本發(fā)明是有關(guān)于一種對(duì)準(zhǔn)圖形及其配置方法，特別是有關(guān)于一種設(shè)置在晶圓的切割道上的對(duì)準(zhǔn)圖形及其配置方法。

背景技術(shù)：

一般而言，集成電路是以大批方式，經(jīng)半導(dǎo)體制造工藝，制作在大片的晶圓上，然后再分割成方型小片。每一方型小片就稱為晶粒。每一晶粒里具有許許多多電子元件，如電阻、電容、晶體管等。在進(jìn)行半導(dǎo)體制造工藝時(shí)，會(huì)在晶圓上疊加許多層面，如半導(dǎo)體層、絕緣層及金屬層。然而，當(dāng)層面之間發(fā)生對(duì)準(zhǔn)誤差(overlay shift)時(shí)，將會(huì)影響晶粒上的電子元件的效能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種對(duì)準(zhǔn)圖形及其配置方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的一項(xiàng)或多項(xiàng)缺失。

本發(fā)明提供一種對(duì)準(zhǔn)圖形，形成在一晶圓的一切割道上，并包括一第一圖案對(duì)、一第二圖案對(duì)、一第三圖案對(duì)以及一第四圖案對(duì)。第一圖案對(duì)形成在一第一半導(dǎo)體層中，并沿一第一方向延伸。第一圖案對(duì)的兩圖案之間具有一第一對(duì)稱線。第二圖案對(duì)形成在一第二半導(dǎo)體層中，并沿一第二方向延伸。第二圖案對(duì)的兩圖案之間具有一第二對(duì)稱線。第二半導(dǎo)體層重疊第一半導(dǎo)體層。第二方向垂直第一方向。第三圖案對(duì)形成在一第三半導(dǎo)體層中，并沿第一方向延伸。第三圖案對(duì)的兩圖案之間具有一第三對(duì)稱線。第三半導(dǎo)體層重疊第二半導(dǎo)體層。第四圖案對(duì)形成在第三半導(dǎo)體層中，并沿第二方向延伸。第四圖案對(duì)的兩圖案之間具有一第四對(duì)稱線。第三對(duì)稱線重疊第一對(duì)稱線。第四對(duì)稱線重疊第二對(duì)稱線。

本發(fā)明另提供一種配置方法，用以在一晶圓的一切割道上配置一對(duì)準(zhǔn)圖形，并包括，在一第一半導(dǎo)體層上形成一第一圖案對(duì)，該第一圖案對(duì)沿一第一方向延伸，并且該第一圖案對(duì)的兩圖案之間具有一第一對(duì)稱線；在一第二半導(dǎo)體層形成一第二圖案 對(duì)，該第二圖案對(duì)沿一第二方向延伸，并且該第二圖案對(duì)的兩圖案之間具有一第二對(duì)稱線，該第二半導(dǎo)體層重疊該第一半導(dǎo)體層，并且該第二方向垂直該第一方向；在一第三半導(dǎo)體層上形成一第三圖案對(duì)以及一第四圖案對(duì)，該第三圖案對(duì)沿該第一方向延伸，并且該第三圖案對(duì)的兩圖案之間具有一第三對(duì)稱線，該第四圖案對(duì)沿該第二方向延伸，并且該第四圖案對(duì)的兩圖案之間具有一第四對(duì)稱線，該第三半導(dǎo)體層重疊該第二半導(dǎo)體層；以及令該第三對(duì)稱線重疊該第一對(duì)稱線，并且令該第四對(duì)稱線重疊該第二對(duì)稱線。

本發(fā)明另提供一種對(duì)準(zhǔn)圖形，形成在一晶圓的一切割道上，并包括至少一第一圖案、至少一第二圖案、至少一第三圖案以及至少一第四圖案。第一圖案形成在一第一半導(dǎo)體層中，并沿一第一方向延伸。第二圖案形成在一第二半導(dǎo)體層中，并沿一第二方向延伸。第二半導(dǎo)體層重疊第一半導(dǎo)體層。第二方向垂直第一方向。第三圖案形成在一第三半導(dǎo)體層中，并沿第一方向延伸。第三半導(dǎo)體層重疊第二半導(dǎo)體層。第四圖案形成在第三半導(dǎo)體層中，并沿第二方向延伸。對(duì)于沿第二方向延伸的一第一虛擬線而言，第三圖案的位置與第一圖案在該第三半導(dǎo)體層的映射位置相對(duì)稱。對(duì)于沿第一方向延伸的一第二虛擬線而言，第四圖案的位置與第二圖案在第三半導(dǎo)體層的映射位置相對(duì)稱。

