專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光器件，更具體地，涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
在平板顯示器件中，有機(jī)電致發(fā)光器件(ELD)是一種具有高對比度和寬視角的自發(fā)射型顯示器件。與其它顯示器件相比，因為有機(jī)ELD不需要背光裝置，所以可以制造得輕且薄。比起其它類型的平板顯示器件，有機(jī)電致發(fā)光器件消耗的電力也較少。此外，有機(jī)ELD可以用低DC電壓來驅(qū)動，并且響應(yīng)速度很快。由于有機(jī)ELD的所有組件都是由固體材料制成的，因此能夠經(jīng)受碰撞。有機(jī)ELD可以在寬的溫度范圍內(nèi)工作，并且能夠以低成本制造。
和制造LCD或者PDP不同，有機(jī)ELD的制造只需利用沉積技術(shù)和封裝技術(shù)。因而，制造有機(jī)ELD的過程和設(shè)備都非常簡單。
無源矩陣型有機(jī)ELD已經(jīng)得到廣泛使用，它不具備驅(qū)動該有機(jī)ELD的開關(guān)元件。對于無源矩陣型而言，柵線(掃描線)和數(shù)據(jù)線(信號線)交叉限定子像素矩陣。依次驅(qū)動?xùn)啪€從而驅(qū)動每個子像素。為了表現(xiàn)出所需的平均亮度，必須對顯示器的每個子像素依次發(fā)射更高能級的瞬時發(fā)光，以產(chǎn)生整體的平均亮度。
對于有源矩陣型而言，在各個子像素內(nèi)設(shè)置了作為開關(guān)元件的薄膜晶體管。第一電極與該薄膜晶體管相連，其由子像素單元導(dǎo)通/斷開。第二電極作為公共電極，并與第一電極相對。
存儲電容Cst利用施加給子像素的電壓充電，以此該電壓可以一直施加到下一幀信號施加，這樣在一幀內(nèi)可以不考慮柵線的數(shù)目而對有機(jī)ELD連續(xù)驅(qū)動。因此，對于有源矩陣型而言，即使施加了低電流，也能夠獲得均勻的亮度。這樣，有機(jī)ELD獲得了低能耗，高清晰度和大尺寸屏幕的優(yōu)點。下面將參照附圖來描述這種有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光器件。
圖1示出了用于說明現(xiàn)有技術(shù)中有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光器件的基本子像素結(jié)構(gòu)的電路圖。如圖1所示，沿第一方向形成柵線(GL)2。此外，沿與第一方向交叉的第二方向形成數(shù)據(jù)線(DL)3和電源線VDD4，從而確定子像素區(qū)。在鄰近柵線2和數(shù)據(jù)線3的交叉處形成開關(guān)TFT5。開關(guān)TFT5和電源線4上連接有存儲電容CST6。把與電源元件相連的驅(qū)動TFT7連接到存儲電容CST6和電源線4上。
把有機(jī)電致發(fā)光二極管8連接到驅(qū)動TFT7上。當(dāng)沿正向給有機(jī)發(fā)光材料施加電流時，電子和空穴就會遷移穿過作為空穴施主的陽極和作為電子施主的陰極兩者之間的P-N結(jié)發(fā)生復(fù)合。有機(jī)電致發(fā)光二極管8的能量比電子與空穴分離時所具有的能量要低。這個能量差產(chǎn)生光發(fā)射。根據(jù)從有機(jī)電致發(fā)光二極管光發(fā)射的方向不同，有機(jī)電致發(fā)光器件可分為頂部發(fā)光型和底部發(fā)光型。
圖2是現(xiàn)有技術(shù)中底部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光器件的截面圖。如圖2所示，有機(jī)電致發(fā)光器件10包括透明的第一基板12，形成于第一基板12上的TFT陣列14，形成于TFT陣列14上的第一電極16，第一電極16上的有機(jī)發(fā)光層18以及形成于有機(jī)發(fā)光層18上的第二電極20。有機(jī)發(fā)光層18再現(xiàn)紅色R，綠色G和藍(lán)色B。例如，可以將發(fā)射R色，G色和B色光的有機(jī)材料在每個子像素P內(nèi)組成圖案。
使用吸收性材料22除去可以損壞有機(jī)電致發(fā)光器件的濕氣和氧。將基板28的一部分腐蝕，然后將吸收性材料22填充到該腐蝕部分內(nèi)并用膠帶固定。再用密封劑26將第一基板12粘接到第二基板28，這樣就把有機(jī)電致發(fā)光器件封裝起來。
