專利名稱：動態(tài)觸發(fā)器的制作方法
背景技術(shù)：
1.發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明一般地涉及一個動態(tài)觸發(fā)器，在時鐘變化點，當使用一個P型半導(dǎo)體襯底時，該觸發(fā)器阻止一個將被帶進一個浮動狀態(tài)的信號線保持一個低于襯底電壓電平的電壓，而當使用一個N型半導(dǎo)體襯底時，該觸發(fā)器阻止一個將被帶進一個浮動狀態(tài)的信號線保持一個超過襯底電壓電平的電壓。
2.相關(guān)背景技術(shù)圖7展示一個說明一個傳統(tǒng)使用的動態(tài)觸發(fā)器的電路圖的一個例子。如圖7所示，一個由一個傳輸門101、一個反相器102、一個傳輸門103和一個反相器104組成的動態(tài)觸發(fā)器已經(jīng)被知道了。傳輸門101，一個信號D被輸入其中，與時鐘C1和時鐘C1X同步輸出一個信號M。反相器102將信號M反相以輸出一個信號MX。傳輸門103，信號MX被輸入其中，與時鐘C2和時鐘C2X同步輸出一個信號QX。反相器104將信號QX反相以輸出一個信號Q。圖8顯示一個說明傳統(tǒng)使用的動態(tài)觸發(fā)器的一個操作的圖。
然而，在這樣一個動態(tài)觸發(fā)器中，當傳輸門101內(nèi)的傳導(dǎo)根據(jù)時鐘C1的定時停止時，信號M被帶進一個浮動狀態(tài)。當傳輸門101處于傳導(dǎo)狀態(tài)并且信號M處于一個襯底電壓電平時，由于在傳輸門101內(nèi)的傳導(dǎo)停止的一瞬間在時鐘C1和信號M之間產(chǎn)生的寄生電容引起的耦合，信號M保持一個低于襯底電壓電平的電壓。類似地，當傳輸門103內(nèi)的傳導(dǎo)根據(jù)時鐘C2X的定時停止時，信號M被帶進一個浮動狀態(tài)。當傳輸門103處于傳導(dǎo)狀態(tài)并且信號M處于一個襯底電壓電平時，由于在傳輸門103內(nèi)的傳導(dǎo)停止的一瞬間在時鐘C2X和信號QX之間產(chǎn)生的寄生電容引起的耦合，信號QX保持一個低于襯底電壓電平的電壓。當使用一個P型襯底時，一個位于襯底和一個漏極之間的帶有低于襯底電壓電平的電壓的PN結(jié)二極管經(jīng)受一個正向偏壓，并且一個襯底電流流動。當襯底電流流動時，電子被產(chǎn)生。這樣產(chǎn)生的電子在P型襯底中是少數(shù)載流子并成為雜散載流子。雜散載流子彌散在半導(dǎo)體襯底內(nèi)。例如，在一個具有內(nèi)置光接收元件的半導(dǎo)體設(shè)備例如一個光電轉(zhuǎn)換設(shè)備內(nèi)，由于作為雜散載流子的電子污染光接收元件并且在整個光接收元件內(nèi)的污染程度不是均勻的，存在引起固定圖形噪聲(pattern noise)的問題。
發(fā)明概要本發(fā)明的一個動態(tài)觸發(fā)器的特征是提供了用于根據(jù)時鐘的定時將要被帶進一個浮動狀態(tài)的信號線與襯底端短路的開關(guān)。
附圖簡述在附圖中

圖1是一個顯示一個根據(jù)本發(fā)明的實施例1的動態(tài)觸發(fā)器的電路圖。
圖2是一個關(guān)于根據(jù)本發(fā)明的實施例1的動態(tài)觸發(fā)器的時序圖。
圖3是一個顯示一個根據(jù)本發(fā)明的實施例2的動態(tài)觸發(fā)器的電路圖。
圖4是一個關(guān)于根據(jù)本發(fā)明的實施例2的動態(tài)觸發(fā)器的時序圖。
