專利名稱：調(diào)制解調(diào)器單元和移動通信單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及調(diào)制解調(diào)器單元、移動通信單元以及用于生產(chǎn)移動通信 單元的方法。
背景技術(shù)：
移動通信單元可以包括調(diào)制解調(diào)器(調(diào)制器/解調(diào)器)單元，該調(diào)制 解調(diào)器單元對信息進行編碼并調(diào)制要被傳送的信號，以及還解調(diào)所接收 的信號并解碼包含在其中的信息。通過使用調(diào)制解調(diào)器單元，產(chǎn)生了可 以容易地被傳送的信號并且所接收的信號可以被解碼以再現(xiàn)原始信息。 調(diào)制解調(diào)器不僅可以在移動通信單元中實施而且還可以在諸如固定(stationary )通信單元、數(shù)據(jù)處理單元、個人計算機等之類的其他通信 單元中實施。調(diào)制解調(diào)器單元可以包括如易失性存儲器和非易失性存儲 器的存儲器單元，用以存儲其中的不同類型的信息或數(shù)據(jù)。發(fā)明內(nèi)容一種調(diào)制解調(diào)器單元，包括第一半導(dǎo)體管芯，其包括功率管理單元和嵌入式閃存。 一種移動通信單元，包括調(diào)制解調(diào)器單元，其包括第一半導(dǎo)體管芯，該第一半導(dǎo)體管芯包括 功率管理單元和嵌入式閃存。 一種移動通信單元，包括調(diào)制解調(diào)器單元，其包括基帶單元，該基帶單元包括中央處理單 元和第一存儲器單元，該第一存儲器單元被配置成將校準數(shù)據(jù)、網(wǎng)絡(luò)參 數(shù)、安全數(shù)據(jù)和調(diào)試數(shù)據(jù)中的一個或多個存儲在該第一存儲器單元中； 以及應(yīng)用單元，其包括第二存儲器單元，該第二存儲器單元被配置成將 用于操作所述中央處理單元的操作程序存儲在該第二存儲器單元中。 一種移動通信單元，包括 調(diào)制解調(diào)器單元；以及包括存儲器單元的應(yīng)用單元，其中所述調(diào)制解調(diào)器單元和所述應(yīng)用 單元能夠訪問所述存儲器單元。一種用于生產(chǎn)移動通信單元的方法，包括將校準數(shù)據(jù)、網(wǎng)絡(luò)參數(shù)、安全數(shù)據(jù)和調(diào)試數(shù)據(jù)中的一個或多個存儲在第一存儲器單元中；制造調(diào)制解調(diào)器單元，其中所述調(diào)制解調(diào)器單元包括笫一存儲器單 元和基帶單元，并且其中所述基帶單元包括中央處理單元；將用于操作所述中央處理單元的操作程序存儲在第二存儲器中；以及制造應(yīng)用單元，其中所述應(yīng)用單元包括所述第二存儲器單元。


當結(jié)合附圖來閱讀時，通過下面實施例的詳細描述中的實例，本發(fā) 明的方面將變得更加明顯。圖1示意性地說明了根據(jù)實施例的調(diào)制解調(diào)器單元的框圖；圖2示意性地說明了根據(jù)實施例的調(diào)制解調(diào)器單元的框圖；圖3示意性地說明了根據(jù)實施例的移動通信單元的框圖；圖4示意性地說明了根據(jù)實施例的移動通信單元的框圖；圖5示意性地說明了根據(jù)實施例的移動通信單元的框圖；圖6示意性地說明了根據(jù)實施例的移動通信單元的框圖；以及圖7說明了根據(jù)實施例用于生產(chǎn)移動通信單元的方法的流程圖。
具體實施方式
下面，參考附圖描述本發(fā)明的實施例的一個或多個方面，其中在整 個附圖中 一般用相同的參考標記來指代相同的元件。在下面的描述中， 為了解釋的目的，闡迷了許多特定的細節(jié)以提供對本發(fā)明實施例的 一 個 或多個方面的徹底理解。然而，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說可以說顯而易見多個方面。在其它實例中，以框圖的形式示出已知的結(jié)構(gòu)和裝置來便于 描述本發(fā)明實施例的一個或多個方面。因此，下面的描述沒有限制性的 意義，并且本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求限定。