專利名稱：蔬菜周年生產(chǎn)粗砂栽培裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種蔬菜周年生產(chǎn)粗砂栽培裝置，該裝置主要應(yīng)用于粗砂栽培蔬菜作物的長季節(jié)、周年生產(chǎn)。
背景技術(shù)：
粗砂栽培是無土栽培中基質(zhì)栽培的一種主要形式。無土栽培基質(zhì)還經(jīng)常采用蛭石、草炭、珍珠巖、巖棉等的一種或幾種的混合物。基質(zhì)栽培經(jīng)常采用槽狀栽培方式，即在溫室地面上用磚、混凝土做成栽培槽，在栽培槽底部和兩側(cè)鋪上兩層塑料薄膜，以防滲漏并使基質(zhì)與土壤隔離，再向栽培槽內(nèi)填充基質(zhì)，然后定植蔬菜秧苗。基質(zhì)中一般不含有植物生長所需要的營養(yǎng)成分，由滴灌系統(tǒng)向植株供給水分和養(yǎng)分?；|(zhì)對于作物而言，主要是起支持作物根系、供給根系呼吸所需氧氣等作用。目前基質(zhì)栽培中存在的主要技術(shù)問題是①栽培基質(zhì)本身的結(jié)構(gòu)不太合理，栽培基質(zhì)粒徑過小，從而使其中的能夠?yàn)樽魑锔道玫挠行а鹾枯^低，引起根系生長發(fā)育緩慢、易老化、根系活力降低等；②基質(zhì)栽培槽結(jié)構(gòu)不合理槽寬和槽深較小，栽培槽底部和兩側(cè)的兩層塑料薄膜阻礙了外界空氣中的氧氣與栽培基質(zhì)中空氣的交換，從而使栽培基質(zhì)中氧含量經(jīng)常處于虧缺狀態(tài)
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的就是要提供一種全新的、應(yīng)用粗砂栽培蔬菜作物的、長季節(jié)或周年生產(chǎn)的栽培裝置，使其具有結(jié)構(gòu)簡單、栽培基質(zhì)粒徑合理、栽培槽結(jié)構(gòu)合理、栽培基質(zhì)中氧含量高、蔬菜周年生長良好、產(chǎn)量高等優(yōu)點(diǎn)。
為達(dá)到本實(shí)用新型的目的所采取的技術(shù)方案，包括營養(yǎng)液罐1、水泵2、過濾器3、裝有栽培基質(zhì)15的栽培槽8、將營養(yǎng)液罐1與栽培槽8相連接的主管道5、支管道6、滴灌管7，栽培槽8包括槽形框架11，其特征在于，在該槽形框架11底部和兩側(cè)鋪有多孔包裹物12，在整個(gè)栽培槽8的頂面、兩側(cè)面覆蓋有鍍鋁反光膜10；上述的蔬菜周年生產(chǎn)粗砂栽培裝置中，在栽培槽8中鋪設(shè)有三排滴灌管7，即除了在每排栽培作物的附近放置一排滴灌管7外，還在兩排之間增加一排滴灌管7；上述的蔬菜周年生產(chǎn)粗砂栽培裝置中，多孔包裹物12為防蟲網(wǎng)或紗網(wǎng)，其孔徑為0.05～0.1mm；上述的蔬菜周年生產(chǎn)粗砂栽培裝置中，填裝在該栽培槽8中的栽培基質(zhì)15為粗砂，粗砂15采用粒徑0.6～2mm的占70％～75％，其余為大于2mm的大顆粒和小于0.6mm的小顆粒；上述的蔬菜周年生產(chǎn)粗砂栽培裝置中，栽培槽框架11橫斷面尺寸為90×40cm，長度可根據(jù)溫室結(jié)構(gòu)和栽培需要確定；上述的蔬菜周年生產(chǎn)粗砂栽培裝置中，栽培槽8的一半深度處埋有電加熱線16；上述的蔬菜周年生產(chǎn)粗砂栽培裝置中，電加熱線16的間距為90mm。
本實(shí)用新型具有如下優(yōu)點(diǎn)1.所選栽培基質(zhì)粒徑分布合理，既有較大的沙粒(＞2mm)，以提高栽培基質(zhì)層的透氣性，提高植株根系的氧含量，也有較小的沙粒(＜0.6mm)，使得栽培基質(zhì)有一定的保水能力，栽培基質(zhì)能夠在一定的時(shí)間內(nèi)，滿足作物對水、肥的需要。作物根系可利用的有效氧含量提高，使得根系生長發(fā)育迅速、活力增強(qiáng)。在常規(guī)基質(zhì)栽培時(shí)，一般只在每排栽培作物的附近放置一排滴灌管，而本實(shí)用新型還在兩排之間增加一排滴灌管，目的是使栽培槽中間部位栽培基質(zhì)也富含水分和養(yǎng)分，作物根系向此處生長，以形成發(fā)達(dá)的根系。