圖3示出圖2所示的現(xiàn)有技術(shù)中的有機(jī)電致發(fā)光器件中所包括的TFT陣列的子像素。對于有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光器件而言，基板上所形成的TFT陣列中的每個子像素設(shè)有開關(guān)元件TS，驅(qū)動元件TD和存儲電容CST。根據(jù)所需的工作特性不同，可以使開關(guān)或者驅(qū)動晶體管由多個TFT組合形成?；逵赏该鹘^緣材料例如玻璃或者塑料制成。
如圖3所示，柵線32和數(shù)據(jù)線34交叉地形成。在柵線32和數(shù)據(jù)線34之間形成絕緣層。此外，沿平行于數(shù)據(jù)線34的方向形成電源線35。
開關(guān)TFT TS包括柵極36，有源層40，源極46和漏極50。驅(qū)動TFT TD包括柵極38，有源層42，源極48和漏極52。開關(guān)TFT TS的柵極36與柵線32相連，源極46與數(shù)據(jù)線34相連。漏極50通過接觸孔54與驅(qū)動TFT TD的柵極38相連。驅(qū)動TFT TD的源極48通過接觸孔56與電源線35相連。此外，漏極52與像素P上所形成的第一電極16相連。
在現(xiàn)有技術(shù)的底部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光器件中，其上形成有陣列元件和有機(jī)電致發(fā)光二極管的第一基板12與用于封裝的單獨的第二基板28相粘合。在這種情況下，有機(jī)電致發(fā)光器件的產(chǎn)率由陣列元件的產(chǎn)率與有機(jī)電致發(fā)光二極管的產(chǎn)率之積確定。因此，在現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)電致發(fā)光器件中，整個工藝的產(chǎn)率極大地受到后一工藝也即形成有機(jī)電致發(fā)光二極管工藝的限制。例如，即使完美地形成陣列元件，但如果在采用約1000厚的薄膜形成有機(jī)電致發(fā)光層時由于外界物質(zhì)或者其它因素而引起缺陷，那么整個有機(jī)電致發(fā)光器件就會產(chǎn)生缺陷。
有機(jī)電致發(fā)光層的缺陷導(dǎo)致在制造無缺陷的陣列元件時所花費的每筆費用和材料成本的浪費。底部發(fā)光型由于封裝的緣故具有高穩(wěn)定性和高自由度，但是在孔徑比(aperture ratio)方面具有局限性，因而它不適用于高清晰度產(chǎn)品。此外，當(dāng)給每個子像素供電壓的電源線(圖1中的4，圖3中的35)上的壓降(voltage drop)較小時，有機(jī)電致發(fā)光器件能夠均勻地保持面板的畫面質(zhì)量。然而，對于圖3所示的現(xiàn)有技術(shù)中的器件來說，電源線的線寬和厚度受到限制。因此，連接到第一級電源線的子像素和連接到最后一級電源線的子像素之間出現(xiàn)電壓差(壓降)，使得畫面質(zhì)量不能均勻一致。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明致力于一種有機(jī)電致發(fā)光器件，它基本上能夠克服由于現(xiàn)有技術(shù)的局限和缺點引起的一個或者多個問題。
本發(fā)明的一個目的是提供沿電源線沒有壓降的有機(jī)電致發(fā)光器件。
本發(fā)明的另外的優(yōu)點，目的和特征，部分將在隨后的說明書中加以闡述，部分對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，經(jīng)過研究分析，這些優(yōu)點，目的和特征將會變得清楚，或者在實施本發(fā)明后得以理解。通過此處書面的說明書和權(quán)利要求以及附圖中所具體描述的結(jié)構(gòu)可以實現(xiàn)并達(dá)到本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點。
為了實現(xiàn)這些目的和其它優(yōu)點，根據(jù)本發(fā)明的目的，正如這里所具體和概括描述的一樣，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括彼此隔開預(yù)定距離的第一和第二基板；多個陣列元件，其具有形成于第一基板上的多個TFT；有機(jī)電致發(fā)光二極管，其具有作為公共電極的第一電極，形成于第一電極下面的有機(jī)電致發(fā)光層和相應(yīng)于子像素圖案化的第二電極，它們依次形成于第二基板上；以及，使陣列元件和對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光二極管電連接的導(dǎo)電襯墊(spacer)，其中該陣列元件在第一基板上以矩陣結(jié)構(gòu)設(shè)置，用于給該陣列元件提供電壓的電源線以網(wǎng)格結(jié)構(gòu)形成。