本發(fā)明另提供一種配置方法，用以在一晶圓的一切割道上配置一對(duì)準(zhǔn)圖形，包括以下步驟：在一第一半導(dǎo)體層上形成至少一第一圖案，該第一圖案沿一第一方向延伸；在一第二半導(dǎo)體層形成至少一第二圖案，該第二圖案沿一第二方向延伸，該第二半導(dǎo)體層重疊該第一半導(dǎo)體層，并且該第二方向垂直該第一方向；在一第三半導(dǎo)體層上形成至少一第三圖案以及至少一第四圖案，該第三圖案沿該第一方向延伸，該第四圖案沿該第二方向延伸，該第三半導(dǎo)體層重疊該第二半導(dǎo)體層；以及令該第三圖案的位置對(duì)于沿著該第二方向延伸的一第一虛擬線而言是對(duì)稱該第一圖案在該第三半導(dǎo)體層的映射位置，并且令該第四圖案的位置對(duì)于沿著該第一方向延伸的一第二虛擬線而言是對(duì)稱該第二圖案在該第三半導(dǎo)體層的映射位置。

本發(fā)明通過(guò)在切割道上形成一對(duì)準(zhǔn)圖形，測(cè)量對(duì)準(zhǔn)圖形，便可得知是否發(fā)生對(duì)準(zhǔn)誤差，并在發(fā)生對(duì)準(zhǔn)誤差時(shí)，回補(bǔ)偏移量。本發(fā)明通過(guò)在一晶圓的一切割道上配置一對(duì)準(zhǔn)圖形，根據(jù)對(duì)準(zhǔn)圖形測(cè)量半導(dǎo)體層之間的偏移量，再藉由測(cè)量到的偏移量重新形成對(duì)準(zhǔn)圖形，可以確保晶粒上的電子元件的效能。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的一晶圓示意圖。

圖2A為本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)圖形的示意圖。

圖2B為本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)圖形的俯視圖示意圖。

圖2C～2E為本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)圖形的其它實(shí)施例的示意圖。

圖3A～3C為本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)圖形的另一可能實(shí)施例的示意圖。

圖3D為本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)圖形300的俯視圖示意圖。

圖4為本發(fā)明的其它對(duì)準(zhǔn)圖形的示意圖。

圖5及圖6為本發(fā)明的圖形的配置方式的可能示意圖。

符號(hào)說(shuō)明：

100：晶圓；

HS：水平切割道；

VS：垂直切割道；

110：晶粒；

200、300、410、420、430：對(duì)準(zhǔn)圖形；

210、220、230、310、320、330：半導(dǎo)體層；

PP₁～PP₄：圖案對(duì)；

211、212、221、222、231～234、311～318、321～328、331～338、341～348：圖案；

214、224、235、236：對(duì)稱線；

351～354：虛擬線；

D1～D8：距離；

Dy：第一方向；

Dx：第二方向；

D_Z：第三方向；

L11～L18、L21～L28：映射位置；

S510、S520、S530、S540～S544、S550、S610、S620、S630、S640～S644、S650：步驟。

具體實(shí)施方式

為讓本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉出較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下。

圖1為本發(fā)明的一晶圓示意圖。如圖所示，晶圓100具有多個(gè)水平切割道(scribe line)HS、多個(gè)垂直切割道VS以及多個(gè)晶粒(die)110。當(dāng)沿著水平切割道HS與垂直切割道VS切割晶圓100，再利用機(jī)械裂片的方式處理晶圓100，便可將多個(gè)晶粒110分開(kāi)。

晶粒110上的元件通常是由多個(gè)半導(dǎo)體層疊加而成。在疊加半導(dǎo)體層時(shí)，若發(fā)生對(duì)準(zhǔn)誤差時(shí)，將影響元件的效能。為了避免發(fā)生對(duì)準(zhǔn)誤差，本發(fā)明在切割道HS或VS上形成一對(duì)準(zhǔn)圖形。藉由測(cè)量對(duì)準(zhǔn)圖形，便可得知是否發(fā)生對(duì)準(zhǔn)誤差，并在發(fā)生對(duì)準(zhǔn)誤差時(shí)，回補(bǔ)偏移量。