2.栽培槽結(jié)構(gòu)合理槽寬(90cm)和槽深(40cm)都較常規(guī)栽培槽尺寸大，這就為作物根系的生長發(fā)育提供了充足的空間；栽培槽底部和兩側(cè)的多孔防蟲網(wǎng)，使得外界空氣中的氧氣可以與栽培基質(zhì)中氣體進(jìn)行交換，栽培基質(zhì)中氧含量高。從而避免了常規(guī)栽培槽由2層塑料薄膜圍護(hù)，阻礙外界空氣與栽培基質(zhì)中氣體進(jìn)行交換，使栽培基質(zhì)中氧含量經(jīng)常處于虧缺狀態(tài)的現(xiàn)象。
3.本實(shí)用新型蔬菜粗砂栽培裝置，特別適合蔬菜長季節(jié)、周年生長。夏季，鍍鋁反光膜可以將照射到栽培槽上的太陽光反射掉，避免栽培基質(zhì)的溫度升高太多，以及栽培基質(zhì)中水分的大量蒸發(fā)；冬季，埋在栽培基質(zhì)中的電加熱線，在溫控器的控制下，可以將栽培基質(zhì)的溫度控制在根系生長適溫下，使得根系生長發(fā)育良好；同時(shí)鍍鋁反光膜反射的太陽光，還提高了作物冠層底部的光照度。
4.本實(shí)用新型蔬菜周年生產(chǎn)粗砂栽培裝置，結(jié)構(gòu)簡單、作物產(chǎn)量高。


圖1為本實(shí)用新型蔬菜周年生產(chǎn)粗砂栽培裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型蔬菜周年生產(chǎn)粗砂栽培裝置中栽培槽的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
具體實(shí)施例下面結(jié)合圖1和圖2詳細(xì)說明本實(shí)用新型蔬菜周年生產(chǎn)粗砂栽培裝置。
如圖1所示，1為營養(yǎng)液罐，2為水泵，3為過濾器，4為壓力表，5為主管道，6為支管道，7為滴灌管，8為栽培槽。
營養(yǎng)液的供給，根據(jù)季節(jié)、環(huán)境條件、作物品種、生長階段等的不同，采用間歇式灌溉方式，每天灌溉1～4次、每次5～15分鐘。營養(yǎng)液的流動(dòng)路線是營養(yǎng)液罐1→水泵2→過濾器3→壓力表4→主管道5→支管道6→滴灌管→栽培槽8。
如圖2所示為栽培槽8的結(jié)構(gòu)剖面示意圖，其中，11為槽形框架，它由鍍鋅角鋼焊接而成，槽形框架11擱在地面9上；12為多孔包裹物，其孔徑為0.05～0.1mm，它是防蟲網(wǎng)或紗網(wǎng)，鋪在槽形框架11底部和兩側(cè)；15為填裝在栽培槽中的栽培基質(zhì)，該栽培基質(zhì)為粗砂，采用粒徑0.6～2mm的占70％～75％，其余為大于2mm的大顆粒和小于0.6mm的小顆粒，這種粒徑的搭配既可保水又能透氣；10為鍍鋁反光膜，其外側(cè)為鍍鋁層，用于反射太陽光，內(nèi)側(cè)為灰色薄膜層，它覆蓋在整個(gè)栽培槽的頂面、兩側(cè)面，處于自然下垂?fàn)顟B(tài)；7為滴灌管，它分為三排鋪設(shè)在栽培基質(zhì)15的表面；14為植株；16為埋設(shè)在栽培槽半深處的電加熱線，其間距為90mm，在本實(shí)施例中一個(gè)栽培槽內(nèi)設(shè)有九排電加熱線。
夏季，鍍鋁反光膜可以將照射到栽培槽上的太陽光反射掉，從而避免了栽培基質(zhì)溫度升高過多，以及栽培基質(zhì)中水分的過量蒸發(fā)。根據(jù)我們栽培番茄的試驗(yàn)，整個(gè)夏季，栽培基質(zhì)的最高溫度不超過26～27℃。
冬季，埋在栽培基質(zhì)中的電加熱線，在溫控器的控制下，可以將栽培基質(zhì)的溫度控制在根系生長適溫下，使得根系生長發(fā)育良好；我們的實(shí)驗(yàn)結(jié)果是整個(gè)冬季栽培基質(zhì)的溫度穩(wěn)定在20～21℃。
春、秋季節(jié)，栽培基質(zhì)的溫度一般在20～25℃。
