專利名稱：微針頭陣列制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種微針頭(microneedle)的制造方法，特別是指一種端頭呈斜面狀的中空微針頭陣列(hollow microneedle array)的制造方法。
背景技術(shù)：
中空微針頭陣列(hollow microneedle array)廣泛運(yùn)用于采血系統(tǒng)、微量采樣與藥物注射等生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域，其類型依材料可區(qū)分為半導(dǎo)體材料、高分子材料及金屬。
目前以半導(dǎo)體材料制造中空微針頭陣列，多半以硅晶圓為主，在相關(guān)的專利前案包括WO0215960、WO0217985、WO0166065等案件中所揭露的制作流程由于需要經(jīng)過(guò)多道干、濕蝕刻于薄膜沉積步驟，因此制造程序上較為繁雜且需時(shí)漫長(zhǎng)，以致產(chǎn)能不易提高、成本亦無(wú)法降低，批量生產(chǎn)的路困難重重。
另外，部分制作流程制造出的是錐形針頭，相關(guān)前案如US6334856，其通道寬度是由微針頭根部向末端漸次縮小的，在兼顧內(nèi)徑和結(jié)構(gòu)強(qiáng)度的考慮下，此類微針頭往往無(wú)法提高陣列的密度，造成采樣不足的問(wèn)題，或是在藥物注射的應(yīng)用上，由于管徑逐漸縮小使流體阻力增大，因此根部端必須提高驅(qū)動(dòng)功率，相對(duì)而言拉高了設(shè)備成本。
至于較常見(jiàn)的平頭型微針頭，則因?yàn)榧怃J度不足，不易入侵撓性的生物組織，相對(duì)來(lái)說(shuō)必須具備更高的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，否則在勉強(qiáng)使用的情形下會(huì)有斷針之虞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明欲解決的技術(shù)問(wèn)題，在于通常的微針頭陣列制作流程的外形、結(jié)構(gòu)強(qiáng)度受限于制作流程技術(shù)而未臻理想，現(xiàn)有的制作流程步驟亦過(guò)于繁雜，無(wú)法達(dá)到批量生產(chǎn)的合理標(biāo)準(zhǔn)。
鑒于以上現(xiàn)有公知技術(shù)的問(wèn)題，本發(fā)明所提供的微針頭陣列制造方法主要是先在硅晶圓上形成斜面狀的凹陷區(qū)，然后利用此一斜面狀的凹陷區(qū)，接著進(jìn)行金屬電鍍、曝光顯影或微加工等方式，來(lái)制造微針頭陣列。
本發(fā)明所達(dá)成的功效，在于能以簡(jiǎn)易制作流程制造出微針頭陣列，此微針頭不僅末端呈斜面狀、具有銳角而易于刺入生物組織，亦可作為翻模復(fù)制其它材質(zhì)的微針頭陣列。


圖1A至圖1H為本發(fā)明第一最佳實(shí)施例的制造流程圖；圖2A至圖2F為本發(fā)明第二最佳實(shí)施例的制造流程圖；圖3A至圖3C為本發(fā)明第三最佳實(shí)施例的制造流程圖；圖4A至圖4H為本發(fā)明第四最佳實(shí)施例的制造流程圖；圖5A至圖5H為本發(fā)明第五最佳實(shí)施例的制造流程圖；圖6、圖7為本發(fā)明的斜面狀凹陷區(qū)形狀與可獲得各種微針頭形狀對(duì)照?qǐng)D；及圖8A至圖8G為本發(fā)明第六最佳實(shí)施例的制造流程圖。圖中100硅晶圓 101凹陷區(qū)102穿孔 110保護(hù)層111待濕蝕刻區(qū) 112待干蝕刻區(qū)120起始金屬層 130感光材料131鍍著區(qū) 140金屬微針頭210蝕刻區(qū) 220蝕刻區(qū)230蝕刻區(qū) 300硅晶圓310金屬微針頭 320脫模層330熱塑性薄膜 340微針頭401硅晶圓 402保護(hù)層403待濕蝕刻區(qū) 404凹陷區(qū)405非反射層 406犧牲層407感光材料 408第一曝光區(qū)409第二曝光區(qū) 410底材
