專利名稱：在abs處帶有電流約束的三層讀取器的制作方法
在ABS處帶有電流約束的三層讀取器相關(guān)申請(qǐng)對(duì)于2010年3月19日提交的標(biāo)題為“在ABS處帶有電流約束的三層讀取器”的美國申請(qǐng)第12/727,698號(hào)進(jìn)行引用，該申請(qǐng)通過引用合并于此。

發(fā)明內(nèi)容
磁阻傳感器包括被放置在空氣承載表面上的頂部電極和底部電極之間的磁響應(yīng)堆棧。在該堆棧和至少一個(gè)電極之間有多層絕緣體結(jié)構(gòu)，以使得通過該堆棧的電流被約束在空氣承載表面的鄰近，以增加靈敏度。


根據(jù)實(shí)施方式，圖I是沿著與讀/寫頭的空氣承載表面(ABS)垂直的平面剖開的 磁讀/寫頭和磁盤的示意性剖視圖。根據(jù)實(shí)施方式，圖2是圖I的磁讀/寫頭的示意性ABS視圖。根據(jù)實(shí)施方式，圖3示出垂直于平面(CPP)傳感器堆棧的典型的三層電流的示意性ABS視圖。根據(jù)實(shí)施方式，圖4是沿著斷面A-A剖開的圖3中示出的傳感器堆棧的示意性剖視圖。根據(jù)實(shí)施方式，圖5是沿著圖3中的斷面B-B剖開的具有短的條帶高度的三層傳感器的示意性剖視圖。圖5A是圖5中的三層傳感器的磁場(chǎng)強(qiáng)度的曲線圖。根據(jù)實(shí)施方式，圖6是沿著圖3中的斷面B-B剖開的具有長(zhǎng)的條帶高度的三層傳感器的示意性剖視圖。圖6A是圖6的三層傳感器中的磁場(chǎng)強(qiáng)度的曲線圖。根據(jù)實(shí)施方式，圖7-圖10是三層傳感器的四個(gè)不同的實(shí)施方式的示意性剖視圖。根據(jù)實(shí)施方式，圖11是本發(fā)明的實(shí)施方式的示意性剖視圖。根據(jù)實(shí)施方式，圖12是本發(fā)明的另一實(shí)施方式的示意性剖視圖。根據(jù)實(shí)施方式，圖13是本發(fā)明的另一實(shí)施方式的示意性剖視圖。
具體實(shí)施例方式通過使用帶有雙自由層的三層讀取器可以實(shí)現(xiàn)減少的屏蔽到屏蔽的間距。在三層結(jié)構(gòu)中，具有以剪刀定向的磁化的雙自由層被用來檢測(cè)介質(zhì)磁通量。不需要合成反鐵磁性(SAF)和反鐵磁性(AFM)層，且當(dāng)兩個(gè)自由層都具有在空氣承載表面處的端部時(shí)，自由層偏置來自后端永磁體和去磁化場(chǎng)的組合。由于PM是從ABS表面凹入，它不妨礙取得較小的屏蔽到屏蔽的間距而無需犧牲PM材料性質(zhì)和偏置場(chǎng)的能力。具有短的條帶高度和后端磁偏置的三層讀取器具有高的讀回信號(hào)，但可能是磁不穩(wěn)定的，且對(duì)工藝變化非常敏感。圖I是沿著與讀/寫頭10的空氣承載表面ABS垂直的平面剖開的磁讀/寫頭10和磁盤12的示例實(shí)施方式的示意性剖視圖。磁讀/寫頭10的空氣承載表面ABS面向磁盤12的盤表面16。磁盤12以由箭頭A指示的相對(duì)于磁讀/寫頭10的方向行進(jìn)或者旋轉(zhuǎn)。在避免在磁讀/寫頭10和磁盤12之間的接觸的同時(shí),優(yōu)選地最小化在空氣承載表面ABS和盤表面16之間的間距。磁讀/寫頭10的寫入器部分包括頂部極18、絕緣體20、導(dǎo)電線圈22和底部極/頂部屏蔽24。通過使用絕緣體20來將導(dǎo)電線圈22放置在頂部極18和頂部屏蔽24之間的適當(dāng)位置。圖I中導(dǎo)電線圈22被示出為兩層線圈，但也可以由任何數(shù)量層的線圈形成，這在磁讀/寫頭設(shè)計(jì)領(lǐng)域中是公知的。磁讀/寫頭10的讀取器部分包括底部極/頂部屏蔽24、底部屏蔽28和磁阻(MR)堆棧30。MR堆棧30被放置在底部極24和底部屏蔽28的端接端部之間。底部極/頂部屏蔽24充當(dāng)屏蔽和共享極兩者，以結(jié)合頂部極18 —起使用。圖2是圖I的示例磁讀/寫頭10的空氣承載表面ABS的示意圖。