圖5是一個顯示一個根據(jù)本發(fā)明的實施例3的動態(tài)觸發(fā)器的電路圖。
圖6是一個顯示一個根據(jù)本發(fā)明的實施例4的動態(tài)觸發(fā)器的電路圖。
圖7是一個顯示一個傳統(tǒng)動態(tài)觸發(fā)器的電路圖。
圖8是一個關(guān)于傳統(tǒng)動態(tài)觸發(fā)器的時序圖。
優(yōu)選實施例的詳細描述一個根據(jù)本發(fā)明的移位寄存器被提供了用于根據(jù)時鐘的定時將要被帶進一個浮動狀態(tài)的信號線與襯底端短路的開關(guān)。這允許在一個p型半導(dǎo)體襯底內(nèi)的一個低于一個襯底電壓電平的電壓的保留被消除。類似地，在一個N型半導(dǎo)體襯底內(nèi)的一個超過一個襯底電壓電平的電壓的保留能夠被消除。
實施例1圖1是一個顯示一個根據(jù)本發(fā)明的實施例1的動態(tài)觸發(fā)器的電路圖。圖2給出在本發(fā)明的實施例1中的各個信號線內(nèi)的定時信號的一個例子。當一個P型半導(dǎo)體襯底被使用時，傳輸門1內(nèi)的一個N型MOSFET的一個漏極與傳輸門1內(nèi)的一個P型MOSFET的一個漏極連接。傳輸門1內(nèi)的一個N型MOSFET的一個源極與傳輸門1內(nèi)的一個P型MOSFET的一個源極連接。這樣，傳輸門1被配置。一個時鐘C1被輸入到傳輸門1內(nèi)的N型MOSFET的一個柵極。時鐘C1的一個反相的信號C1X被輸入到傳輸門1內(nèi)的P型MOSFET的一個柵極。當時鐘C1達到一個VDD電平并且時鐘C1X達到一個襯底電壓電平時，傳輸門1輸出一個由輸入到其中的信號D轉(zhuǎn)變成的信號M。一個反相器2、一個傳輸門3內(nèi)的一個N型MOSFET的一個漏極、和傳輸門3內(nèi)的P型MOSFET的一個漏極被相互連接。反相器2，作為傳輸門1的輸出信號的信號M被輸入到其內(nèi)，將信號M反相以輸出一個信號MX。傳輸門3內(nèi)的N型MOSFET的一個源極與傳輸門3內(nèi)P型MOSFET的一個源極連接。這樣傳輸門3被配置。一個時鐘C2被輸入到傳輸門3內(nèi)N型MOSFET的一個柵極，時鐘C2的一個反相的信號C2X被輸入到傳輸門3內(nèi)P型MOSFET的一個柵極。
當時鐘C2和時鐘C2X分別達到VDD電平和襯底電壓電平時，傳輸門3輸出一個由信號MX轉(zhuǎn)變成的信號QX。為了消除一個低于襯底電壓電平的電壓的保留，這是本發(fā)明的一個特征，并且從而為了將少數(shù)載流子的產(chǎn)生抑制到最少，一個N型MOSFET5和一個N型MOSFET6被加到使用一種傳統(tǒng)技術(shù)的包括一個反相器4的一個動態(tài)觸發(fā)器中，作為傳輸門3的一個輸出信號的信號QX被輸入到反相器4中，反相器4將信號QX反相以輸出一個信號Q。在N型MOSFET5中，作為反相器2的一個輸出信號的信號MX被輸入到它的柵極，它的源極與襯底電壓電平連接，它的漏極與信號M連接。在N型MOSFET6中，作為反相器4的一個輸出信號的信號Q被輸入到它的柵極，它的源極與襯底電壓電平連接，它的漏極與信號QX連接。為了本發(fā)明的方便，傳輸門1和傳輸門3被描述為傳輸門。代替?zhèn)鬏旈T，然而，P型MOSFETs或者N型MOSFETs單獨可能被包括。此外，消除一個低于襯底電壓電平的電壓的保留是可能的，這是本發(fā)明的一個特征，甚至當時鐘C1和時鐘C2X經(jīng)受共同連接并且時鐘C1X和時鐘C2也經(jīng)受共同連接時也是如此。
