專(zhuān)利名稱(chēng)：一種電容式內(nèi)嵌觸摸屏及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電容式內(nèi)嵌觸摸屏及顯示裝置。
背景技術(shù)：
隨著顯示技術(shù)的飛速發(fā)展，觸摸屏(Touch Screen Panel)已經(jīng)逐漸遍及人們的生活中。目前，觸摸屏按照組成結(jié)構(gòu)可以分為外掛式觸摸屏(Add on Mode Touch Panel)、覆蓋表面式觸摸屏(On Cell Touch Panel)、以及內(nèi)嵌式觸摸屏(In Cell Touch Panel)。其中，外掛式觸摸屏是將觸摸屏與液晶顯示屏(Liquid Crystal Display, LCD)分開(kāi)生產(chǎn),然后貼合到一起成為具有觸摸功能的液晶顯示屏，外掛式觸摸屏存在制作成本較高、光透過(guò)率較低、模組較厚等缺點(diǎn)。而內(nèi)嵌式觸摸屏將觸摸屏的觸控電極內(nèi)嵌在液晶顯示屏內(nèi)部，可以減薄模組整體的厚度，又可以大大降低觸摸屏的制作成本，受到各大面板廠家青睞。為了能夠最大限度的提高觸摸顯示屏的開(kāi)口率，在設(shè)計(jì)觸摸屏的TFT陣列基板中的像素結(jié)構(gòu)時(shí)可以采用圖1所示的結(jié)構(gòu)，該圖1中的第2、4行的像素單元可視為是將現(xiàn)有的一整行像素單元進(jìn)行上下翻轉(zhuǎn)；在該結(jié)構(gòu)中以TFT陣列基板中的每相鄰的兩行像素單元為一個(gè)像素單元組，在該兩行像素單元之間具有兩條柵極信號(hào)線(xiàn)分別為該兩行像素單元提供柵極掃描信號(hào)，例如圖1中的Gatel和Gate2、Gate3和Gate4。這樣可以將該相鄰兩行像素單元中的TFT開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)在一起，相應(yīng)地可以減小用于遮擋TFT開(kāi)關(guān)和柵線(xiàn)的黑矩陣的面積，有助于提高觸摸顯示屏的開(kāi)口率。另外，在圖1所示的像素結(jié)構(gòu)中，通過(guò)變更相鄰兩行像素單元的柵極信號(hào)線(xiàn)和TFT開(kāi)關(guān)的位置，可以節(jié)省出相鄰的像素單元組之間柵極信號(hào)線(xiàn)的位置。這樣，就可以在節(jié)省出的柵極信號(hào)線(xiàn)的位置設(shè)置與公共電極電性連接的公共電極線(xiàn)Vcoml、Vcom2、Vcom3，基于該結(jié)構(gòu)可以利用一根公共電極線(xiàn)為相鄰的兩行像素單元提供公共電壓，而且使公共電極所攜帶的公共電極信號(hào)更加穩(wěn)定。而目前還沒(méi)有基于如圖1所示的像素結(jié)構(gòu)的電容式內(nèi)嵌觸摸屏的設(shè)計(jì)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種電容式內(nèi)嵌觸摸屏及顯示裝置，用以實(shí)現(xiàn)具有高開(kāi)口率的電容式內(nèi)嵌觸摸屏。本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種電容式內(nèi)嵌觸摸屏，包括彩膜基板，薄膜晶體管TFT陣列基板，以及位于所述彩膜基板和所述TFT陣列基板之間的液晶層；所述電容式內(nèi)嵌觸摸屏內(nèi)形成有呈矩陣排列的多個(gè)像素單元；以每相鄰的兩行像素單元為一個(gè)像素單元組，在該兩行像素單元之間具有兩條柵極信號(hào)線(xiàn)分別為該兩行像素單元的一行提供柵極掃描信號(hào)；還包括所述彩膜基板具有沿像素單元的列方向延伸的多條觸控感應(yīng)電極；所述TFT陣列基板具有沿像素單元的行方向延伸的多條觸控驅(qū)動(dòng)線(xiàn)，各所述觸控驅(qū)動(dòng)線(xiàn)位于相鄰的像素單元組之間的間隙處；在一幀畫(huà)面的顯示時(shí)間內(nèi)，所述觸控驅(qū)動(dòng)電極線(xiàn)用于分時(shí)地傳遞公共電極信號(hào)和觸控掃描信號(hào)。[0008]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種顯示裝置，包括本實(shí)用新型實(shí)施例提供的電容式內(nèi)嵌觸摸屏。