圖2將磁讀/ 寫頭10中的磁重要元件的位置闡釋為它們沿著圖I的磁讀/寫頭10的空氣承載表面ABS出現(xiàn)。在圖2中，為清晰起見，省略了磁讀/寫頭10的所有間距和絕緣層。底部屏蔽28和底部極/頂部屏蔽24被隔開，以便提供MR堆棧30的位置。引起感應(yīng)電流經(jīng)由底部極/頂部屏蔽24和底部屏蔽28流過MR堆棧30。盡管感應(yīng)電流通過圖I和圖2中的底部極/頂部屏蔽24和底部屏蔽28被注入，但其它配置借助于將感應(yīng)電流提供給MR堆棧30的附加引線，使得MR堆棧與底部極/頂部屏蔽24和底部屏蔽28電絕緣。當(dāng)感應(yīng)電流通過MR堆棧30時(shí)，讀傳感器展現(xiàn)出阻性響應(yīng)，這得到經(jīng)改變的輸出電壓。因?yàn)楦袘?yīng)電流垂直于MR堆棧30的平面流過，磁讀/寫頭10的讀取器部分是電流垂直于平面(CPP)類型的設(shè)備。磁讀/寫頭10僅僅是說明性的，且可以根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施方式使用其他CPP配置。圖3示出包括三層MR堆棧51的三層CPP MR傳感器50的實(shí)施方式的ABS視圖。MR堆棧51包括金屬保護(hù)層52、第一自由層54、非磁性層56、第二自由層58和金屬晶種層60。三層MR堆棧51被放置在底部極/頂部屏蔽24和底部屏蔽28之間。在操作中，感應(yīng)電流Is垂直于三層MR堆棧51的各層52_60的平面流動(dòng)，且經(jīng)歷與在第一自由層54和第二自由層58的磁化方向的之間形成的角的余弦成比例的阻抗。然后，測(cè)量跨越三層MR堆棧51的電壓，以判斷阻抗的改變，且所得到的信號(hào)被用來從磁介質(zhì)恢復(fù)經(jīng)編碼的信息。應(yīng)注意，三層MR堆棧51配置僅僅是說明性的，且可以根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施方式使用三層MR堆棧51的其他層配置。三層MR堆棧51中的第一自由層54和第二自由層58的磁化定向是反平行的，且在沒有其他磁場(chǎng)或力時(shí)最初被設(shè)定為平行于ABS。以這一反平行方向的自由層的排列歸因于在兩個(gè)自由層之間的靜磁相互作用，且在讀取器寬度(RW)大于條帶高度(SH)時(shí)發(fā)生。為了增加讀取器的靈敏度，兩個(gè)自由層的排列優(yōu)選地是相對(duì)于彼此正交的排列，且分別與ABS成約45度。這通過在偏置每一自由層的三層MR堆棧51后面的后偏置磁體(圖3中未示出)來實(shí)現(xiàn)。圖4是示例CPP MR傳感器50的沿著圖3中的斷面A-A剖開的示意性剖面，示出在MR堆棧51后面的后偏置磁體62從ABS凹入且被放置在底部極/頂部屏蔽24和底部屏蔽28之間。在ABS后面的三層傳感器堆棧51的長(zhǎng)度是條帶高度SH，且如將要示出的，是要討論的各實(shí)施方式中的重要變量。圖5中示出沿著圖3中的斷面B-B剖開的垂直于三層CPP MR傳感器50的ABS的示意性剖面。帶有空氣承載表面ABS的三層MR堆棧51A被示出為被放置在記錄介質(zhì)12的上面。后偏置磁體62被不出為被放置在從空氣承載表面ABS凹入的三層MR堆棧51A的上面。三層MR堆棧51A具有與三層MR堆棧51相同的層結(jié)構(gòu)。后偏置磁體62的磁化由箭頭63示出為指向朝向空氣承載表面ABS的垂直向下方向。三層MR堆棧51的第一自由層FLl和第二自由層FL2的磁化分別由箭頭53A和箭頭55A圖示地示出。如先前提到的，在沒有后偏置磁體62時(shí),磁化53A和磁化55A將平行于ABS且相互反平行。如所不出的，后偏置磁體62的存在將磁化53A和磁化55A強(qiáng)制為剪刀關(guān)系。圖5A的曲線圖中的曲線57A敘述來自三層MR堆棧5IA中的記錄介質(zhì)12的磁場(chǎng)強(qiáng)度H^。