圖2給出在各個信號線內(nèi)的定時的一個例子。當在時間1和時間3內(nèi)時鐘C2下降而時鐘C2X上升時，傳輸門3內(nèi)的傳導(dǎo)停止。直到傳輸門3內(nèi)的傳導(dǎo)停止，一個來自反相器2的處于襯底電壓電平的輸出被供給信號QX。當傳輸門3內(nèi)的傳導(dǎo)停止時，信號QX不是被帶進浮動狀態(tài)而是被作為一個將信號線與襯底端短路的開關(guān)的N型MOSFET6保持在襯底電壓電平，這是本發(fā)明的一個特征。由于信號QX被保持在襯底電壓電平，信號QX被阻止通過在傳輸門3的傳導(dǎo)停止的一瞬間，被在時鐘C2和信號QX之間產(chǎn)生的寄生電容引起的耦合保留在一個低于襯底電壓電平的電壓。類似地，當在時間4內(nèi)時鐘C1下降而時鐘C1X上升時，傳輸門1內(nèi)的傳導(dǎo)停止。直到傳輸門1內(nèi)的傳導(dǎo)停止，信號D的一個處于襯底電壓電平的輸入被供給信號M。當傳輸門1內(nèi)的傳導(dǎo)停止時，信號M不是被帶進浮動狀態(tài)而是被作為一個將信號線與襯底端短路的開關(guān)的N型MOSFET5保持在襯底電壓電平，這是本發(fā)明的一個特征。
由于信號M被保持在襯底電壓電平，信號M被阻止通過在傳輸門1的傳導(dǎo)停止的一瞬間，被在時鐘C1和信號M之間產(chǎn)生的寄生電容引起的耦合保留在一個低于襯底電壓電平的電壓。
如上所述，當使用一個P型襯底時，一個位于襯底和一個漏極之間的帶有低于襯底電壓電平的電壓的PN結(jié)二極管經(jīng)受一個正向偏壓，它被保持成最小，因此電子的產(chǎn)生被抑制。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)明者和其他人實施的仿真結(jié)果，與傳統(tǒng)的動態(tài)觸發(fā)器相比，在本發(fā)明的動態(tài)觸發(fā)器中產(chǎn)生的作為少數(shù)載流子的電子的數(shù)目被減少到1/100000。例如，在一個具有內(nèi)置光接收元件的半導(dǎo)體設(shè)備例如一個光電轉(zhuǎn)換設(shè)備內(nèi)，較少作為雜散載流子的電子污染光接收元件并且污染度低。因此，固定圖形噪聲的產(chǎn)生被阻止。
實施例2圖3是一個顯示一個根據(jù)本發(fā)明的實施例2的動態(tài)觸發(fā)器的電路圖。圖4給出本發(fā)明的實施例2中各個信號線內(nèi)的定時信號的一個例子。
當使用一個N型半導(dǎo)體襯底時，傳輸門11內(nèi)的一個N型MOSFET的一個漏極與傳輸門11內(nèi)一個P型MOSFET的一個漏極相連。傳輸門11內(nèi)的一個N型MOSFET的一個源極與傳輸門11內(nèi)的一個P型MOSFET的一個源極連接。這樣，傳輸門11被配置。一個時鐘C1被輸入到傳輸門11內(nèi)的N型MOSFET的一個柵極。時鐘C1的一個反相的信號C1X被輸入到傳輸門11內(nèi)的P型MOSFET的一個柵極。當時鐘C1達到一個襯底電壓電平并且時鐘C1X達到一個VSS電平時，傳輸門11輸出一個由輸入到其中的信號D轉(zhuǎn)變成的信號M。一個反相器12、一個傳輸門13內(nèi)的一個N型MOSFET的一個漏極、和傳輸門13內(nèi)的一個P型MOSFET的一個漏極被相互連接。反相器12，作為傳輸門11的輸出信號的信號M被輸入到其內(nèi)，將信號M反相以輸出一個信號MX。傳輸門13內(nèi)的N型MOSFET的一個源極與傳輸門13內(nèi)P型MOSFET的一個源極相互連接。這樣傳輸門13被配置。