本實(shí)用新型實(shí)施例的有益效果包括本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種電容式內(nèi)嵌觸摸屏及顯示裝置，在TFT陣列基板上采用以相鄰的兩行像素單元為一個(gè)像素單元組，在該兩行像素單元之間具有兩條柵極信號(hào)線(xiàn)的像素結(jié)構(gòu)；通過(guò)變更相鄰兩行像素單元的柵極信號(hào)線(xiàn)和TFT開(kāi)關(guān)的位置，可以節(jié)省出相鄰的像素單元組之間柵極信號(hào)線(xiàn)的位置，這樣，將實(shí)現(xiàn)觸控功能的觸控驅(qū)動(dòng)線(xiàn)設(shè)置在節(jié)省出的柵極信號(hào)線(xiàn)的位置，并將觸控感應(yīng)電極設(shè)置在彩膜基板上且沿像素單元的列方向延伸，在保證具有較高開(kāi)口率的情況下實(shí)現(xiàn)觸控功能。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中顯示面板中TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的電容式內(nèi)嵌觸摸屏的縱向剖面示意圖；圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的電容式內(nèi)嵌觸摸屏中TFT陣列基板的俯視示意圖之一;圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的電容式內(nèi)嵌觸摸屏的工作時(shí)序圖；圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的電容式內(nèi)嵌觸摸屏中TFT陣列基板的俯視示意圖之二 ；圖6a和圖6b為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的電容式內(nèi)嵌觸摸屏中觸控驅(qū)動(dòng)電極和觸控感應(yīng)電極的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的觸控驅(qū)動(dòng)電極和觸控感應(yīng)電極交疊處的分區(qū)域的不意圖；圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的具有防靜電保護(hù)膜的電容式內(nèi)嵌觸摸屏的示意圖。
具體實(shí)施方式
目前，能夠?qū)崿F(xiàn)寬視角的液晶顯示技術(shù)主要有平面內(nèi)開(kāi)關(guān)(IPS，In-PlaneSwitch)技術(shù)和高級(jí)超維場(chǎng)開(kāi)關(guān)(ADS, Advanced Super Dimension Switch)技術(shù)；其中，ADS技術(shù)通過(guò)同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-LCD產(chǎn)品的畫(huà)面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過(guò)率、低功耗、寬視角、高開(kāi)口率、低色差、無(wú)擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn)。H-ADS (高開(kāi)口率-高級(jí)超維場(chǎng)開(kāi)關(guān))是ADS技術(shù)的一種重要實(shí)現(xiàn)方式。本實(shí)用新型實(shí)施例基于現(xiàn)有的ADS技術(shù)和H-ADS技術(shù)提出了一種新的電容式內(nèi)嵌觸摸屏結(jié)構(gòu)。
以下結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例提供的電容式內(nèi)嵌觸摸屏及顯示裝置的具體實(shí)施方式
