專利名稱：表面貼裝多通道光耦合器的制作方法
表面貼裝多通道光耦合器本發(fā)明專利申請是國際申請?zhí)枮镻CT/US2005/005133，國際申請日為2005年02月 17日，進入中國國家階段的申請?zhí)枮?00580012042. 6，名稱為“表面貼裝多通道光耦合器” 的發(fā)明專利申請的分案申請。
背景技術：
光耦合器包含至少一個光發(fā)射器，該光發(fā)射器通過透光介質(zhì)光耦合到光接收器。 這種結(jié)構(gòu)準許將信息從一個包含光發(fā)射器的電路傳遞到另一個包含光接收器的電路。在這 兩個電路之間保持高度電隔離。因為信息是橫跨絕緣空隙以光的形式來傳遞的，所以該傳 遞是單向的。例如，光接收器不能限制包含光發(fā)射器的電路的操作。該特征是重要的，例如 因為發(fā)射器可能由使用微處理器或邏輯門的低電壓電路來驅(qū)動，而同時輸出光接收器可能 是高電壓DC或AC負載電路的一部分。這種光隔離也防止由相對惡劣的輸出電路對輸入電 路所造成的損壞。常見的光耦合器封裝形式是雙列直插式封裝或DIP。這種封裝廣泛用于安裝集成 電路，并且也用于常規(guī)的光耦合器。通常制造的各種版本的光耦合器DIP封裝部件具有4、 6、8或16個引腳。圖1示出了常規(guī)的光耦合器DIP封裝部件10的橫截面。所示的光耦合器10包 括引線框24，引線框24包括引線24(a) ,24(b)(即引腳)。光發(fā)射器12安裝在一個引線 24(a)上。光接收器14安裝在另一個引線24(b)上。光接收器14在接收到光發(fā)射器12所 產(chǎn)生的光之后就產(chǎn)生了電信號。光發(fā)射器12通過其底面電耦合到引線24(a)，并且通過導 線11耦合到另一個引線(未示出)。相似的是，光接收器14通過底面電耦合到24(b)，并 且通過導線13耦合到另一個引線(未示出)。本領域的技術人員將會認識到，光發(fā)射器12 用兩個電連接即陽極和陰極來操作。這些連接由導線11和引線24(a)來提供。相似的是， 光接收器14用兩個電連接(通常是發(fā)射極和集電極)來操作。這些連接由導線13和引線 24(b)來提供。光耦合器封裝部件10還包括透光介質(zhì)16。塑封料18包住引線框24、光發(fā) 射器12、光接收器14和透光介質(zhì)16。對于圖1所示的光耦合器封裝部件10，可以做出大量的改進。例如，光耦合器封裝 部件10需要昂貴且費時的注塑成型工藝。在注塑成型工藝中，塑封料18包住光耦合器封 裝部件10的其它部分。除了注塑成型工藝本身以外，使用成型材料去除工藝(例如，膠渣 去除工藝)來去除多余的塑封料，由此增加了形成光耦合器封裝部件的時間和成本。另外， 產(chǎn)生不同“形狀因子”的模制品(例如，4、6或8引腳封裝部件)所需的工具也需要相當大 的投資。相應地，如果可以省去注塑成型工藝，則與生產(chǎn)光耦合器封裝部件相關聯(lián)的時間和 成本可以減少許多。對光耦合器封裝部件10，也可以做出其它改進。光耦合器封裝部件10也容易因熱 循環(huán)而出故障。例如，當塑封料18和透光介質(zhì)16被加熱或冷卻時，它們的熱膨脹特性差異 使它們以不同的比率膨脹或收縮。塑封料18和透光介質(zhì)16有可能分離，從而導致結(jié)構(gòu)性 較弱的封裝部件。溫度變化也會在引線框24從塑封料18中出來的那些點處產(chǎn)生應力(例 如，在點“A”處)。該應力可能會使引線框24斷裂或性能變差。同時，導線11、13有時候可