本發(fā)明的另一方面提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括第一基板，其具有多個以矩陣結(jié)構(gòu)形成于由柵線和數(shù)據(jù)線所確定的區(qū)域內(nèi)的多個陣列元件，該柵線沿第一方向設(shè)置，數(shù)據(jù)線沿與第一方向交叉的第二方向設(shè)置；第二基板，其上形成具有有機(jī)電致發(fā)光層的有機(jī)電致發(fā)光二極管；以及將陣列元件和對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光二極管電連接的導(dǎo)電襯墊，其中第一電源線平行于數(shù)據(jù)線設(shè)置并且與一條數(shù)據(jù)線隔開一個預(yù)定距離，第二電源線平行于柵線設(shè)置并且與柵線之一隔開，第二電源線與第一電源線交叉。
本發(fā)明的另一方面提供了一種制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，包括在第一基板上在以柵線和數(shù)據(jù)線確定的矩陣結(jié)構(gòu)內(nèi)形成多個陣列元件，該柵線沿第一方向設(shè)置，該數(shù)據(jù)線沿與第一方向交叉的第二方向設(shè)置；在第一基板上平行于數(shù)據(jù)線并與數(shù)據(jù)線之一隔開一個預(yù)定距離形成第一電源線，在第一基板上平行于柵線并與柵線之一隔開形成第二電源線，第二電源線和第一電源線交叉；在第二基板上形成有機(jī)電致發(fā)光二極管；并且提供導(dǎo)電襯墊，用于使該陣列元件和對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光二極管電連接。
應(yīng)該理解，本發(fā)明前面概括的描述和下面詳細(xì)的描述都是示例性和解釋性的，意欲對所要保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。


所附附圖提供了對本發(fā)明進(jìn)一步的理解，它們構(gòu)成了本申請的一部分，說明了本發(fā)明的實施例，并且和說明書一起用來解釋本發(fā)明的原理。
圖1示出了用于說明現(xiàn)有技術(shù)中有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光器件的基本子像素結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖2是現(xiàn)有技術(shù)中底部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光器件的截面圖。
圖3示出圖2所示的現(xiàn)有技術(shù)中的有機(jī)電致發(fā)光器件中所包括的TFT陣列的子像素。
圖4是本發(fā)明實施例中雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件的截面圖。
圖5是圖4所示有機(jī)電致發(fā)光器件中的基本的子像素結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖6是用來表示圖4所示的有機(jī)電致發(fā)光器件所包括的TFT陣列的子像素陣列元件的平面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在詳細(xì)地討論本發(fā)明優(yōu)選實施例，其中的例子根據(jù)附圖來解釋。只要可能，在整個附圖中使用相同的參考數(shù)字來表示相同的部件。
圖4是本發(fā)明實施例中的雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件的截面圖。為了描述方便起見，圖4中僅僅示出了一個子像素區(qū)。
參照圖4，第一基板110和第二基板130相互面對設(shè)置。在第一基板110的透明基板100上形成陣列元件120。第二基板130的透明基板101的下側(cè)形成有機(jī)電致發(fā)光二極管E。第一基板110和第二基板130的四周用密封圖案140封裝。