另外，雖然就一些實施方式中的僅一個實施方式來公開實施例的特用來說可能是期望的且有利的其它實施方式的一個或多個其它特征或 方面。此外，就在詳細的描述或權(quán)利要求中使用的術(shù)語"包含"、"具 有，，、"帶有，，或其它變型來說，打算以與術(shù)語"包括"相似的方式將 這樣的術(shù)語包括進來?？梢允褂眯g(shù)語"耦合"和"連接"及其派生詞。應(yīng)該理解，這些術(shù)語可以被用來指示兩個元件彼此合作或相互作用，而 不考慮它們是直接物理接觸或電接觸，或者它們彼此不直接接觸。同樣， 術(shù)語"示例性"僅意味著實例，而不是最佳或最優(yōu)實例。參考圖1，示出了根據(jù)實施例的調(diào)制解調(diào)器單元的示意性框圖。調(diào)制解調(diào)器單元10包括半導(dǎo)體管芯(die) 1,該半導(dǎo)體管芯1包括功率 (power)管理單元或供電單元2和嵌入式閃存3。功率管理單元2負責 將電功率提供給調(diào)制解調(diào)器單元10的子單元和部件(section)。根據(jù)圖1的調(diào)制解調(diào)器單元10的實施例，具有功率管理單元2和 嵌入式閃存3的半導(dǎo)體管芯1可以被放在封裝中，例如被放置在模制封 裝中。封裝可以包括連接到功率管理單元2和嵌入式閃存3的接觸元件 的外部電接觸元件，該外部電接觸元件例如是具有管腳或扁平接觸墊 ("連接盤")的形式。根據(jù)圖1的調(diào)制解調(diào)器單元10的一個實施例，功率管理單元2和 嵌入式閃存3可以通過集成在半導(dǎo)體管芯1上的電連接元件彼此電連 接。根據(jù)圖1的調(diào)制解調(diào)器單元10的一個實施例，調(diào)制解調(diào)器單元10 還包括可以電耦合到功率管理單元2的基帶單元或基帶處理器。在一個 實施例中，可以將基帶單元制造在另一個半導(dǎo)體管芯上，該另一個半導(dǎo)個封裝中。根據(jù)另一個實施例，調(diào)制解調(diào)器單元IO還可以包括電耦合 到基帶單元的射頻(RF)收發(fā)機單元。在一個實施例中，可以將射頻收 發(fā)機單元制造在可以被封裝在其自己的封裝中的另一個半導(dǎo)體管芯上。 也可以將射頻收發(fā)機單元與基帶單元一起制造在單個(單片)半導(dǎo)體管 芯上。該半導(dǎo)體管芯可以被封裝在其自己的封裝中，或者它可以與半導(dǎo) 體管芯1一起封裝在一個單個的封裝中。將在下面結(jié)合圖6進一步詳細 解釋這些實施例。根據(jù)圖1的調(diào)制解調(diào)器單元10的一個實施例，將校準數(shù)據(jù)、網(wǎng)絡(luò)參數(shù)、安全數(shù)據(jù)和調(diào)試數(shù)據(jù)中的一個或多個存儲在嵌入式閃存3中。如 將在下面解釋的，調(diào)制解調(diào)器單元10可以是移動通信單元的一部分。 在生產(chǎn)移動通信單元期間，產(chǎn)生可被存儲在嵌入式閃存3中的校準數(shù)據(jù)， 例如像射頻校準數(shù)據(jù)。此外，在移動通信單元的運行期間，產(chǎn)生并周期 地更新通信網(wǎng)絡(luò)的安全數(shù)據(jù)、調(diào)試信息和參數(shù)，其中那些參數(shù)也可以被 存儲在嵌入式閃存3中。根據(jù)圖1的調(diào)制解調(diào)器單元10的一個實施例，可以通過CMOS工 藝技術(shù)(例如像130nm CMOS工藝技術(shù))來在半導(dǎo)體管芯1上加工功率 管理單元2和嵌入式閃存3。根據(jù)圖1的調(diào)制解調(diào)器單元10的一個實施例，調(diào)制解調(diào)器單元10 還包括基帶單元，該基帶單元包括中央處理單元(CPU),其中該中央 處理單元的操作程序沒有存儲在嵌入式閃存3中。相反，中央處理單元 的操作程序可以存儲在其它地方，例如像存儲在電耦合到調(diào)制解調(diào)器單 元IO的另一個單元中，如將在下面更詳細地解釋的那樣。參考圖2,示出了根據(jù)實施例的調(diào)制解調(diào)器單元的示意性框圖。調(diào) 制解調(diào)器單元20包括半導(dǎo)體管芯1,該半導(dǎo)體管芯1包括功率管理單元 2和嵌入式閃存3。