對上述問題,本發(fā)明提出如下技術方案。
參見圖2,為本發(fā)明實施例提供的治療儀的截面結構示意圖;
治療儀,包括:錐狀殼體1,超聲波發(fā)射器3和導聲介質2;
所述錐狀殼體1的口徑沿頂部至底部方向逐漸縮減;
所述超聲波發(fā)射器3置于所述錐狀殼體1的頂部;
導聲介質2置于錐狀殼體1內;
所述錐狀殼體1的內壁為光滑表面且所述錐狀殼體1內壁設置有超聲波反射層4,所述超聲波反射層4依照所述錐狀殼體內壁的形狀形成在所述錐狀殼體1內壁上,其表面也為光滑表面。
上述本發(fā)明實施例提供的治療儀,所述錐狀殼體內壁設置有超聲波反射層4,所述超聲波反射層4依照所述錐狀殼體內壁的形狀形成在所述錐狀殼體1內壁上,其表面也為光滑表面。
這樣,超聲波到達錐狀殼體內壁時,超聲波會被超聲波反射層4反射而不會被錐狀殼體內壁吸收或散射,這樣就可以保證超聲波不會過多的被損耗,提高了超聲波的利用率,相應的也就提高了超聲波的聚焦能量。
本發(fā)明實施例提供的所述為聲波反射層。
所述超聲波反射層還可以是薄膜體聲波諧振器。
當超聲波投射到所述薄膜體聲波諧振器上進行聚焦時,超聲波發(fā)生諧振,超聲波被進一步放大,能量得到更強的聚焦。
具體的,所述薄膜體聲波諧振器可以是氧化鋅材料制作而成的薄膜。
進一步的,為了進一步提高超聲波的聚焦能量,減少薄膜體聲波諧振器帶來的損失。
本發(fā)明可以設置兩層薄膜體聲波諧振器,兩層薄膜體聲波諧振器的密度不同,靠近導聲介質的第一層薄膜體聲波諧振器的密度小于第二層薄膜體聲波諧振器的密度。
這樣,超聲波到達第一層薄膜體聲波諧振器后,若還有部分超聲波穿透第一層薄膜體聲波諧振器到達第二層薄膜體聲波諧振器時,第二薄膜體聲波諧振器會反射超聲波至第一層薄膜體聲波諧振器,并穿透所述第一層薄膜體聲波諧振器,與導聲介質內的其他超聲波相遇加強,進一步提高超聲波的能量。
為了進一步提高超聲波聚焦能量,可以減少超聲波的損失的同時可加強超聲波的發(fā)出能量。
具體的,本發(fā)明所述的超聲波發(fā)射器包括疊置的超聲波發(fā)生器和超聲波換能器。
超聲波換能器位于所述錐狀殼體的頂部,所述超聲波發(fā)生器位于所述超聲波換能器遠離所述錐狀殼體的頂部的一端,超聲波發(fā)生器發(fā)出的超聲波經過所述超聲波換能器使得超聲波得到加強,進一步提高了超聲波發(fā)生器發(fā)出的超聲波的能量。
以上所述僅為本發(fā)明的實施例而已,并不用于限制本發(fā)明。對于本領域技術人員來說,本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原理之內所作的任何修改、等同替換、改進等,均應包含在本發(fā)明的權利要求范圍之內。