420微針頭陣列 501硅晶圓502保護(hù)層 504凹陷區(qū)505非反射層 506犧牲層507感光材料 508第一曝光區(qū)509非反射層 510感光材料511非反射層 512感光材料520底材 530微針頭陣列5a、5b、5c通道601硅晶圓602保護(hù)層 603待濕蝕刻區(qū)604凹陷區(qū) 605犧牲層606塑性材料 607底材610微針頭陣列 6a、6b通道具體實(shí)施方式
一、金屬電鍍制造微針頭陣列請(qǐng)參閱圖1A至圖1H，本發(fā)明第一最佳實(shí)施例所提供的微針頭陣列的制造方法，是通過(guò)下列步驟來(lái)完成首先在一塊硅晶圓100的上下表面鋪設(shè)保護(hù)層110(如氮化(Si3N4))，如圖1A，圖1B鋪設(shè)光阻曝光顯影定義欲蝕刻區(qū)域，并蝕刻保護(hù)層110后得到待濕蝕刻區(qū)111，并進(jìn)而對(duì)待濕蝕刻區(qū)111中露出的局部硅晶圓110施予濕蝕刻，由于硅晶圓100在濕蝕刻時(shí)所展現(xiàn)非等向性蝕刻的特性，而可形成具有斜面幾何的凹陷區(qū)101，如圖1C，然后在底側(cè)的保護(hù)層110同樣以平版印刷方式，定義出待干蝕刻區(qū)112；而后，如圖1D在硅晶圓100頂面鋪設(shè)起始金屬層120(如鉻、鎳、銅等)，繼而再次利用平版印刷技術(shù)，如圖1E在起始金屬層120上鋪設(shè)感光材料130，并形成數(shù)個(gè)鍍著區(qū)131露出局部的起始金屬層120，此鍍著區(qū)131實(shí)質(zhì)上為管狀的中空區(qū)域；隨后，于鍍著區(qū)131中露出局部的起始金屬層120上鍍著(plating)金屬如銅、鎳等，而形成金屬微針頭140，由于鍍著時(shí)金屬原子的排列特性會(huì)對(duì)應(yīng)到呈斜面狀的起始金屬層120，因此金屬微針頭140的末端也是呈斜面狀的，如圖1F；再者，如圖1G所示進(jìn)行脫模程序，移除感光材料130露出中空的金屬微針頭140；最后，對(duì)硅晶圓100進(jìn)行干蝕刻，形成貫通金屬微針頭140的穿孔102。
在上述的制作流程中，待干蝕刻區(qū)112的定義并不限定在進(jìn)行濕蝕刻之前，基本上只要在進(jìn)行干蝕刻之前進(jìn)行即可；而且，金屬電鍍的技術(shù)可以選擇性地以電鍍、無(wú)電鍍(electroless plating)、蒸鍍(deposition)或?yàn)R鍍(sputtering)等方式達(dá)成，所以起始金屬層120并非絕對(duì)必要，同時(shí)金屬材料也可選自鎳、鐵、金、鉑、鈀、各式合金或不銹鋼。另外，以硅晶圓100上為底材形成斜面狀凹陷區(qū)并不予以特定，亦可采用干蝕刻方式，或是采用其它底材如聚甲基丙烯甲酯材料(PMMA)、光阻等聚合物材料等，利用如激光加工、曝光顯影(光阻傾斜曝光顯影后獲得斜面)或壓模方式等制作出具斜面狀凹陷區(qū)的底材亦可，而且不限于上述的半導(dǎo)體制作流程步驟排序。
至于形成微針頭陣列的密度控制方式，則在定義待濕蝕刻區(qū)時(shí)，通過(guò)控制待濕蝕刻區(qū)本身的橫寬，以及待濕蝕刻區(qū)彼此間的距離來(lái)達(dá)成。如圖2A至圖2F所示本發(fā)明的第二最佳實(shí)施例，依圖2B定義出待濕蝕刻區(qū)210、220本身不同的內(nèi)徑長(zhǎng)度A1、A2，或控制待濕蝕刻區(qū)210、220、230彼此間不同的距離B1、B2，最后即能獲致不同密度的陣列，如圖2F所示。