具有功率管理單元2和嵌入式閃存3的半導(dǎo)體管芯1 電耦合到基帶單元4,例如基帶處理器。在一個實施例中，半導(dǎo)體管芯 1和基帶單元4之間的電連接可以包括一個或幾個單向電連接線，每一 個單向電連接線分別用于在一個方向上傳送信號和消息。原則上還有可 能提供雙向電連接線，特別是提供一個單個的雙向電連接線作為半導(dǎo)體 管芯1和基帶單元4之間的電連接。圖2的調(diào)制解調(diào)器單元20還包括電耦合到基帶單元4的射頻(RF) 收發(fā)機單元5?；鶐卧?和射頻收發(fā)機單元5之間的電連接還可以包 括一個或幾個單向電連接線，每一個單向電連接線分別用于在一個方向 上傳送信號和消息。原則上還有可能提供雙向電連接線作為在半導(dǎo)體管 芯l和基帶單元4之間、在基帶單元4和射頻收發(fā)機單元5之間的電連 接。在一個示例性實施例中，圖2的調(diào)制解調(diào)器單元20可以是移動通 信單元的一部分，如下面結(jié)合其它實施例所概述的那樣。根據(jù)圖2的調(diào)制解調(diào)器單元20的一個實施例，在調(diào)制解調(diào)器單元 20的生產(chǎn)期間或在其它時間(特別是在RF收發(fā)機單元5的生產(chǎn)期間)產(chǎn)生的RF校準數(shù)據(jù)可以被存儲在嵌入式閃存3中。此外，將要和移動 通信單元一起使用的通信網(wǎng)絡(luò)的網(wǎng)絡(luò)參數(shù)也可以被存儲在嵌入式閃存3 中。
根據(jù)圖1的調(diào)制解調(diào)器單元10或圖2的調(diào)制解調(diào)器單元20之一的 調(diào)制解調(diào)器單元的一個實施例，調(diào)制解調(diào)器單元10或20另外還包含易 失性存儲器，例如像RAM。
參考圖3，示出了根據(jù)一個實施例的移動通信單元的示意性框圖。 移動通信單元100包括調(diào)制解調(diào)器單元10,該調(diào)制解調(diào)器單元10包括 半導(dǎo)體管芯1,其中該半導(dǎo)體管芯1包括功率管理單元2和嵌入式閃存
根據(jù)圖3的移動通信單元100的一個實施例，移動通信單元IOO還 包括電耦合到調(diào)制解調(diào)器單元10的應(yīng)用單元。應(yīng)用單元或應(yīng)用子系統(tǒng) 可以執(zhí)行不涉及或至少不直接涉及移動通信單元的移動通信功能的特 定功能。這些特定功能例如可以包括視頻游戲控制、照相機控制、音頻 功能控制(MP3播放器等)或地址簿功能。因此，移動通信單元100可 以由所謂的智能電話組成或包括所謂的智能電話。
根據(jù)圖3的移動通信單元100的一個實施例，調(diào)制解調(diào)器單元10 還包括基帶單元，比如基帶處理器，該基帶單元包括中央處理單元 (CPU)。根據(jù)其另一個實施例，在移動通信單元100包括應(yīng)用單元的 情況下，應(yīng)用單元包括存儲器單元，該存儲器單元包含用于操作基帶單 元的中央處理單元的操作程序。存儲器單元例如可以包括非易失性存儲 器，例如像閃存(比如NOR閃存或NAND閃存)。存儲器單元另外還 可以包括易失性存儲器，例如像RAM。
根據(jù)圖3的移動通信100的一個實施例，將校準數(shù)據(jù)(例如RF校 準數(shù)據(jù))、由移動通信單元使用的通信網(wǎng)絡(luò)的網(wǎng)絡(luò)參數(shù)、安全數(shù)據(jù)和調(diào) 試數(shù)據(jù)中的一個或多個存儲在嵌入式閃存3中。
應(yīng)該指出，可以基于上面結(jié)合圖1和圖2所介紹的調(diào)制解調(diào)器單元 的實施例來提供圖3的移動通信單元100的實施例。
參考圖4,示出了根據(jù)一個實施例的移動通信單元的示意圖。移動 通信單元200包括調(diào)制解調(diào)器單元30,該調(diào)制解調(diào)器單元30包括基帶 單元31,所述基帶單元31包括中央處理單元(CPU) 31.1和第一存儲 器單元32,該第一存儲器單元32存儲校準數(shù)據(jù)、網(wǎng)絡(luò)參數(shù)、安全數(shù)據(jù)
