井窖式育苗盤的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種井窖式育苗盤，包括長為675mm、寬為340mm的矩形盤體，所述矩形盤體上設(shè)有多個(gè)育苗穴，所述每個(gè)育苗穴的底部均設(shè)有滲水孔，所述育苗穴為倒四棱臺形，其特征在于相鄰育苗穴之間的間距為8-9mm，外面一圈育苗穴的外邊與矩形盤體的邊的距離為12mm，所述矩形盤體的厚度為50mm。本實(shí)用新型縮小了相鄰育苗穴之間的間距，增加了單位面積內(nèi)的育苗數(shù)量，縮小了育苗穴開口尺寸，節(jié)約了基質(zhì)的使用量，提高了育苗大棚的利用率，而且通過增加矩形盤體的厚度從而提高了產(chǎn)品強(qiáng)度。
【專利說明】井窖式育苗盤
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種植物育苗器具，具體為一種井窖式育苗盤。
【背景技術(shù)】
[0002]井窖式育苗是在地膜覆蓋栽培的基礎(chǔ)上，融合小苗移栽技術(shù)、深栽技術(shù)，減少育苗時(shí)間，從而較好地營造適宜煙苗生長的土壤溫度、溫度環(huán)境，促進(jìn)煙苗早生快發(fā)，保證烤煙的適期早栽，提高移栽效率、增強(qiáng)抗旱能力、減輕病蟲害發(fā)生，達(dá)到減工降本、提質(zhì)增效的效果。現(xiàn)有600*400mm型號的井窖式育苗盤一般設(shè)有135個(gè)育苗穴即為135孔，相鄰育苗穴之間的間距為9-10mm，育苗穴開口長33.5mm、寬30mm，由于相鄰育苗穴之間的間距和育苗穴開口均太大，所以使得單位面積內(nèi)漂浮盤的育苗數(shù)量減少，造成了基質(zhì)使用量的浪費(fèi)，育苗大棚的利用率得不到提高，另外，矩形盤體的很薄，產(chǎn)品強(qiáng)度不夠。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型的目的是為了克服上述不足提供一種結(jié)構(gòu)簡單、相鄰育苗穴之間的間距合適且吸光性、通風(fēng)性能好的井窖式育苗盤。
[0004]本實(shí)用新型包括長為675mm、寬為340mm的矩形盤體，所述矩形盤體上設(shè)有多個(gè)育苗穴，所述每個(gè)育苗穴的底部均設(shè)有滲水孔，所述育苗穴為倒四棱臺形，其特征在于相鄰育苗穴之間的間距為8-9mm，外面一圈育苗穴的外邊與矩形盤體的邊的距離為12mm，所述矩形盤體的厚度為50mm。
[0005]所述矩形盤體上設(shè)有242個(gè)育苗穴，相鄰育苗穴之間的間距為8-8.5mm，所述育苗穴開口長21臟、寬21臟。
[0006]所述矩形盤體上設(shè)有288個(gè)育苗穴，相鄰育苗穴之間的間距為8.5_9mm，所述育苗穴開口長19臟、寬19mm η
[0007]本實(shí)用新型縮小了相鄰育苗穴之間的間距，增加了單位面積內(nèi)的育苗數(shù)量，縮小了育苗穴開口尺寸，節(jié)約了基質(zhì)的使用量，提高了育苗大棚的利用率，而且通過增加矩形盤體的厚度從而提高了產(chǎn)品強(qiáng)度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1為本實(shí)用新型第一種實(shí)施例的俯視圖。
[0009]圖2為本實(shí)用新型第二種實(shí)施例的俯視圖。
[0010]圖3為育苗穴和滲水孔剖視圖。
[0011]圖中:1_矩形盤體、2-育苗穴、3-滲水孔。
【具體實(shí)施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖及實(shí)施例進(jìn)一步說明本實(shí)用新型。
[0013]本實(shí)用新型包括以下兩種實(shí)施例:[0014]實(shí)施例一:
[0015]本實(shí)用新型包括長為675mm、寬為340mm的矩形盤體1，所述矩形盤體1上設(shè)有242個(gè)育苗穴2，所述每個(gè)育苗穴2的底部均設(shè)有滲水孔3，所述育苗穴2為倒四棱臺形，外面一圈育苗穴2的外邊與矩形盤體1的邊的距離為12mm，所述矩形盤體1的厚度為50mm。所述相鄰育苗穴2之間的間距為8-8.5臟，所述育苗穴2開口長21mm、寬21mm。
[0016]實(shí)施例二:
[0017]與實(shí)施例一不同之處僅在于所述矩形盤體1上育苗穴2的個(gè)數(shù)為288個(gè)，相鄰育苗穴2之間的間距為8.5-9臟，所述育苗穴2開口長19mm、寬19mm。
[0018]由于相鄰育苗穴2之間的間距為8_9mm，且育苗穴2的開口長和寬均為19或者21mm，這樣比135孔漂浮盤增加了單位面積內(nèi)的育苗數(shù)量，節(jié)約了基質(zhì)的使用量，提高了育苗大棚的利用率。另外，矩形盤體1的厚度為50_，從而提高了產(chǎn)品強(qiáng)度。
【權(quán)利要求】
1.一種井窖式育苗盤，包括長為675mm、寬為340mm的矩形盤體(1 )，所述矩形盤體(1)上設(shè)有多個(gè)育苗穴(2 )，所述每個(gè)育苗穴(2 )的底部均設(shè)有滲水孔(3 )，所述育苗穴(2 )為倒四棱臺形，其特征在于相鄰育苗穴(2)之間的間距為8-9mm，外面一圈育苗穴(2)的外邊與矩形盤體(1)的邊的距離為12mm，所述矩形盤體(1)的厚度為50mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述井窖式育苗盤，其特征在于所述矩形盤體(1)上設(shè)有242個(gè)育苗穴(2)，相鄰育苗穴(2)之間的間距為8-8.5mm，所述育苗穴(2)開口長21mm、寬21mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述井窖式育苗盤，其特征在于所述矩形盤體(1)上設(shè)有288個(gè)育苗穴(2)，相鄰育苗穴(2)之間的間距為8.5-9mm，所述育苗穴(2)開口長19mm、寬19mm。
【文檔編號】A01G9/10GK203492460SQ201320530344
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年8月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月28日
【發(fā)明者】譚璋, 左萬琦, 袁良友 申請人:譚璋, 左萬琦, 袁良友