進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。附圖中各層薄膜厚度和形狀不反映TFT陣列基板或彩膜基板的真實(shí)比例，目的只是示意說(shuō)明本實(shí)用新型內(nèi)容。[0022]圖2和圖3所示分別為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的電容式內(nèi)嵌觸摸屏的縱向剖面示意圖和觸摸屏中TFT陣列基板的俯視圖。如圖2和圖3所示，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的電容式內(nèi)嵌觸摸屏具體包括彩膜基板1，TFT陣列基板2，以及位于彩膜基板I和TFT陣列基板2之間的液晶層3，該電容式內(nèi)嵌觸摸屏內(nèi)形成有呈矩陣排列的多個(gè)像素單元4;以每相鄰的兩行像素單元4為一個(gè)像素單元組5，在該兩行像素單元4之間具有兩條柵極信號(hào)線(xiàn)6分別為該兩行像素單元4的一行提供柵極掃描信號(hào)；還包括彩膜基板I具有沿像素單元4的列方向延伸的多條觸控感應(yīng)電極7 ；TFT陣列基板2具有沿像素單元4的行方向延伸的多條觸控驅(qū)動(dòng)線(xiàn)8 ;各觸控驅(qū)動(dòng)線(xiàn)8位于相鄰的像素單元組6之間的間隙處；在一幀畫(huà)面的顯示時(shí)間內(nèi)，所述觸控驅(qū)動(dòng)電極線(xiàn)用于分時(shí)地傳遞公共電極信號(hào)和觸控掃描信號(hào)。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述電容式內(nèi)嵌觸摸屏，通過(guò)變更相鄰兩行像素單元的·柵極信號(hào)線(xiàn)和TFT開(kāi)關(guān)的位置，可以節(jié)省出相鄰的像素單元組之間柵極信號(hào)線(xiàn)的位置。并且，由于觸摸屏的精度通常在毫米級(jí)，而液晶顯示屏的精度通常在微米級(jí)，可以看出顯示所需的精度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于觸控所需的精度，因此，將實(shí)現(xiàn)觸控功能的觸控驅(qū)動(dòng)線(xiàn)設(shè)置在節(jié)省出的柵極信號(hào)線(xiàn)的位置，既可以保證觸控所需的精度，又不會(huì)過(guò)多占用像素單元的開(kāi)口區(qū)域，實(shí)現(xiàn)了具有較高開(kāi)口率的觸摸屏。另外，本實(shí)用新型實(shí)施提供的上述觸摸屏實(shí)現(xiàn)方案同樣也適用于扭曲向列(TN，Twisted Nematic)型。具體地,在基于圖1結(jié)構(gòu)的TN型TFT陣列基板上,可以以部分公共電極線(xiàn)作為觸控驅(qū)動(dòng)電極線(xiàn)，并設(shè)置與ITO像素電極同層且相互絕緣的ITO觸控驅(qū)動(dòng)電極；在彩膜基板上以條狀I(lǐng)TO公共電極作為觸控感應(yīng)電極；由于TN型屬于現(xiàn)有技術(shù)，在此不做贅述。進(jìn)一步地，為了減少觸摸屏的顯示信號(hào)和觸控信號(hào)之間相互干擾，在具體實(shí)施時(shí)可以采用觸控和顯示分時(shí)驅(qū)動(dòng)的方式，以盡量避免顯示和觸控在工作過(guò)程中彼此之間相互影響。具體地，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述電容式內(nèi)嵌觸摸屏的驅(qū)動(dòng)方法，如圖4所示的時(shí)序圖，具體包括首先，將觸摸屏顯示每一巾貞(Vsync)的時(shí)間分成顯示時(shí)間段(Display)和觸控時(shí)間段(Touch)，例如圖4所示的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖中觸摸屏的顯示一幀的時(shí)間為16. 67ms，選取其中4ms作為觸控時(shí)間段，其他的12. 67ms作為顯示時(shí)間段，當(dāng)然也可以根據(jù)IC芯片的處理能力以及Panel本身的設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)恼{(diào)整兩者的時(shí)長(zhǎng)，在此不做具體限定。