9和調(diào)試數(shù)據(jù)中的一個或多個，并且移動通信單元200還包括應(yīng)用單元 40,該應(yīng)用單元40包括存儲用于操作中央處理單元31.1的操作程序的 第二存儲器單元41。
調(diào)制解調(diào)器30和應(yīng)用單元40可以通過一個或幾個單向電連接線來 彼此電耦合，每一個單向電連接線分別用于在一個方向上傳送信號和消 息。原則上還有可能提供雙向電連接線，特別是提供一個單個的雙向電 連接線作為在調(diào)制解調(diào)器單元30和應(yīng)用單元40之間的電連接。
根據(jù)圖4的移動通信單元200的一個實施例，第一存儲器單元32 是閃存。
根據(jù)圖4的移動通信單元200的一個實施例，調(diào)制解調(diào)器單元30 包括至少第 一半導(dǎo)體管芯，該第 一半導(dǎo)體管芯包括功率管理單元和笫一 存儲器單元。根據(jù)其另一個實施例，第一存儲器單元可以是嵌入式閃存， 并且該功率管理單元和該嵌入式閃存被集成在第一半導(dǎo)體管芯上。根據(jù)
其另一個實施例，可以將基帶單元31制造在第二半導(dǎo)體管芯上，并且 第二半導(dǎo)體管芯可以與第 一半導(dǎo)體管芯一起封裝在一個封裝中。根據(jù)其
另一個實施例，調(diào)制解調(diào)器單元30還包括射頻(RF)收發(fā)機單元?？?以將射頻收發(fā)機單元制造在第三半導(dǎo)體管芯上，該第三半導(dǎo)體管芯封裝 在其自己的封裝中。還可以將射頻收發(fā)機單元和基帶單元一起制造在第 二半導(dǎo)體管芯上?？梢詫⒌诙雽?dǎo)體管芯封裝在其自己的封裝中，或者 該第二半導(dǎo)體管芯可以和第一半導(dǎo)體管芯1一起封裝在一個單個的封裝 中。將在下面結(jié)合圖6進一步詳細地解釋這些實施例。
參考圖5,示出了根據(jù)一個實施例的移動通信單元的示意性框圖。 移動通信單元300包括調(diào)制解調(diào)器單元50和包括存儲器單元61的應(yīng)用 單元60,調(diào)制解調(diào)器單元50和應(yīng)用單元60可以訪問所述存儲器單元 61。
調(diào)制解調(diào)器單元50和應(yīng)用單元60可以通過使用一個或幾個單向電 連接線來彼此電耦合，每一個單向電連接線分別用于在一個方向上傳送 信號和消息。原則上還有可能提供雙向電連接線，特別是提供一個單個 的雙向電連接線作為調(diào)制解調(diào)器單元5 0和應(yīng)用單元6 0之間的電連接。
根據(jù)圖5的移動通信單元300的一個實施例，調(diào)制解調(diào)器單元50 包括基帶單元，其中該基帶單元包括中央處理單元(CPU),其中將用 于操作中央處理單元的操作程序存儲在存儲器單元61中。根據(jù)圖5的移動通信單元300的實施例，調(diào)制解調(diào)器單元50包括 第一半導(dǎo)體管芯，該第一半導(dǎo)體管芯包括功率管理單元和嵌入式閃存。 根據(jù)其又一個實施例，將校準數(shù)據(jù)、網(wǎng)絡(luò)參數(shù)、安全數(shù)據(jù)和調(diào)試數(shù)據(jù)中 的一個或多個存儲在嵌入式閃存中。根據(jù)另一個實施例，調(diào)制解調(diào)器單 元50還包括基帶單元，該基帶單元還可以被設(shè)置或集成在半導(dǎo)體管芯 上。
參考圖6,示出了根據(jù)一個實施例的移動通信單元的示意性框圖。 移動通信單元400包括調(diào)制解調(diào)器單元或調(diào)制解調(diào)器子系統(tǒng)410和應(yīng)用 單元或應(yīng)用子系統(tǒng)420。調(diào)制解調(diào)器單元410和應(yīng)用單元420通過一個 或幾個單向電連接線彼此電耦合，每一個單向電連接線分別用于在一個 方向上傳送信號和消息。原則上還有可能提供雙向電連接線，特別是提 供一個單個的雙向電連接線作為調(diào)制解調(diào)器單元410和應(yīng)用單元420之 間的電連接。調(diào)制解調(diào)器單元410包括組合的功率管理和存儲單元411 。 該功率管理和存儲單元411包括第一半導(dǎo)體管芯，該第一平導(dǎo)體管芯包 括功率管理單元411.1和嵌入式閃存411.2。