專利名稱：模塊化接口與減小串音和電磁干擾的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電連接器，尤其涉及用于電信設(shè)備的模塊化接口。
模塊化接口被用在兩寬廣類別的信號傳輸中模擬(話音)與數(shù)字(數(shù)據(jù))傳輸。這些類別多少可相互重疊，這是因?yàn)閿?shù)字系統(tǒng)亦被用來傳輸話音。然而，系統(tǒng)每秒所傳輸數(shù)據(jù)量方面存在顯著的差別。低速率系統(tǒng)普通地每秒傳輸10至16兆比特(Mbps)，而高速率系統(tǒng)將能夠運(yùn)用155Mbps甚至更高的傳送速度。通常，諸高速率裝置基于異步傳送模式傳輸并利用屏蔽或非屏蔽的扭絞線對電纜。
隨著數(shù)據(jù)傳輸速率近期的增長，對電連接器的要求變得重要，特別是在減小或消除串音方面。串音是這樣的一種現(xiàn)象，其中通過連接器內(nèi)多個(gè)導(dǎo)體之一所發(fā)送的一部分電磁能量在其它諸導(dǎo)體中引起電流。
另一個(gè)問題是共模電磁干擾或噪聲。當(dāng)ESD、雷電或若干個(gè)半導(dǎo)體門的同時(shí)切換所引起寄生信號通過多個(gè)導(dǎo)體同時(shí)到達(dá)相鄰電節(jié)點(diǎn)時(shí)，在相同長度的導(dǎo)體中，這樣的共模干擾往往最為嚴(yán)重。
必須考慮的另一個(gè)因素是電信工業(yè)在模塊化接口設(shè)計(jì)方面已經(jīng)達(dá)到高度標(biāo)準(zhǔn)化。輪廓和接觸區(qū)基本上是固定的且可與其它設(shè)計(jì)互換。因此，重要的是任何新型模塊化接口僅允許做小的修改，在其生產(chǎn)中使用常規(guī)零件或加工。
因此，存在對將減小或消除電信設(shè)備中的串音的模塊化接口的需求。
也存在對將減小或消除電信設(shè)備中的共模電磁干擾的模塊化接口的需求。
還存在對這樣一種模塊化接口的需求，它能夠減小或消除串音和共模干擾，它可與現(xiàn)有技術(shù)模塊化接口互換，它可以使用常規(guī)零件和加工來制造。
本發(fā)明的方法中，利用以下諸因素減小或消除串音和共模電磁干擾(a)將諸導(dǎo)體分成兩組，且每一組定位于模塊化接口中的不同分離區(qū)域中；(b)增大諸相鄰導(dǎo)體之間的距離；(c)減小諸相鄰導(dǎo)體之間的公共長度；以及(d)使用具有顯著不同長度的諸相鄰導(dǎo)體?？杀挥脕韺?shí)施本發(fā)明的方法的模塊化接口擁有這樣的一個(gè)絕緣外殼，它擁有頂壁和底壁以及相對的諸側(cè)壁以及前后開放端。第一組導(dǎo)線在一個(gè)公共垂直平面內(nèi)，從外殼的底壁穿過開放的后端延伸至頂壁，再向前水平延伸，再呈角度地向下并向后返回朝著后開放端延伸。第二組導(dǎo)線首先在一個(gè)公共垂直平面內(nèi)延伸，從外殼的底壁僅穿過開放的后端的一部分，然后傾斜、水平并向上朝著開放前端延伸。第一組導(dǎo)線的向下延伸的傾斜平面與第二組導(dǎo)線向上延伸的傾斜平面擁有一段公共的長度，但該公共長度很小，最好介于0.8英寸與1.0英寸之間，而第一組導(dǎo)線的水平部分長度相對長得多，最好介于0.6英寸與2.0英寸之間。
參看所附的諸附圖，進(jìn)一步描述本發(fā)明，附圖中

圖1是本發(fā)明的模塊化接口組件的最佳實(shí)施方式的前端視圖；圖2是圖1所示的模塊化接口組件的后端視圖；圖3是圖5中從線III-III所取的剖面圖；圖4是圖1所示的模塊化接口組件的頂平面視圖；圖5是圖1所示的模塊化接口組件的底平面視圖；圖6是圖1所示的模塊化接口組件的絕緣襯墊部件的透視圖；圖7是圖1所示的模塊化接口組件的導(dǎo)線夾持部件的透視圖；圖8是圖1所示的模塊化接口組件的接地帶狀部件的透視圖；以及圖9是與圖3類似的模塊化接口的示意圖，在其中描述各組的諸公共平面。