4能會穿透透光介質(zhì)16和塑封料18。透光介質(zhì)16和塑封料18的熱膨脹特性差異可能導致 導線11和13中產(chǎn)生應力并使它們斷裂。同時也期望減小常規(guī)光耦合器封裝部件的高度。圖1所示的光耦合器封裝部件10 相對太高。例如，典型的DIP封裝部件的凈高度約為3. 5到4.0毫米。期望減小光耦合器 封裝部件的高度，這樣它便可以具有較矮的外形。如此，可以生產(chǎn)出更小的電子元件。同時期望增加上述封裝部件的功能并減小與制造光耦合器封裝部件相關聯(lián)的成 本。本發(fā)明的多個實施例單獨地或共同地來解決這些和其它問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的多個實施例涉及光耦合器封裝部件及其制造方法。本發(fā)明的一個實施例涉及一種光耦合器封裝部件，它包括(a)基片，該基片包括 引線框和塑封料；(b)光發(fā)射器；(c)光接收器，其中光發(fā)射器和光接收器電耦合到該引線 框；以及(d)透光介質(zhì)，它被置于光發(fā)射器和光接收器之間。本發(fā)明的另一個實施例涉及一種用于形成光耦合器封裝部件的方法，該方法包 括(a)形成包括引線框和塑封料的基片；(b)將光發(fā)射器和光接收器附著到該基片上；以 及(c)在該光發(fā)射器和光接收器之間沉積透光材料。本發(fā)明的另一個實施例涉及一種光耦合器封裝部件，它包括(a)基片；(b)至少 兩個光發(fā)射器；(c)至少兩個光接收器；以及(d)在相鄰的光發(fā)射器和光接收器之間的透光 介質(zhì)，其中光發(fā)射器和光接收器位于該基片上。在下文中進一步詳細描述這些和其它實施例。


圖1示出了現(xiàn)有技術的光耦合器封裝部件。圖2從底部透視角度示出了根據(jù)本發(fā)明一實施例的基片。圖3示出了圖4的基片，該基片示出了內(nèi)部引線框配置。圖4示出了圖5所示基片的底部平面圖。圖5示出了圖4所示基片沿A-A線的側(cè)面橫截面圖。圖6是該基片的另一張底部平面圖，它示出了不同的光耦合器象限。圖7從底部透視角度示出了根據(jù)本發(fā)明一實施例的光耦合器封裝部件。圖8從頂部透視角度示出了根據(jù)本發(fā)明一實施例的光耦合器封裝部件。圖9是從底部透視角度看到的光耦合器封裝部件的底部透視圖，并且其中示出了 光發(fā)射器和光接收器。圖10是一種光耦合器封裝部件的底部平面圖，它示出了光接收器和光發(fā)射器。圖11示出了一種光耦合器組件，它包括安裝在基片上的光耦合器封裝部件。
具體實施例方式在本發(fā)明的實施例中，一個或多個光耦合器位于單個基片上，該基片由引線框和 塑封料構(gòu)成。例如，在單個基片上可以有四個光耦合器排成四元陣列。每一個光耦合器可以包括光發(fā)射器(例如，發(fā)光二極管)和光接收器(例如，光電二極管)。光接收器和光發(fā) 射器之間的間隔可以大約介于0. 3毫米到0. 5毫米之間。每一個光耦合器都可以用透光耦 合凝膠來固定，并且可以用不透光的高反射環(huán)氧基聚合物來包住?？梢詫⒐怦詈掀鞯墓δ?端分組，并將它們引向該封裝部件的四周，這樣便形成了球形柵格陣列布局。光接收器、光 發(fā)射器和引線鍵合點可排列成使得它們將對應于引線框的各端。諸如控制芯片等邏輯器件也可以位于該基于引線框的基片上，并且也可以位于光 耦合器封裝部件中。此外，包括MOSFET (金屬氧化物半導體場效應晶體管)(比如，帶有或 不帶有槽柵的功率M0SFET)的芯片可以位于該基片上或該封裝部件中。這種芯片或器件可 以位于該基片上，并且可以電耦合到諸如光發(fā)射器和光接收器等組件。在一些實施例中，光耦合器封裝部件很薄，并且具有至少兩個光耦合器(例如，四 個光耦合器)。有利的是，與各自帶有一個光耦合器的四個分立的光耦合器封裝部件相比， 單個的光耦合器封裝部件可以提供相同的或改進的性能。如下文所示，該封裝部件中的外 圍焊接球布局允許更簡單的板設計，因為導電軌跡的線路已經(jīng)集成到光耦合器封裝部件中 了。這也節(jié)省了附著有光耦合器封裝部件的板上的空間。圖2-3示出了預備模制的引線框基片1，它被用于光耦合器封裝部件中。它包括引 線框2和塑封料3。引線框2可以包括芯片附著區(qū)域，兩個或多個包括光接收器和光發(fā)射器 的芯片被置于該芯片附著區(qū)域。諸如控制芯片等附加的芯片也可以被安裝在引線框上。