如圖5A中所示出的，傳感器中的磁場(chǎng)強(qiáng)度按離開ABS的距離的函數(shù)指數(shù)衰減。在圖5中示出的傳感器幾何結(jié)構(gòu)中，讀取器寬度RW大于三層堆棧51A的條帶高度SHa。自由層FLl和FL2的磁化53A和磁化55A的剪刀關(guān)系得到增加的靈敏度，這是因?yàn)閮煞N磁化都自由響應(yīng)于H^，即介質(zhì)通量。然而，由制造期間工藝變化引起的微小改變可以引起不可 接受的傳感器輸出的大的變化，或者甚至引起磁不穩(wěn)定的部分，這將會(huì)使得成品收率減少到不可接受的程度。圖6中示出圖5中所示出的傳感器幾何形狀的變更。后偏置磁體62被示出為被放置在三層MR堆棧51B的上面，遠(yuǎn)離空氣承載表面ABS。三層MR堆棧51B具有與三層MR堆棧51相同的層結(jié)構(gòu)。三層MR堆棧51B不同于三層MR堆棧51A，這是因?yàn)槿龑覯R堆棧51B的條帶高度SHb比三層MR堆棧51B的讀取器寬度RW長(zhǎng)至少兩倍。傳感器堆棧51A和傳感器堆棧51B兩者都具有相同的讀取器寬度RW。后偏置磁體62的磁化由箭頭63示出為以垂直向下的方向指向空氣承載表面ABS。第一自由層FL I和第二自由層FL2的磁化分別由箭頭53B和箭頭55B圖示地示出。與三層MR堆棧51A的磁化定向形成對(duì)比，三層MR堆棧51B的后端處的每一自由層的磁化是穩(wěn)定的，且平行于后偏置磁體62的磁化，如由箭頭63所指示。由于三層MR堆棧51B的長(zhǎng)的條帶高度，在ABS附近，自由層FLl和FL2的磁化由于在FLl和FL2之間的靜磁相互作用而自然地松弛為發(fā)散的定向，如箭頭53B和55B所示出的。三層傳感器堆棧51B的穩(wěn)定性和穩(wěn)健性顯著超過三層MR堆棧51A的穩(wěn)定性和穩(wěn)健性。然而，增加的穩(wěn)定性伴隨著成本發(fā)生。作為增加的條帶高度結(jié)果，三層MR堆棧51B的大部分長(zhǎng)度的不影響磁阻感知信號(hào)。相反，傳感器堆棧的后端充當(dāng)電分路，由此減少了傳感器輸出。圖7-圖10中示出給三層讀取器傳感器提供穩(wěn)健穩(wěn)定性以及增加的靈敏度的對(duì)該問題的解決方案。一種實(shí)施方式由圖7中的CPP MR傳感器70示出。在CPP MR傳感器70中，三層MR堆棧71具有至少兩倍于如圖6中所示出的讀取器寬度RW的條帶高度。CPP MR傳感器70由被放置在底部極/頂部屏蔽24和底部屏蔽28之間的三層MR堆棧71以及在三層MR堆棧51后面的后縫隙磁體62組成,如同在圖4中所不出的CPP MR傳感器50 —樣。差異是CPP MR傳感器70中的絕緣體層72被放置在三層MR堆棧71和底部屏蔽28之間。絕緣體層72從底部屏蔽28的后端延伸到接近ABS的距離，由此提供通過三層MR堆棧57從底部屏蔽28到底部極/頂部屏蔽24的電流的收縮。通過將電流收縮到ABS的鄰近，如箭頭所所示出的，三層MR堆棧71的后端處的電分路被阻塞，得到增加的傳感器輸出。
圖8中示出另一實(shí)施方式。CPP MR傳感器80由被放置在底部極/頂部屏蔽24和底部屏蔽28之間的具有長(zhǎng)的條帶高度的三層MR堆棧71以及在三層MR堆棧71后面的后縫隙磁體62組成。在這種情況中，絕緣體層73被放置在底部極/頂部屏蔽24和三層MR堆棧71之間。絕緣體層73從底部屏蔽28的后端延伸到接近ABS的距離，由此提供通過三層MR堆棧71從頂部屏蔽24到底部屏蔽28的電流的收縮，如箭頭所指示。通過將電流收縮到ABS的鄰近，三層MR堆棧71的后端處的電分路被阻塞，得到增加的傳感器輸出。圖9中示出另一實(shí)施方式。CPP MR傳感器90由被放置在底部極/頂部屏蔽24和底部屏蔽28之間的具有長(zhǎng)的條帶高度的三層MR堆棧71和在三層MR堆棧71后面的后縫隙磁體62組成。在這種情況中，絕緣體層73被放置在底部極/頂部屏蔽24和三層MR堆棧71之間，且絕緣體層72被放置在底部屏蔽28和三層MR堆棧71之間。絕緣體層72和73從頂部屏蔽24和底部屏蔽28的后端延伸到接近ABS的距離，由此提供通過三層MR堆棧71的在底部極/頂部屏蔽24和底部屏蔽28之間或在底部屏蔽28和底部極/頂部屏蔽24之間的電流的收縮。通過將電流收縮到ABS的鄰近，在三層MR堆棧71的后端處的電分路被阻塞，得到增加的傳感器輸出。