圖2A為本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)圖形的示意圖。如圖所示，本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)圖形200是由半導(dǎo)體層210、220與230上的圖案所構(gòu)成。在本實(shí)施例中，對(duì)準(zhǔn)圖形200具有圖案對(duì)PP₁～PP₄。

圖案對(duì)PP₁形成在半導(dǎo)體層210中，并沿一第一方向Dy延伸。圖案對(duì)PP₁具有圖案211與212。圖案211與212平行排列。圖案211與212之間具有一對(duì)稱線214。對(duì)稱線214平行圖案211與212。在本實(shí)施例中，對(duì)稱線214上的任一點(diǎn)到圖案211之間的距離D1等于對(duì)稱線214上的任一點(diǎn)到圖案212之間的距離D2。

圖案對(duì)PP₂形成在半導(dǎo)體層220中，并沿一第二方向Dx延伸。如圖所示，半導(dǎo)體層220是沿第三方向D_Z重疊半導(dǎo)體層210。在本實(shí)施例中，第一方向Dy、第二方向Dx以及第三方向D_Z彼此垂直。半導(dǎo)體層220上的圖案對(duì)PP₂具有圖案221與222。圖案221與222平行排列。圖案221與222之間具有一對(duì)稱線224。對(duì)稱線224平行圖案221與222。在本實(shí)施例中，對(duì)稱線224上的任一點(diǎn)到圖案221之間的距離D3等于對(duì)稱線224上的任一點(diǎn)到圖案222之間的距離D4。

半導(dǎo)體層230沿第三方向Dz形成在半導(dǎo)體層220之上，并具有圖案對(duì)PP₃與PP₄。圖案對(duì)PP₃沿第一方向Dy延伸并具有圖案231與232。圖案231與232平行排列。圖案231與232之間具有一對(duì)稱線235。對(duì)稱線235平行圖案231與232。在本實(shí)施例中，對(duì)稱線235上的任一點(diǎn)到圖案231之間的距離D5等于對(duì)稱線235上的任一點(diǎn)到圖案232之間的距離D6。圖案對(duì)PP₄沿第二方向Dx延伸并具有圖案233與234。圖案233與234平行排列。圖案233與234之間具有一對(duì)稱線236。對(duì)稱線236平行圖案233與234。在本實(shí)施例中，對(duì)稱線236上的任一點(diǎn)到圖案233之間的距離D7等于對(duì)稱線236上的任一點(diǎn)到圖案234 之間的距離D8。

在本實(shí)施例中，當(dāng)半導(dǎo)體層210、220與230疊加在一起時(shí)，半導(dǎo)體層230的對(duì)稱線235是重疊半導(dǎo)體層210的對(duì)稱線214，并且半導(dǎo)體層230的對(duì)稱線236是重疊半導(dǎo)體層220的對(duì)稱線224。然而，在疊加的過(guò)程中，若發(fā)生對(duì)準(zhǔn)誤差，將影響元件的效能。因此，在本實(shí)施例中，當(dāng)半導(dǎo)體層210、220與230疊加在一起時(shí)，一組裝機(jī)臺(tái)將測(cè)量半導(dǎo)體層230的對(duì)稱線235與半導(dǎo)體層210的對(duì)稱線214之間的差異，用以得到一第一偏移量，以及測(cè)量半導(dǎo)體層230的對(duì)稱線236與半導(dǎo)體層220的對(duì)稱線224之間的差異，用以得到一第二偏移量。

當(dāng)?shù)谝换虻诙屏坎辉谝?guī)格內(nèi)時(shí)(如不符合一預(yù)設(shè)值)，表示發(fā)生對(duì)準(zhǔn)誤差。因此，組裝機(jī)臺(tái)將清除半導(dǎo)體層230上的圖案對(duì)PP₃與PP₄，并重新在半導(dǎo)體層230上形成新的圖案對(duì)PP₃與PP₄。在此例中，組裝機(jī)臺(tái)根據(jù)第一偏移量形成新的圖案對(duì)PP₃，用以使新的圖案對(duì)PP₃的對(duì)稱線235重疊半導(dǎo)體層210的對(duì)稱線214。另外，組裝機(jī)臺(tái)也根據(jù)第二偏移量形成新的圖案對(duì)PP₄，用以使新的圖案對(duì)PP₄的對(duì)稱線236重疊半導(dǎo)體層220的對(duì)稱線224。