兩 個或多個引線可以從該芯片附著區(qū)域中延伸出來，并且可以形成引線框的各個接線端?！耙?線框”包括可能已經(jīng)處理過(例如，通過蝕刻)或沒有處理過的引線框結(jié)構(gòu)。在其它情況 下，可以使用其它類型的基片。參照圖4-5，引線框2是基片1的骨架結(jié)構(gòu)。它具有復雜的半蝕刻圖案2a、非蝕刻 圖案2b以及通孔或完全蝕刻圖案2c，從而定義了基片1的功能焊點和鎖定區(qū)域(以鎖住塑 封料3)。引線框2可以包括任何合適的金屬，并且可以具有任何合適的厚度。例如，高機械 強度的銅合金是較佳的。引線框2可以在蝕刻或非蝕刻區(qū)域中具有約0. 2毫米(8密耳) 或更小的厚度。對于本領域的那些技術人員而言，許多蝕刻工藝都是已知的。引線框2也 可以包括諸如Ni、Pd、Au或Ag等的鍍層?；?的塑封料3形成了基片1的主體。它填充了引線框1的通孔2c和半蝕刻 區(qū)域2a。在本示例中，基片1的非蝕刻區(qū)域2b并未用塑封料3來覆蓋。塑封料3可以包括聚合的和/或復合的材料，這些材料可能需要或可能不需要封 膠后烘烤(post mold curing)。它可能包含環(huán)氧樹脂、硬化劑、彈性體、非磷阻燃劑、潤滑 油、二氧化硅填充劑等。它可以具有均衡的粒子大小，以保證完全填充引線框2的半蝕刻區(qū) 域。它也可以包含足夠量的碳黑色素，以便有更好的激光標記對比度。構(gòu)成塑封料3組成 材料的均衡的材料也可以被用于防止基片扭曲變形。在一些實施例中，可以通過使用狹帶粘貼的方法來形成基片1。例如，可以將狹帶 附著到引線框2的非蝕刻焊點2b上，這樣塑封料3 (或成型壞料或成型毛邊)并不占據(jù)基 片1的功能焊點。為了增加基片1的機械強度，使引線框2未帖狹帶的一側(cè)注塑成型約0. 1 毫米。在其它實施例中，不存在注塑成型，并且塑封料3僅位于引線框2的空隙之內(nèi)?；?1的厚度可以根據(jù)封裝部件20的機械和物理要求而變化。
如圖所示，基片1中的塑封料3定義了功能焊點。這些功能焊點是引線框2的非 蝕刻區(qū)域2b。在2002年8月30日提交的申請?zhí)枮?0/233，248的美國專利中，可以發(fā)現(xiàn)形成各 種細節(jié)的附加基片，該專利整體引用在此作為參考。參照圖6，光耦合器封裝部件可以被分成帶有四個光耦合器(即光耦合器I-IV)的 四個象限。光耦合器I占據(jù)象限I (101)。光耦合器II占據(jù)象限II (102)。光耦合器III 占據(jù)象限III (103)。光耦合器IV占據(jù)象限IV(104)。參照圖6-7，基片1的功能焊點可以按下述來標記(a)光耦合器I 21的四個內(nèi)部裝配焊點是陰極I (或二極管芯片附著焊點I)4a、 陽極I (或二極管焊接焊點I) 5a、集電極I (或光電晶體管芯片附著焊點I)6a和發(fā)射器I (或 光電晶體管焊接焊點I) 7a;(b)光耦合器II 22的四個內(nèi)部裝配焊點是陰極11(或二極管芯片附著焊點 I)4b、陽極II (或二極管焊接焊點II) 5b、集電極II (或光電晶體管芯片附著焊點II)6b和 發(fā)射極II (或光電晶體管焊接焊點II) 7b ；(c)光耦合器III 23的四個內(nèi)部裝配焊點是陰極III 4c、陽極III 5c、集電極 III 6c和發(fā)射器III 7c ；以及(d)光耦合器IV 24的四個內(nèi)部裝配焊點是陰極IV 4d、陽極IV 5d、集電極IV 6d 和發(fā)射極IV 7d。基片1的非蝕刻功能焊點連接到焊盤以便于外圍焊接球形附著。這些被分組并引 出引線，從而構(gòu)成具有共用端點焊盤的對稱的封裝基片1。