該調(diào)制解調(diào)器單元410還包 括基帶單元412,該基帶單元412通過如用參考標記413表示的一個或 幾個單向電連接線電耦合到功率管理和存儲單元411，其中每一個線分 別用于在一個方向上傳送信號和消息。原則上還有可能提供雙向電連接 線，特別是提供一個單個的雙向電連接線作為基帶單元412和功率管理 和存儲單元411之間的電連接?；鶐卧?12包括中央處理單元412.1。 調(diào)制解調(diào)器單元410還包括射頻收發(fā)機單元414,該射頻收發(fā)機單元414 通過如用參考標記415表示的一個或幾個單向電連接線電連接到基帶單 元412,其中每一個線分別用于在一個方向上傳送信號和消息。原則上 還有可能提供雙向電連接線，特別是提供一個單個的雙向電連接線作為 基帶單元412和RF傳送單元414之間的電連接。
應(yīng)用單元420包括應(yīng)用處理器421,其通過電連接430電連接到調(diào) 制解調(diào)器單元410的基帶單元412。應(yīng)用單元420還包括存儲器單元422, 其通過如用參考標記423表示的一個或幾個單向電連接線電連接到應(yīng)用 處理器421,其中每一個線分別用于在一個方向上傳送信號和消息。原 則上還有可能提供雙向電連接線，特別是提供一個單個的雙向電連接線 作為存儲器單元422和應(yīng)用處理器421之間的電連接。存儲器單元422 可以包括非易失性存儲器，例如像閃存(比如NAND閃存或NOR閃存)
ii或PCM(相變存儲器)，并且該存儲器單元422還可以包括易失性存儲 器，例如像SDRAM存儲器。在一個特定的實例中，存儲器單元422, 是非易失性存儲器，其存儲調(diào)制解調(diào)器單元410的基帶單元412的中央 處理單元412.1的操作程序。調(diào)制解調(diào)器單元410的組合的功率管理和 存儲單元411的嵌入式閃存411.2存儲通信網(wǎng)絡(luò)的射頻校準數(shù)據(jù)、網(wǎng)絡(luò) 參數(shù)、安全數(shù)據(jù)和調(diào)試數(shù)據(jù)中的一個或多個。應(yīng)用單元420還包括應(yīng)用 功率管理單元424。
在組合的功率管理和存儲單元411的一個實施例中，嵌入式閃存 411.2和功率管理單元411.1 一起集成在一個半導(dǎo)體管芯上，這如可能通 過例如將高電壓和高電流支持和數(shù)字(130nm)、低密度非易失性存儲 器特性相結(jié)合的130nm CMOS技術(shù)的工藝技術(shù)來完成。
圖6的移動通信單元400的一個優(yōu)點是，在基帶單元412的中央處 理單元412.1的啟動順序完成之后，調(diào)制解調(diào)器單元410從不需要訪問 應(yīng)用單元420的存儲器單元422的閃存單元("系統(tǒng)閃存(flash)，，)。 存儲器單元422的閃存單元包含基帶單元412的中央處理單元412.1的 操作程序，并且可以經(jīng)由運行在應(yīng)用處理器421的中央處理單元上的驅(qū) 動器軟件來訪問該閃存單元。因此，僅在開始時(即在啟動時段期間) 基帶單元412將經(jīng)由應(yīng)用處理器421訪問存儲器單元422的閃存單元， 以將如存儲在存儲器單元422中的閃存單元中的該基帶單元412的中央 處理單元412.1的操作程序復(fù)制到易失性存儲器(RAM),該易失性存 儲器被包括在調(diào)制解調(diào)器單元410中或被包括在存儲器單元422中。
圖6的移動通信單元400的另一個優(yōu)點是，可以將射頻校準數(shù)據(jù)本 地地存儲在功率管理和存儲單元411中，即存儲在包含在其中的嵌入式 閃存411.2中。這意味著在調(diào)制解調(diào)器單元410的生產(chǎn)期間，可以將射 頻校準數(shù)據(jù)存儲在調(diào)制解調(diào)器子系統(tǒng)上，以便可以不依賴于應(yīng)用單元 420的生產(chǎn)而生產(chǎn)調(diào)制解調(diào)器單元410。
根據(jù)一個實施例，圖6的移動通信單元400的一個有利的方面是， 在包含在調(diào)制解調(diào)器子系統(tǒng)410的功率管理和存儲單元411中的閃存 411.2和應(yīng)用子系統(tǒng)420的存儲器單元422 (尤其是包含在其中的閃存) 之間分配調(diào)制解調(diào)器單元410的代碼和非易失性數(shù)據(jù)(例如校準數(shù)據(jù)和 網(wǎng)絡(luò)參數(shù))。