在形成新的圖案對(duì)PP₃與PP₄后，組裝機(jī)臺(tái)再次測(cè)量新的對(duì)稱線235與對(duì)稱線214之間的差異，以及新的對(duì)稱線236與對(duì)稱線224之間差異，用以得到新的第一及第二偏移量。當(dāng)新的第一或第二偏移量仍不在規(guī)格內(nèi)時(shí)時(shí)，表示仍具有對(duì)準(zhǔn)誤差，故組裝機(jī)臺(tái)再次清除并形成半導(dǎo)體層230上的圖案對(duì)PP₃與PP₄，直到第一及第二偏移量均在規(guī)格內(nèi)。

圖2B為本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)圖形200的俯視圖示意圖。如圖所示，圖案對(duì)PP₁未重疊圖案對(duì)PP₂。圖案對(duì)PP₃與PP₄形成一矩形圖案。圖案對(duì)PP₁與PP₂形成在矩形圖案之外，但并非用以限制本發(fā)明。圖2C～2E為本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)圖形的其它實(shí)施例的示意圖。在圖2C中，圖案對(duì)PP₁重疊圖案對(duì)PP₂。如圖所示，圖案對(duì)PP₁與PP₂構(gòu)成一封閉區(qū)域，而圖案對(duì)PP₃與PP₄形成在封閉區(qū)域中。在圖2D中，圖案對(duì)PP₁與PP₂形成在矩形圖案之中。在圖2E中，圖案對(duì)PP₁與PP₂形成在矩形圖案之中，并且圖案對(duì)PP₁重疊圖案對(duì)PP₂。在此例中，圖案對(duì)PP₁與PP₂構(gòu)成另一矩形圖案。在其它實(shí)施例中，圖案對(duì)PP₃與PP₄可能不構(gòu)成封閉式的圖形，而以類(lèi)似圖案對(duì)PP₁與PP₂的方式排列。

圖3A～3C為本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)圖形的另一可能實(shí)施例的示意圖。在本實(shí)施例中，對(duì)準(zhǔn)圖形是由圖3A中的圖案311～318、圖3B中的圖案321～328以及圖3C中的圖案331～338 以及341～348所構(gòu)成。在一可能實(shí)施例中，將圖3A～3C的半導(dǎo)體層310、320及330疊加在一起，便可形成對(duì)準(zhǔn)圖形，如圖3D所示。

在圖3A中，圖案311～318形成在半導(dǎo)體層310中。圖案311～314平行排列在半導(dǎo)體層310的左下方，并往第一方向Dy延伸。圖案315～318平行排列在半導(dǎo)體層310的右上方，并也往第一方向Dy延伸。在其它實(shí)施例中，半導(dǎo)體層310可能具有一或多個(gè)圖案。

請(qǐng)參考圖3B，圖案321～328形成在半導(dǎo)體層320上。圖案321～324彼此平行排列在半導(dǎo)體層320的左上方，并往第二方向Dx延伸。圖案325～328彼此平行排列在半導(dǎo)體層320的右下方，并往第二方向Dx延伸。在其它實(shí)施例中，半導(dǎo)體層320僅具有單一圖案或是其它數(shù)量的圖案。

如圖3C所示，圖案331～338以及圖案341～348形成在半導(dǎo)體層330中。如圖所示，圖案331～338彼此平行排列，并往第一方向Dy延伸；圖案341～348彼此平行排列，并往第二方向Dx延伸。在本實(shí)施例中，對(duì)于沿第二方向D_X延伸的一虛擬線351而言，圖案331～334的位置分別與圖案311～314在半導(dǎo)體層330的映射位置L11～L14相對(duì)稱。舉例而言，圖案331的位置與圖案311在半導(dǎo)體層330的映射位置L11相對(duì)稱。

另外，對(duì)于沿第二方向D_X延伸的虛擬線352而言，圖案335～338的位置分別與圖案315～318在半導(dǎo)體層330的映射位置L15～L18相對(duì)稱。同樣地，對(duì)于沿第一方向Dy延伸的虛擬線353而言，圖案341～344的位置分別與圖案321～324在半導(dǎo)體層330的映射位置L21～L24相對(duì)稱。對(duì)于沿第一方向Dy延伸的虛擬線354而言，圖案345～348的位置分別與圖案325～328在半導(dǎo)體層330的映射位置L25～L28相對(duì)稱。