上述披露的制作流程除了可制造出金屬微針頭之外，亦可將制造出的金屬微針頭當(dāng)作母模，進(jìn)行其它材質(zhì)微針頭的制造。請(qǐng)參閱圖3A至圖3C，本發(fā)明第三最佳實(shí)施例是先在具有金屬微針頭310的硅晶圓300表面沉積脫模層320(如聚四氟乙烯)，然后加熱金屬微針頭310及硅晶圓300，將高分子材料例如熱塑性薄膜330以均勻氣壓向金屬微針頭310壓制，待熱塑性薄膜330沿金屬微針頭310形狀貼附，冷卻后脫模即形成微針頭340。因此，金屬微針頭可經(jīng)微射出成形、微熱壓成形，或是翻模批量生產(chǎn)制造其它材料的微針頭陣列；再者，依照材料的不同，脫模方式可以利用加熱、冷卻、界面涂層、溶劑與直接脫模等方式。
二、曝光顯影制造微針頭陣列除了上述以鍍層技術(shù)制造金屬微針頭、高分子微針頭之外，同樣利用具有斜面狀凹陷區(qū)的硅晶圓，亦可通過(guò)曝光掩模的方式制作微針頭本體。
請(qǐng)參閱圖4A至圖4H，本發(fā)明第四最佳實(shí)施例的施行步驟為4A.在硅晶圓401表面沉積蝕刻保護(hù)層402；4B.鋪設(shè)光阻曝光顯影定義欲蝕刻區(qū)域，并蝕刻保護(hù)層402后得到待濕蝕刻區(qū)403；4C.非等向蝕刻(濕蝕刻)硅晶圓401得到具有斜面幾何的凹陷區(qū)404；4D.鋪設(shè)非反射層(如黑色光阻)405后，鋪設(shè)犧牲層如金(或脫膜層如聚四氟乙烯)406；4E.再鋪設(shè)感光材料407，進(jìn)行第一次曝光得到第一曝光區(qū)408；4F.進(jìn)行第二次曝光得到微針頭形狀的第二曝光區(qū)409；4G.去除犧牲層406(或直接脫膜)，得到具有斜面幾何的底材410；4H.底材410顯影后獲得微針頭陣列420。
上述步驟中，非反射層405主要目的是避免感光材料曝光時(shí)由于曝光深度不同造成過(guò)度曝光，并且非反射層405犧牲層406(或脫膜層)鋪設(shè)先后次序可調(diào)換；而且，也可以先進(jìn)行脫模，再進(jìn)行曝光顯影的步驟。
另外，鋪設(shè)一層以上的感光材料，可用來(lái)改變針頭通道的管徑，并可整合微通道結(jié)合形成取血及輸送系統(tǒng)，詳述如以下請(qǐng)參閱圖5A至圖5H，本發(fā)明第五最佳實(shí)施例的施行步驟為5A.蝕刻沉積有保護(hù)層502的硅晶圓501得到具有斜面幾何的凹陷區(qū)504，并鋪設(shè)非反射層505、犧牲層(或脫膜層)506；5B.鋪設(shè)第一層感光材料507，進(jìn)行第一次曝光得到第一曝光區(qū)508；5C.進(jìn)行第二次曝光；5D.再鋪設(shè)一層非反射層509、鋪設(shè)第二層感光材料510，進(jìn)行第三次曝光；5E.再鋪設(shè)一層非反射層511、鋪設(shè)第二層感光材料512，進(jìn)行第四次曝光；5F.去除犧牲層506(或直接脫膜)，得到具有斜面幾何的底材520；5G.底材520顯影后獲得微針頭陣列530。
其中非反射層與犧牲層或脫膜層鋪設(shè)先后順序可調(diào)換，或依不同結(jié)構(gòu)需要及制作流程需要而省略，而第二次曝光亦可以做或不做，做的話底材較堅(jiān)固；另外，感光材料也有正、負(fù)光阻可供選擇。
因此，利用相近的制作流程，可組合堆棧一層以上的光阻材料，形成不同大小的通道組合(通道5a、5b)，不同管徑的控制將使針頭的應(yīng)用層面更廣；或是作為儲(chǔ)存區(qū)及設(shè)計(jì)成通道連結(jié)網(wǎng)絡(luò)(通道5c)，而定義蝕刻區(qū)域之間的距離及區(qū)域的大小，將可控制斜面針頭的疏密。
利用上述方式可形成微針頭斜面底材上的各種斜面幾何，進(jìn)而制作出各種斜面組合的微陣列針頭，如單斜面(如圖6的(A))、雙斜面(如圖7的(A))，或是其它形式的斜面(如圖6的(B)、(C)等)。