根據(jù)在圖6中示出的一個實施例，調(diào)制解調(diào)器單元410包括2芯片(chip)調(diào)制解調(diào)器子系統(tǒng)，其中術(shù)語"芯片"具有半導(dǎo)體封裝的含義。
2芯片調(diào)制解調(diào)器子系統(tǒng)包括第一半導(dǎo)體封裝，其將基帶處理器412 和包含嵌入式閃存411.2的功率管理和存儲單元411結(jié)合起來；以及第 二半導(dǎo)體封裝，其包含射頻收發(fā)機單元414。在該實施例中，功率管理 和存儲單元411 、基帶處理器412和RF收發(fā)才幾單元414中的每一個都分 別制造在其自己的半導(dǎo)體管芯上。
根據(jù)圖6中示出的移動通信單元的一個實施例，調(diào)制解調(diào)器單元 410包括單芯片調(diào)制解調(diào)器子系統(tǒng)，該單芯片調(diào)制解調(diào)器子系統(tǒng)包括一 個單個的半導(dǎo)體封裝，該半導(dǎo)體封裝將基帶處理器412、射頻收發(fā)機414 以及包含有閃存411.2的功率管理和存儲單元411結(jié)合起來。根據(jù)其一 個實施例，基帶處理器412、射頻收發(fā)機414以及功率管理和存儲單元 411的每個都被制造在單獨的半導(dǎo)體管芯上。在另一個實施例中，將基 帶處理器412和射頻收發(fā)機414 一起集成在第一半導(dǎo)體管芯上，并且將 功率管理和存儲單元411和閃存411.2 —起集成在第二半導(dǎo)體管芯上。
根據(jù)圖6的移動通信單元的一個實施例，調(diào)制解調(diào)器單元410包括 3芯片調(diào)制解調(diào)器子系統(tǒng)，該3芯片調(diào)制解調(diào)器子系統(tǒng)包含第一半導(dǎo) 體封裝，其將基帶處理器412和包含有閃存單元411.2的功率管理和存 儲單元411結(jié)合起來；第二半導(dǎo)體封裝，其包括射頻收發(fā)機單元414; 以及第三半導(dǎo)體封裝，其為了以下目的而包括隨機存取存儲器(RAM)。 在基帶單元412的中央處理單元412.1的啟動時間期間，基帶單元412 經(jīng)由應(yīng)用處理器421通過將代碼復(fù)制出存儲器單元422來訪問應(yīng)用單元 420的存儲器單元422。然后可以將代碼復(fù)制到如設(shè)置在調(diào)制解調(diào)器單 元410的第三半導(dǎo)體封裝上的RAM存儲器，并且該代碼可以用于將操 作程序加載在CPU中。
參考圖7，示出了用于生產(chǎn)移動通信單元的方法的一個實施例的流 程圖。雖然在下面作為 一 系列動作或事件而說明并描述了該示例性方 法，但是將會認識到本發(fā)明不限于這些動作或事件的所說明的順序。例 如，除此處說明和/或描述的根據(jù)本發(fā)明的那些順序之外， 一些動作可以 以不同的順序發(fā)生和/或與其它動作或事件同時發(fā)生。此外，不一定需要 所有所說明的步驟來實施根據(jù)本發(fā)明的方法。該方面包括在s 1將校準數(shù) 據(jù)、網(wǎng)絡(luò)參數(shù)、安全數(shù)據(jù)和調(diào)試數(shù)據(jù)中的一個或多個存儲在第一存儲器 單元中。該方法還包括在s2制造調(diào)制解調(diào)器單元，其中該調(diào)制解調(diào)器單元包括第 一存儲器單元和基帶單元，并且其中該基帶單元包括中央處理
單元。該方法又包括在s3將用于操作中央處理單元的操作程序存儲在第
二存儲器單元中，并且制造應(yīng)用單元，其中該應(yīng)用單元包括第二存儲器單元。
根據(jù)圖7的方法的一個實施例，該方法還包括制造包括功率管理單 元和第一存儲器單元的半導(dǎo)體管芯。
根據(jù)圖7的方法的一個實施例，該方法還包括制造包括功率管理單 元、第一存儲器單元和基帶單元的半導(dǎo)體管芯。