這些外圍的球形附著焊點被標記 如下(e)光耦合器I和IV的陰極或二極管芯片附著焊點(4a、4d)被短接并且被連接到 共用的陰極端點焊盤8a，并且位于象限I和IV的外邊界處；(f)光耦合器II和III的陰極或二極管芯片附著焊接焊點(4b、4c)被短接并且連 接到共用的陰極端點焊盤8b，并且位于象限II和III的外邊界處；(g)所有光耦合器的陽極端點焊盤9a、9b、9c、9d都獨立地位于各象限的外圍角落 處；(h)各光耦合器的集電極端點焊盤10a、10b、10c、10d都獨立地且橫向地位于與陽 極焊盤直接相反的位置；(i)所有光耦合器的發(fā)射極或光電晶體管焊接焊點7a、7b、7c、7d都被短接并且朝 著該基片的中心水平外圍引線，從而產(chǎn)生用于發(fā)射極焊接球的兩個對稱的外圍焊盤11。在 所有的光耦合器中，陽極-陰極焊點與發(fā)射極-集電極焊點保持約0. 5毫米的間隙。這將 保證每一個光耦合器具有高電壓擊穿。圖7示出了包含四個光耦合器的光耦合器封裝部件20，這四個光耦合器包括團 形頂半球形21、22、23、24。團形頂部材料并不接觸球形附著外圍端點焊盤8a-8b、9a-9d、 IOa-IOd(如圖6所示)。光耦合器封裝部件20包括附著于基片1上的外部的外圍焊接球25。外圍球25附 著到端點焊盤8a-8b、9a-9d、10a-10d、ll上。這些球25充當光耦合器封裝部件20到印刷 電路板(PCB) 31的緊密連接機構(gòu)(參看圖11)。焊接球25最好包括高熔點的無鉛合金。
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如圖7所示，在所示的示例中，光耦合器封裝部件20具有12個等間隔的外圍焊接 球25。封裝部件外圍球引出結(jié)構(gòu)可能會根據(jù)特定的封裝引腳引出要求和芯片而變化(基于 內(nèi)部裝配焊點短接和接線端引線的相同概念)。盡管詳細描述了焊接球，但是可以使用諸如 銅柱等其它導電結(jié)構(gòu)(例如，預先形成的或電鍍的)。這些導電結(jié)構(gòu)的高度大于光學封裝部 件中光接收器和光發(fā)射器的高度，這樣便可以安裝觸發(fā)器。參照圖9和10，當正向電流加在光耦合器上時，LED芯片26產(chǎn)生光子，從而芯片26 中的P-N結(jié)發(fā)出光?？梢允褂酶叨燃s9密耳或更低的LED芯片。光電晶體管芯片27檢測由LED芯片26發(fā)出的光并將它轉(zhuǎn)換為電子，從而在光耦 合器輸出處產(chǎn)生了電流。光檢測發(fā)生在其集電極-基極結(jié)處?？梢允褂酶叨燃s為8密耳的 光電晶體管芯片。參照圖6、9和10，芯片附著材料(未示出)將各LED芯片26的背面接合到其指定 的芯片附著焊點4a、4b、4c、4d。相似的是，它將各光電晶體管芯片27的背面接合到其指定 的芯片附著焊點6a、6b、6c、6d。芯片附著材料可以是任何導電接合材料。這些示例包括填 充有銀的環(huán)氧樹脂類、軟的焊料等。在一些實施例中，可以使用芯片附著嵌條，并且可以控 制它最大約為芯片高度的50%，從而使LED芯片26的側(cè)面發(fā)出的光達到最多。接合導線28將LED芯片26的陽極焊點連接到二極管焊接焊點5a、5b、5c、5d，從 而使封裝部件20的二極管組件的電路完整。相似的是，它們將光電晶體管芯片27連接到 它們指定的焊接焊點7a、7b、7c、7d。接合導線28可以包括任何合適的可延展金屬-Au、Cu、 Al或這些金屬的摻雜體、這些金屬的合金等。推薦從基片起約14密耳的導線環(huán)。通過使用透光且無瑕的凝膠材料29，將導線接合LED芯片和光電晶體管芯片組件 耦合起來。耦合凝膠29的光學透明性允許LED26結(jié)中發(fā)出的光朝著光電晶體管27的感光 結(jié)有效地轉(zhuǎn)移。耦合凝膠29覆蓋整個導線接合芯片組件，并且形成一個接近半球形的圓頂 以使發(fā)出的光達到最大程度的透射。用白色反射式團狀頂部材料30來覆蓋每一個導線接合LED和光電晶體管組件的 透光半球形圓頂29，從而使一個光耦合器內(nèi)部封裝結(jié)構(gòu)完整。團狀頂部30 (或反光材料) 是一種能使所發(fā)出的光保持在該圓頂?shù)南拗品秶畠?nèi)的反光材料。