一種具有緩解高溫環(huán)境功能的芹菜育苗穴盤的底座的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及育苗穴盤技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種具有緩解高溫環(huán)境功能的芹菜育苗穴盤的底座。
【背景技術(shù)】
[0002]不論是花卉還是蔬菜，穴盤育苗是現(xiàn)代園藝最根本的一項變革，為快捷和大批量生產(chǎn)提供了保證，穴盤已經(jīng)成為工廠化種苗生產(chǎn)工藝中的一個重要器具，由于穴盤育苗一般為大批量生產(chǎn)，而穴盤周圍環(huán)境溫度過高將影響幼苗的生長，甚至導(dǎo)致幼苗的死亡，傳統(tǒng)的育苗穴盤放置底座不具有調(diào)溫功能，將影響幼苗的生長，為此，我們提出一種具有緩解高溫環(huán)境功能的芹菜育苗穴盤的底座。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實用新型的目的在于提供一種具有緩解高溫環(huán)境功能的芹菜育苗穴盤的底座，以解決上述【背景技術(shù)】中提出的問題。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術(shù)方案:一種具有緩解高溫環(huán)境功能的芹菜育苗穴盤的底座，包括底座本體，所述底座本體的上端面留有育苗穴盤放置槽，所述底座本體的下端面設(shè)有水箱，所述底座本體的內(nèi)腔盤旋有循環(huán)水管，所述循環(huán)水管的上側(cè)設(shè)有翅管，所述翅管的上端位于育苗穴盤放置槽的側(cè)壁內(nèi)腔中，所述循環(huán)水管的上端連接有第一水栗，所述第一水栗的另一端和循環(huán)水管的下端均連接于水箱的一側(cè)，所述水箱的下側(cè)設(shè)有進水孔，所述底座本體的上端面通過支架固定有噴水管道，所述噴水管道的上端面設(shè)有噴頭，所述噴水管道的下端面分別設(shè)有溫濕度感應(yīng)器，所述水箱的另一側(cè)通過管道連接有第二水栗，所述第二水栗的上端通過管道連接于噴水管道的一側(cè)，所述底座本體的側(cè)壁設(shè)有控制器，所述第一水栗、第二水栗和溫濕度感應(yīng)器均電連接控制器。
[0005]優(yōu)選的，所述進水孔的內(nèi)腔中設(shè)有電磁閥，所述水箱的內(nèi)壁上側(cè)和下側(cè)均設(shè)有水位感應(yīng)器，所述水位感應(yīng)器和電磁閥電連接控制器。
[0006]優(yōu)選的，所述噴頭的數(shù)量不少于五個，且均勻安裝于噴水管道的上端面。
[0007]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果是:該底座采用循環(huán)水管和翅管的結(jié)構(gòu)，對育苗穴盤進行降溫，保障幼苗的土壤環(huán)境溫度不會過高，避免灼傷幼苗的根莖，影響幼苗的生長，采用溫濕度感應(yīng)器和噴頭的結(jié)構(gòu)，對幼苗生長的外部環(huán)境進行降溫，使幼苗周圍的生長環(huán)境保持較低的溫度和較高的濕度，防止幼苗由于溫度過高而出現(xiàn)卷葉現(xiàn)象，保證育苗工作的正常進行，提高培育效率。
【附圖說明】

[0008]圖1為本實用新型結(jié)構(gòu)不意圖。
[0009]圖中:I底座本體、2育苗穴盤放置槽、3水箱、4循環(huán)水管、5翅管、6第一水栗、7進水孔、8噴水管道、9噴頭、10溫濕度感應(yīng)器、11第二水栗、12控制器、13電磁閥、14水位感應(yīng)器。
【具體實施方式】
[0010]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0011]請參閱圖1，本實用新型提供一種技術(shù)方案:一種具有緩解高溫環(huán)境功能的芹菜育苗穴盤的底座，包括底座本體I，所述底座本體I的上端面留有育苗穴盤放置槽2，所述底座本體I的下端面設(shè)有水箱3，所述底座本體I的內(nèi)腔盤旋有循環(huán)水管4，所述循環(huán)水管4的上側(cè)設(shè)有翅管5，所述翅管5的上端位于育苗穴盤放置槽2的側(cè)壁內(nèi)腔中，所述循環(huán)水管4的上端連接有第一水栗6，所述第一水栗6的另一端和循環(huán)水管4的下端均連接于水箱3的一側(cè)，采用循環(huán)水管4和翅管5的結(jié)構(gòu)，對育苗穴盤進行降溫，保障幼苗的土壤環(huán)境溫度不會過高，避免灼傷幼苗的根莖，影響幼苗的生長，所述水箱3的下側(cè)設(shè)有進水孔7，所述進水孔7的內(nèi)腔中設(shè)有電磁閥13，所述水箱3的內(nèi)壁上側(cè)和下側(cè)均設(shè)有水位感應(yīng)器14，所述水位感應(yīng)器14和電磁閥13電連接控制器12，電磁閥13和水位感應(yīng)器14的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)自動對水箱3內(nèi)進行供水，避免出現(xiàn)缺水的情況發(fā)生，所述底座本體I的上端面通過支架固定有噴水管道8，所述噴水管道8的上端面設(shè)有噴頭9，所述噴頭9的數(shù)量不少于五個，且均勻安裝于噴水管道8的上端面，所述噴水管道8的下端面分別設(shè)有溫濕度感應(yīng)器10，采用溫濕度感應(yīng)器10和噴頭9的結(jié)構(gòu)，對幼苗生長的外部環(huán)境進行降溫，使幼苗周圍的生長環(huán)境保持較低的溫度和較高的濕度，防止幼苗由于溫度過高而出現(xiàn)卷葉現(xiàn)象，保證育苗工作的正常進行，提高培育效率。所述水箱3的另一側(cè)通過管道連接有第二水栗11，所述第二水栗11的上端通過管道連接于噴水管道8的一側(cè)，所述底座本體I的側(cè)壁設(shè)有控制器12，所述第一水栗6、第二水栗11和溫濕度感應(yīng)器10均電連接控制器12，溫濕度感應(yīng)器10感應(yīng)周圍環(huán)境的溫濕度，將信息傳遞給控制器12，控制器12控制第一水栗6和第二水栗11進行工作，對幼苗周圍環(huán)境進行降溫，保障幼苗的生長環(huán)境。
【主權(quán)項】
1.一種具有緩解高溫環(huán)境功能的芹菜育苗穴盤的底座，包括底座本體(I)，所述底座本體(I)的上端面留有育苗穴盤放置槽(2)，其特征在于:所述底座本體(I)的下端面設(shè)有水箱(3)，所述底座本體(I)的內(nèi)腔盤旋有循環(huán)水管(4)，所述循環(huán)水管(4)的上側(cè)設(shè)有翅管(5)，所述翅管(5)的上端位于育苗穴盤放置槽(2)的側(cè)壁內(nèi)腔中，所述循環(huán)水管(4)的上端連接有第一水栗(6)，所述第一水栗(6)的另一端和循環(huán)水管(4)的下端均連接于水箱(3)的一側(cè)，所述水箱(3)的下側(cè)設(shè)有進水孔(7)，所述底座本體(I)的上端面通過支架固定有噴水管道(8)，所述噴水管道(8)的上端面設(shè)有噴頭(9)，所述噴水管道(8)的下端面分別設(shè)有溫濕度感應(yīng)器(10)，所述水箱(3)的另一側(cè)通過管道連接有第二水栗(11)，所述第二水栗(11)的上端通過管道連接于噴水管道(8)的一側(cè)，所述底座本體(I)的側(cè)壁設(shè)有控制器(12)，所述第一水栗(6 )、第二水栗(11)和溫濕度感應(yīng)器(1 )均電連接控制器(12)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有緩解高溫環(huán)境功能的芹菜育苗穴盤的底座，其特征在于:所述進水孔(7)的內(nèi)腔中設(shè)有電磁閥(13)，所述水箱(3)的內(nèi)壁上側(cè)和下側(cè)均設(shè)有水位感應(yīng)器(14)，所述水位感應(yīng)器(14)和電磁閥(13)電連接控制器(12)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有緩解高溫環(huán)境功能的芹菜育苗穴盤的底座，其特征在于:所述噴頭(9)的數(shù)量不少于五個，且均勻安裝于噴水管道(8)的上端面。
【專利摘要】本實用新型公開了一種具有緩解高溫環(huán)境功能的芹菜育苗穴盤的底座，包括底座本體，所述底座本體的下端面設(shè)有水箱，所述底座本體的內(nèi)腔盤旋有循環(huán)水管，所述循環(huán)水管的上側(cè)設(shè)有翅管，所述底座本體的上端面通過支架固定有噴水管道，所述噴水管道的上端面設(shè)有噴頭，所述噴水管道的下端面分別設(shè)有溫濕度感應(yīng)器，該底座采用循環(huán)水管和翅管的結(jié)構(gòu)，對育苗穴盤進行降溫，保障幼苗的土壤環(huán)境溫度不會過高，避免灼傷幼苗的根莖，影響幼苗的生長，采用溫濕度感應(yīng)器和噴頭的結(jié)構(gòu)，對幼苗生長的外部環(huán)境進行降溫，防止幼苗由于溫度過高而出現(xiàn)卷葉現(xiàn)象，保證育苗工作的正常進行，提高培育效率。
【IPC分類】A01G9/24, A01G9/10
【公開號】CN205385740
【申請?zhí)枴緾N201520711568
【發(fā)明人】劉娜, 許爽, 朱為民, 魯博, 朱龍英, 張輝, 田守波, 萬延慧
【申請人】上海市農(nóng)業(yè)科學(xué)院, 劉娜
【公開日】2016年7月20日
【申請日】2015年9月15日