在顯示時(shí)間段(Display),對(duì)觸控驅(qū)動(dòng)電極Tx和觸控感應(yīng)電極Rx施加低電平信號(hào)，同時(shí)，對(duì)觸摸屏中的每條柵極信號(hào)線(xiàn)Gl，G2……Gn依次施加?xùn)艗呙栊盘?hào)，對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)Data施加灰階信號(hào)，控制液晶分子翻轉(zhuǎn)；這段時(shí)間和正常的液晶面板工作原理無(wú)異。在觸控時(shí)間段(Touch)，對(duì)與觸控驅(qū)動(dòng)電極Tx電性相連的觸控驅(qū)動(dòng)線(xiàn)施加觸控掃描信號(hào)，觸控感應(yīng)電極Rx耦合觸控掃描信號(hào)的電壓信號(hào)并輸出。通過(guò)手指的觸摸，改變觸摸點(diǎn)位置兩電極之間的感應(yīng)電容，從而改變觸控感應(yīng)電極Rx的末端接收電壓信號(hào)的大小，實(shí)現(xiàn)觸控功能。在觸控時(shí)間段，觸摸屏中的每條柵極信號(hào)線(xiàn)和數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)無(wú)信號(hào)輸入。下面對(duì)上述觸摸屏中TFT陣列基板中的具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。在具體實(shí)施時(shí)，可以將各觸控驅(qū)動(dòng)線(xiàn)與TFT陣列基板中的柵極信號(hào)線(xiàn)同層設(shè)置，這樣，在制備TFT陣列基板時(shí)不需要增加額外的制備工序，只需要通過(guò)一次構(gòu)圖工藝即可形成柵極信號(hào)線(xiàn)和觸控驅(qū)動(dòng)線(xiàn)的圖形，能夠節(jié)省制備成本，提升產(chǎn)品附加值。進(jìn)一步地，如圖2和圖3所示，在TFT陣列基板2還具有沿像素單元4的行方向延伸的多條觸控驅(qū)動(dòng)電極9 ;各觸控驅(qū)動(dòng)電極9位于相鄰的像素單元4之間的間隙處，且與交疊的觸控驅(qū)動(dòng)線(xiàn)8通過(guò)至少一個(gè)過(guò)孔電性相連。具體地，由于各觸控驅(qū)動(dòng)電極設(shè)置在相鄰的像素單元之間的間隙處，不會(huì)占用各像素單元的開(kāi)口區(qū)域，因此，在具體實(shí)施時(shí)，可以將現(xiàn)有的HADS型液晶面板的陣列基板中的公共電極層進(jìn)行分割，在公共電極層形成位于像素單元間隙處的各觸控驅(qū)動(dòng)電極以及位于像素單元內(nèi)的公共電極的圖形，即各觸控驅(qū)動(dòng)電極與TFT陣列基板中的公共電極同層設(shè)置且相互絕緣。而在ADS型液晶面板中，則可以將觸控驅(qū)動(dòng)電極與ITO像素電極同層設(shè)置并相互絕緣設(shè)計(jì)。這樣，在制備TFT陣列基板時(shí)不需要增加額外的制備工序，只需要通過(guò)一次構(gòu)圖工藝即可形成各觸控驅(qū)動(dòng)電極和公共電極的圖形。一般地，傳統(tǒng)ADS型液晶面板的陣列基板上，公共電極作為板狀電極位于下層(更靠近襯底基板)，像素電極作為狹縫電極位于上層(更靠近液晶層)，在像素電極和公共電極之間設(shè)有絕緣層。而HADS型液晶面板的陣列基板上，像素電極作為板狀電極位于下層(更靠近襯底基板)，公共電極作為狹縫電極位于上層(更靠近液晶層)，在像素電極和公共電極之間設(shè)有絕緣層。具體地，根據(jù)上述觸摸屏具體應(yīng)用的液晶顯示面板的模式，組成公共電極層的公共電極在與像素單元的開(kāi)口區(qū)域?qū)?yīng)的位置可以具有狹縫狀I(lǐng)TO電極結(jié)構(gòu)或板狀I(lǐng)TO電極結(jié)構(gòu)，即如圖5所示在HADS模式時(shí)各公共電極由狹縫狀I(lǐng)TO電極組成；具體地，所述狹縫狀I(lǐng)TO電極結(jié)構(gòu)為在像素的開(kāi)口區(qū)域具有狹縫的ITO電極。在ADS模式時(shí)，位于各像素單元內(nèi)的公共電極由板狀I(lǐng)TO電極組成以滿(mǎn)足液晶顯示的需求。由于ADS模式和HADS模式的液晶面板的具體結(jié)構(gòu)屬于現(xiàn)有技術(shù)，在此不再贅述。