一個時鐘C2被輸入到傳輸門13內(nèi)N型MOSFET的一個柵極，時鐘C2的一個反相的信號C2X被輸入到傳輸門13內(nèi)P型MOSFET的一個柵極。當時鐘C2和時鐘C2X分別達到襯底電壓電平和VSS電平時，傳輸門13輸出一個由信號MX變成的信號QX。為了消除一個超過襯底電壓電平的電壓的保留，這是本發(fā)明的一個特征，并且從而為了將少數(shù)載流子的產(chǎn)生抑制到最少，一個P型MOSFET15和一個P型MOSFET16被加到使用一種傳統(tǒng)技術(shù)的包括一個反相器14的一個動態(tài)觸發(fā)器中，作為傳輸門13的一個輸出信號的信號QX被輸入到反相器14中，反相器14將信號QX反相以輸出一個信號Q。在P型MOSFET15中，作為反相器12的一個輸出信號的信號MX被輸入到它的柵極，它的源極與襯底電壓電平連接，它的漏極與信號M連接。在P型MOSFET16中，作為反相器14的一個輸出信號的信號Q被輸入到它的柵極，它的源極與襯底電壓電平連接，它的漏極與信號QX連接。為了本發(fā)明的方便，傳輸門11和傳輸門13被描述為傳輸門。代替?zhèn)鬏旈T，然而，P型MOSFETs或者N型MOSFETs單獨可能被包括。
此外，消除一個超過襯底電壓電平的電壓的保留是可能的，這是本發(fā)明的一個特征，甚至當時鐘C1和時鐘C2X經(jīng)受共同連接并且時鐘C1X和時鐘C2也經(jīng)受共同連接時也是如此。
圖4給出各個信號線中定時信號的一個例子。當在時間5內(nèi)時鐘C2下降而時鐘C2X上升時，傳輸門13內(nèi)的傳導(dǎo)停止。直到傳輸門13內(nèi)的傳導(dǎo)停止，一個來自反相器12的處于襯底電壓電平的輸出被供給信號QX。當傳輸門13內(nèi)的傳導(dǎo)停止時，信號QX不是被帶進浮動狀態(tài)而是被作為一個將信號線與襯底端短路的開關(guān)的P型MOSFET16保持在襯底電壓電平，這是本發(fā)明的一個特征。
由于信號QX被保持在襯底電壓電平，信號QX被阻止通過在傳輸門13的傳導(dǎo)停止的一瞬間，被在時鐘C2X和信號QX之間產(chǎn)生的寄生電容引起的耦合保留在一個超過襯底電壓電平的電壓。類似地，當在時間2內(nèi)時鐘C1下降而時鐘C1X上升時，傳輸門11內(nèi)的傳導(dǎo)停止，直到傳輸門11內(nèi)的傳導(dǎo)停止，信號D的一個處于襯底電壓電平的輸入被供給信號M。當傳輸門11內(nèi)的傳導(dǎo)停止時，信號M不是被帶進浮動狀態(tài)而是被作為一個將信號線與襯底端短路的開關(guān)的P型MOSFET15保持在襯底電壓電平，這是本發(fā)明的一個特征。
由于信號M被保持在襯底電壓電平，信號M被阻止通過在傳輸門11的傳導(dǎo)停止的一瞬間，被在時鐘C1X和信號M之間產(chǎn)生的寄生電容引起的耦合保留在一個超過襯底電壓電平的電壓。
如上所述，當使用一個N型襯底時，一個位于襯底和一個漏極之間的帶有超過襯底電壓電平的電壓的PN結(jié)二極管經(jīng)受一個正向偏壓，它被保持成最小，因此空穴的產(chǎn)生被抑制。例如，在一個具有內(nèi)置光接收元件的半導(dǎo)體設(shè)備例如一個光電轉(zhuǎn)換設(shè)備內(nèi)，較少作為雜散載流子的空穴污染光接收元件并且污染度低。因此，固定圖形噪聲的產(chǎn)生被阻止。
實施例3圖5是一個顯示一個根據(jù)本發(fā)明的實施例3的動態(tài)觸發(fā)器的電路圖。