三、微加工技術(shù)制造微針頭陣列請(qǐng)參閱圖8A至圖8G所披露的本發(fā)明第六最佳實(shí)施例，其施行步驟為8A.在硅晶圓601表面沉積保護(hù)層602；8B.定義出待濕蝕刻區(qū)603；8C.蝕刻硅晶圓601得到具有斜面幾何的凹陷區(qū)604；8D.鋪設(shè)犧牲層605(或脫膜層)；8E.、8F.、8G.以塑性材料606進(jìn)行壓模，形成具有斜面幾何的底材607，而后去除犧牲層605(或脫膜)；8H.微加工處理(定義通道6a、6b)，得到微針頭陣列610。其中塑性材料可以是熱塑性或熱固性；微加工處理方式可采用激光加工、蝕刻等；而得到底材607的方式亦可采用射出成型。
就上述而言，僅為本發(fā)明較佳的實(shí)施例而已，并非用以限定本發(fā)明實(shí)施的范圍；任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神與范圍下所作的均等變化與修飾，皆應(yīng)涵蓋于本發(fā)明的專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種微針頭陣列制造方法，包含以下步驟在一硅晶圓表面沉積一保護(hù)層；定義出復(fù)數(shù)待濕蝕刻區(qū)；蝕刻該硅晶圓得到具有斜面幾何的復(fù)數(shù)凹陷區(qū)；及利用該凹陷區(qū)進(jìn)行一后續(xù)加工以得到一微針頭陣列。
2.如權(quán)利要求1所述微針頭陣列制造方法，其中該后續(xù)加工選自電鍍、曝光顯影與微加工的群組組合其中之一。
3.如權(quán)利要求1所述微針頭陣列制造方法，其中該硅晶圓置換為一種聚甲基丙烯甲酯材料(PMMA)，并通過(guò)激光加工方式獲得具斜面幾何的該凹陷區(qū)。
4.如權(quán)利要求1所述微針頭陣列制造方法，其中該硅晶圓置換為一光阻材料，并通過(guò)傾斜曝光顯影方式獲得具斜面幾何的該凹陷區(qū)。
5.如權(quán)利要求1所述微針頭陣列制造方法，其中該微針頭陣列中任一微針頭的端面局部或全部成斜面狀。
6.如權(quán)利要求1所述微針頭陣列制造方法，其中該后續(xù)加工更包含以下步驟以平版印刷(lithography)方式鋪設(shè)一感光材料于該硅晶圓上，并形成一凹陷的鍍著區(qū)；鍍著一種金屬于該鍍著區(qū)以形成復(fù)數(shù)金屬微針頭；移除該感光材料以露出中空的該金屬微針頭；及干蝕刻該硅晶圓以獲得復(fù)數(shù)穿孔貫通該金屬微針頭。
7.如權(quán)利要求6所述微針頭陣列制造方法，其中該斜面狀凹陷區(qū)形成后先進(jìn)行沉積一起始金屬層于該硅晶圓上的步驟，且該鍍著區(qū)暴露局部的該起始金屬層。
8.如權(quán)利要求6所述微針頭陣列制造方法，其中鍍著該金屬的方式選自電鍍、無(wú)電鍍(electroless plating)、蒸鍍(deposition)或?yàn)R鍍(sputtering)的群組組合其中之一。
9.如權(quán)利要求6所述微針頭陣列制造方法，其中該金屬選自銅、鉻、鎳、鐵、金、鉑、鈀的純金屬及其合金與不銹鋼的群組組合其中之一。
10.如權(quán)利要求6所述微針頭陣列制造方法，其中移除該感光材料及獲得該穿孔的方式選自激光加工、蝕刻(etching)與平版印刷的群組組合其中之一。
11.如權(quán)利要求6所述微針頭陣列制造方法，其中更包含以具有該金屬微針頭的該硅晶圓作為模具制造復(fù)數(shù)微針頭的步驟。
12.如權(quán)利要求11所述微針頭陣列制造方法，其中制造該微針頭的方式選自微射出成型與微熱壓成形的群組組合其中之一。
