技術(shù)編號(hào):11136754
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種非易失性存儲(chǔ)器,且特別是有關(guān)于一種電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。背景技術(shù)由于非易失性存儲(chǔ)器具有數(shù)據(jù)在斷電后也不會(huì)消失的優(yōu)點(diǎn),因此許多電器產(chǎn)品中必須具備此類存儲(chǔ)器,以維持電器產(chǎn)品開機(jī)時(shí)的正常操作。目前,業(yè)界積極發(fā)展的一種非易失性存儲(chǔ)元件是電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(resistiverandomaccessmemory,簡(jiǎn)稱RRAM),其具有寫入操作電壓低、寫入抹除時(shí)間短、記憶時(shí)間長(zhǎng)、非破壞性讀取、多狀態(tài)記憶、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單以及所需面積小等優(yōu)點(diǎn),因此在未來(lái)將可成為個(gè)人電腦和電子設(shè)備所廣泛采用的非易失...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。