一種多硬盤系統錯峰上電控制電路的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型公開了一種錯峰上電控制電路，屬于計算機電路技術領域，具體地說是一種多硬盤系統錯峰上電控制電路。
【背景技術】
[0002]硬盤是電腦內的重要部件，也是電腦中重要的存儲媒介，隨著計算機技術的不斷發(fā)展，人們對電腦儲存用途的硬盤容量也產生了更多的要求，單個硬盤的容量已經很難滿足用戶的需要，為增加硬盤容量，一方面增加單塊硬盤的存儲容量，另一方面增加硬盤的數量。其中增加硬盤的數量因其技術較為簡單易行而推廣更快。但增加硬盤的數量必定會增加整個系統的功耗，尤其是開機過程瞬間的功耗。一旦超過了電源的額定值，對電源的使用壽命會造成很大影響。
[0003]目前還沒有有效地方法解決最大限度地利用供電上線，控制服務器硬盤運行不超出額定的功率限制，尤其是當配置硬盤數量較多時更為明顯，多硬盤上電時的瞬間功耗太大，可能造成跳閘斷電的情況，進而造成系統無法啟動。本實用新型提供一種多硬盤系統錯峰上電控制電路，對硬盤上電設置錯峰控制電路，防止多個硬盤統一供電時，硬盤啟動峰值電流過大造成供電電路過流保護，而使系統無法啟動的情況發(fā)生。

【發(fā)明內容】

[0004]本實用新型針對多硬盤上電時的瞬間功耗太大，可能造成跳閘斷電的情況，進而造成系統無法啟動的問題，提供一種多硬盤系統錯峰上電控制電路，設計簡單，占用空間少，防止多個硬盤統一供電時，硬盤啟動峰值電流過大造成供電電路過流保護，而使系統無法啟動的情況發(fā)生。
[0005]本實用新型所采用的技術方案為:
[0006]一種多硬盤系統錯峰上電控制電路，由系統電源輸出端，經過電壓調節(jié)器連接硬盤工作電壓輸入端，將電壓轉至硬盤工作電壓輸出端，硬盤工作電壓輸出端分別連接各個硬盤電路單元；硬盤電路單元設置電容，電容放電電阻及電容充電電阻，P型MOS管開關，N型MOS管開關；其中硬盤工作電壓輸出端連接電容充電電阻及P型MOS管開關，P型MOS管開關連接至硬盤，N型MOS管開關一端連接至P型MOS管開關，一端與電容連接；不同組硬盤電路單元的電容與電容充電電阻值不同。
[0007]所述硬盤電路單元中電壓的輸出過程為:由硬盤工作電壓輸出端輸出電壓給硬盤電路單元，電容充電電阻開始對電容充電，當充電電壓達到P型MOS管開關的門電壓閥值時，P型MOS管開關導通，N型MOS管開關的門級被拉低，N型MOS管開關導通，電壓輸出到硬盤。
[0008]所述的多硬盤系統錯峰上電控制電路電壓輸出過程為:系統電源輸出電壓經過電壓調節(jié)器輸出硬盤工作電壓，硬盤工作電壓輸出端給各個硬盤電路單元輸出電壓，因每組電容與電容充電電阻值不同，其中電容充電電阻對電容充電的時間最短的那組硬盤電路單元，充電電壓達到P型MOS管開關的門電壓閥值的時間最短，P型MOS管開關導通，N型MOS管開關的門級被拉低，N型MOS管開關導通，電壓輸出到硬盤的時間也最短，最先導通，以后依次進行，直至所有硬盤上電完成。
[0009]本實用新型的有益效果為:本實用新型中硬盤工作電壓輸出端后設置硬盤電路單元，因不同組的電容與電容充電電阻值不同，形成不同組的P型MOS管開關與N型MOS管開關導通的時間不同，達到硬盤錯峰上電的目的，本實用新型設計簡單，占用空間少，防止多個硬盤統一供電時，硬盤啟動峰值電流過大造成供電電路過流保護，而使系統無法啟動的情況發(fā)生。
【附圖說明】
[0010]圖1本實用新型結構示意圖。
【具體實施方式】
[0011]下面參照附圖所示，通過【具體實施方式】對本實用新型進一步說明:
[0012]一種多硬盤系統錯峰上電控制電路，由系統電源輸出端，經過電壓調節(jié)器連接硬盤工作電壓輸入端，將電壓轉至硬盤工作電壓輸出端，硬盤工作電壓輸出端分別連接至4個硬盤電路單元，4個硬盤電路單元分別連接至硬盤A、硬盤B、硬盤C、硬盤D ;每個硬盤電路單元設置電容用Cl表示，電容放電電阻用R2表示，電容充電電阻用Rl表示，P型MOS管開關用Ql表示，N型MOS管開關用Q2表示；其中硬盤工作電壓輸出端連接Rl及Ql，Ql連接至硬盤，Q2 一端連接至Q1，一端與Cl連接；不同組硬盤電路單元的Cl與Rl值不同。
[0013]硬盤電路單元中電壓的輸出過程為:由硬盤工作電壓輸出端輸出電壓給硬盤電路單元，Rl開始對Cl充電，當充電電壓達到Ql的門電壓閥值時，Ql導通，Q2的門級被拉低，Q2導通，電壓輸出到硬盤。此【具體實施方式】中，設定4個硬盤電路單元由硬盤A到硬盤D的次序上電，即硬盤A的硬盤電路單元中Rl對Cl充電的時間最短，充電電壓達到Ql的門電壓閥值的時間最短，Ql導通，Q2的門級被拉低，Q2導通，電壓輸出到硬盤A的時間最短，最先導通，以后依次進行，直至所有剩下3個硬盤上電完成。
【主權項】
1.一種多硬盤系統錯峰上電控制電路，其特征是由系統電源輸出端，經過電壓調節(jié)器連接硬盤工作電壓輸入端，將電壓轉至硬盤工作電壓輸出端，硬盤工作電壓輸出端分別連接各個硬盤電路單元；硬盤電路單元設置電容，電容放電電阻及電容充電電阻，P型MOS管開關，N型MOS管開關；其中硬盤工作電壓輸出端連接電容充電電阻及P型MOS管開關，P型MOS管開關連接至硬盤，N型MOS管開關一端連接至P型MOS管開關，一端與電容連接；不同組硬盤電路單元的電容與電容充電電阻值不同。
2.根據權利要求1所述的一種多硬盤系統錯峰上電控制電路，其特征是所述硬盤電路單元中電壓的輸出過程為:由硬盤工作電壓輸出端輸出電壓給硬盤電路單元，電容充電電阻開始對電容充電，當充電電壓達到P型MOS管開關的門電壓閥值時，P型MOS管開關導通，N型MOS管開關的門級被拉低，N型MOS管開關導通，電壓輸出到硬盤。
3.根據權利要求1或2所述的一種多硬盤系統錯峰上電控制電路，其特征是所述的多硬盤系統錯峰上電控制電路電壓輸出過程為:系統電源輸出電壓經過電壓調節(jié)器輸出硬盤工作電壓，硬盤工作電壓輸出端給各個硬盤電路單元輸出電壓，因每組電容與電容充電電阻值不同，其中電容充電電阻對電容充電的時間最短的那組硬盤電路單元，充電電壓達到P型MOS管開關的門電壓閥值的時間最短，P型MOS管開關導通，N型MOS管開關的門級被拉低，N型MOS管開關導通，電壓輸出到硬盤的時間也最短，最先導通，以后依次進行，直至所有硬盤上電完成。
【專利摘要】本實用新型公開了一種多硬盤系統錯峰上電控制電路,屬于計算機電路技術領域；控制電路為由系統電源輸出端，經過電壓調節(jié)器連接硬盤工作電壓輸入端，將電壓轉至硬盤工作電壓輸出端，硬盤工作電壓輸出端分別連接各個硬盤電路單元；硬盤電路單元設置電容，電容放電電阻及電容充電電阻，P型MOS管開關，N型MOS管開關；其中硬盤工作電壓輸出端連接電容充電電阻及P型MOS管開關，P型MOS管開關連接至硬盤，N型MOS管開關一端連接至P型MOS管開關，一端與電容連接；不同組硬盤電路單元的電容與電容充電電阻值不同；本實用新型防止多個硬盤統一供電時，硬盤啟動峰值電流過大造成供電電路過流保護，而使系統無法啟動的情況發(fā)生。
【IPC分類】G06F1-26
【公開號】CN204595760
【申請?zhí)枴緾N201520330897
【發(fā)明人】吳安
【申請人】浪潮電子信息產業(yè)股份有限公司
【公開日】2015年8月26日
【申請日】2015年5月21日