該團狀頂部涂層與圓頂 形狀一致，并且可以完全覆蓋無瑕的耦合凝膠29 (或透光材料)。它透光粘合來使該圓頂密 封。該團狀頂部材料30可以具有約0. 2毫米的最小厚度。光耦合器封裝部件可以根據(jù)下面的步驟來制造。首先，可以執(zhí)行引線框成型過程。通過使用上述貼狹帶的引線框，來執(zhí)行引線框成 型工藝?？梢詫⒁黄M帶附著于引線框的非蝕刻焊點上，這樣塑封料就不會占據(jù)接下來形 成的基片的功能焊點。使引線框未貼狹帶的側(cè)面注塑成型，從而為基片增加機械強度。第二，可以執(zhí)行芯片附著過程。例如，通過使用帶有導電性填充物和焊料的粘合 劑，可以附著LED和光電晶體管芯片。根據(jù)所使用的粘合劑的類型，芯片附著固化可能需要 或者可能不需要。第三，可以執(zhí)行導線接合過程以便在基片中芯片及其相應的焊點之間形成導電路 徑。例如，在一些實施例中，可以執(zhí)行熱聲波(thermosonic)或超聲波導線接合過程。第四，可以執(zhí)行圓頂涂覆和固化過程。可以使用任何合適的液體分配過程以便分 配無瑕的耦合凝膠，從而形成透光的半球形圓頂。可以需要固化以改善耦合凝膠的物理特
8性。合適的圓頂涂覆材料包括硅樹脂基材料，該材料可從Dow Corning和General Electric 那里獲得，盡管任何合適的廠商都可以使用。第五，可以執(zhí)行團塊封頂和固化過程。可以使用任何合適的液體分配過程來進行 不透明的團塊封頂。根據(jù)所用材料的類型，可能需要或可能不需要固化。合適的反射式涂 覆材料包括帶有反射性色素的環(huán)氧基涂層，該反射性色素基于諸如氧化鈦或其它金屬氧化 物等材料。它們可以從Epotek和Hysol處買到，盡管任何合適的廠商都可以使用。第六，可以執(zhí)行焊接沉積過程(例如，針對圖中的焊接球25)?？梢允褂煤附忧蚋?著、熔解、球定位或球射擊、球噴射和其它過程，以便將諸如焊料等導電性結(jié)構(gòu)附著到基片 上。在其它實施例中，導電性的柱(例如，銅柱)可以被置于該基片上，或可以被電鍍到該 基片上。第七，可以執(zhí)行焊料回流過程(如果使用了焊料)。在一些實施例中，可以使用對 流或傳導或輻射焊料回流過程。第八，可以執(zhí)行切割過程。切割過程包括刀片鋸切、水噴射鋸切、激光鋸切等。切 割過程將所以形成的基片彼此分開。第九，可以執(zhí)行電學測試?？梢允褂酶唠妷簻y試和參數(shù)測試，以便將帶有電學缺陷 的任何封裝部件剔除。第十，可以執(zhí)行封裝部件標記過程?？梢允褂眉す饣蚝更c標記或其它過程來提供 封裝標識和定向。在形成封裝部件之后，可以如圖11所示將它翻轉(zhuǎn)過來并安裝到印刷電路板上?？?以使用常用的表面裝配技術。 注意到，上述多個過程可以按上述順序來執(zhí)行，或者可以按不同的順序來執(zhí)行。注意到，本發(fā)明并不限于上述較佳的實施例，并且很明顯，在本發(fā)明的精神和范圍 之內(nèi)，本領域的技術人員可以執(zhí)行各種變化和修改。此外，本發(fā)明的任何一個或多個實施例 都可以在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下而與本發(fā)明的一個或多個實施例相結(jié)合。所有上述美國臨時和非臨時專利申請及出版物以其整體引用在此作為參考。它們 都不被視為現(xiàn)有技術。
權利要求
一種光耦合器封裝部件，包括(a)基片，所述基片包括引線框和塑封料，該基片具有第一表面；(b)光發(fā)射器，其位于所述基片的第一表面，并且和所述引線框電耦合；(c)光接收器，其位于所述基片的第一表面并電耦合到所述引線框；(d)位于所述基片的第一表面的圓頂透光介質(zhì)，所述透光介質(zhì)被置于所述光發(fā)射器和所述光接收器之上和之間，所述圓頂具有在所述基片的第一表面上的第一高度；以及(e)多個位于所述基片的第一表面，鄰近所述圓頂且耦合到所述引線框的導電結(jié)構(gòu)，其中每個所述導電結(jié)構(gòu)所具有的高度大于所述第一高度。