圖3D為本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)圖形300的俯視圖。在本實(shí)施例中，圖案331～334的位置與圖案311～314的映射位置(如圖3A中的L11～L14)之間不具有空隙。在其它實(shí)施例中，圖案331～334的位置可能部分重疊圖案311～314的映射位置，或是與圖案311～314的映射位置之間具有空隙。

另外，圖案335～338的位置與圖案315～318的映射位置(如圖3A中的L15～L18)之間具有空隙。在其它實(shí)施例中，圖案335～338的位置與圖案315～318的映射位置之間不具有空隙。在圖3B中，圖案341～348的位置與圖案321～328的映射位置之間也具有空隙。在其它實(shí)施例中，圖案341～348的位置與圖案321～328的映射位置之間不具有空隙。

另外，本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)圖形200或300是設(shè)置在晶圓的切割道上。在一可能實(shí)施例中，切割道上除了具有對(duì)準(zhǔn)圖形200及/或300外，亦具有許多其它的對(duì)準(zhǔn)圖形。圖4為本發(fā) 明的其它對(duì)準(zhǔn)圖形的示意圖。如圖所示，對(duì)準(zhǔn)圖形410相似于圖2A所示的對(duì)準(zhǔn)圖形200，其是由三半導(dǎo)體層疊加而成。對(duì)準(zhǔn)圖形420是形成在一半導(dǎo)體層(如一第一半導(dǎo)體層)上，其為一矩形圖案。對(duì)準(zhǔn)圖形430也是形成在一半導(dǎo)體上(如一第二半導(dǎo)體層)，其為一矩形圖案。在一可能實(shí)施例中，若欲回補(bǔ)第一及第二半導(dǎo)體層之間的偏移量，可將對(duì)準(zhǔn)圖形430疊加在對(duì)準(zhǔn)圖形420上。藉由量測(cè)對(duì)準(zhǔn)圖形420與430之間的差異，便可得知第一及第二半導(dǎo)體層之間的偏移量。本發(fā)明并不限定對(duì)準(zhǔn)圖形420與430的形狀。在其它實(shí)施例中，對(duì)準(zhǔn)圖形420或430可能相似圖2A的圖案對(duì)PP₁或PP₂或是圖3A中的圖案311～318或是321～328。在一可能實(shí)施例中，對(duì)準(zhǔn)圖形410、420、430均被設(shè)置在相同或不同的切割道上，用以對(duì)不同半導(dǎo)體層的偏移量進(jìn)行回補(bǔ)。

圖5為本發(fā)明的圖案配置方法示意圖。本發(fā)明的配置方法不僅在一晶圓的一切割道上配置一對(duì)準(zhǔn)圖形，還根據(jù)對(duì)準(zhǔn)圖形測(cè)量半導(dǎo)體層之間的偏移量，再藉由測(cè)量到的偏移量重新形成對(duì)準(zhǔn)圖形，用以確保晶粒上的電子元件的效能。

首先，形成一第一圖案對(duì)在一第一半導(dǎo)體層上(步驟S510)。在本實(shí)施例中，第一圖案對(duì)具有兩圖案，其平行排列，并沿一第一方向(如Y方向)延伸。第一圖案對(duì)的兩圖案之間具有一第一對(duì)稱線。第一對(duì)稱線上的任一點(diǎn)到第一圖案對(duì)的第一圖案之間的距離等于第一對(duì)稱線上的任一點(diǎn)到第一圖案對(duì)的第二圖案之間的距離。本發(fā)明并不限定第一圖案對(duì)的兩圖案的形狀。在一可能實(shí)施例中，第一圖案對(duì)的兩圖案形狀可能相似圖2A的圖案211及212。

接著，形成一第二圖案對(duì)在一第二半導(dǎo)體層上(步驟S520)。在一可能實(shí)施例中，第二半導(dǎo)體層是疊加在第一半導(dǎo)體層上。在本實(shí)施例中，第二圖案對(duì)具有兩圖案，其亦平行排列，并沿一第二方向(如X方向)延伸。第二方向是垂直第一方向。第二圖案對(duì)的兩圖案之間具有一第二對(duì)稱線。第二對(duì)稱線上的任一點(diǎn)到第二圖案對(duì)的第一圖案之間的距離等于第二對(duì)稱線上的任一點(diǎn)到第二圖案對(duì)的第二圖案之間的距離。本發(fā)明并不限定第二圖案對(duì)的兩圖案的形狀。在一可能實(shí)施例中，第二圖案對(duì)的兩圖案形狀可能相似圖2A的圖案221及222。