圖10中示出另一實(shí)施方式。CPP MR傳感器100由被放置在底部極/頂部屏蔽24和底部屏蔽28之間的具有長(zhǎng)的條帶高度三層MR堆棧71和在三層MR堆棧71后面的后縫隙磁體62組成。絕緣體層72從底部屏蔽28的后端延伸到ABS。在這種情況中，絕緣體層72的接近ABS的部分已經(jīng)被處理為將絕緣體層72變換成導(dǎo)電部分74。導(dǎo)電部分74提供電流通過三層MR堆棧71從底部屏蔽28到底部極/頂部屏蔽24的收縮，如箭頭所指示的。通過當(dāng)電流流過三層MR堆棧71時(shí)將電流收縮到ABS的鄰近，三層MR堆棧71的后端處的電分路被阻塞，得到增加的傳感器輸出。在用多種工藝研磨了 ABS之后，絕緣體層72可以被轉(zhuǎn)換成導(dǎo)電區(qū)域74。在這里描述這些工藝中的一些。一種方法是將共濺的Fe和SiO2用作絕緣層。所得到的Fe/Si02層是無定形和電阻性的。通過將ABS暴露給激光束來將ABS優(yōu)先熱處理到約350°C至400°C的中等溫度將引起ABS附近的Fe離析和導(dǎo)電通道的形成。另一方法是將TiOx阻擋層用作絕緣層。在普通大氣或氫中研磨包含TiOx絕緣層的ABS會(huì)在TiOx層中形成缺陷，該缺陷形成導(dǎo)電通道，由此允許ABS處的電流。已經(jīng)被變換成ABS處的傳導(dǎo)通道以便收縮通過ABS處的傳感器堆棧71的電流的絕緣體層也可以被放置在底部極/頂部屏蔽24和堆棧71之間以及在底部屏蔽28和堆棧71之間。應(yīng)注意，以上所描述的傳感器堆棧僅僅是說明性的，且可以根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施方式使用其他配置。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在底部屏蔽電導(dǎo)體28中引入絕緣體層72導(dǎo)致制造和器件性能問題。圖7中所示出的CPP MR傳感器70的生產(chǎn)中的關(guān)鍵步驟是在沉積三層MR堆棧71之前將底部屏蔽電導(dǎo)體28和絕緣體層72的頂部(即表面S)平面化。平面化步驟通過對(duì)本領(lǐng)域中的技術(shù)人員公知的化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)來完成。由于不同材料的CMP拋光速率不同，出現(xiàn)了困難。這導(dǎo)致表面S中的不連續(xù)性。例如，屏蔽28和絕緣體層72的交界的鄰近的表面中的峰和谷、絕緣體材料中的凹陷和其他問題。在平面化之后所得到的表面S的不可預(yù)測(cè)的性質(zhì)引起器件性能不穩(wěn)定性、在工藝期間的批次差異和增加的制造成本。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在底部屏蔽電導(dǎo)體28中引入絕緣體層72引起制造和器件性能問題。圖7中所示出的CPP MR傳感器70的生產(chǎn)中的關(guān)鍵步驟是在沉積三層MR堆棧71之前將底部屏蔽電導(dǎo)體28和絕緣體層72的頂部(即表面S)平面化。平面化步驟通過對(duì)本領(lǐng)域中的技術(shù)人員公知的化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)來完成。由于不同材料的CMP拋光速率不同，出現(xiàn)了困難。這導(dǎo)致表面S中的不連續(xù)性。例如，屏蔽28和絕緣體層72的交界的鄰近的表面中的峰和谷、絕緣體材料中的凹陷和其他問題。