有機(jī)電致發(fā)光二極管E包括用作公共電極的第一電極132，形成在第一電極132下面的有機(jī)電致發(fā)光層134和形成在有機(jī)電致發(fā)光層134下面的第二電極136。有機(jī)電致發(fā)光層134包括發(fā)光層134b，其中具有紅色，綠色和藍(lán)色的發(fā)光材料相應(yīng)每個子像素圖案化，形成于發(fā)光層134b頂部的第一有機(jī)材料層134a和形成于發(fā)光層134b底部的第二有機(jī)材料層134c。
第一和第二有機(jī)材料層134a和134c的有機(jī)電致發(fā)光材料根據(jù)陽極和陰極的設(shè)置情況而定。例如，當(dāng)?shù)谝浑姌O132是陽極而第二電極136是陰極時，第一有機(jī)材料層134a就包括空穴注入層和空穴輸運層，而第二有機(jī)材料層134c包括電子注入層和電子輸運層。
陣列元件120包括多個TFT T和連接到這些TFT T的第二電極連接圖案112。TFTs T形成于每個子像素內(nèi)。第二電極連接圖案112從TFTs T的源極或者漏極延伸出去?；蛘?，第二電極連接圖案112可以通過圖案化另外的金屬材料而形成。
每個TFT T是與有機(jī)電致發(fā)光二極管E相連的驅(qū)動TFT。在第二電極136和第二電極連接圖案112之間的部分，沿著平行于密封圖案140的方向形成導(dǎo)電襯墊114，它把第二電極136和TFT T連接起來。導(dǎo)電襯墊114由導(dǎo)電性材料制成，最好是具有低電阻的有延展性的金屬材料。這種導(dǎo)電襯墊114可以在形成第一基板110的陣列元件120的過程中形成。
本發(fā)明實施例中的有機(jī)電致發(fā)光器件是頂部發(fā)光型，也即有機(jī)電致發(fā)光層134發(fā)射的光向著第二基板130發(fā)出。如果把第一電極132作為陽極，那么第一電極132由透明導(dǎo)電材料制成，而第二電極136由不透明金屬材料制成，以此避免因向下發(fā)出的光反射所引起的相長干涉(constructive interference)。如果把第一電極132作為陰極，那么第一電極132由透明或者半透明導(dǎo)電材料制成。例如，第一電極132由具有低功函數(shù)的金屬材料制成。
當(dāng)把第一電極132作為陰極時，最好第一電極132的材料層由具有低功函數(shù)的半透明金屬材料制成。此外，該半透明金屬材料優(yōu)選為Al族金屬，選自Al和Mg的合金(以下稱作Mg:Al)，Al:Li，Al:苯甲酸鹽。在該兩種情況下，第二電極136都由不透明金屬材料制成，以此避免因向下發(fā)出的光反射所引起的相長干涉。此外，最好在第一和第二基板110和130之間形成具有氮保護(hù)氣的間隔I。
在上述雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件中，由于陣列元件和有機(jī)電致發(fā)光二極管在各自不同的基板上形成，因此陣列元件的產(chǎn)率不會影響有機(jī)電致發(fā)光二極管的產(chǎn)率，反之一樣，每個元件的產(chǎn)率可以各自控制。
由于設(shè)計這些TFT時可以不考慮孔徑比，因此陣列元件的工藝效率能夠得到提高，從而能夠容易地制造大尺寸顯示器。因為該器件形成為雙面板型，所以能夠有效地防止外部空氣滲入，這樣提高了產(chǎn)品的可靠性。此外，與現(xiàn)有技術(shù)中第一電極形成于陣列元件上相比，第一電極的自由度得到提高。
盡管沒有示出，陣列元件120是以矩陣結(jié)構(gòu)形成在第一基板110的陣列區(qū)內(nèi)的。陣列元件120包括柵線，數(shù)據(jù)線，電源線，開關(guān)晶體管和存儲電容。數(shù)據(jù)線和電源線隔開一個預(yù)定的距離，并都與柵線交叉。開關(guān)TFT設(shè)置在靠近柵線和數(shù)據(jù)線交叉的地方。
根據(jù)本發(fā)明實施例，電源線以網(wǎng)格結(jié)構(gòu)形成在陣列區(qū)上，陣列區(qū)上以矩陣結(jié)構(gòu)形成有陣列元件。由于這樣的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的緣故，沿電源線的壓降得以避免，因此提高了面板上整個圖象質(zhì)量的均勻性。