鍍鋁反光膜反射的太陽光，還提高了作物冠層底部的光照度。一般情況下，可以使作物冠層底部的光照度提高3～10％。
最后所應(yīng)說明的是，以上實(shí)施例僅用以說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案而非限制，盡管參照較佳實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的精神和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求1.一種蔬菜周年生產(chǎn)粗砂栽培裝置，包括營養(yǎng)液罐(1)、水泵(2)、過濾器(3)、裝有栽培基質(zhì)(15)的栽培槽(8)、將營養(yǎng)液罐(1)與栽培槽(8)相連接的主管道(5)、支管道(6)、滴灌管(7)，栽培槽(8)包括槽形框架(11)，其特征在于，在該槽形框架(11)底部和兩側(cè)鋪有多孔包裹物(12)，在整個(gè)栽培槽(8)的頂面、兩側(cè)面覆蓋有鍍鋁反光膜(10)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蔬菜周年生產(chǎn)粗砂栽培裝置，其特征在于，在栽培槽(8)中鋪設(shè)有三排滴灌管(7)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蔬菜周年生產(chǎn)粗砂栽培裝置，其特征在于，多孔包裹物(12)為防蟲網(wǎng)或紗網(wǎng)，其孔徑為0.05～0.1mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蔬菜周年生產(chǎn)粗砂栽培裝置，其特征在于，填裝在該栽培槽(8)中的栽培基質(zhì)(15)為粗砂，粗砂(15)采用粒徑0.6～2mm的占70％～75％，其余為大于2mm的大顆粒和小于0.6mm的小顆粒。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蔬菜周年生產(chǎn)粗砂栽培裝置，其特征在于，栽培槽框架(11)橫斷面尺寸為90×40cm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蔬菜周年生產(chǎn)粗砂栽培裝置，其特征在于，栽培槽(8)的一半深度處埋有電加熱線(16)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的蔬菜周年生產(chǎn)粗砂栽培裝置，其特征在于，電加熱線(16)的間距為90mm。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種蔬菜周年生產(chǎn)粗砂栽培裝置，技術(shù)方案包括營養(yǎng)液罐(1)、水泵(2)、過濾器(3)、裝有栽培基質(zhì)(15)的栽培槽(8)、將營養(yǎng)液罐(1)與栽培槽(8)相連接的主管道(5)、支管道(6)、滴灌管(7)，栽培槽(8)包括槽形框架(11)，其特征在于，在該槽形框架(11)底部和兩側(cè)鋪有多孔包裹物(12)，在整個(gè)栽培槽(8)的頂面、兩側(cè)面覆蓋有鍍鋁反光膜(10)；在栽培槽(8)中鋪設(shè)有三排滴灌管(7)。本實(shí)用新型具有結(jié)構(gòu)簡單、栽培基質(zhì)粒徑的分布及滴灌管的布局合理，作物產(chǎn)量高等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號A01G31/02GK2682824SQ200420004
公開日2005年3月9日 申請日期2004年2月20日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月20日
發(fā)明者宋衛(wèi)堂, 黃之棟, 張樹閣, 高麗紅, 滕光輝 申請人:中國農(nóng)業(yè)大學(xué)