當使用一個P型半導(dǎo)體襯底時，一個N型MOSFET23和一個N型MOSFET24被加到一個時鐘控制反相器21和一個時鐘控制反相器22，以便消除一個低于襯底電壓電平的電壓的保留，這是本發(fā)明的一個特征，并從而將少數(shù)載流子的產(chǎn)生抑制到最少。時鐘控制反相器21被時鐘C1控制，當時鐘C1達到一個VDD電平時起一個反相器的作用，將輸入到其內(nèi)的一個信號D反相以輸出一個信號MX。時鐘控制反相器22被時鐘C2控制，當時鐘C2達到一個VDD電平時起一個反相器的作用，將輸入到其內(nèi)的信號MX反相以輸出一個信號Q。在N型MOSFET23中，作為時鐘控制反相器21的一個輸出信號的信號MX被輸入到它的柵極，它的源極與襯底電壓電平連接，它的漏極與信號D連接。在N型MOSFET24中，作為時鐘控制反相器22的一個輸出信號的信號Q被輸入到它的柵極，它的源極與襯底電壓電平連接，它的漏極與信號MX連接。以這樣一個電路配置，消除一個低于襯底電壓電平的電壓的保留是可能的，如實施例1中那樣不受時鐘C1和時鐘C2施加的影響。
實施例4圖6是一個顯示一個根據(jù)本發(fā)明的實施例4的動態(tài)觸發(fā)器的電路圖。
當使用一個N型半導(dǎo)體襯底時，一個P型MOSFET33和一個P型MOSFET34被加到一個時鐘控制反相器31和一個時鐘控制反相器32，以便消除一個超過襯底電壓電平的電壓的保留，這是本發(fā)明的一個特征，并從而將少數(shù)載流子的產(chǎn)生抑制到最少。時鐘控制反相器31被時鐘C1控制，當時鐘C1達到一個VSS電平時起一個反相器的作用，將輸入到其內(nèi)的一個信號D反相以輸出一個信號MX。時鐘控制反相器32被時鐘C2控制，當時鐘C2達到一個VSS電平時起一個反相器的作用，將輸入到其內(nèi)的信號MX反相以輸出一個信號Q。在P型MOSFET33中，作為時鐘控制反相器31的一個輸出信號的信號MX被輸入到它的柵極，它的源極與襯底電壓電平連接，它的漏極與信號D連接。在P型MOSFET34中，作為時鐘控制反相器32的一個輸出信號的信號Q被輸入到它的柵極，它的源極與襯底電壓電平連接，它的漏極與信號MX連接。以這樣一個電路配置，消除一個超過襯底電壓電平的電壓的保留是可能的，如實施例2中那樣不受時鐘C1和時鐘C2施加的影響。
本發(fā)明能夠以上面描述的形式被實現(xiàn)并提供了如下面所描述的極好的效果。提供用于根據(jù)時鐘的定時將要被帶進一個浮動狀態(tài)的信號線與襯底端短路的開關(guān)。從而能夠消除在一個P型半導(dǎo)體襯底內(nèi)的一個低于襯底電壓電平的電壓的保留，能夠消除在一個N型半導(dǎo)體襯底內(nèi)的一個超過襯底電壓電平的電壓的保留。因此，這里提供一個效果少數(shù)載流子的產(chǎn)生能被減少到最少。
不背離本發(fā)明的精神和基本特征，它可能以其它形式被實施。在這篇申請中公開的實施例無論從哪方面來看都應(yīng)被認為是例證性的而不是限制。本發(fā)明的范圍被附加的權(quán)利要求指出而不是被前面的描述指出，并且所有來自與權(quán)利要求均等的含義和范圍內(nèi)的變化被打算被包含在其內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一個動態(tài)觸發(fā)器，包括用來根據(jù)時鐘的定時將要被帶進一個浮動狀態(tài)的信號線與襯底端短路的開關(guān)。