參看諸附圖，外部絕緣殼被一般性地以參考標(biāo)號10顯示。外殼包含一個(gè)頂壁12、一個(gè)底壁14、以及一對相對的側(cè)壁16和18。制造外殼所使用的材料是一種具有適宜的絕緣特性的熱塑聚合物。這些壁的里面是這樣的一個(gè)內(nèi)部部分20，它擁有一個(gè)后開放端22和前開放端24。在此內(nèi)部部分從底壁向上伸出，存在這樣的一個(gè)居中的壁，它被一般性地以參考標(biāo)號26顯示，并擁有一個(gè)后側(cè)面28、一個(gè)前側(cè)面30以及從其后側(cè)面朝著其前側(cè)面呈斜坡向上向前的一個(gè)頂側(cè)面32。與諸側(cè)壁相鄰，居中的側(cè)凸塊34和36起到凸出物的作用以夾持其它諸部件，這將在以后予以解釋。
在這些側(cè)凸塊之間如38、40和42放置有多個(gè)導(dǎo)線分隔凸塊，并且在這些導(dǎo)線分隔凸塊之間在44和46有多個(gè)縫隙。
有一對銷48和49與一對拉線釘(stand offs)50和51從底壁向下伸出。在絕緣外殼的底壁上還有一個(gè)前開口52。側(cè)壁16包含一個(gè)下平臺54、另一個(gè)平臺56、一個(gè)下主壁58、一個(gè)上主壁60以及一個(gè)插入在下主壁與上主壁之間的凹壁62。將可看到，側(cè)壁18擁有實(shí)質(zhì)上與側(cè)壁16相同的諸特征。特別地參看圖3和6，一般性地以參考標(biāo)號64顯示的絕緣襯墊可被認(rèn)為是由一個(gè)上段66與一個(gè)下段68構(gòu)成的。盡管在所圖示的實(shí)施方式中這些段構(gòu)成一個(gè)整體的襯墊，將被理解的是該襯墊是由兩個(gè)分離的上下段構(gòu)成的，或者可以僅使用上段。上段包含一個(gè)底側(cè)面70、一個(gè)上側(cè)面72、一個(gè)后端74以及一個(gè)終止端76。在上側(cè)面上有多個(gè)上側(cè)面凹槽，如位于78，并且終止端有若干個(gè)終止端凹槽，如位于80。下段包含一個(gè)底端82、一個(gè)頂端84、一個(gè)前側(cè)面86以及一個(gè)后側(cè)面88。在這個(gè)后側(cè)面上，如位于90，有多個(gè)垂直凹槽，它們連接上端上側(cè)面上的諸凹槽。絕緣襯墊被疊置在接合一組導(dǎo)線的一個(gè)導(dǎo)線夾持部件92上，這一點(diǎn)將在以下解釋。另一組導(dǎo)線被擁有一接地薄片96的一個(gè)接地帶94接合，這一點(diǎn)也將在以下描述。
第一公共平面內(nèi)有由98、100、102和104組成的第一導(dǎo)線組。第二公共平面內(nèi)還有由導(dǎo)線106、108、110和112組成的第二導(dǎo)線組。將看到第一導(dǎo)線組位于顯示于114的一個(gè)公共的第一平面內(nèi)。在該第一平面內(nèi)有這樣的一個(gè)垂直段116，其中諸導(dǎo)線由低于絕緣外殼底壁的一個(gè)點(diǎn)向上延伸并由該底壁到達(dá)絕緣外殼的頂壁，從這里開始它們朝著外殼前端在該平面的水平段118內(nèi)水平延伸，并隨后朝著外殼的后端在該平面的帶傾角的傾斜段120內(nèi)向后向下延伸。將指出的是該平面的水平段與傾斜段之間存在角度a1，且水平段長度為1。還將看到，該平面的帶角度的傾斜段終止于終止沿122。第二導(dǎo)線組位于一般性地以參考標(biāo)號124顯示的第二平面內(nèi)。