應(yīng)該理解，上述描述打算是說明性的而不是限制性的。本申請打算 覆蓋本發(fā)明的任何變型。本發(fā)明的范圍包括可以使用上面的結(jié)構(gòu)和方法 的任何其它實施例和應(yīng)用。因此，本發(fā)明的范圍應(yīng)該參考所附權(quán)利要求 連同被給予這樣的權(quán)利要求的同等物的范圍來 一起確定。
需要強調(diào)的是，提供摘要以符合37CFR.部分1.72 (b)對摘要的需 要，這將使讀者很快地查明技術(shù)公開的本質(zhì)和要點。理解認為摘要不被 用于解釋或限制權(quán)利要求的含義的范圍。
權(quán)利要求
1.一種調(diào)制解調(diào)器單元，包括第一半導(dǎo)體管芯，其包括功率管理單元和嵌入式閃存。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)制解調(diào)器單元，還包括 耦合到所述功率管理單元的基帶單元。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的調(diào)制解調(diào)器單元，其中將所述基帶單元設(shè) 置在第二半導(dǎo)體管芯上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)制解調(diào)器單元，其中將校準數(shù)據(jù)、網(wǎng)絡(luò) 參數(shù)、安全數(shù)據(jù)和調(diào)試數(shù)據(jù)中的一個或多個存儲在所述嵌入式閃存中。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的調(diào)制解調(diào)器單元，還包括 耦合到所述基帶單元的射頻單元。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的調(diào)制解調(diào)器單元，其中將所述射頻單元 設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體管芯或第三半導(dǎo)體管芯上。
7. —種移動通信單元，包括調(diào)制解調(diào)器單元，其包括第一半導(dǎo)體管芯，該第一半導(dǎo)體管芯包括 功率管理單元和嵌入式閃存。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的移動通信單元，還包括 耦合到所述調(diào)制解調(diào)器單元的應(yīng)用單元。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的移動通信單元，其中所述調(diào)制解調(diào)器單元 包括基帶單元，所述基帶單元包括中央處理單元。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的移動通信單元，其中所述應(yīng)用單元包括 存儲器單元，所述存儲器單元包含操作程序，所述操作程序包括用于操 作所述中央處理單元的指令。
11. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的移動通信單元，其中將校準數(shù)據(jù)、網(wǎng)絡(luò) 參數(shù)、安全數(shù)據(jù)和調(diào)試數(shù)據(jù)中的一個或多個存儲在所述嵌入式閃存中。
12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的移動通信單元，其中將所述基帶單元設(shè) 置在第二半導(dǎo)體管芯上。
13. —種移動通信單元，包括調(diào)制解調(diào)器單元，其包括基帶單元，該基帶單元包括中央處理單 元和第一存儲器單元，該第一存儲器單元被配置成將校準數(shù)據(jù)、網(wǎng)絡(luò)參 數(shù)、安全數(shù)據(jù)和調(diào)試數(shù)據(jù)中的一個或多個存儲在該第一存儲器單元中； 以及應(yīng)用單元，其包括第二存儲器單元，該第二存儲器單元被配置成將 用于操作所述中央處理單元的操作程序存儲在該第二存儲器單元中。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的移動通信單元，其中所述第一存儲器單 元包4舌閃存。