技術編號：2895434
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造裝置。 背景技術通常，電容耦合等離子體(CCP =Capacitively Coupled Plasma)的等離子體密度 為 10lclcm_3，比電感耦合等離子體(ICP JnductivelyCoupled Plasma)的等離子體密度 IO12CnT3低。另外，對于電容耦合等離子體，由于不能調整襯底上下間的等離子體密度均勻 性，因此通過調整氣體流量、溫度等來謀求襯底上生成的膜厚的均勻化。因此，在所生成的 膜的性能方面會產(chǎn)生不均，...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。