進(jìn)一步地，以HADS型液晶面板為例，由于觸控驅(qū)動(dòng)電極與公共電極同層設(shè)置，兩者一般使用ITO材料制成，而ITO材料的電阻較高，為了最大限度的降低觸控驅(qū)動(dòng)電極的電阻，提高各電極傳遞電信號(hào)的信噪比，可以將每個(gè)觸控驅(qū)動(dòng)電極與交疊的觸控驅(qū)動(dòng)線(xiàn)通過(guò)至少一個(gè)過(guò)孔電性相連，如圖3所示。相當(dāng)于將ITO電極和多個(gè)由觸控驅(qū)動(dòng)線(xiàn)組成的金屬電阻并聯(lián)，這樣能最大限度的減少電極的電阻，從而提高電極傳遞信號(hào)時(shí)的信噪比。具體地，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述觸控屏中，各觸控驅(qū)動(dòng)電極在具體實(shí)施時(shí)根據(jù)實(shí)際需要，如圖6a和圖6b所示，可以由電性連接的至少一條橫向觸控驅(qū)動(dòng)子電極a和至少一條縱向觸控驅(qū)動(dòng)子電極b組成；其中，橫向觸控驅(qū)動(dòng)子電極a位于相鄰的像素單元組之間的間隙處；縱向觸控驅(qū)動(dòng)子電極b位于相鄰列的像素單元之間的間隙處。同理，各觸控感應(yīng)電極在具體實(shí)施時(shí)根據(jù)實(shí)際需要，如圖6a和圖6b所示，可以由電性連接的至少一條橫向觸控感應(yīng)子電極c和至少一條縱向觸控感應(yīng)子電極d組成；其中，橫向觸控感應(yīng)子電極c在TFT陣列基板上的投影覆蓋兩行像素單元之間的兩條柵極信號(hào)線(xiàn)5，與橫向觸控驅(qū)動(dòng)子電極a在TFT陣列基板上的位置無(wú)交疊；縱向觸控驅(qū)動(dòng)子電極d在TFT陣列基板上的投影覆蓋除所述縱向觸控驅(qū)動(dòng)子電極之外的相鄰列的像素單元之間的間隙處，即縱向驅(qū)動(dòng)子電極d和縱向感應(yīng)子電極b無(wú)交疊。上述這種觸控驅(qū)動(dòng)電極和觸控感應(yīng)電極的具體設(shè)計(jì)中，從圖中可以看出觸控驅(qū)動(dòng)子電極和觸控感應(yīng)電極中的子電極交錯(cuò)設(shè)置，能適當(dāng)減少觸控驅(qū)動(dòng)電極和觸控感應(yīng)電極之間的正對(duì)面積，從而減少在兩者的正對(duì)區(qū)域形成的正對(duì)電容，以減少觸控信號(hào)對(duì)顯示信號(hào)的干擾，提高觸控靈敏地。比較圖6a和圖6b可知，圖6b相對(duì)于圖6a的這種電極設(shè)計(jì)，不僅能進(jìn)一步減少觸控驅(qū)動(dòng)電極和觸控感應(yīng)電極之間的正對(duì)面積，還可以減少相鄰的縱向觸控驅(qū)動(dòng)子電極b與縱向觸控感應(yīng)子電極d之間的耦合電容，能進(jìn)一步減少觸控信號(hào)對(duì)顯示信號(hào)的干擾，以提高觸控靈敏度。另外，為了進(jìn)一步降低觸控感應(yīng)電極與觸控驅(qū)動(dòng)電極之間產(chǎn)生過(guò)大的正對(duì)電容和耦合電容，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的觸摸屏中還將觸摸屏區(qū)域劃分為交錯(cuò)排列的觸控驅(qū)動(dòng)電極單獨(dú)設(shè)置區(qū)域、觸控感應(yīng)電極單獨(dú)設(shè)置區(qū)域以及公共區(qū)域；其中，在觸控驅(qū)動(dòng)電極單獨(dú)設(shè)置區(qū)域，僅具有觸控驅(qū)動(dòng)電極；在觸控感應(yīng)電極單獨(dú)設(shè)置區(qū)域，僅具有觸控感應(yīng)電極；在公共區(qū)域，同時(shí)具有觸控驅(qū)動(dòng)電極以及觸控感應(yīng)電極。具體地，觸控驅(qū)動(dòng)電極單獨(dú)設(shè)置區(qū)域、觸控感應(yīng)電極單獨(dú)設(shè)置區(qū)域以及公共區(qū)域的排布可以根據(jù)觸控精度的需要來(lái)進(jìn)行設(shè)置，此處不再詳述。