在平面化之后所得到的表面S的不可預(yù)測(cè)的性質(zhì)引起器件性能不穩(wěn)定性、在工藝期間的批次差異和增加的制造成本。已經(jīng)通過圖11-圖13中所示出的本發(fā)明實(shí)施方式來遏制該問題。圖11示出CPPMR傳感器110包括被放置在底部極/頂部屏蔽24和底部屏蔽28之間的具有長(zhǎng)的條帶高度的三層MR堆棧71以及在三層MR堆棧71后面的后間隙磁體62。絕緣體層72已經(jīng)用多層絕緣體結(jié)構(gòu)74代替。多層絕緣體結(jié)構(gòu)74包括絕緣體層76和非磁性金屬傳導(dǎo)層78。非磁性金屬傳導(dǎo)層78具有類似于底部屏蔽76的CMP拋光速率，由此確保了在CMP期間表面S的平面化。絕緣層76包含絕緣側(cè)壁77，絕緣側(cè)壁77確保在底部屏蔽28和非磁性傳導(dǎo)層78之間不存在傳導(dǎo)路徑。側(cè)壁77的厚度是在3nm到5nm之間。
如圖12中所示出的，圖9中所示出的實(shí)施方式中也可以采用多層絕緣體結(jié)構(gòu)74。圖12示出CPP MR傳感器120包括被放置在底部極/頂部屏蔽24和底部屏蔽28之間的具有長(zhǎng)的條帶高度的三層MR堆棧71以及在三層MR堆棧71后面的后縫隙磁體62。絕緣體層72已經(jīng)用多層絕緣體結(jié)構(gòu)74代替。多層絕緣體結(jié)構(gòu)74包括絕緣體層76和非磁性金屬傳導(dǎo)層78。非磁性金屬傳導(dǎo)層78具有類似于底部屏蔽76的CMP拋光速率，由此確保了在CMP期間表面S的平面化。絕緣層76包含絕緣側(cè)壁77，絕緣側(cè)壁77確保在底部屏蔽28和非磁性傳導(dǎo)層78之間不存在傳導(dǎo)路徑。側(cè)壁77的厚度是在3nm到5nm之間。絕緣層76和76’可以是A1202、SiO2和SiON以及其他。非磁性金屬傳導(dǎo)層78和78，可以是Ru、Ta、Cr和NiCr以及其他。盡管已經(jīng)參考各示例性實(shí)施方式描述了本公開內(nèi)容，但本領(lǐng)域中的技術(shù)人員應(yīng)理解，可以做出各種改變，且各等效物可以代替其元件，而不偏離所要求保護(hù)的實(shí)施方式的范圍。另外，可以做出許多修改以使得特定的情況或材料適應(yīng)本公開內(nèi)容的教導(dǎo)，而不偏離本公開內(nèi)容的教導(dǎo)的基本范圍。因此，所要求保護(hù)的技術(shù)旨在不限于所公開的特定實(shí)施方式，而是本公開內(nèi)容將包括落在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的所有實(shí)施方式。
權(quán)利要求
1.一種磁阻傳感器，包括 被放置在空氣承載表面(ABS)上的頂部電極和底部電極之間的磁響應(yīng)堆棧；以及 在所述磁響應(yīng)堆棧和至少一個(gè)電極之間的第一多層絕緣體結(jié)構(gòu)，所述第一多層絕緣體層結(jié)構(gòu)包括第一電絕緣體層和第一非磁性電導(dǎo)體層，所述第一電絕緣體層和第一非磁性電導(dǎo)體層接觸所述磁響應(yīng)堆棧的不同部分。
2.如權(quán)利要求I所述的傳感器，其特征在于，進(jìn)一步包括在所述頂部電極的部分和所述三層堆棧的部分之間的第二電絕緣體層。
3.如權(quán)利要求2所述的傳感器，其特征在于，所述第二電絕緣體層是包括所述第二電絕緣體層和第二非磁性電導(dǎo)體層的第二多層電絕緣體結(jié)構(gòu)的部分，所述第二電絕緣體層和第二非磁性電導(dǎo)體層接觸所述磁響應(yīng)堆棧的不同部分。
4.如權(quán)利要求2所述的傳感器，其特征在于，所述底部電極和所述第一頂部非磁性導(dǎo)體層具有相似的化學(xué)機(jī)械拋光速率。
5.如權(quán)利要求2所述的傳感器,其特征在于,所述第一非磁性電導(dǎo)體層包括Ru、Ta、Cr和NiCr中的一種。