該平面內(nèi)導(dǎo)線起先由外殼底壁以下在平面126的一個(gè)公共垂直段內(nèi)向上延伸，在到達(dá)外殼底壁之前并最好是在底壁與頂壁之間居中的一點(diǎn)，第二平面內(nèi)的諸導(dǎo)線在第二平面帶角度的傾斜段128內(nèi)向前向上延伸進(jìn)入外殼的內(nèi)部。該傾斜段終止于終止沿130。該公共平面包含導(dǎo)線106、108、110和112。將指出的是該平面的垂直段與傾斜段之間存在角度a2。還將指出，存在這樣的一個(gè)距離g，該距離是第一平面終止沿與第二平面終止沿之間縱向的距離。還將指出的是，第一平面內(nèi)及第二平面內(nèi)的第一導(dǎo)線組及第二導(dǎo)線組的諸相鄰導(dǎo)線之間存在均勻的距離，例如，該距離被顯示為第一導(dǎo)線組中的d1及第二導(dǎo)線組中d2。第一平面的垂直段與第二平面的垂直段之間的距離示為d3。第一平面的傾斜段與第二平面的傾斜段之間的距離示為d4。首選地，距離1介于0.2英寸與2.0英寸之間，距離g介于0.2英寸與1.0英寸之間，而距離d1和d2介于0.040英寸與0.250英寸之間。d3介于0.040英寸與.200英寸之間，而d4介于0.0英寸與0.3英寸之間。角度a1將最好介于15°與70°之間，而角度a2將最好介于105°與160°之間。導(dǎo)線直徑將最好介于0.01英寸與0.05英寸之間。第一平面內(nèi)各導(dǎo)線的總長度將介于1.0與3.0英寸之間，第二平面內(nèi)各導(dǎo)線的總長度將介于0.5與1.5英寸之間。
根據(jù)以下說明曾制造了四個(gè)模塊化接口。第一組中各導(dǎo)線的總長度為1.75英寸。第二組中各導(dǎo)線的總長度為0.75英寸。將八根導(dǎo)線布置成實(shí)質(zhì)上與圖5所示相同的樣式。為該說明書的緣故，圖5中所示的諸位置將按照以下的表1中所示出的指示。
表1導(dǎo)線1-106導(dǎo)線2-98導(dǎo)線3-108導(dǎo)線4-100導(dǎo)線5-110導(dǎo)線6-102導(dǎo)線7-112導(dǎo)線8-104一個(gè)接口(接口1)是以常規(guī)方式制造的，使得所有導(dǎo)線由外殼的底壁垂直延伸，隨后水平向前，然后返回朝著后開放端向下并向后延伸。其它三個(gè)在本發(fā)明的范圍內(nèi)制造的接口中，一般地如同以上所描述的在位于圖9的參考標(biāo)號124的第二平面內(nèi)放置二至四個(gè)導(dǎo)線。其它諸導(dǎo)線向上、水平然后向下并向后，一般地如同在圖9的第一平面114內(nèi)或者在一個(gè)平行于這樣一平面的平面內(nèi)延伸。諸導(dǎo)線的具體位置依照以下的表2所顯示。
表2
所有的接口中，長度1為0.6英寸，而角度a1為30°。接口2、3以及4中，長度g為0.4英寸而角度a2為120°。所有的接口內(nèi)，每行中諸導(dǎo)線間的距離(d1和d2)為0.100英寸。所有的接口內(nèi)，諸行之間的距離(d3)為0.100英寸。接口2、3、以及4內(nèi)，導(dǎo)線的傾斜平面之間的橫向距離(d4)為0.020英寸。所有的接口內(nèi)，諸導(dǎo)線直徑為0.020英寸，被放置在第一平面內(nèi)的諸導(dǎo)線具有約1.75英寸的總體長度，被放置在絕緣外殼內(nèi)的諸導(dǎo)線具有約0.75英寸的總體長度。絕緣外殼和絕緣襯墊為聚酯樹脂。對這些模塊化接口曾做了以下的測試。