例如圖7所示,在圖中細(xì)線(xiàn)表示沿著橫向箭頭方向延伸的觸控驅(qū)動(dòng)電極,粗線(xiàn)表示沿著縱向箭頭方向延伸的觸控感應(yīng)電極，觸摸屏被劃分成9個(gè)區(qū)域，其中，公共區(qū)域?yàn)锽、D和F，在此區(qū)域同時(shí)存在觸控感應(yīng)電極和觸控驅(qū)動(dòng)電極的圖形，兩者之間能夠產(chǎn)生正對(duì)電容和耦合電容；觸控感應(yīng)電極單獨(dú)設(shè)置區(qū)域?yàn)镚和J，在此區(qū)域僅存在觸控感應(yīng)電極的圖形，沒(méi)有觸控驅(qū)動(dòng)電極的圖形，因此不會(huì)產(chǎn)生正對(duì)電容和耦合電容；觸控驅(qū)動(dòng)電極單獨(dú)設(shè)置區(qū)域?yàn)锳、C和E，在此區(qū)域僅存在觸控驅(qū)動(dòng)電極的圖形，沒(méi)有觸控感應(yīng)電極的圖形，因此不會(huì)產(chǎn)生正對(duì)電容和耦合電容。在具體實(shí)施時(shí)，可以根據(jù)實(shí)際需要的正對(duì)電容值和耦合電容值，設(shè)計(jì)上述三種區(qū)域的大小和分布。在具體實(shí)施時(shí)，觸控感應(yīng)電極可以位于彩膜基板的襯底與彩色樹(shù)脂之間，也可以位于彩膜基板的彩色樹(shù)脂面向液晶層的一面。具體地，由于在彩膜基板上設(shè)置的觸控感應(yīng)電極不會(huì)遮擋像素單元，因此，觸控感應(yīng)電極的材料可以具體為透明導(dǎo)電氧化物例如ITO或IZ0，也可以為金屬，當(dāng)采用金屬制作觸控感應(yīng)電極時(shí)可以有效的降低其電阻，并且，在使用金屬制作觸控感應(yīng)電極時(shí)，一般將觸控感應(yīng)電極設(shè)置在彩膜基板的黑矩陣(BM)面向液晶層的一面。此外，還可以在位于彩膜基板背向液晶層一面設(shè)置接地的防靜電保護(hù)膜，該保護(hù)膜能夠起到防止靜電的作用，如圖8所示，為了使防靜電保護(hù)膜10不影響觸摸屏的觸控功能，一般將防靜電保護(hù)膜設(shè)置成網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)，使人體電場(chǎng)能夠穿過(guò)防靜電保護(hù)膜的網(wǎng)孔進(jìn)入到觸摸屏內(nèi)部?；谕粚?shí)用新型構(gòu)思，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述電容式內(nèi)嵌觸摸屏，該顯示裝置的實(shí)施可以參見(jiàn)上述電容式內(nèi)嵌觸摸屏的實(shí)施例，重復(fù)之處不再贅述。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種電容式內(nèi)嵌觸摸屏及顯示裝置，在TFT陣列基板上采用以相鄰的兩行像素單元為一個(gè)像素單元組，在該兩行像素單元之間具有兩條柵極信號(hào)線(xiàn)的像素結(jié)構(gòu)；通過(guò)變更相鄰兩行像素單元的柵極信號(hào)線(xiàn)和TFT開(kāi)關(guān)的位置，可以節(jié)省出相鄰的像素單元組之間柵極信號(hào)線(xiàn)的位置，這樣，將實(shí)現(xiàn)觸控功能的觸控驅(qū)動(dòng)線(xiàn)設(shè)置在節(jié)省出的柵極信號(hào)線(xiàn)的位置，并將觸控感應(yīng)電極設(shè)置在彩膜基板上且沿像素單元的列方向延伸，在保證具有較高開(kāi)口率的情況下實(shí)現(xiàn)觸控功能。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種電容式內(nèi)嵌觸摸屏，包括彩膜基板，薄膜晶體管TFT陣列基板，以及位于所述彩膜基板和所述TFT陣列基板之間的液晶層；所述電容式內(nèi)嵌觸摸屏內(nèi)形成有呈矩陣排列的多個(gè)像素單元；以每相鄰的兩行像素單元為一個(gè)像素單元組，在該兩行像素單元之間具有兩條柵極信號(hào)線(xiàn)分別為該兩行像素單元的一行提供柵極掃描信號(hào)；其特征在于，還包括所述彩膜基板具有沿像素單元的列方向延伸的多條觸控感應(yīng)電極；所述TFT陣列基板具有沿像素單元的行方向延伸的多條觸控驅(qū)動(dòng)線(xiàn)，各所述觸控驅(qū)動(dòng)線(xiàn)位于相鄰的像素單元組之間的間隙處；在一幀畫(huà)面的顯示時(shí)間內(nèi)，所述觸控驅(qū)動(dòng)電極線(xiàn)用于分時(shí)地傳遞公共電極信號(hào)和觸控掃描信號(hào)。