圖5是圖4所示有機(jī)電致發(fā)光器件的基本的子像素結(jié)構(gòu)的電路圖。參照圖5，電源線VDD 520沿平行于數(shù)據(jù)線500的方向設(shè)置，而電源線VDD 522沿平行于柵線510的方向設(shè)置。所有的電源線VDD 520都和電源線VDD 522交叉并在它們的交叉處相連。具體地說，第一電源線520和第二電源線522通過接觸孔524連接在一起，該接觸孔形成于電源線交叉處也即重疊部分。從而在陣列區(qū)形成網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。
通過以網(wǎng)格結(jié)構(gòu)形成電源線，電源線總面積得以加寬，由此降低了總電阻。因而能夠避免電源線上的壓降。第二電源線522可以由與柵線510相同金屬材料并在同一層內(nèi)制成。第一電源線520和/或第二電源線522可以由Cu制成，以進(jìn)一步避免電源線上的壓降。
在本發(fā)明實施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的基本子像素結(jié)構(gòu)中，柵線510和第二電源線522沿第一方向形成，數(shù)據(jù)線500和第一電源線520彼此分開形成，并且沿著與第一方向交叉的第二方向形成，由此定義一個子像素區(qū)。柵線510和第二電源線522彼此隔開一個預(yù)定的距離。第一電源線520和第二電源線522通過它們重疊處的接觸孔524形成電連接。
開關(guān)TFT 530構(gòu)成尋址元件，在柵線510和數(shù)據(jù)線500的交叉處形成。在開關(guān)TFT 530和第一電源線520之間形成存儲電容(CST)550。驅(qū)動TFT 540作為電源元件，并在存儲電容(CST)550和第一電源線520之間形成。電致發(fā)光二極管570在第一電源線520和驅(qū)動TFTs 540之間形成。由于圖4所示的有機(jī)電致發(fā)光器件是雙面板型，因此有機(jī)電致發(fā)光二極管570是在第二基板(圖4的130)也即上基板上形成的。
圖6是用來表示圖4所示的有機(jī)電致發(fā)光器件所包括的TFT陣列的一個子像素的平面圖。盡管圖6示出的是具有頂柵結(jié)構(gòu)的TFT，但是本發(fā)明的實施例可以包括底柵型TFTs。在本發(fā)明實施例的雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件中，有機(jī)電致發(fā)光二極管E是在第二基板(圖4中的130)上形成的，而對應(yīng)于該有機(jī)電致發(fā)光二極管E的陣列元件(圖4中的120)是在第一基板(圖4中的110)上形成的。陣列元件(圖4中的120)和有機(jī)電致發(fā)光二極管E通過導(dǎo)電襯墊114形成電連接。
圖6示出形成于圖4所示第一基板110上的子像素陣列元件的平面圖，其中TFT TD與第二電極連接圖案112相連。此對應(yīng)于有機(jī)電致發(fā)光二極管的子像素陣列元件包括開關(guān)元件TS，驅(qū)動元件TD和存儲電容CST。根據(jù)所需工作特性的不同，開關(guān)或者驅(qū)動元件可以由多個TFT組合形成。
每個形成于第一基板上的子像素陣列元件對應(yīng)于有機(jī)電致發(fā)光二極管E，它包括第一電極(圖4中的132)，有機(jī)電致發(fā)光層(圖4中的134)和第二電極(圖4中的136)，它們在第二基板也即上基板上形成。在第一基板上，與上基板上的第二電極相連的第二電極連接圖案112在子像素陣列元件區(qū)上形成。此外，第二基板上的第二電極136和第二電極連接圖案112之間形成導(dǎo)電襯墊114，通過該導(dǎo)電襯墊第二電極136和第二電極連接圖案112形成電連接。
陣列元件包括互相隔開預(yù)定距離且朝著一個方向的柵線632，與柵線632交叉且其間具有絕緣層的數(shù)據(jù)線634。此外，第二電源線672沿平行于柵線632的方向形成，第一電源線670沿平行于數(shù)據(jù)線634的方向形成。第一電源線670和第二電源線672通過形成于它們交叉處的接觸孔674電連接在一起。
電源線形成網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，其中第一電源線670和第二電源線672互相交叉。由于這樣的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，電源線的總面積得以加寬，因此降低了電源線的電阻。以這種方式，沿電源線的壓降得以避免。第一電源線670和第二電源線672最好由具有低電阻率的金屬材料例如銅制成。第一電源線670和第二電源線672也可以由與數(shù)據(jù)線634和柵線632相同的金屬材料制成。