然后，形成一第三圖案對(duì)及一第四圖案對(duì)在一第三半導(dǎo)體層上(步驟S530)。在一可能實(shí)施例中，第三半導(dǎo)體層是疊加在第二半導(dǎo)體層上。在本實(shí)施例中，第三圖案對(duì)及第四圖案對(duì)均具有兩圖案。第三圖案對(duì)的兩圖案彼此平行排列，并往第一方向延伸。第三圖案對(duì)的兩圖案之間具有一第三對(duì)稱線。第三對(duì)稱線上的任一點(diǎn)到第三圖案對(duì)的 第一圖案之間的距離等于第三對(duì)稱線上的任一點(diǎn)到第三圖案對(duì)的第二圖案之間的距離。本發(fā)明并不限定第三圖案對(duì)的兩圖案的形狀。在一可能實(shí)施例中，第三圖案對(duì)的兩圖案形狀可能相似圖2A的圖案231及232。

同樣地，第四圖案對(duì)的兩圖案彼此平行排列，并往第二方向延伸。第四圖案對(duì)的兩圖案之間具有一第四對(duì)稱線。第四對(duì)稱線上的任一點(diǎn)到第四圖案對(duì)的第一圖案之間的距離等于第四對(duì)稱線上的任一點(diǎn)到第四圖案對(duì)的第二圖案之間的距離。本發(fā)明并不限定第四圖案對(duì)的兩圖案的形狀。在一可能實(shí)施例中，第四圖案對(duì)的兩圖案形狀可能相似圖2A的圖案233及234。

令第三對(duì)稱線重疊第一對(duì)稱線以及令第四對(duì)稱線重疊第二對(duì)稱線(步驟S540)。在本實(shí)施例中，步驟S540包括步驟S541～S544。在步驟S541中，測(cè)量第三對(duì)稱線與第一對(duì)稱線之間的差異，用以產(chǎn)生一第一偏移量。接著，在步驟S542中，測(cè)量第四對(duì)稱線與第二對(duì)稱線之間的差異，用以產(chǎn)生一第二偏移量。在得到第一偏移量及第二偏移量后，判斷第一偏移量及第二偏移量是否均在規(guī)格內(nèi)(步驟S543)。若是，表示第一圖案對(duì)、第二圖案對(duì)、第三圖案對(duì)及第四圖案對(duì)之間不具有偏移，故可結(jié)束配置(步驟S550)。

然而，當(dāng)?shù)谝黄屏炕虻诙屏坎辉谝?guī)格內(nèi)時(shí)時(shí)，清除第三半導(dǎo)體層上的第三圖案對(duì)及第四圖案對(duì)，并根據(jù)第一偏移量及第二偏移量在第三半導(dǎo)體層上重新形成第三圖案對(duì)及第四圖案對(duì)(步驟S544)，再重新測(cè)量第三對(duì)稱線與第一對(duì)稱線之間的差異以及第四對(duì)稱線與第二對(duì)稱線之間的差異，直到第一及第二偏移量均在規(guī)格內(nèi)。

圖6為本發(fā)明的圖形的配置方式的另一可能示意圖。首先，在一第一半導(dǎo)體層上形成至少一第一圖案(步驟S610)。在本實(shí)施例中，第一圖案往一第一方向(如Y方向)延伸。本發(fā)明并不限定第一圖案的形狀。在一可能實(shí)施例中，第一圖案的形狀可能相似圖3A的圖案311。在其它實(shí)施例中，步驟S610在第一半導(dǎo)體層上形成多個(gè)第一圖案(如圖3A的圖案311～318所示)。

在一第二半導(dǎo)體層上形成至少一第二圖案(步驟S620)。在本實(shí)施例中，第二圖案往一第二方向(如Y方向)延伸。第二方向垂直第一方向。本發(fā)明并不限定第二圖案的形狀。在一可能實(shí)施例中，第二圖案的形狀可能相似圖3A的圖案321。在其它實(shí)施例中，步驟S620在第二半導(dǎo)體層上形成多個(gè)第二圖案(如圖3A的圖案321～328所示)。在本實(shí)施例中，第二半導(dǎo)體層重疊第一半導(dǎo)體層。