2.如權(quán)利要求1所述的觸摸屏，其特征在于，所述TFT陣列基板還具有沿像素單元的行方向延伸的多條觸控驅(qū)動(dòng)電極；各觸控驅(qū)動(dòng)電極位于相鄰的像素單元之間的間隙處，且與交疊的觸控驅(qū)動(dòng)線(xiàn)通過(guò)至少一個(gè)過(guò)孔電性相連。
3.如權(quán)利要求2所述的觸摸屏，其特征在于，各所述觸控驅(qū)動(dòng)線(xiàn)與所述TFT陣列基板中的柵極信號(hào)線(xiàn)同層設(shè)置。
4.如權(quán)利要求2所述的觸摸屏，其特征在于，各所述觸控驅(qū)動(dòng)電極與所述TFT陣列基板中的公共電極或像素電極同層設(shè)置且相互絕緣。
5.如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的觸摸屏，其特征在于，各所述觸控驅(qū)動(dòng)電極由電性連接的至少一條橫向觸控驅(qū)動(dòng)子電極和至少一條縱向觸控驅(qū)動(dòng)子電極組成；其中，所述橫向觸控驅(qū)動(dòng)子電極位于相鄰的像素單元組之間的間隙處；所述縱向觸控驅(qū)動(dòng)子電極位于相鄰列的像素單元之間的間隙處。
6.如權(quán)利要求5所述的觸摸屏，其特征在于，各所述觸控感應(yīng)電極由電性連接的至少一條橫向觸控感應(yīng)子電極和至少一條縱向觸控感應(yīng)子電極組成；其中，所述橫向觸控感應(yīng)子電極在TFT陣列基板上的投影覆蓋兩行像素單元之間的兩條柵極信號(hào)線(xiàn)；所述縱向觸控驅(qū)動(dòng)子電極在TFT陣列基板上的投影覆蓋除所述縱向觸控驅(qū)動(dòng)子電極之外的相鄰列的像素單元之間的間隙處。
7.如權(quán)利要求6所述的觸摸屏，其特征在于，所述觸摸屏包括交錯(cuò)排列的觸控驅(qū)動(dòng)電極單獨(dú)設(shè)置區(qū)域、觸控感應(yīng)電極單獨(dú)設(shè)置區(qū)域以及公共區(qū)域；其中，在所述觸控驅(qū)動(dòng)電極單獨(dú)設(shè)置區(qū)域，僅具有所述觸控驅(qū)動(dòng)電極；在所述觸控感應(yīng)電極單獨(dú)設(shè)置區(qū)域，僅具有所述觸控感應(yīng)電極；在所述公共區(qū)域，同時(shí)具有所述觸控驅(qū)動(dòng)電極以及所述觸控感應(yīng)電極。
8.如權(quán)利要求1所述的觸摸屏，其特征在于，所述觸控感應(yīng)電極位于所述彩膜基板的襯底與彩色樹(shù)脂之間，或位于所述彩膜基板的彩色樹(shù)脂面向所述液晶層的一面。
9.如權(quán)利要求1或8所述的觸摸屏，其特征在于，還包括位于所述彩膜基板背向所述液晶層一面且接地的防靜電保護(hù)膜，所述防靜電保護(hù)膜具有網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的電容式內(nèi)嵌觸摸屏。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種電容式內(nèi)嵌觸摸屏及顯示裝置，在TFT陣列基板上采用以相鄰的兩行像素單元為一個(gè)像素單元組，在該兩行像素單元之間具有兩條柵極信號(hào)線(xiàn)的像素結(jié)構(gòu)；通過(guò)變更相鄰兩行像素單元的柵極信號(hào)線(xiàn)和TFT開(kāi)關(guān)的位置，可以節(jié)省出相鄰的像素單元組之間柵極信號(hào)線(xiàn)的位置，這樣，將實(shí)現(xiàn)觸控功能的觸控驅(qū)動(dòng)線(xiàn)設(shè)置在節(jié)省出的柵極信號(hào)線(xiàn)的位置上，并將觸控感應(yīng)電極設(shè)置在彩膜基板上且沿像素單元的列方向延伸，在保證具有較高開(kāi)口率的情況下實(shí)現(xiàn)觸控功能。
文檔編號(hào)G06F3/044GK202838292SQ201220539108
公開(kāi)日2013年3月27日 申請(qǐng)日期2012年10月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月19日
發(fā)明者楊盛際, 董學(xué), 王海生, 趙衛(wèi)杰, 劉英明, 任濤, 丁小梁, 劉紅娟 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司