2.如權利要求1所述的光耦合器封裝部件，其特征在于，所述導電結(jié)構(gòu)是焊接結(jié)構(gòu)。
3.如權利要求1所述的光耦合器封裝部件，還包括用于將所述光接收器電耦合到所述 引線框、并將所述光發(fā)射器電耦合到所述弓丨線框的接合導線。
4.如權利要求1所述的光耦合器封裝部件，其特征在于，所述引線框包括蝕刻部分和 非蝕刻部分，并且其中所述蝕刻部分被所述塑封料所覆蓋而所述非蝕刻部分沒有被所述塑 封料所覆蓋。
5.如權利要求1所述的光耦合器封裝部件，其特征在于，所述引線框包括銅。
6.如權利要求1所述的光耦合器封裝部件，其特征在于，多個光耦合器位于所述基片上。
7.如權利要求1所述的光耦合器封裝部件，其特征在于，所述引線框在第一側(cè)包括蝕 刻部分和非蝕刻部分，并且其中所述蝕刻部分被所述塑封料所覆蓋而所述非蝕刻部分沒有 被所述塑封料所覆蓋，并且其中所述塑封料完全地覆蓋了所述引線框的第二側(cè)。
8.一種用于形成光耦合器封裝部件的方法，所述方法包括(a)形成包括引線框和塑封料的基片，該基片具有第一表面；(b)將光發(fā)射器和光接收器連接到所述基片的第一表面上；以及(c)在所述基片的第一表面上，在所述光發(fā)射器和所述光接收器之間和之上沉積圓頂 透光材料，所述圓頂具有在所述基片的第一表面上的第一高度；以及(d)在所述基片的第一表面形成多個導電結(jié)構(gòu)，該導電結(jié)構(gòu)鄰近所述圓頂且耦合到所 述引線框，其中每個所述導電結(jié)構(gòu)所具有的高度大于所述第一高度。
9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法包括在步驟(a)之前，蝕刻所述 引線框。
10.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述引線框包括銅。
11.如權利要求8所述的方法，還包括將導線從所述光發(fā)射器和所述光接收器連接到 所述引線框。
12.如權利要求8所述的方法，還包括在所述透光材料上沉積不透光的材料。
13.如權利要求8所述的方法，還包括將至少四個光發(fā)射器和至少四個光接收器安裝 到所述基片上。
14.一種光耦合器封裝部件，它包括(a)具有第一表面的基片；以及(b)位于所述基片的第一表面上的至少兩個光發(fā)射器；(c)位于所述基片的第一表面上的至少兩個光接收器；(d)至少兩個圓頂透光介質(zhì)，每個圓頂位于所述基片的第一表面上，且在相鄰的光發(fā)射 器和光接收器之間和之上，所述圓頂具有在所述基片的第一表面上的第一高度；以及(e)在所述透光介質(zhì)上的反光材料；(f)多個位于所述基片的第一表面，鄰近所述圓頂且耦合到所述引線框的導電結(jié)構(gòu)，其 中每個所述導電結(jié)構(gòu)所具有的高度大于所述第一高度。
15.如權利要求14所述的光耦合器封裝部件，其特征在于，所述基片包括引線框，所述 引線框包括蝕刻部分。
16.如權利要求14所述的光耦合器封裝部件，其特征在于，所述基片包括引線框，所述 引線框包括銅和塑封料。
17.如權利要求14所述的光耦合器封裝部件，還包括所述基片上的包括M0SFET的芯片。
18.如權利要求1所述的光耦合器封裝部件，還包括所述基片上的包括M0SFET的芯片。
全文摘要
一種表面貼裝多通道光耦合器。公布了一種光耦合器封裝部件。該光耦合器封裝部件包括一個基片和多個光耦合器，該基片包括引線框和塑封料，每一個光耦合器包括(i)光發(fā)射器；(ii)光接收器；(iii)置于光發(fā)射器和光接收器之間的透光材料，其中光發(fā)射器和光接收器電耦合到引線框。
文檔編號A61B5/00GK101893742SQ20101000294
公開日2010年11月24日 申請日期2005年2月17日 優(yōu)先權日2004年4月2日
發(fā)明者M·C·Y·基尼奧內(nèi)斯, R·喬什 申請人:費查爾德半導體有限公司