在一第三半導(dǎo)體層上形成至少一第三圖案以及至少一第四圖案(步驟S630)。在本實(shí)施例中，第三圖案往第一方向延伸。第四圖案往第二方向延伸。本發(fā)明并不限定第三及第四圖案的形狀。在一可能實(shí)施例中，第三及第四圖案的形狀可能分別相似于圖3A的圖案331與341。在其它實(shí)施例中，步驟S630在第三半導(dǎo)體層上形成多個(gè)第三圖案以及多個(gè)第四圖案(如圖3A的圖案331～338以及341～348所示)。在本實(shí)施例中，第三半導(dǎo)體層重疊第二半導(dǎo)體層。

令第三圖案的位置對(duì)于沿著第二方向延伸的一第一虛擬線而言是對(duì)稱第一圖案在第三半導(dǎo)體層的映射位置，并且令第四圖案的位置對(duì)于沿著第一方向延伸的一第二虛擬線而言是對(duì)稱第二圖案在第三半導(dǎo)體層的映射位置(步驟S640)。舉例而言，請(qǐng)參考圖3A，步驟S640是令第三圖案(如331)的位置對(duì)于沿著第二方向(如Dx)延伸的一第一虛擬線(如351)而言是對(duì)稱于第一圖案(如311)在第三半導(dǎo)體層(如330)的映射位置(L11)，以及令第四圖案(如341)的位置對(duì)于沿著第一方向(如Dy)延伸的一第二虛擬線(如353)而言是對(duì)稱于第二圖案(如341)在第三半導(dǎo)體層(如330)的映射位置(L21)。

在本實(shí)施例中，步驟S640包括步驟S641～S644。在步驟S641中，測(cè)量第三圖案與第一圖案在第三半導(dǎo)體層的映射位置之間的差異，用以產(chǎn)生一第一偏移量。接著，在步驟S642中，測(cè)量第四圖案與第二圖案在第三半導(dǎo)體層的映射位置之間的差異，用以產(chǎn)生一第二偏移量。在得到第一及第二偏移量后，判斷第一及第二偏移量是否均在規(guī)格內(nèi)(步驟S643)。若是，表示第一圖案、第二圖案、第三圖案及第四圖案之間不具有偏移，故可結(jié)束配置(步驟S650)。

然而，當(dāng)?shù)谝黄屏炕虻诙屏坎辉谝?guī)格內(nèi)時(shí)時(shí)，清除第三半導(dǎo)體層上的第三圖案及第四圖案，并根據(jù)第一偏移量及第二偏移量在第三半導(dǎo)體層上重新形成第三圖案及第四圖案(步驟S644)，再重新測(cè)量測(cè)量第三圖案與第一圖案在第三半導(dǎo)體層的映射位置之間的差異以及測(cè)量第四圖案與第二圖案在第三半導(dǎo)體層的映射位置之間的差異，直到第一及第二偏移量均在規(guī)格內(nèi)。

藉由測(cè)量第三半導(dǎo)體層的圖案與第一及第二半導(dǎo)體層的圖案之間的差異，便可得知第三半導(dǎo)體層與第一及第二半導(dǎo)體層之間的相對(duì)應(yīng)偏移量。通過(guò)得知的偏移量，重新形成第三半導(dǎo)體層上的圖案，便可回補(bǔ)第三半導(dǎo)體層與第一及第二半導(dǎo)體層之間的偏移量。

本發(fā)明并不限定第一、第二及第三半導(dǎo)體層之間的關(guān)系。在一可能實(shí)施例中，第 一至第三半導(dǎo)體層是連續(xù)配置。在另一可能實(shí)施例中，第一至第三半導(dǎo)體層并非連續(xù)配置。換句話說(shuō)，第一與第二半導(dǎo)體層之間可能具有其它的層面，如絕緣層或?qū)w層。同樣地，第二與第三半導(dǎo)體層之間也可能具有其它的層面。

除非另作定義，在此所有詞匯(包含技術(shù)與科學(xué)詞匯)均屬本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員的一般理解。此外，除非明白表示，詞匯于一般字典中的定義應(yīng)解釋為與其相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的文章中意義一致，而不應(yīng)解釋為理想狀態(tài)或過(guò)分正式的語(yǔ)態(tài)。

雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。