2.一個動態(tài)移位寄存器，包括用在一個移位寄存器中的、根據(jù)權(quán)利要求1的一個動態(tài)觸發(fā)器。
3.一個半導(dǎo)體設(shè)備，包括用在一個光電轉(zhuǎn)換設(shè)備內(nèi)的、根據(jù)權(quán)利要求1的一個動態(tài)觸發(fā)器。
4.一個半導(dǎo)體設(shè)備，包括用在一個光電轉(zhuǎn)換設(shè)備內(nèi)的、根據(jù)權(quán)利要求2的一個動態(tài)移位寄存器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的一個動態(tài)觸發(fā)器，還包括一個第一傳輸門，包括一個帶有一個漏極、一個源極和一個柵極的第一N型MOSFET，和一個帶有一個漏極、一個源極和一個柵極的第一P型MOSFET，第一個N型MOSFET的漏極與第一個P型MOSFET的漏極相連，第一個N型MOSFET的源極與第一個P型MOSFET的源極相連，一個第一時鐘C1被輸入到第一個N型MOSFET的柵極，第一個傳輸門，當?shù)谝粋€時鐘C1處于一個VDD電平時一個信號D被輸入到其中，輸出一個信號M，一個第一個時鐘C1的反相的信號C1X被輸入到第一個P型MOSFET的柵極，當反相的信號C1X處于一個襯底電壓電平時，第一個傳輸門輸出由信號D轉(zhuǎn)變成的信號M；一個第一反相器，信號M被輸入到其中，它將信號M反相以輸出一個信號MX；一個第二傳輸門，包括一個帶有一個漏極、一個源極和一個柵極的第二N型MOSFET，和一個帶有一個漏極、一個源極和一個柵極的第二P型MOSFET，第二個N型MOSFET的漏極與第二個P型MOSFET的漏極相連，第二個N型MOSFET的源極與第二個P型MOSFET的源極相連，一個第二時鐘C2被輸入到第二個N型MOSFET的柵極，第二個傳輸門，當?shù)诙€時鐘C2處于一個VDD電平時作為第一個反相器的輸出的信號MX被輸入到其中，輸出一個信號QX，一個第二個時鐘C2的反相的信號C2X被輸入到第二個P型MOSFET的柵極，當反相的信號C2X處于一個襯底電壓電平時，第二個傳輸門輸出由信號MX轉(zhuǎn)變成的信號QX；一個第二反相器，信號QX被輸入到其中，它將信號QX反相以輸出一個信號Q；帶有一個柵極、一個源極和一個漏極的一個第三N型MOSFET，從第一個反相器輸出的信號MX被輸入到第三N型MOSFET的柵極，第三N型MOSFET的源極與襯底電壓電平連接，第三N型MOSFET的漏極與信號M連接；和帶有一個柵極、一個源極和一個漏極的一個第四N型MOSFET，從第二個反相器輸出的信號Q被輸入到第四N型MOSFET的柵極，第四N型MOSFET的源極與襯底電壓電平連接，第四N型MOSFET的漏極與信號QX連接。
6.一個動態(tài)移位寄存器，包括用在一個移位寄存器中的、根據(jù)權(quán)利要求5的一個動態(tài)觸發(fā)器。
7.一個半導(dǎo)體設(shè)備，包括用在一個光電轉(zhuǎn)換設(shè)備內(nèi)的、根據(jù)權(quán)利要求5的一個動態(tài)觸發(fā)器。