13.如權(quán)利要求1所述微針頭陣列制造方法，其中該后續(xù)加工更包含以下步驟鋪設(shè)一非反射層與一犧牲層于該硅晶圓上；鋪設(shè)一感光材料；進(jìn)行曝光使該感光材料中形成微針頭陣列形狀的一曝光區(qū)；去除該犧牲層，得到一具有斜面幾何的底材；將該底材顯影以獲得一微針頭陣列。
14.如權(quán)利要求13所述微針頭陣列制造方法，其中鋪設(shè)該感光材料的步驟之后，先去除該犧牲層，再對(duì)獲得的該底材進(jìn)行曝光及顯影。
15.如權(quán)利要求13所述微針頭陣列制造方法，其中該犧牲層置換為一脫模層。
16.如權(quán)利要求13所述微針頭陣列制造方法，其中更包含重復(fù)鋪設(shè)該感光材料并進(jìn)行曝光的步驟，使該微針頭陣列的通道具有內(nèi)徑變化，或作為一儲(chǔ)存區(qū)或一通道連結(jié)網(wǎng)絡(luò)之用。
17.如權(quán)利要求1所述微針頭陣列制造方法，其中該后續(xù)加工更包含以下步驟鋪設(shè)一犧牲層于該硅晶圓上；以一塑性材料進(jìn)行壓模；去除該犧牲層，得到一具有斜面幾何的底材；進(jìn)行一微加工處理，以獲得一微針頭陣列。
18.如權(quán)利要求17所述微針頭陣列制造方法，其中該犧牲層置換為一脫模層。
19.如權(quán)利要求17所述微針頭陣列制造方法，其中該塑性材料選自熱固性材料與熱塑性材料的群組組合其中之一。
20.如權(quán)利要求17所述微針頭陣列制造方法，其中以該塑性材料進(jìn)行壓模的步驟，置換為將該塑性材料射出成型的步驟。
21.如權(quán)利要求17所述微針頭陣列制造方法，其中該微加工處理選自激光加工與蝕刻的群組組合其中之一。
22.一種微針頭陣列制造方法，包含以下步驟濕蝕刻一表面具有一保護(hù)層的硅晶圓，以形成一斜面狀凹陷區(qū)；以平版印刷(lithography)方式鋪設(shè)一感光材料于該硅晶圓上，并形成一凹陷的鍍著區(qū)；鍍著一金屬于該鍍著區(qū)以形成復(fù)數(shù)金屬微針頭；移除該感光材料以露出中空的該金屬微針頭；及干蝕刻該硅晶圓以獲得復(fù)數(shù)穿孔貫通該金屬微針頭。
23.如權(quán)利要求22所述微針頭陣列制造方法，其中該硅晶圓置換為一聚甲基丙烯甲酯材料(PMMA)，并通過(guò)激光加工方式獲得具斜面幾何的該凹陷區(qū)。
24.如權(quán)利要求22所述微針頭陣列制造方法，其中該硅晶圓置換為一光阻材料，并通過(guò)激光加工或傾斜曝光顯影方式獲得具斜面幾何的該凹陷區(qū)。
25.如權(quán)利要求22所述微針頭陣列制造方法，其中該金屬微針頭的端面局部或全部成斜面狀。
26.如權(quán)利要求22所述微針頭陣列制造方法，其中該斜面狀凹陷區(qū)形成后先進(jìn)行沉積一起始金屬層于該硅晶圓上的步驟，且該鍍著區(qū)暴露局部的該起始金屬層。
27.如權(quán)利要求22所述微針頭陣列制造方法，其中鍍著該金屬的方式選自電鍍、無(wú)電鍍(electroless plating)、蒸鍍(deposition)或?yàn)R鍍(sputtering)的群組組合其中之一。
28.如權(quán)利要求22所述微針頭陣列制造方法，其中該金屬選自銅、鉻、鎳、鐵、金、鉑、鈀的純金屬及其合金與不銹鋼的群組組合其中之一。
29.如權(quán)利要求22所述微針頭陣列制造方法，其中移除該感光材料及獲得該穿孔的方式選自激光加工、蝕刻(etching)與平版印刷的群組組合其中之一。
30.如權(quán)利要求22所述微針頭陣列制造方法，其中更包含以具有該金屬微針頭的該硅晶圓作為模具制造復(fù)數(shù)微針頭的步驟。
31.如權(quán)利要求30所述微針頭陣列制造方法，其中制造該微針頭的方式選自微射出成型與微熱壓成形的群組組合其中之一。
