技術(shù)編號(hào):11592707
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及半導(dǎo)體制造設(shè)備以及制造方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體制造工藝的節(jié)點(diǎn)繼續(xù)縮小,需要電阻更低且粘附性更好的成核層。另一方面,物理氣相沉積(PVD)由于其臺(tái)階覆蓋性相對(duì)較差,因而隨著關(guān)鍵尺寸的減小,需要采用原子層沉積(ALD)取代PVD,以形成良好的保形沉積。盡管ALD幾乎具有100%的臺(tái)階覆蓋率,但是其難以避免所沉積的膜中的雜質(zhì),比如鹵素、氧和碳等。而這些雜質(zhì)將使得膜以及器件的電學(xué)特性以及電磁(EM)特性劣化。在常規(guī)的當(dāng)前節(jié)點(diǎn)的制造工藝中,已經(jīng)使用了先進(jìn)預(yù)清洗(Advan...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。