8.一個半導(dǎo)體設(shè)備，包括用在一個光電轉(zhuǎn)換設(shè)備內(nèi)的、根據(jù)權(quán)利要求6的一個動態(tài)移位寄存器。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的一個動態(tài)觸發(fā)器，還包括一個第一傳輸門，包括一個帶有一個漏極、一個源極和一個柵極的第一N型MOSFET，和一個帶有一個漏極、一個源極和一個柵極的第一P型MOSFET，第一個N型MOSFET的漏極與第一個P型MOSFET的漏極相連，第一個N型MOSFET的源極與第一個P型MOSFET的源極相連，一個第一時鐘C1被輸入到第一個N型MOSFET的柵極，第一個傳輸門，當?shù)谝粋€時鐘C1處于一個襯底電壓電平時一個信號D被輸入到其中，輸出一個信號M，一個第一個時鐘C1的反相的信號C1X被輸入到第一個P型MOSFET的柵極，當反相的信號C1X處于一個VSS電平時，第一個傳輸門輸出由信號D轉(zhuǎn)變成的信號M；一個第一反相器，信號M被輸入到其中，它將信號M反相以輸出一個信號MX；一個第二傳輸門，包括一個帶有一個漏極、一個源極和一個柵極的第二N型MOSFET，和一個帶有一個漏極、一個源極和一個柵極的第二P型MOSFET，第二個N型MOSFET的漏極與第二個P型MOSFET的漏極相連，第二個N型MOSFET的源極與第二個P型MOSFET的源極相連，一個第二時鐘C2被輸入到第二個N型MOSFET的柵極，第二個傳輸門，當?shù)诙€時鐘C2處于一個襯底電壓電平時作為第一個反相器的輸出的信號MX被輸入到其中，輸出一個信號QX，一個第二個時鐘C2的反相的信號C2X被輸入到第二個P型MOSFET的柵極，當反相的信號C2X處于一個VSS電平時，第二個傳輸門輸出由信號MX轉(zhuǎn)變成的信號QX；一個第二反相器，信號QX被輸入到其中，它將信號QX反相以輸出一個信號Q；帶有一個柵極、一個源極和一個漏極的一個第三N型MOSFET，從第一個反相器輸出的信號MX被輸入到第三N型MOSFET的柵極，第三N型MOSFET的源極與襯底電壓電平連接，第三N型MOSFET的漏極與信號M連接；和帶有一個柵極、一個源極和一個漏極的一個第四N型MOSFET，從第二個反相器輸出的信號Q被輸入到第四N型MOSFET的柵極，第四N型MOSFET的源極與襯底電壓電平連接，第四N型MOSFET的漏極與信號QX連接。
10一個動態(tài)移位寄存器，包括用在一個移位寄存器中的、根據(jù)權(quán)利要求9的一個動態(tài)觸發(fā)器。
11一個半導(dǎo)體設(shè)備，包括用在一個光電轉(zhuǎn)換設(shè)備內(nèi)的、根據(jù)權(quán)利要求9的一個動態(tài)觸發(fā)器。
12一個半導(dǎo)體設(shè)備，包括用在一個光電轉(zhuǎn)換設(shè)備內(nèi)的、根據(jù)權(quán)利要求10的一個動態(tài)移位寄存器。
全文摘要
本發(fā)明打算提供一個動態(tài)觸發(fā)器,在一個P型半導(dǎo)體襯底內(nèi),該觸發(fā)器阻止一個將被帶進一個浮動狀態(tài)的信號線保持一個低于襯底電壓電平的電壓,而在一個N型半導(dǎo)體襯底內(nèi),該觸發(fā)器阻止一個將被帶進一個浮動狀態(tài)的信號線保持一個超過襯底電壓電平的電壓。在該動態(tài)觸發(fā)器中,受一個反相器(2)的輸出信號MX控制的一個N型MOSFET(5)和受一個反相器(4)的輸出信號QX控制的一個N型MOSFET(6)被提供,它們作為用來把要被帶進一個浮動狀態(tài)的一個信號M和一個信號QX與襯底短路的開關(guān)。
文檔編號H03K3/00GK1365150SQ0210180
公開日2002年8月21日 申請日期2002年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2001年1月11日
發(fā)明者澀谷義博 申請人:精工電子有限公司