32.一種微針頭陣列制造方法，包含以下步驟濕蝕刻一表面具有一保護(hù)層的硅晶圓，以形成一斜面狀凹陷區(qū)；鋪設(shè)一非反射層與一犧牲層于該硅晶圓上；鋪設(shè)一感光材料；進(jìn)行曝光使該感光材料中形成微針頭陣列形狀的一曝光區(qū)；去除該犧牲層，得到一具有斜面幾何的底材；將該底材顯影以獲得一微針頭陣列。
33.如權(quán)利要求32所述微針頭陣列制造方法，其中該硅晶圓置換為一聚甲基丙烯甲酯材料(PMMA)，并通過(guò)激光加工方式獲得具斜面幾何的該凹陷區(qū)。
34.如權(quán)利要求32所述微針頭陣列制造方法，其中該硅晶圓置換為一光阻材料，并通過(guò)激光加工或傾斜曝光顯影方式獲得具斜面幾何的該凹陷區(qū)。
35.如權(quán)利要求32所述微針頭陣列制造方法，其中該微針頭陣列中任一微針頭的端面局部或全部成斜面狀。
36.如權(quán)利要求32所述微針頭陣列制造方法，其中鋪設(shè)該感光材料的步驟之后，先去除該犧牲層，再對(duì)獲得的該底材進(jìn)行曝光及顯影。
37.如權(quán)利要求32所述微針頭陣列制造方法，其中鋪設(shè)該感光材料的步驟之后，先進(jìn)行曝光、顯影，再去除犧牲層。
38.如權(quán)利要求32所述微針頭陣列制造方法，其中該犧牲層置換為一脫模層。
39.如權(quán)利要求32所述微針頭陣列制造方法，其中更包含重復(fù)鋪設(shè)該感光材料并進(jìn)行曝光的步驟，使該微針頭陣列的通道具有內(nèi)徑變化，或作為一儲(chǔ)存區(qū)或一通道連結(jié)網(wǎng)絡(luò)之用。
40.一種微針頭陣列制造方法，包含以下步驟濕蝕刻一表面具有一保護(hù)層的硅晶圓，以形成一斜面狀凹陷區(qū)；鋪設(shè)一犧牲層于該硅晶圓上；以一塑性材料進(jìn)行壓模；去除該犧牲層，得到一具有斜面幾何的底材；進(jìn)行一微加工處理，以獲得一微針頭陣列。
41.如權(quán)利要求40所述微針頭陣列制造方法，其中該硅晶圓置換為一聚甲基丙烯甲酯材料(PMMA)，并通過(guò)激光加工方式獲得具斜面幾何的該凹陷區(qū)。
42.如權(quán)利要求40所述微針頭陣列制造方法，其中該硅晶圓置換為一光阻材料，并通過(guò)激光加工或傾斜曝光顯影方式獲得具斜面幾何的該凹陷區(qū)。
43.如權(quán)利要求40所述微針頭陣列制造方法，其中該微針頭陣列中任一微針頭的端面局部或全部成斜面狀。
44.如權(quán)利要求40所述微針頭陣列制造方法，其中該犧牲層置換為一脫模層。
45.如權(quán)利要求40所述微針頭陣列制造方法，其中該塑性材料選自熱固性材料與熱塑性材料的群組組合其中之一。
46.如權(quán)利要求40所述微針頭陣列制造方法，其中以該塑性材料進(jìn)行壓模的步驟，置換為將該塑性材料射出成型的步驟。
47.如權(quán)利要求40所述微針頭陣列制造方法，其中該微加工處理選自激光加工與蝕刻的群組組合其中之一。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種微針頭陣列制造方法，以較低材料成本及簡(jiǎn)易制作流程制造出具有斜面端頭的中空微針頭陣列，此種微針頭由于末端尖銳而易于刺入生物組織，有利于藥物注射與微量采樣的應(yīng)用；其制造程序主要是先在硅晶圓上進(jìn)行濕蝕刻，形成具有斜面幾何的凹陷區(qū)，然后利用此凹陷區(qū)，接著進(jìn)行金屬電鍍、曝光顯影或微加工等方式，來(lái)制造微針頭陣列。
文檔編號(hào)A61M5/00GK1526454SQ0311925
公開(kāi)日2004年9月8日 申請(qǐng)日期2003年3月6日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月6日
發(fā)明者郭仕奇, 陳相甫 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究所