通過對一對100Ω的平衡24AWG(0.02英寸)測試引線求出其對衰減、NEXT損耗以及回程損耗的測量的影響，確定了用于UTP敷設(shè)電纜(不使用交叉連接跳線或接插線)的連接硬件的傳輸性能。在進(jìn)行了校準(zhǔn)、基準(zhǔn)掃頻(reference sweep)之后，將諸測試引線和阻抗匹配終端與測試樣品連接，并為每個(gè)參數(shù)搜集連接器傳輸性能數(shù)據(jù)。借助于已校準(zhǔn)的網(wǎng)絡(luò)分析儀以提取出平衡-不平衡轉(zhuǎn)換器和測試引線的聯(lián)合衰減；100Ω的電阻跨接于測試平衡-不平衡轉(zhuǎn)換器的兩路平衡輸出。為使電感效應(yīng)最小，將電阻引線留得盡可能地短(每一端0.2英寸或更小)。將電纜對定位，使得它們被分別排序?yàn)?&2、3&4、5&6以及7&8。為避免插頭褶皺時(shí)接口護(hù)套下諸對之間的物理侵入，伸到護(hù)套內(nèi)的測試引線的并排取向至少有0.3英寸的距離，造成一個(gè)扁平的部分。諸測試引線的該扁平的套裹部分在截面內(nèi)顯現(xiàn)為長形的。為測量電信引出線/連接器，則將插頭與測試接口配合，并進(jìn)行NEXT損耗測量。此測量的諸結(jié)果顯示于后附的表3中。
表3導(dǎo)線間的串音(dB)
根據(jù)以上示例與比較性測試，將鑒賞到這樣做可以是有利的，即建造本發(fā)明的接口以便至少一根導(dǎo)線可垂直延伸通過第二平面的下垂直段并繼續(xù)垂直延伸至頂壁再毗鄰頂壁水平延伸然后朝著后開放端向下向后。這些導(dǎo)線的諸示例將是接口3中的導(dǎo)線1和7以及接口4中的導(dǎo)線1。
將鑒賞到的是一種減小或消除串音及共模電磁干擾的方法以及一種供其中之用的模塊化接口已被描述。還將鑒賞到的是這種模塊化接口是可與常規(guī)模塊化接口互換的并可以借助于常規(guī)零件與加工容易地、便宜地制造。
盡管已結(jié)合諸不同形狀的最佳實(shí)施方式描述了本發(fā)明，將被理解的是可使用其它類似的諸實(shí)施方式，或可對所描述的實(shí)施方式進(jìn)行修改和補(bǔ)充，以執(zhí)行本發(fā)明的同樣功能而不偏離本發(fā)明。因此，本發(fā)明應(yīng)不局限于任何單個(gè)實(shí)施方式，而寧可根據(jù)所附權(quán)利要求書的詳述構(gòu)筑其廣度和范圍。
權(quán)利要求
1.一種模塊化接口組件包括(a)一個(gè)這樣的外部絕緣外殼，它擁有頂壁和底壁以及相對的側(cè)壁，所有這些壁限定一個(gè)內(nèi)部部分，并且所述外殼還擁有前后開放端。(b)一個(gè)第一導(dǎo)電裝置，由毗鄰的絕緣外殼的底壁延伸，跨過后端至頂壁，再朝向前端，然后朝向后端；以及(c)一個(gè)第二導(dǎo)電裝置，由毗鄰的絕緣外殼的底壁延伸，僅跨過后端的一部分，然后帶角度地朝向前端。
2.權(quán)利要求1的模塊化接口組件，其特征在于第一和第二導(dǎo)電裝置至少部分地被定位在一個(gè)絕緣襯墊內(nèi)。
3.權(quán)利要求3的模塊化接口組件，其特征在于絕緣襯墊擁有這樣一個(gè)上段——該段擁有底側(cè)面與上側(cè)面以及后端與終止端，并被定位以使其底側(cè)面疊置在絕緣外殼的后開放端之上，并且其上端毗鄰絕緣外殼的頂側(cè)面，使得其終止端延伸進(jìn)入絕緣外殼的內(nèi)部部分。
4.權(quán)利要求2的模塊化接口組件，其特征在于絕緣襯墊擁有這樣一個(gè)下段，該下段擁有一個(gè)底端，該下段從那里向上延伸以至少部分覆蓋后開放端。
5.權(quán)利要求4的模塊化接口組件，其特征在于第一導(dǎo)電裝置是這樣的第一組導(dǎo)電裝置之一，該組導(dǎo)電裝置由毗鄰的絕緣外殼的底壁延伸，跨過后端至頂壁，再向前至前端，然后朝向后端帶角度地向下向后。