開關(guān)TFT TS包括柵極636，有源層640，源極646和漏極650。驅(qū)動TFT TD包括柵極638，有源層642，源極648和漏極652。開關(guān)TFT TS的柵極636與柵線632相連，源極646與數(shù)據(jù)線634相連。開關(guān)TFT TS的漏極650通過接觸孔654與驅(qū)動TFT TD的柵極638相連。驅(qū)動TFT TD的源極648通過接觸孔656與第一電源線670相連。驅(qū)動TFT TD的漏極652與子像素的第二電極連接圖案112相連。第二電極連接圖案112通過導(dǎo)電襯墊114與第二電極(圖4中的136)電連接，該第二電極是形成在第二基板(圖4中的130)也即上基板上的。
本發(fā)明實施例中的有機(jī)電致發(fā)光器件能夠避免用于給每個陣列元件提供電力的電源線上的壓降，這樣提高了面板上整個圖象質(zhì)量的均勻性。這對于大尺寸面板的圖象質(zhì)量的提高是有幫助的。
對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，顯然本發(fā)明可以進(jìn)行各種修改和變化。因而，
本發(fā)明包括這些修改和變化，只要這些修改和變化落在所附的權(quán)利要求及其等效范圍的范疇之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括彼此分開預(yù)定距離的第一和第二基板；多個陣列元件，其具有形成于第一基板上的薄膜晶體管；有機(jī)電致發(fā)光二極管，其中每個都具有作為公共電極的第一電極，形成于第一電極下面的有機(jī)電致發(fā)光層，以及相應(yīng)于子像素圖案化的第二電極，它們依次在第二基板上形成；以及與所述陣列元件和對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光二極管電連接的導(dǎo)電襯墊，其中該陣列元件以矩陣結(jié)構(gòu)設(shè)置在第一基板上，并且給該陣列元件提供電壓的電源線以網(wǎng)格結(jié)構(gòu)形成。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，每個陣列元件位于子像素內(nèi)，該子像素是由柵線和數(shù)據(jù)線確定的，該柵線沿第一方向形成，該數(shù)據(jù)線沿與第一方向交叉的第二方向形成。
3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，第一電源線平行于數(shù)據(jù)線設(shè)置并且與該數(shù)據(jù)線隔開一個預(yù)定距離，第二電源線平行于柵線設(shè)置并且與柵線隔開另一預(yù)定距離，第二電源線與第一電源線交叉。
4.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，第一電源線和第二電源線通過接觸孔在它們的交叉處電連接。
5.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，第一電源線由與數(shù)據(jù)線相同的金屬材料并與數(shù)據(jù)線在同一層形成。
6.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，第二電源線由與柵線相同的金屬材料并與柵線在同一層形成。
7.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，第一或者第二電源線由具有低電阻的金屬形成。
8.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述具有低電阻的金屬是銅。
9.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括第一基板，其具有多個以矩陣結(jié)構(gòu)形成于由柵線和數(shù)據(jù)線所確定的區(qū)域內(nèi)的陣列元件，該柵線沿第一方向設(shè)置，該數(shù)據(jù)線沿與第一方向交叉的第二方向設(shè)置；第二基板，其上形成具有有機(jī)電致發(fā)光層的有機(jī)電致發(fā)光二極管；以及與該陣列元件和對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光二極管電連接的導(dǎo)電襯墊，其中，第一電源線平行于數(shù)據(jù)線設(shè)置并且與該數(shù)據(jù)線之一隔開一個預(yù)定距離，第二電源線平行于柵線設(shè)置并且與柵線之一隔開，第二電源線與第一電源線交叉。