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的移動通信單元，其中所述調(diào)制解調(diào)器單 元存在于第一半導(dǎo)體管芯上，并且其中功率管理單元和所述第一存儲器 單元也存在于所述第一半導(dǎo)體管芯上。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的移動通信單元，其中將所述基帶單元設(shè) 置在第二半導(dǎo)體管芯上。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的移動通信單元，還包括 設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體管芯或第三半導(dǎo)體管芯上的射頻單元。
18. —種移動通信單元，包括 調(diào)制解調(diào)器單元；以及包括存儲器單元的應(yīng)用單元，其中所述調(diào)制解調(diào)器單元和所述應(yīng)用 單元能夠訪問所述存儲器單元。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的移動通信單元，其中所述調(diào)制解調(diào)器單 元包括基帶單元，其中所述基帶單元包括中央處理單元，其中操作程序 包括存儲在所述存儲器單元中的用于操作所述中央處理單元的指令。
20. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的移動通信單元，其中所述調(diào)制解調(diào)器單 元存在于第一半導(dǎo)體管芯上，并且其中功率管理單元和嵌入式閃存也存在于第一半導(dǎo)體管芯上。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的移動通信單元，其中將校準數(shù)據(jù)、網(wǎng)絡(luò) 參數(shù)、安全數(shù)據(jù)和調(diào)試數(shù)據(jù)中的 一個或多個存儲在所述嵌入式閃存中。
22. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的移動通信單元，其中所述調(diào)制解調(diào)器單 元還包括設(shè)置在第二半導(dǎo)體管芯上的基帶單元。
23. —種用于生產(chǎn)移動通信單元的方法，包括將校準數(shù)據(jù)、網(wǎng)絡(luò)參數(shù)、安全數(shù)據(jù)和調(diào)試數(shù)據(jù)中的一個或多個存儲 在第一存儲器單元中；制造調(diào)制解調(diào)器單元，其中所述調(diào)制解調(diào)器單元包括第一存儲器單 元和基帶單元，并且其中所述基帶單元包括中央處理單元；將用于操作所述中央處理單元的操作程序存儲在第二存儲器中；以及制造應(yīng)用單元，其中所述應(yīng)用單元包括所述第二存儲器單元。
24、 根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，還包括制造包括功率管理單元和所述第一存儲器單元的第一半導(dǎo)體管芯。
25、 根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，還包括 制造包括所述基帶單元的第二半導(dǎo)體管芯。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種調(diào)制解調(diào)器單元和移動通信單元。調(diào)制解調(diào)器單元包含第一半導(dǎo)體管芯，該第一半導(dǎo)體管芯包含功率管理單元和嵌入式閃存。一種移動通信單元包含存在于第一半導(dǎo)體管芯上的調(diào)制解調(diào)器單元。所述第一半導(dǎo)體管芯也包含功率管理單元和嵌入式閃存。
文檔編號H04W88/02GK101651999SQ20091016608
公開日2010年2月17日 申請日期2009年8月11日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月12日
發(fā)明者B·沃思 申請人:英飛凌科技股份有限公司