6.權(quán)利要求5的模塊化接口組件，其特征在于所述第一組導(dǎo)電裝置彼此平行。
7.權(quán)利要求6的模塊化接口組件，其特征在于第二導(dǎo)電裝置是這樣的第二組導(dǎo)電裝置之一，該組導(dǎo)電裝置由毗鄰的絕緣外殼的底壁延伸，僅跨過后端的一部分，然后帶角度地朝向前開放端。
8.權(quán)利要求7的模塊化接口組件，其特征在于所述第二組導(dǎo)電裝置彼此平行。
9.權(quán)利要求8的模塊化接口組件，其特征在于第一組導(dǎo)電裝置位于一個(gè)公共的第一平面內(nèi)。
10.權(quán)利要求9的模塊化接口組件，其特征在于所述第一平面擁有一個(gè)后段、一個(gè)前段以及一個(gè)終止的向下與向后斜的傾斜平面。
11.權(quán)利要求10的模塊化接口組件，其特征在于第一平面的上段有一個(gè)長度，并且上段的該長度介于約0.2英寸與約2.0英寸之間。
12.權(quán)利要求11的模塊化接口組件，其特征在于第一平面的上段與第一平面的傾斜段之間的角度介于約15°與約70°之間。
13.權(quán)利要求12的模塊化接口組件，其特征在于第二組導(dǎo)電裝置位于一個(gè)公共的第二平面內(nèi)。
14.權(quán)利要求13的模塊化接口組件，其特征在于第二平面擁有一個(gè)具有一上沿的下段以及一個(gè)由該垂直下段的上沿延伸的帶角度段。
15.權(quán)利要求14的模塊化接口組件，其特征在于第二平面的垂直段與傾斜段之間存在一個(gè)角度，且所述角度介于約15°與約160°之間。
16.權(quán)利要求16的模塊化接口組件，其特征在于第一平面的傾斜段擁有一個(gè)第一終止沿，且第二平面的傾斜段向上向前延伸至所述第一終止沿之外。
17.權(quán)利要求17的模塊化接口組件，其特征在于第一平面的傾斜段與第二平面的傾斜段平行。
18.權(quán)利要求17的模塊化接口組件，其特征在于第二平面的傾斜段擁有一個(gè)第二終止端，且第一終止沿與第二終止沿之間存在一個(gè)縱向距離，且所述縱向距離介于約0.2英寸至約1.0英寸之間。
19.權(quán)利要求18的模塊化接口組件，其特征在于第一平面的傾斜段與第二平面的傾斜段被介于約0與約0.3英寸之間的橫向距離分隔。
20.權(quán)利要求19的模塊化接口組件，其特征在于第一平面的垂直段與第二平面的垂直段平行。
21.權(quán)利要求20的模塊化接口組件，其特征在于第一平面的垂直段與第二平面的垂直段被介于約0.04與約0.250英寸之間的距離分隔。
22.權(quán)利要求6的模塊化接口組件，其特征在于第一組導(dǎo)電裝置的每個(gè)與毗鄰的導(dǎo)電裝置被介于約0.040英寸與約0.025英寸之間的距離分隔。
23.權(quán)利要求8的模塊化接口組件，其特征在于第二組導(dǎo)電裝置的每個(gè)與毗鄰的導(dǎo)電裝置被介于約0.040英寸與約0.025英寸之間的距離分隔。
24.權(quán)利要求8的模塊化接口組件，其特征在于第一組導(dǎo)電裝置被緊固在這樣一個(gè)導(dǎo)電裝置緊固部件中，它定位于絕緣襯墊的垂直下段的底端的正下方。
25.權(quán)利要求9的模塊化接口組件，其特征在于第二組導(dǎo)電裝置被緊固在導(dǎo)電裝置緊固部件中。
26.權(quán)利要求25的模塊化接口組件，其特征在于絕緣襯墊的上段的上表面上存在多個(gè)水平凹槽，且所述的一組第一導(dǎo)電裝置的一個(gè)被定位在所述諸上凹槽的每個(gè)之內(nèi)。
27.權(quán)利要求26的模塊化接口組件，其特征在于絕緣襯墊的下段的后表面上存在多個(gè)垂直凹槽，且所述垂直凹槽的每個(gè)連接上段的上表面上的諸水平凹槽之一，且所述第一導(dǎo)電裝置的所述一組被定位于所述諸上凹槽的每個(gè)之內(nèi)。