6.如權(quán)利要求I所述的傳感器，其特征在于，所述三層堆棧的所述鐵磁層的磁化定向?yàn)榇笾孪嗷ゴ怪鼻遗c空氣承載表面成約45度。
7.如權(quán)利要求I所述的傳感器，其特征在于，所述三層堆棧的非磁性層是電導(dǎo)體。
8.如權(quán)利要求7所述的傳感器，其特征在于，所述三層堆棧的所述非磁性層包括Cu、Ag、Au或其合金中的一種。
9.如權(quán)利要求I所述的傳感器，其特征在于，所述三層堆棧的所述非磁性層是電絕緣體。
10.如權(quán)利要求9所述的傳感器，其特征在于，所述三層堆棧的所述非磁性層選自由A12Ox、TiOx和MgO組成的組。
11.如權(quán)利要求I所述的傳感器，其特征在于，所述三層堆棧的所述鐵磁層是自由層。
12.如權(quán)利要求11所述的傳感器，其特征在于，所述自由層包括FeC0B、NiFeC0、CoFeHf、NiFe或其合金中的一種。
13.一種裝置，包括 被放置在空氣承載表面(ABS)上的頂部電極和底部電極之間的三層堆棧，所述堆棧包括由非磁性層隔開的第一鐵磁層和第二鐵磁層； 鄰近所述三層堆棧的后端、遠(yuǎn)離所述ABS的后偏置磁體；以及 接觸所述三層堆棧和所述底部電極的第一多層絕緣體疊層，所述第一多層絕緣體疊層包括 第一電絕緣體層和第一非磁性電導(dǎo)體層，所述第一電絕緣體層和第一非磁性導(dǎo)體層接觸三層堆棧的不同部分。
14.如權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，所述底部電極和所述第一非磁性電導(dǎo)體層具有相似的化學(xué)機(jī)械拋光速率。
15.如權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括接觸所述頂部電極和所述三層堆棧的部分的第二電絕緣體層。
16.如權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于，所述第二電絕緣體層是帶有第二非磁性電導(dǎo)體層的第二多層絕緣體疊層的部分，所述第二電絕緣體層和第二非磁性電導(dǎo)體層接觸所述三層堆棧的不同部分。
17.如權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，所述三層堆棧的所述鐵磁層的磁化方向定向?yàn)榇笾孪嗷ゴ怪鼻遗c空氣承載表面成約45度。
18.一種方法，包括 形成第一電極； 移除所述第一電極的絕緣部分； 沉積第一電極絕緣體層； 移除所述第一電絕緣體層的傳導(dǎo)部分； 沉積所述傳導(dǎo)部分中的非磁性電導(dǎo)體層； 拋光所述非磁性電導(dǎo)體層、電絕緣體層和第一電極，以產(chǎn)生基本平坦的表面；以及在所述基本平坦的表面上沉積晶種層，以接觸所述非磁性電導(dǎo)體層、電絕緣體層和第一電極。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括將多個(gè)磁自由層沉積在所述晶種層上以形成磁響應(yīng)傳感器。
20.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述非磁性電導(dǎo)體和第一電極匹配預(yù)先確定的化學(xué)機(jī)械拋光速率。
全文摘要
描述了一種磁阻讀傳感器。該傳感器是被放置在空氣承載表面上的頂部電極和底部電極之間的磁響應(yīng)堆棧。該傳感器中的電流由在該堆棧和至少一個(gè)電極之間的第一多層絕緣體結(jié)構(gòu)約束在接近空氣承載表面的區(qū)域，以增強(qiáng)讀取器靈敏度。
文檔編號(hào)G11B5/187GK102760446SQ20121013569
公開日2012年10月31日 申請(qǐng)日期2012年4月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月25日
發(fā)明者C·P·凡多恩, D·V·季米特洛夫, D·宋, T·V·恩古耶 申請(qǐng)人:希捷科技有限公司