10.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，第一電源線和第二電源線通過接觸孔在它們的交叉處電連接。
11.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，第一電源線由與數(shù)據(jù)線相同的金屬材料并與數(shù)據(jù)線在同一層形成。
12.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，第二電源線由與柵線相同的金屬材料并與柵線在同一層形成。
13.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，第一或者第二電源線由具有低電阻的金屬形成。
14.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述具有低電阻的金屬是銅。
15.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，還包括形成于柵線和數(shù)據(jù)線交叉處的開關(guān)TFT；與開關(guān)TFT和第一電源線相連的存儲電容；以及與存儲電容、第一電源線和一個有機(jī)電致發(fā)光二極管電連接的驅(qū)動TFT。
16.一種制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，包括在第一基板上以柵線和數(shù)據(jù)線確定的矩陣結(jié)構(gòu)內(nèi)形成多個陣列元件，該柵線沿第一方向設(shè)置，該數(shù)據(jù)線沿與第一方向交叉的第二方向設(shè)置；在第一基板上平行于數(shù)據(jù)線并與數(shù)據(jù)線之一隔開一個預(yù)定距離形成第一電源線，在第一基板上平行于柵線并與柵線之一隔開形成第二電源線，第二電源線和第一電源線交叉；在第二基板上形成有機(jī)電致發(fā)光二極管；并且提供導(dǎo)電襯墊，用于使該陣列元件和對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光二極管電連接。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，第一電源線和第二電源線通過接觸孔在它們的交叉處電連接。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，第一電源線由與數(shù)據(jù)線相同的金屬材料并與數(shù)據(jù)線在同一層形成。
19.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，第二電源線由與柵線相同的金屬材料并與柵線在同一層形成。
20.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，形成多個陣列元件的步驟包括在柵線和數(shù)據(jù)線交叉處形成開關(guān)TFT；形成與開關(guān)TFT和第一電源線相連的存儲電容；并且形成與該存儲電容、第一電源線和該一個有機(jī)電致發(fā)光二極管電連接的驅(qū)動TFT。
全文摘要
一種有機(jī)電致發(fā)光器件包括彼此隔開預(yù)定距離的第一和第二基板；多個陣列元件，其具有形成于第一基板上的多個TFT；有機(jī)電致發(fā)光二極管，其具有作為公共電極的第一電極，形成于第一電極下面的有機(jī)電致發(fā)光層和相應(yīng)于子像素圖案化的第二電極，它們依次形成于第二基板上；以及使陣列元件和對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光二極管電連接的導(dǎo)電襯墊，其中該陣列元件在第一基板上以矩陣結(jié)構(gòu)設(shè)置，用于給該陣列元件提供電壓的電源線以網(wǎng)格結(jié)構(gòu)形成。
文檔編號H05B33/26GK1638542SQ200410102610
公開日2005年7月13日 申請日期2004年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月26日
發(fā)明者樸宰用 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社