28.權(quán)利要求27的模塊化接口組件，其特征在于絕緣襯墊的下段的前表面上存在多個(gè)垂直凹槽，且所述第二組導(dǎo)電裝置的一個(gè)被定位在所述諸凹槽的每個(gè)之內(nèi)。
29.權(quán)利要求14的模塊化接口組件，其特征在于至少存在一個(gè)這樣的導(dǎo)電裝置，它垂直延伸穿過第二平面的下垂直段，并繼續(xù)垂直延伸至頂壁，隨后毗連頂壁水平延伸，然后朝著后開放端向下并向后。
30.權(quán)利要求5的模塊化接口組件，其特征在于第一組導(dǎo)電裝置是若干根這樣的導(dǎo)線，它們擁有介于約1.0英寸與約3.0英寸之間的總長度，并擁有介于約0.06英寸與約0.20英寸之間的直徑。
31.權(quán)利要求7的模塊化接口組件，其特征在于第二組導(dǎo)電裝置是若干根這樣的導(dǎo)線，它們擁有介于約0.5英寸與約1.5英寸之間的總長度，并擁有介于約0.06英寸與約0.20英寸之間的直徑。
32.一種用于減小模塊化接口中電串音和共模電磁干擾的方法，包括如下諸步驟(a)將所述接口中的諸導(dǎo)電裝置定位在這樣的一個(gè)第一平面內(nèi)，該第一平面由一個(gè)具有一上沿的后段、一個(gè)由所述垂直段的上沿向上延伸的并自身具有一個(gè)前沿的上段、以及一個(gè)由所述前沿向下并向后傾斜的終止的帶角度的平面組成；以及(b)將所述接口內(nèi)的其它導(dǎo)電裝置定位于這樣的一個(gè)第二平面內(nèi)，該第二平面擁有一個(gè)具有一上沿的下段及一個(gè)由所述上沿向上并向前延伸的傾斜段。
33.權(quán)利要求30的方法，其特征在于第一平面的垂直段比第二平面的垂直段更進(jìn)一步地向上延伸。
34.權(quán)利要求30的方法，其特征在于第一平面的上水平段擁有一個(gè)長度，且所述上水平段的長度介于約0.2英寸與約2.0英寸之間。
35.權(quán)利要求30的方法，其特征在于第一平面的上水平段與第一傾斜平面的段之間的角度介于約105°與約70°之間。
36.權(quán)利要求30的方法，其特征在于第二平面的垂直段與第二平面的傾斜段之間的角度介于約105°與約160°之間。
37.權(quán)利要求30的方法，其特征在于第一平面的傾斜段擁有一個(gè)第一終止沿，且第二平面的傾斜段向上并向前延伸于所述第一終止沿之外。
38.權(quán)利要求35的方法，其特征在于第一平面的傾斜段與第二平面的傾斜段平行。
39.權(quán)利要求36的方法，其特征在于第二平面的傾斜段擁有一個(gè)第二終止沿，且第一終止沿與第二終止沿之間存在一個(gè)縱向距離，且所述縱向距離介于約0.2英寸與約1.0英寸之間。
全文摘要
所公開的是這樣的一種模塊化接口,它擁有第一組導(dǎo)線(98,100,102,104),它們在一個(gè)公共垂直平面內(nèi)由外殼(10)的底壁(14)延伸,跨越開放端(22)并到達(dá)頂壁(12),再水平向前延伸,然后返回朝著后開放端(22)帶角度地向下并向后。由導(dǎo)線(106,108,110,112)構(gòu)成的第二組導(dǎo)線起先在一個(gè)公共垂直平面內(nèi)由底壁(14)延伸,僅跨越后開放端(22)的一個(gè)部分,隨后朝著前開放端(24)傾斜地、水平并向上地向前延伸。亦公開了一種使用方法。
文檔編號H01R4/66GK1171860SQ9519652
公開日1998年1月28日 申請日期1995年11月30日 優(yōu)先權(quán)日1994年11月30日
發(fā)明者亞科夫·貝羅普爾斯基 申請人:伯格技術(shù)公司